KR101367007B1 - 내부에 변성 알부민을 포함하는 유전체층을 구비한 전계 효과 트랜지스터 - Google Patents

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Abstract

전계 효과 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 반도체 활성층, 및 유전체층을 포함한다. 상기 반도체 활성층은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극에 연결된다. 상기 유전체층은 변성 알부민을 포함하고 상기 게이트 전극과 상기 반도체 활성층 사이에 위치된다.

Description

내부에 변성 알부민을 포함하는 유전체층을 구비한 전계 효과 트랜지스터{FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH DIELECTRIC LAYER HAVING THEREIN DENATURED ALBUMEN}
본 발명은 전계 효과 트랜지스터, 보다 구체적으로 내부에 변성 알부민을 포함하는 유전체층을 구비한 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.
현재, 전계 효과 트랜지스터는 단일 성분(single element), 화합물 성분 또는 유기 화합물 성분을 갖는 반도체 재료로 거의 형성된다. 상술한 이들 성분 외에도, 바이오재료가 전계 효과 트랜지스터에 널리 이용되고 있다.
하나의 예로, β-카로틴이 전계 효과 트랜지스터용 활성층(active layer)으로 보고되고 있다.(Synth, Met. 2004, 146, 43. 참조) 다른 하나의 예로서, DNA-CTMA(deoxyribonucleic acid-hexadecyltrimethylammonium chloride)가 전계 효과 트랜지스터용 유전체층(dielectric layer)으로서 사용된다고 보고되고 있다. (J. Appl . Phys. 2006. 100, 024514, Appl . Phys . Lett. 2009, 95, 263304, 및 Appl . Phys . Lett. 2010, 96, 103307 참조) 또 다른 예로서, 핵산 염기(nucleobase)가 또한 전계 효과 트랜지스터용 유전체층으로서 사용된다고 보고되고 있다. (Org . Electron. 2010, 11, 1974. 참조) 또 다른 하나의 예로서, 실크(silk)가 전계 효과 트랜지스터용 유전체층 또는 기판으로서 사용되고 있다. (Adv . Mater. 2011, 23, 1630 및 Nat . Mater . 2010, 9, 511. 참조) 또 다른 하나의 예로서, PGLA(poly(L-lactide-co-glycolide))가 또한 전계 효과 트랜지스터용 기판으로서 사용되고 있다. (Adv . Mater. 2010, 22, 651. 참조)
바이오재료(biomaterial)는 본질적으로 생분해성이고, 생체흡수성이며, 생체적합성이고, 친환경적이며, 화학 합성이 필요하지 않다. 바이오재료는, 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 공정이 간단하고 생산비가 저렴하므로 용이하게 얻을 수 있다. 따라서, 전계 효과 트랜지스터의 생산에 있어서 비용을 저감시키고 종래의 전계 효과 트랜지스터와 동등한 또는 우수한 전기적 거동(electric behavior)을 나타내도록 전계 효과 트랜지스터에 더 많은 바이오재료를 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 하나의 목적은 유전체층으로 변성 알부민을 사용하는 전계 효과 트랜지스터를 제공하는 것이다. 변성 알부민은 양호한 유전체 특성을 갖기 때문에 본 발명에 따른 전계 효과 트랜지스터는 전기적 거동에 있어서 성능이 우수하다.
상술한 목적 및/또는 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 전계 효과 트랜지스터를 개시하고, 상기 전계 효과 트랜지스터는:
게이트 전극;
소스 전극;
드레인 전극;
상기 소스 전극과 상기 드레인 전극에 연결된 반도체 활성층; 및
상기 게이트 전극과 상기 반도체 활성층 사이에 위치되고 변성 알부민을 구비하는 유전체층을 포함한다.
상기 유전체층은 상기 게이트 전극과 상기 반도체 활성층 사이에 존재하기 때문에, 상기 유전체층의 변성 알부민은 상기 게이트 전극과 상기 반도체 활성층에 대해 양호한 유전체 특성을 제공하고, 본 발명에 따른 상기 전계 효과 트랜지스터는 전기적 거동에 있어서 성능이 우수하다.
