JP2011195907A - Mask holding device and thin film forming device - Google Patents

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輝幸 林
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask holding device holding a mask without wrinkles so that a single mask having no mask frame is conveyed on a substrate or the position of the mask to the substrate is adjusted.SOLUTION: A mask holding and positioning device 5 including a magnetic material, and holding a sheet-shaped mask having openings for patterning a thin film formed on a substrate, is provided with a mask magnetically attracting plate 54 by which the mask is magnetically attracted on one surface side by a plurality of permanent magnets disposed on the other side. The plurality of permanent magnets are so constituted that magnetic field distribution of a first region on the one surface side of the mask magnetically attracting plate 54 and magnetic field distribution of a second region of the one surface side are different from each other.

Description

本発明は、基板上にパターン形成用のマスクを搬送し、又は基板に対するマスクの位置調整を行うべく、該マスクを保持するマスク保持装置、及び該マスク保持装置を備えた薄膜形成装置に関する。   The present invention relates to a mask holding device for holding a mask for carrying a pattern forming mask on the substrate or adjusting the position of the mask relative to the substrate, and a thin film forming apparatus including the mask holding device.

近年、有機EL(Electro-Luminescence)発光素子を備えた有機ELカラーディスプレイが注目されている。有機EL発光素子は、下部電極と上部電極との間に、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層等を積層させてなる有機層が配されてなり、低電圧直流駆動によって発光する。
有機EL発光素子を用いてフルカラー対応の有機ELカラーディスプレイを製造するためには、その製造の過程において、赤(R),緑(G),青(B)の各色成分に対応した有機発光層、電極層などを、蒸着によって基板上にパターン成膜する必要がある。各層のパターン形成には、それぞれの層のパターンに合わせた蒸着用のマスクが用いられている。マスクは薄板であるため、マスクフレームと呼ばれる保持枠にマスクを架張溶接することによって撓みを無くした状態で使用されることが一般的である(例えば、特許文献1)。また、基板上の所望の位置にそれぞれの成膜を行うためには、基板とマスクとの位置合わせを正確に行う必要がある。
In recent years, an organic EL color display provided with an organic EL (Electro-Luminescence) light emitting element has attracted attention. The organic EL light-emitting element includes an organic layer formed by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, and the like between a lower electrode and an upper electrode, and emits light by low-voltage direct current driving.
In order to manufacture a full color organic EL color display using an organic EL light emitting element, an organic light emitting layer corresponding to each color component of red (R), green (G), and blue (B) in the manufacturing process. The electrode layer or the like needs to be formed into a pattern on the substrate by vapor deposition. For the pattern formation of each layer, vapor deposition masks matched to the pattern of each layer are used. Since the mask is a thin plate, the mask is generally used in a state in which the mask is stretched and welded to a holding frame called a mask frame to eliminate bending (for example, Patent Document 1). In addition, in order to form each film at a desired position on the substrate, it is necessary to accurately align the substrate and the mask.

特開2004−183044号公報JP 2004-183044 A

しかしながら、マスクフレームによって架張溶接されたマスクを用いた従来の成膜手法では、将来的な基板の大型化に対応することが困難であるという問題があった。マスクが大型化した場合、微量の撓みであっても、基板とマスクとの位置ずれが大きくなるため、基板とマスクとの位置合わせが困難であるという問題がある。更に、マスクが大型化した場合、マスクフレームも大型化し、それに伴って搬送装置も大型化、コスト高になるという問題があった。   However, the conventional film formation method using the mask stretched and welded by the mask frame has a problem that it is difficult to cope with future enlargement of the substrate. When the mask is increased in size, there is a problem in that it is difficult to align the substrate and the mask because the positional deviation between the substrate and the mask becomes large even with a small amount of bending. Furthermore, when the mask is increased in size, there is a problem that the mask frame is also increased in size, and accordingly, the transfer device is also increased in size and cost.

なお、マスクを複数に分割し、マスクフレームを備えない磁性材料からなる単体のマスクを基板上に載せ、磁石にて該基板上に固定する方法が考えられる。   A method of dividing the mask into a plurality of parts, placing a single mask made of a magnetic material not provided with a mask frame on the substrate, and fixing the mask on the substrate with a magnet is conceivable.

本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マスクフレームを備えない単体のマスクを基板上に搬送し、又は基板に対してマスクを正確に位置調整することができるマスク保持装置、該マスク保持装置を備えた薄膜形成装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to convey a single mask not provided with a mask frame onto the substrate or to accurately adjust the position of the mask with respect to the substrate. An object of the present invention is to provide a mask holding device and a thin film forming apparatus including the mask holding device.

本発明に係るマスク保持装置は、磁性材料を含み、基板上に薄膜をパターン形成するための開口が形成されたシート状のマスクを保持するマスク保持装置において、一面側に配された複数の磁石によって、他面側にマスクが磁着されるマスク磁着板を備え、前記複数の磁石は、前記マスク磁着板の他面側における第1領域の磁場の分布と、該他面側における第2領域の磁場の分布とが異なるように構成されていることを特徴とする。   A mask holding device according to the present invention includes a magnetic material and a plurality of magnets arranged on one side in a mask holding device that holds a sheet-like mask in which an opening for patterning a thin film is formed on a substrate. The mask includes a mask magnetized plate on which the mask is magnetized on the other surface side, and the plurality of magnets includes a distribution of the magnetic field in the first region on the other surface side of the mask magnetized plate and a first magnetic field on the other surface side. The magnetic field distribution of the two regions is different from each other.

本発明にあっては、マスク磁着板の一面側に配された磁石の磁力によって、マスクがマスク磁着板の他面側に磁着される。マスク磁着板の他面側における第1領域の磁場の分布と、該他面側における第2領域の磁場の分布とが異なるため、マスク磁着板がマスクに近接した場合、まず磁場が強い領域にマスクが磁着され、次いで、磁場が低い領域にマスクが磁着される。マスクは、このように順次、マスク磁着板に磁着されるため、マスクを皺無く保持することが可能である。
なお、本発明は、言うまでも無く、第1領域及び第2領域において磁場の分布が異なる場合に限定されることは無く、3以上の領域において磁場の分布が異なる場合も含まれる。
In the present invention, the mask is magnetized on the other surface side of the mask magnetized plate by the magnetic force of the magnet disposed on the one surface side of the mask magnetized plate. Since the distribution of the magnetic field in the first region on the other surface side of the mask magnetized plate is different from the distribution of the magnetic field in the second region on the other surface side, the magnetic field is first strong when the mask magnetized plate is close to the mask. A mask is magnetized on the area, and then the mask is magnetized on the area where the magnetic field is low. Since the mask is sequentially magnetized on the mask magnetized plate in this way, it is possible to hold the mask without any problems.
Needless to say, the present invention is not limited to the case where the distribution of the magnetic field is different in the first region and the second region, and includes the case where the distribution of the magnetic field is different in three or more regions.

本発明は、マスクフレームを備えない単体のマスクを基板上に搬送し、又は基板に対してマスクを正確に位置調整することができる。   According to the present invention, a single mask without a mask frame can be transferred onto a substrate, or the position of the mask can be accurately adjusted with respect to the substrate.