다른 측면에서, 상기 유전체층은 변성 알부민을 포함하기 때문에, 본 발명에 따른 상기 전계 효과 트랜지스터는 필요에 따라 고형 기판 또는 연성 기판을 구비할 수 있다. 이러한 배치에 의해, 상기 전계 효과 트랜지스터는 비가요성 전기 장치 또는 가요성 전기 장치로서 설계될 수 있다.
도 1은 변성 인자(denaturing factor)하에서 네이티브 단백질(native protein)의 구조 및 특성 변화를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 제 1 실시형태를 보여주는 측면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 제 2 실시형태를 보여주는 측면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 제 3 실시형태를 보여주는 측면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 제 4 실시형태를 보여주는 측면도이다.
도 6(a) 내지 도 6(d)는 본 발명에 따른 실시예의 출력 특성 및 전달 특성을 나타내는 다이아그램이다.
도 7은 25V 전압 및 200 내지 106Hz 주파수가 인가된 변성 알부민의 정전 용량을 나타내는 다이아그램이다.
도 8은 10V 바이어스 전압 및 5x103Hz 주파수가 인가되는 경우 여러 습도 환경(humidity environment)에서 변성 알부민의 정규화된 정전 용량(normalized capacitance)을 나타내는 다이아그램이다.
도 9(a)는 본 발명에 따른 다른 실시예의 굽힘(bending)을 보여주는 도면이다.
도 9(b) 및 도 9(c)는 굽힘 후 도 9(a)에서의 실시예의 출력 특성을 나타내는 다이아그램이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 네이티브 단백질(native protein)은 자연 환경에 존재하는 단백질을 말한다. 높은 온도 또는 계면 활성제(surfactant) 등의 변성 인자로 처리된 후, 네이티브 단백질의 2차 및 3차 구조는 변성되고 펼쳐진 단백질(unfolded protein)이 형성된다. 이황화 결합(disulfide bond)이 펼쳐진 단백질의 일부인 시스테인 사이에 형성되고, 이것이 가교 단백질(crosslinked protein)을 형성한다. 펼쳐진 단백질 및 가교 단백질의 구조와 특성이 네이티브 단백질의 구조와 특성 양자에 있어서 서로 상이하기 때문에, 펼쳐진 단백질 및 가교 단백질은 "변성 단백질(denatured protein)"로 불릴 수 있다.
본 발명은 전계 효과 트랜지스터를 제공하는 것이고, 변성 알부민은 유전체층으로서 취급될 수 있다. 따라서, 전계 효과 트랜지스터의 유전체 특성은 양호하고 전계 효과 트랜지스터는 전기적 거동에 있어서 성능이 우수하다.
도 2와 관련하여, 본 발명에 따른 제 1 실시형태는 하부-게이트, 상부-콘택 전계 효과 트랜지스터이고, 게이트 전극(11), 소스 전극(12), 드레인 전극(13), 상기 소스 전극(12)과 상기 드레인 전극(13)에 연결된 반도체 활성층(14), 및 변성 알부민을 구비하며 상기 게이트 전극(11)과 상기 반도체 활성층(14) 사이에 위치된 유전체층(15)을 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 상기 게이트 전극(11)과 상기 유전체층(15)은 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13), 및 상기 반도체 활성층(14)의 하부에 위치하고, 상기 반도체 활성층(14)은 상기 소스 전극(12)과 상기 드레인 전극(13) 및 상기 유전체층(15) 사이에 위치되어 상기 하부-게이트, 상부-콘택 전계 효과 트랜지스터가 형성된다.
본 실시형태에 있어서, 상기 전계 효과 트랜지스터는 게이트 전극(11) 하부에 위치된 기판(16)을 추가로 포함한다. 후속 요구조건으로서, 전계 효과 트랜지스터가 비가요성 전기 장치로 설계되는 경우, 상기 기판(16)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 유리 또는 실리콘 기판 등의 고형 기판(solid substrate)이고; 상기 전계 효과 트랜지스터가 가요성 전기 장치로 설계되는 경우, 상기 기판은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 PEN(polyethylene naphthalate) 기판 등의 연성 기판(soft substrate)이다.
본 실시형태에 있어서, 상기 반도체 활성층(14)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 금속 반도체, 금속 산화물 반도체, 또는 유기 반도체를 포함한다. 바람직하게, 상기 반도체 활성층(14)은 펜타센(pentacene) 또는 탄소-60(carbon-60)을 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 상기 유전체층(15)의 변성 알부민은 조류 네이티브 난 단백질(avian native egg protein)로부터 유래한다. 상기 변성 알부민은 가열 공정, 바람직하게는 80℃ 내지 200℃ 온도의 가열 공정을 통해 수득된다.
특히, 본 실시형태에 있어서, 네이티브 난 단백질은 상기 반도체 활성층(14)의 하부 또는 상기 게이트 전극(11)의 상부에 코팅되고, 그 후 가열되어 변성 알부민으로 전환된다.
상기 변성 알부민은 소수성이고, 변성 알부민의 소수성, 물 접촉각 및 표면 평탄도는 가열 공정의 온도와 시간에 따라 변화될 수 있다는 점에 주목하여야 한다. 160℃ 이하로 가열된 후 상기 변성 알부민의 물 접촉각은 60도 내지 80도이고, 100℃ 이하로 가열된 후 상기 변성 알부민의 물 접촉각은 40도 내지 60도이다. 따라서, 160℃ 가열 변성 알부민이 보다 더 소수성이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 제 2 실시형태는 하부-게이트, 하부-콘택 전계 효과 트랜지스터이고, 게이트 전극(11), 소스 전극(12), 드레인 전극(13), 상기 소스 전극(12)과 상기 드레인 전극(13)에 연결된 반도체 활성층(14), 및 변성 알부민을 구비하며 상기 게이트 전극(11)과 상기 반도체 활성층(14) 사이에 위치된 유전체층(15)을 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 상기 게이트 전극(11)과 상기 유전체층(15)은 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13) 및 상기 반도체 활성층(14)의 하부에 위치하고, 상기 반도체 활성층(14)은 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13) 및 상기 유전체층(15)의 상부를 덮음으로써 상기 하부-게이트, 하부-콘택 전계 효과 트랜지스터가 형성된다.
본 실시형태에 있어서, 상기 전계 효과 트랜지스터는 게이트 전극(11) 하부에 위치된 기판(16)을 추가로 포함한다. 후속 요구조건으로서, 상기 전계 효과 트랜지스터가 비가요성 전기 장치로 설계되는 경우, 상기 기판(16)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 유리 또는 실리콘 기판 등의 고형 기판이고; 상기 전계 효과 트랜지스터가 가요성 전기 장치로 설계되는 경우, 상기 기판은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 PEN 기판 등의 연성 기판이다.
본 실시형태에 있어서, 상기 반도체 활성층(14)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 금속 반도체, 금속 산화물 반도체, 또는 유기 반도체를 포함한다. 바람직하게, 상기 반도체 활성층(14)은 펜타센 또는 탄소-60을 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 상기 유전체층(15)의 변성 알부민은 조류 네이티브 난단백질로부터 유래한다. 상기 변성 알부민은 가열 공정, 바람직하게는 80℃ 내지 200℃ 온도의 가열 공정을 통해 수득된다.
특히, 본 실시형태에 있어서, 네이티브 난 단백질은 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13) 및 상기 반도체 활성층(14)의 하부 또는 상기 게이트 전극(11)의 상부에 코팅되고, 그 후 가열되어 변성 알부민으로 전환된다.
상기 변성 알부민은 소수성이고, 변성 알부민의 소수성, 물 접촉각 및 표면 평탄도는 가열 공정의 온도와 시간의 차이에 따라 변화될 수 있다는 점에 주목하여야 한다. 160℃ 이하로 가열된 후 상기 변성 알부민의 물 접촉각은 60도 내지 80도이고, 100℃ 이하로 가열된 후 상기 변성 알부민의 물 접촉각은 40도 내지 60도 이다. 따라서, 160℃ 가열 변성 알부민이 보다 더 소수성이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 제 3 실시형태는 상부-게이트, 하부-콘택 전계 효과 트랜지스터이고, 게이트 전극(11), 소스 전극(12), 드레인 전극(13), 상기 소스 전극(12)과 상기 드레인 전극(13)에 연결된 반도체 활성층(14), 및 변성 알부민을 구비하며 상기 게이트 전극(11)과 상기 반도체 활성층(14) 사이에 위치된 유전체층(15)을 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 상기 게이트 전극(11)과 상기 유전체층(15)은 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13) 및 상기 반도체 활성층(14)의 상부에 위치하고, 상기 반도체 활성층(14)은 상기 소스 전극(12)과 상기 드레인 전극(13)의 상부를 덮음으로써 상기 상부-게이트, 하부-콘택 전계 효과 트랜지스터가 형성된다.