有機EL発光素子を製造するための本発明の実施の形態に係る薄膜形成システムの一構成例を模式的に示した平面図である。It is the top view which showed typically the example of 1 structure of the thin film formation system which concerns on embodiment of this invention for manufacturing an organic EL light emitting element. 実施の形態に係る薄膜形成システムの要部を模式的に示した側断面図である。It is the sectional side view which showed typically the principal part of the thin film formation system which concerns on embodiment. 本実施の形態に係る薄膜形成システムの要部を模式的に示した平面図である。It is the top view which showed typically the principal part of the thin film formation system which concerns on this Embodiment. 本発明の実施の形態に係るマスク保持・位置あわせ装置の一構成例を模式的に示した側断面図である。It is the sectional side view which showed typically the example of 1 structure of the mask holding | maintenance / position alignment apparatus which concerns on embodiment of this invention. 磁石アレイの模式図である。It is a schematic diagram of a magnet array. 永久磁石を模式的に示した側面図である。It is the side view which showed the permanent magnet typically. マスク保持・位置あわせ装置の要部を模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the principal part of the mask holding | maintenance / position alignment apparatus. 基板保持部の一構成例を模式的に示した側断面図である。It is the sectional side view which showed typically the example of 1 structure of the board | substrate holding | maintenance part. マスク保持方法を概念的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mask holding method notionally. 基板に対するマスクの取付方法を概念的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows notionally the attachment method of the mask with respect to a board | substrate. 基板に対するマスクの位置調整方法を概念的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed notionally the position adjustment method of the mask with respect to a board | substrate. 基板に対するマスクの位置調整方法を概念的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed notionally the position adjustment method of the mask with respect to a board | substrate. マスクが配された基板の模式図である。It is a schematic diagram of the board | substrate with which the mask was distribute | arranged. 基板に対するマスクの再配置方法を概念的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows notionally the rearrangement method of the mask with respect to a board | substrate. 変形例1に係る磁石支持板及び磁石アレイの模式図である。It is a schematic diagram of a magnet support plate and a magnet array according to Modification 1. 変形例2に係る磁石アレイの模式図である。10 is a schematic diagram of a magnet array according to Modification 2. FIG. 変形例3に係る電磁石アレイの模式図である。10 is a schematic diagram of an electromagnet array according to Modification 3. FIG. 電磁石アレイの回路構成を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the circuit structure of the electromagnet array. 変形例4におけるマスク保持方法を概念的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows notionally the mask holding | maintenance method in the modification 4. 変形例5に係る磁石支持板及び磁石アレイの模式図である。It is a schematic diagram of a magnet support plate and a magnet array according to Modification 5. 変形例6に係る磁石支持板、マスク磁着板及び磁石アレイの模式図である。It is a schematic diagram of the magnet support plate, mask magnetic deposition plate, and magnet array according to Modification 6. 変形例6におけるマスク保持方法を概念的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows notionally the mask holding | maintenance method in the modification 6. FIG. 変形例6におけるマスク保持方法を概念的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows notionally the mask holding | maintenance method in the modification 6. FIG. 変形例7に係る基板保持部の一構成例を模式的に示した側断面図である。10 is a side cross-sectional view schematically showing a configuration example of a substrate holding unit according to Modification Example 7. FIG. 変形例8に係るマスク保持・位置あわせ装置の要部を模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the principal part of the mask holding | maintenance / position alignment apparatus which concerns on the modification 8. 変形例9に係るマスク保持・位置あわせ装置の要部を模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the principal part of the mask holding | maintenance / position alignment apparatus which concerns on the modification 9. 変形例10に係る薄膜形成装置の要部を横断面で模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the principal part of the thin film forming apparatus which concerns on the modification 10 typically in the cross section. 変形例11に係る薄膜形成装置の要部を横断面で模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the principal part of the thin film forming apparatus which concerns on the modification 11 in the cross section.

以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
図1は、有機EL発光素子を製造するための本発明の実施の形態に係る薄膜形成システムの一構成例を模式的に示した平面図である。薄膜形成システム1001は、いわゆるリニアベイ型システムである。図1に示すように、この薄膜形成システム1001では、基板Gの搬送方向(図1において右向き)に沿って、ローダ1020、第1〜第7の調圧チャンバ1021〜1027(以下、第1PTM1021〜第7PTM1027という。)、第1PTM1021〜第7PTM1027と交互に配置される第1〜第6のトランスファーモジュール1031〜1036(以下、第1TM1031〜第6TM1036という。)およびアンローダ1040を直列に並べることによって、直線状の搬送経路Lが構成されている。なお、本実施の形態では、第1PTM1021〜第7PTM1027は2段に構成されている場合を図示している。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings illustrating embodiments thereof.
FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration example of a thin film forming system according to an embodiment of the present invention for manufacturing an organic EL light emitting device. The thin film forming system 1001 is a so-called linear bay type system. As shown in FIG. 1, in this thin film formation system 1001, a loader 1020, first to seventh pressure regulating chambers 1021 to 1027 (hereinafter referred to as a first PTM 1021) along the transport direction (rightward in FIG. 1) of the substrate G. The first PTM 1021 to the seventh PTM 1027 and the first to sixth transfer modules 1031 to 1036 (hereinafter referred to as the first TM 1031 to the sixth TM 1036) and the unloader 1040, which are alternately arranged with the first PTM 1021 to the seventh PTM 1027, are arranged in series. A conveying path L is formed. In the present embodiment, the first PTM 1021 to the seventh PTM 1027 are illustrated as being configured in two stages.

ローダ1020の前方(図1において左方)、ローダ1020と第1PTM1021との間、第1PTM1021〜第7PTM1027と第1TM1031〜第6TM1036とのそれぞれの間、第7PTM1027とアンローダ1040との間、およびアンローダ1040の後方(図1において右方)には、ゲートバルブ1042が配置してあり、ローダ1020、第1PTM1021〜第7PTM1027、第1TM1031〜第6TM1036及びアンローダ1040の内部には、図示しない真空ポンプによってそれぞれ真空引きが可能となっている。また、第1TM1031〜第6TM1036の内部には搬送用アームを有する搬送ロボット1045がそれぞれ配置されている。   In front of the loader 1020 (left side in FIG. 1), between the loader 1020 and the first PTM1021, between the first PTM1021 to the seventh PTM1027 and the first TM1031 to the sixth TM1036, between the seventh PTM1027 and the unloader 1040, and the unloader 1040. A gate valve 1042 is disposed behind (to the right in FIG. 1), and the loader 1020, the first PTM1021 to the seventh PTM1027, the first TM1031 to the sixth TM1036, and the unloader 1040 are each vacuumed by a vacuum pump (not shown). Pulling is possible. In addition, a transfer robot 1045 having a transfer arm is disposed inside each of the first TM 1031 to the sixth TM 1036.

第1TM1031の一方の側面には、真空紫外光(VUV:Vacuum UltraViolet)等により、基板Gのクリーニングを行う洗浄処理装置1050がゲートバルブ1051を介して接続されている。また、他方の側面には、基板Gに例えばスパッタリング法等によってアノード層を形成させる前処理装置1052が接続されている。第1TM1031内の搬送ロボット1045は、基板Gを搬送経路Lに沿って第1PTM1021から第1TM1031に搬送すると共に、第1TM1031の内部と洗浄処理装置1050との間で、基板Gを搬送経路Lと直行する方向に搬送することができる。   A cleaning processing device 1050 for cleaning the substrate G by vacuum ultraviolet light (VUV: Vacuum UltraViolet) or the like is connected to one side surface of the first TM 1031 through a gate valve 1051. The other side surface is connected with a pretreatment device 1052 for forming an anode layer on the substrate G by, for example, sputtering. The transfer robot 1045 in the first TM 1031 transfers the substrate G from the first PTM 1021 to the first TM 1031 along the transfer path L, and moves the substrate G directly between the inside of the first TM 1031 and the cleaning processing apparatus 1050 along the transfer path L. Can be transported in the direction of movement.

第2TM1032の一方の側面には、基板Gに有機層、例えばホール注入層、ホール輸送層、有機発光層などの薄膜パターン形成を行う薄膜形成装置1がゲートバルブ1062を介して接続されている。また、他方の側面にはバッファモジュール1060がゲートバルブ1061を介して接続されている。薄膜形成装置1の第2TM1032との接続面の反対側の側面には、薄膜形成装置1との間でマスクMの搬送を行うマスクトランスファーモジュール3(以下、MTM3という。)がゲートバルブ1063を介して接続されている。MTM3の一側面にはゲートバルブ1064を介してマスクストック室2が接続されている。マスクストック室2は、鉄Fe及びニッケルNiの合金であるインバーなどの磁性材料を含み、基板G上に薄膜をパターン形成するための開口が形成されたシート状のマスクMを収容している。また、MTM3の他の側面には、ゲートバルブ1065を介して、使用済みのマスクMを収容する使用済みマスク収容部7が接続されている。ここで、基板Gの第2TM1032と薄膜形成装置1との間の搬送は、第2TM1032内部の搬送ロボット1045によって行われる。薄膜形成装置1、MTM3、マスクストック室2の詳細は後述する。   A thin film forming apparatus 1 for forming a thin film pattern such as an organic layer, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, and an organic light emitting layer, is connected to the substrate G through a gate valve 1062 on one side surface of the second TM 1032. A buffer module 1060 is connected to the other side surface via a gate valve 1061. A mask transfer module 3 (hereinafter referred to as MTM3) that transports the mask M to and from the thin film forming apparatus 1 is provided via a gate valve 1063 on the side surface opposite to the connection surface of the thin film forming apparatus 1 with the second TM 1032. Connected. The mask stock chamber 2 is connected to one side of the MTM 3 via a gate valve 1064. The mask stock chamber 2 contains a magnetic material such as Invar, which is an alloy of iron Fe and nickel Ni, and accommodates a sheet-like mask M in which openings for patterning a thin film are formed on the substrate G. Further, a used mask accommodating portion 7 that accommodates a used mask M is connected to the other side surface of the MTM 3 via a gate valve 1065. Here, the transfer of the substrate G between the second TM 1032 and the thin film forming apparatus 1 is performed by the transfer robot 1045 inside the second TM 1032. Details of the thin film forming apparatus 1, the MTM 3, and the mask stock chamber 2 will be described later.

第3TM1033の側面には、基板Gに例えばパターンマスクを用いたスパッタリング法等によってカソード層を形成させるスパッタ処理装置1070がゲートバルブ1071を介して接続されている。ここで、基板Gの第3TM1033とスパッタ処理装置1070との間の搬送は、第3TM1033内部の搬送ロボット1045によって行われる。   A sputtering apparatus 1070 for forming a cathode layer on the substrate G by, for example, a sputtering method using a pattern mask is connected to the side surface of the third TM 1033 via a gate valve 1071. Here, the transfer of the substrate G between the third TM 1033 and the sputtering apparatus 1070 is performed by the transfer robot 1045 inside the third TM 1033.