본 실시형태에 있어서, 상기 전계 효과 트랜지스터는 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13) 및 상기 반도체 활성층(14)의 하부에 위치된 기판(16)을 추가로 포함한다. 후속 요구조건으로서, 상기 전계 효과 트랜지스터가 비가요성 전기 장치로 준비되는 경우, 상기 기판(16)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 유리 또는 실리콘 기판 등의 고형 기판이고; 상기 전계 효과 트랜지스터가 가요성 전기 장치로 준비되는 경우, 상기 기판은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 PEN 기판 등의 연성 기판이다.
본 실시형태에 있어서, 상기 반도체 활성층(14)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 금속 반도체, 금속 산화물 반도체, 또는 유기 반도체를 포함한다. 바람직하게, 상기 반도체 활성층(14)은 펜타센 또는 탄소-60을 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 상기 유전체층(15)의 변성 알부민은 조류 네이티브 난 단백질로부터 유래한다. 상기 변성 알부민은 가열 공정, 바람직하게는 80℃ 내지 200℃ 온도의 가열 공정을 통해 수득된다.
특히, 본 실시형태에 있어서, 네이티브 난 단백질은 상기 게이트 전극(11)의 하부 또는 상기 반도체 활성층(14)의 상부에 코팅되고, 그 후 가열되어 변성 알부민으로 전환된다.
상기 변성 알부민은 소수성이고, 변성 알부민의 소수성, 물 접촉각 및 표면 평탄도는 가열 공정의 온도와 시간의 차이에 따라 반응하여 변화될 수 있다는 점에 주목하여야 한다. 160℃ 가열 변성 알부민의 물 접촉각은 60도 내지 80도이고, 100℃ 가열 변성 알부민의 물 접촉각은 40도 내지 60도이다. 따라서, 160℃ 가열 변성 알부민이 보다 더 소수성이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 제 4 실시형태는 상부-게이트, 상부-콘택 전계 효과 트랜지스터이고, 게이트 전극(11), 소스 전극(12), 드레인 전극(13), 상기 소스 전극(12)과 상기 드레인 전극(13)에 연결된 반도체 활성층(14), 및 변성 알부민을 구비하며 상기 게이트 전극(11)과 상기 반도체 활성층(14) 사이에 위치된 유전체층(15)을 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 상기 게이트 전극(11)과 상기 유전체층(15)은 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13) 및 상기 반도체 활성층(14)의 상부에 위치되고, 상기 반도체 활성층(14)은 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13) 및 상기 유전체층(15)의 하부를 덮음으로써 상기 상부-게이트, 상부-콘택 전계 효과 트랜지스터가 형성된다.
본 실시형태에 있어서, 상기 전계 효과 트랜지스터는 상기 반도체 활성층(14) 하부에 위치된 기판(16)을 추가로 포함한다. 후속 요구조건으로서, 상기 전계 효과 트랜지스터가 비가요성 전기 장치로 설계되는 경우, 상기 기판(16)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 유리 또는 실리콘 기판 등의 고형 기판이고; 상기 전계 효과 트랜지스터가 가요성 전기 장치로 설계되는 경우, 상기 기판은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 PEN 기판 등의 연성 기판이다.
본 실시형태에 있어서, 상기 반도체 활성층(14)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만 금속 반도체, 금속 산화물 반도체, 또는 유기 반도체를 포함한다. 바람직하게, 상기 반도체 활성층(14)은 펜타센 또는 탄소-60을 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 상기 유전체층(15)의 변성 알부민은 조류 네이티브 난 단백질로부터 유래한다. 상기 변성 알부민은 가열 공정, 바람직하게는 80℃ 내지 200℃ 온도의 가열 공정을 통해 수득된다.