第4TM1034の両側面には、検査装置1080(SEM)及びバッファモジュール1081が接続されている。ここでは、カソード層まで形成が終了した基板Gについて、各処理が所定の精度以上で行われたかが検査される。   An inspection device 1080 (SEM) and a buffer module 1081 are connected to both side surfaces of the fourth TM 1034. Here, it is inspected whether or not each process has been performed with a predetermined accuracy or higher for the substrate G that has been formed up to the cathode layer.

第5TM1035の一方の側面には、ゲートバルブ1091を介してCVD処理装置1090が接続され、さらに他方の側面にはバッファモジュール1092が接続されている。また、第6TM1036の両側面にはCVD処理装置1100、1101がゲートバルブ1102,1103を介して接続されている。各CVD処理装置1090、1100,1101においては封止膜層の成膜が行われる。ここで、基板Gの第5TM1035及び第6TM1036と各CVD処理装置1090、1100,1101の間の搬送は、第5TM1035及び第6TM1036内部の搬送ロボット1045によって行われる。なお、封止膜層の膜構造等によってCVD処理装置の台数は適宜変更され、例えばCVD処理装置1090のみを設置し、第6TM1036及びCVD処理装置1100,1101を設置しない場合も考えられる。   A CVD processing apparatus 1090 is connected to one side surface of the fifth TM 1035 via a gate valve 1091, and a buffer module 1092 is connected to the other side surface. Further, CVD processing apparatuses 1100 and 1101 are connected to both side surfaces of the sixth TM 1036 via gate valves 1102 and 1103. In each of the CVD processing apparatuses 1090, 1100, and 1101, a sealing film layer is formed. Here, the transfer of the substrate G between the fifth TM 1035 and the sixth TM 1036 and the respective CVD processing apparatuses 1090, 1100, and 1101 is performed by the transfer robot 1045 inside the fifth TM 1035 and the sixth TM 1036. Note that the number of CVD processing apparatuses may be changed as appropriate depending on the film structure of the sealing film layer. For example, only the CVD processing apparatus 1090 may be installed, and the sixth TM 1036 and the CVD processing apparatuses 1100 and 1101 may not be installed.

なお、上記バッファモジュール1060,1081,1092は一般的なバッファ機能を有するモジュールであり、各処理モジュールにおける揺らぎ(定常状態における定期的なクリーニング、処理時間のばらつき)を吸収するものである。そのため、必ずしも上述した位置に配置される必要は無く、適宜、揺らぎの発生する箇所に設けることが好ましい。   The buffer modules 1060, 1081, and 1092 are modules having a general buffer function, and absorb fluctuations in each processing module (periodic cleaning in a steady state, variation in processing time). For this reason, it is not always necessary to dispose them at the positions described above, and it is preferable to provide them at locations where fluctuations occur appropriately.

図2は、実施の形態に係る薄膜形成システムの要部を模式的に示した側断面図、図3は、本実施の形態に係る薄膜形成システムの要部を模式的に示した平面図である。   FIG. 2 is a side sectional view schematically showing the main part of the thin film forming system according to the embodiment, and FIG. 3 is a plan view schematically showing the main part of the thin film forming system according to the present embodiment. is there.

薄膜形成装置1は、真空蒸着法にて、基板G上にホール注入層、ホール輸送層、青発光層、赤発光層、緑発光層、電子輸送層及び電子注入層を形成するための装置である。薄膜形成装置1は、基板Gを収容し、内部で基板Gに対して成膜処理などの薄膜形成を行うための処理室11を備える。処理室11は、搬送方向を長手方向とする中空略直方体形状をなし、アルミニウム、ステンレス等で構成されている。処理室11の長手方向一端側の面(図2中右側の面)には、基板Gを処理室11へ搬入及び搬出するための基板搬入出口11aが形成され、長手方向他端側の面(図2中左側の面)には、マスクMを処理室11へ搬入及び搬出するためのマスク搬入出口11bが形成されている。基板搬入出口11a及びマスク搬入出口11bは、搬入方向に対して直交した長手方向を有するスリット状であり、基板搬入出口11a及びマスク搬入出口11bの長手方向は略同一である。以下、基板搬入出口11a及びマスク搬入出口11bの長手方向を横方向、該横方向及び搬送方向に直交する方向を上下方向という。また、収容室の適宜箇所には、排気孔11cが形成されており、排気孔11cには、処理室11の外部に配された真空ポンプ16が排気管15を介して接続されている。真空ポンプ16が駆動することにより、処理室11の内部は所定の圧力、例えば10-2Paに減圧される。更に、薄膜形成装置1は、基板搬入出口11a及びマスク搬入出口11bを開閉可能に閉塞するゲートバルブ1062,1063を備える。 The thin film forming apparatus 1 is an apparatus for forming a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, a red light emitting layer, a green light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer on a substrate G by a vacuum deposition method. is there. The thin film forming apparatus 1 includes a processing chamber 11 for accommodating a substrate G and for forming a thin film such as a film forming process on the substrate G inside. The processing chamber 11 has a hollow, substantially rectangular parallelepiped shape whose longitudinal direction is the transport direction, and is made of aluminum, stainless steel, or the like. A substrate loading / unloading port 11a for loading and unloading the substrate G into and from the processing chamber 11 is formed on the surface on the one end side in the longitudinal direction of the processing chamber 11 (the surface on the right side in FIG. 2). A mask loading / unloading port 11b for loading and unloading the mask M into and from the processing chamber 11 is formed on the left side in FIG. The substrate loading / unloading port 11a and the mask loading / unloading port 11b have a slit shape having a longitudinal direction perpendicular to the loading direction, and the longitudinal directions of the substrate loading / unloading port 11a and the mask loading / unloading port 11b are substantially the same. Hereinafter, the longitudinal direction of the substrate loading / unloading port 11a and the mask loading / unloading port 11b is referred to as a horizontal direction, and the direction perpendicular to the horizontal direction and the conveyance direction is referred to as a vertical direction. Further, an exhaust hole 11 c is formed at an appropriate location of the storage chamber, and a vacuum pump 16 disposed outside the processing chamber 11 is connected to the exhaust hole 11 c through an exhaust pipe 15. When the vacuum pump 16 is driven, the inside of the processing chamber 11 is depressurized to a predetermined pressure, for example, 10 −2 Pa. Furthermore, the thin film forming apparatus 1 includes gate valves 1062 and 1063 that close the substrate loading / unloading port 11a and the mask loading / unloading port 11b so that they can be opened and closed.

処理室11内部には、基板Gを基板搬入出口11a側からマスク搬入出口11b側へ、又はマスク搬入出口11b側から基板搬入出口11a側へ搬送する搬送装置12が設置されている。搬送装置12は、処理室11の底部に長手方向に沿って設けられた案内レール12aと、該案内レール12aに案内されて搬送方向、即ち前記長手方向へ移動可能に設けられた移動部材12bとを備える。移動部材12bの上端部には、基板Gを底部に対して略平行になるように支持する基板保持部13が設けられている。基板保持部13は、リニアモータによって移動するように構成されている。   In the processing chamber 11, a transfer device 12 is provided for transferring the substrate G from the substrate loading / unloading port 11 a side to the mask loading / unloading port 11 b side or from the mask loading / unloading port 11 b side to the substrate loading / unloading port 11 a side. The transfer device 12 includes a guide rail 12a provided at the bottom of the processing chamber 11 along the longitudinal direction, and a moving member 12b that is guided by the guide rail 12a and is movable in the transfer direction, that is, the longitudinal direction. Is provided. A substrate holding portion 13 that supports the substrate G so as to be substantially parallel to the bottom portion is provided at the upper end portion of the moving member 12b. The substrate holder 13 is configured to move by a linear motor.