특히, 본 실시형태에 있어서, 네이티브 난 단백질은 상기 게이트 전극(11)의 하부 또는 상기 소스 전극(12), 상기 드레인 전극(13) 및 상기 반도체 활성층(14)의 상부에 코팅되고, 그 후 가열되어 상기 네이티브 난 단백질이 변성 알부민으로 전환되도록 한다.
상기 변성 알부민은 소수성이고, 변성 알부민의 소수성, 물 접촉각 및 표면 평탄도는 가열 공정의 온도와 시간의 차이에 따라 변화될 수 있다는 점에 주목하여야 한다. 160℃ 가열 변성 알부민의 물 접촉각은 60도 내지 80도이고, 100℃ 가열 변성 알부민의 물 접촉각은 40도 내지 60도이다. 따라서, 160℃ 가열 변성 알부민이 보다 더 소수성이다.
도 6(a) 내지 도 6(d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 출력 특성과 전달 특성(transfer characteristic)이 제공된다. 상기 실시예는 하부-게이트, 상부-콘택 전계 효과 트랜지스터이고 상기 유전체층의 변성 알부민은 10분 동안 100℃로의 가열을 통해 수득된다. 그 후, 상기 유전체층의 변성 알부민은 10분 동안 120℃로 가열되고, 다시 10분 동안 140℃로 가열된다. 그 결과, 상기 반도체 활성층이 펜타센인 경우, 상기 실시예는 다음과 같은 파라미터를 갖는다는 것이 알려졌다: (1) 게이트 전압이 -25V인 경우 출력 전류는 -1.6x10-6A; (2) 초기 접압은 -8V: (3) 온/오프 비(on/off ratio)는 104; (4) 전류 누설(current leakage)은 1010A. 상기 반도체 활성층이 탄소-60인 경우, 상기 실시예는 다음과 같은 파라미터를 갖는다는 것이 알려졌다: (1) 게이트 전압이 25V인 경우 출력 전류는 5x10-6A; (2) 초기 접압은 1.5V: (3) 온/오프 비는 104; (4) 전류 누설은 1010A. 반도체 활성층이 무엇이든지, 상기 실시예는 전기적 거동에 있어 여전히 성능이 우수하다.
이력 현상(hysteresis)은 전계 효과 트랜지스터의 응용에 결부된 문제점(challenge)이다. 도 6(b)와 도 6(d)에 도시된 바와 같이, 상기 실시예는 이력 현상을 갖지 않는다.
또 다른 측면에서, 유전체층의 유전 상수(dielectric constant)는 전계 효과 트랜지스터의 출력 특성과 관련이 있다고 생각된다. 변성 알부민의 유전체 특성을 분석하기 위해, 상기 변성 알부민은 의도적으로 두개의 금속 사이에 위치되어 금속-절연체-금속 형상을 형성한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 25V 전압 및 200 내지 106Hz 주파수가 인가된 변성 알부민의 정전 용량이 제공된다. 상기 변성 알부민의 정전 용량은, 각각 종래의 전계 효과 트랜지스터에서의 PMMA(polymethacerylate) 및 PS(polysterene)의 유전 상수인 7.0 내지 7.9nF/cm2와 6.5nF/cm2에 비교하여 12.45 내지 13.25nF/cm2인 점에 주목하여야 한다. 상술한 바와 같이, 상기 변성 알부민의 유전 상수는 PMMA 또는 PS의 유전 상수의 2배이다. 또한 도 7에 도시된 바와 같이, 상이한 유전체층을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 출력 특성이 제공된다. 상기 변성 알부민이 전계 효과 트랜지스터내의 유전체층으로 사용되는 경우, 상기 전계 효과 트랜지스터의 출력 전류는 PMMA 또는 PS의 출력 전류의 2배일 것으로 추정된다. 요약하면, 변성 알부민은 탁월한 유전체 특성을 실제로 보여주고, 양호한 전기적 거동을 갖는 전계 효과 트랜지스터를 제공한다.