また、処理室11の上部、搬送方向略中央部には、基板Gに対して真空蒸着法にて成膜を行う複数の蒸着ヘッド14が設けられている。蒸着ヘッド14は、ホール注入層を蒸着させる第1ヘッド14a、ホール輸送層を蒸着させる第2ヘッド14b、青発光層を蒸着させる第3ヘッド14c、赤発光層を蒸着させる第4ヘッド14d、緑発光層を蒸着させる第5ヘッド14e、及び電子輸送層を蒸着させる第6ヘッド14fを、搬送方向に沿って順に配置して構成されている。蒸着ヘッド14には、処理室11の外部に配された蒸気発生部が配管を介して接続されている。蒸気発生部は、容器と、容器の内部に配された加熱機構とを備える。加熱機構は、電源から供給された電力によって有機成膜材料を加熱するように構成されている。例えば、電気抵抗体にて加熱するように構成されている。こうして、加熱機構内に収納した有機成膜材料を加熱して、有機成膜材料の蒸気を発生させる。また、容器には、基板Gに対して不活性ガス、例えばArなどの希ガス等からなる輸送ガスを供給する輸送ガス供給管が接続されており、輸送ガス供給管から容器に供給された輸送ガスと共に、有機成膜材料の蒸気を蒸気発生部から配管を介して蒸着ヘッド14へ供給するように構成されている。また、第1乃至第6ヘッド14a,14b,14c,14d,14e,14fに対しても同様に、図示しない蒸気発生部から所定の有機成膜材料の蒸気が供給されるように構成されている。   In addition, a plurality of vapor deposition heads 14 that form a film on the substrate G by a vacuum vapor deposition method are provided in the upper portion of the processing chamber 11 and in the substantially central portion in the transport direction. The vapor deposition head 14 includes a first head 14a for vapor-depositing a hole injection layer, a second head 14b for vapor-depositing a hole transport layer, a third head 14c for vapor-depositing a blue light-emitting layer, a fourth head 14d for vapor-depositing a red light-emitting layer, and green. The fifth head 14e for vapor-depositing the light emitting layer and the sixth head 14f for vapor-depositing the electron transport layer are sequentially arranged along the transport direction. A vapor generating unit disposed outside the processing chamber 11 is connected to the vapor deposition head 14 via a pipe. The steam generation unit includes a container and a heating mechanism disposed inside the container. The heating mechanism is configured to heat the organic film forming material with electric power supplied from a power source. For example, it is configured to heat with an electric resistor. In this way, the organic film forming material stored in the heating mechanism is heated to generate vapor of the organic film forming material. Further, the container is connected to a transport gas supply pipe for supplying a transport gas made of an inert gas, for example, a rare gas such as Ar, to the substrate G, and transport supplied from the transport gas supply pipe to the container. Along with the gas, the vapor of the organic film forming material is supplied from the vapor generation unit to the vapor deposition head 14 via a pipe. Similarly, the first to sixth heads 14a, 14b, 14c, 14d, 14e, and 14f are configured to be supplied with vapor of a predetermined organic film forming material from a vapor generation unit (not shown). .

マスク収容部2は、マスクMが搬入される搬入口21aと、マスクMを薄膜形成装置1側へ搬出するための搬出口21bとを有する中空略直方体の筐体21を備える。筐体21の底部には、マスクMが載置されるマスク載置台22が設けられている。マスク載置台22は、上方へ付勢されており、マスク載置台22に積み重ねられたマスクMの重みで押し下げられるように構成されている。また、上部には、マスク載置台22に載置されたマスクMを磁力によって保持するマスク保持・位置あわせ装置6が設けられている。また、搬入口21aはゲートバルブ1064によって開閉可能に閉塞している。
MTM3は、マスク収容部2からマスクMが搬入される搬入口31aと、使用済みマスク収容部7へマスクMを搬出する図示しない搬出口を有する中空略直方体の筐体31を備え、該筐体31の内部には、マスクMをマスク収容部2及び使用済みマスク収容部7と、薄膜形成装置1との間で受け渡すための搬送ロボット32が設けられている。第2TM1032は、搬送口41aを有する中空略直方体の筐体41を備え、該筐体41の内部には、ローダによって搬入された基板Gを薄膜形成装置1へ受け渡すための搬送ロボット1045が設けられている。
The mask accommodating portion 2 includes a hollow substantially rectangular parallelepiped housing 21 having a carry-in port 21a into which the mask M is carried in and a carry-out port 21b through which the mask M is carried out to the thin film forming apparatus 1 side. A mask mounting table 22 on which the mask M is mounted is provided at the bottom of the housing 21. The mask mounting table 22 is urged upward and is configured to be pushed down by the weight of the mask M stacked on the mask mounting table 22. In addition, a mask holding / positioning device 6 for holding the mask M placed on the mask placing table 22 by magnetic force is provided at the upper part. The carry-in port 21a is closed by a gate valve 1064 so as to be opened and closed.
The MTM 3 includes a hollow substantially rectangular parallelepiped housing 31 having a carry-in port 31 a into which the mask M is carried from the mask housing unit 2 and a carry-out port (not shown) through which the mask M is carried out to the used mask housing unit 7. In the interior of 31, a transfer robot 32 is provided for transferring the mask M between the mask housing portion 2 and the used mask housing portion 7 and the thin film forming apparatus 1. The second TM 1032 includes a hollow substantially rectangular parallelepiped housing 41 having a transport port 41a, and a transport robot 1045 for delivering the substrate G loaded by the loader to the thin film forming apparatus 1 is provided in the housing 41. It has been.