추가적인 측면에 있어서, 상기 금속-절연체-금속 형상(configuration)은 변성 알부민의 정전 용량 변화를 분석하기 위해 상이한 습도 환경에 위치된다. 도 8에 도시한 바와 같이, 10V 바이어스 전압(bias voltage) 및 5x103Hz 주파수가 인가되는 경우 여러 습도 환경내의 상기 변성 알부민의 정규화된 정전 용량이 제공된다.
상기 변성 알부민의 정전 용량은 여러 습도 환경에서 가시적인 변화가 없다는 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 변성 알부민은 안정하고 양호한 유전체 특성을 갖는다.
도 9(a) 내지 도 9(c)에 도시된 바와 같이, 굽힙 후 본 발명에 따른 다른 실시예의 출력 특성이 제공된다. 상기 실시예는 PEN 기판이 사용된 하부-게이트, 상부-콘택 전계 효과 트랜지스터이다.
도 9(a)를 참조하면, 본 발명에 따라 제조된 구조체는 가요성이다.
도 9(b)를 참조하면, 전계 효과 트랜지스터의 상기 실시예는 제 1 실시예의 출력 특성과 유사한 출력 특성을 갖는다.
도 9(c)를 참조하면, 반경 0.5 cm 형상으로 여러 번 굽혀진 후, 본 발명의 구조체의 출력 전류는 굽혀지기 전과 비교하여 볼 때 가시적인 변화가 없다. 그러나, 굽혀진 후, 상기 구조체의 온/오프 비는 감소하고, 이것은 여러 번 굽혀진 후 증가된 전류 누설에 기인한다.
결론적으로, 본 발명의 전계 효과 트랜지스터는 그 유전체층으로서 변성 알부민을 사용한다. 상기 변성 알부민은 양호한 유전체 특성을 갖고, 따라서 본 발명의 전계 효과 트랜지스터는 전기적 거동에 있어서 성능이 우수하다.
본 발명은 소위 가장 실제적이고 바람직한 실시형태와 관련하여 기술되었지만, 본 발명은 상기 개시된 실시형태에 한정되는 것이 아니라 모든 변형과 균등 배치를 포함하도록 가장 광범위한 해석과 사상 내에서 여러 배치들을 포함하도록 의도된다는 것을 이해하여야 한다.
11 : 게이트 전극 12 : 소스 전극
13 : 드레인 전극 14 : 반도체 활성층
15 : 유전체층 16: 기판

Claims (11)

  1. 전계 효과 트랜지스터에 있어서,
    게이트 전극;
    소스 전극;
    드레인 전극;
    상기 소스 전극과 상기 드레인 전극에 연결된 반도체 활성층; 및
    상기 게이트 전극과 상기 반도체 활성층 사이에 위치되고 변성 알부민을 구비하고, 상기 변성 알부민은 소수성인 유전체층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 변성 알부민은 조류 네이티브 난단백질(egg protein)로부터 기인하는 전계 효과 트랜지스터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 활성층은 금속 반도체, 금속 산화물 반도체, 또는 유기 반도체인 전계 효과 트랜지스터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 활성층은 펜타센 또는 탄소-60인 전계 효과 트랜지스터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 변성 알부민은 가열 공정을 통해 수득되는 전계 효과 트랜지스터.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가열 공정은 80℃ 내지 200℃ 범위의 온도를 갖는 전계 효과 트랜지스터.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 유전체층은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층의 하부에 위치되고, 상기 반도체 활성층은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유전체층 사이에 위치되어 하부-게이트, 상부-콘택 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 전계 효과 트랜지스터.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 유전체층은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층의 하부에 위치되고, 상기 반도체 활성층은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유전체층의 상부에 위치되어 하부-게이트, 하부-콘택 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 전계 효과 트랜지스터.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 유전체층은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층의 상부에 위치되고, 상기 반도체 활성층은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 상부에 위치되어 상부-게이트, 하부-콘택 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 전계 효과 트랜지스터.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 유전체층은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층의 상부에 위치되고, 상기 반도체 활성층은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유전체층 하부에 위치되어 상부-게이트, 상부-콘택 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 전계 효과 트랜지스터.
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