図4は、本発明の実施の形態に係るマスク保持・位置あわせ装置5の一構成例を模式的に示した側断面図である。マスク収容部2及び使用済みマスク収容部7に設けられたマスク保持・位置あわせ装置6は、薄膜形成装置1に設けられたマスク保持・位置あわせ装置5の構成と同様であるため、以下では、マスク保持・位置あわせ装置5の構成を説明する。マスク保持・位置あわせ装置5は、マスクMと略同一形状の略矩形板状をなす磁石支持板51を備える。磁石支持板51の上面には、磁石アレイ52が配されている。また、磁石支持板51の適宜箇所、例えば磁石支持板51の四隅には複数の孔部が形成されており、該孔部には上下方向へ移動可能に円柱状のピン54aが挿通している。ピン54aは上端側に、外径が大きく形成された頭部を有しており、該頭部と、磁石支持板51との間は付勢部材54bによって接続されている。付勢部材54bは、例えばピン54aに挿通したコイルバネであり、該コイルバネの一端は頭部に接続され、該コイルバネの他端は、磁石支持板51に接続されている。   FIG. 4 is a side sectional view schematically showing one configuration example of the mask holding / positioning device 5 according to the embodiment of the present invention. Since the mask holding / alignment device 6 provided in the mask storage unit 2 and the used mask storage unit 7 is the same as the configuration of the mask holding / positioning device 5 provided in the thin film forming apparatus 1, The configuration of the mask holding / positioning device 5 will be described. The mask holding / positioning device 5 includes a magnet support plate 51 having a substantially rectangular plate shape that is substantially the same shape as the mask M. A magnet array 52 is arranged on the upper surface of the magnet support plate 51. Further, a plurality of holes are formed at appropriate positions of the magnet support plate 51, for example, at the four corners of the magnet support plate 51, and a cylindrical pin 54a is inserted into the hole so as to be movable in the vertical direction. . The pin 54a has a head having a large outer diameter on the upper end side, and the head and the magnet support plate 51 are connected by a biasing member 54b. The urging member 54 b is, for example, a coil spring inserted into the pin 54 a, and one end of the coil spring is connected to the head, and the other end of the coil spring is connected to the magnet support plate 51.

磁石支持板51の下方には、マスクMと略同形、同大の略矩形板状をなすマスク磁着板54が、磁石支持板51から離隔し、かつ磁石支持板51に対して略平行になるように配されている。マスク磁着板54には、孔部を貫通した複数のピン54aの下端部が接続しており、マスク磁着板54は、複数のピン54aによって磁石支持板51に吊り下げられた状態になっている。   Below the magnet support plate 51, a mask magnetized plate 54 having a substantially rectangular plate shape that is substantially the same size and the same size as the mask M is separated from the magnet support plate 51 and substantially parallel to the magnet support plate 51. It is arranged to become. The mask magnetic plate 54 is connected to the lower ends of a plurality of pins 54a penetrating through the holes, and the mask magnetic plate 54 is suspended from the magnet support plate 51 by the pins 54a. ing.

また、マスク保持・位置あわせ装置5は、磁石支持板51を、磁石アレイ52及びマスク磁着板54と共に昇降させるための昇降機構53を備える。昇降機構53は、処理室11の上部の外面に対して、略垂直に設けられた2本の支柱53aと、該支柱53aに支持されており、処理室11の上方で昇降する移動板53bとを備える。移動板53bには、各支柱53aが挿通するリニアブッシュ53cが設けられており、移動板53bは、処理室11の上部の外面に対して略平行な状態で昇降可能に、該リニアブッシュ53cを介して支柱53aに挿通している。移動板53bの下面の略中央部には、磁石支持板51と共に磁石アレイ52及びマスク磁着板54を昇降させるための昇降軸53dが略垂直に設けられている。昇降軸53dの下端部には、マスクM磁着部の磁着面が略水平になるように磁石支持板51が接続されている。また、支柱53aの上端部には、天板部53gが設けられ、天板部53gには、ボールネジ機構を構成するネジ軸53fが、軸受けを介して貫通している。移動板53bの適宜箇所には、ネジ軸53fに螺合するネジナット53eが設けられており、該ネジナット53e及びネジ軸53fによって、移動板53bを昇降させるボールネジ機構が構成されている。ネジ軸53fの上端部には、ネジ軸53fを回転させるための従動プーリ53hが設けられている。更に、昇降機構53は、ネジ軸53fを回動させる回転力を供給するモータ53kと、該モータ53kを駆動するモータ駆動部53lとを備える。モータ53kは、出力軸が鉛直上方を向いた姿勢で固定されており、該出力軸には駆動プーリ53jが設けられている。駆動プーリ53j及び従動プーリ53hには、ベルト53iが巻き掛けられており、モータ53kの駆動力が、駆動プーリ53j、ベルト53i、及び従動プーリ53hを通じてネジ軸53fに伝達される。ネジ軸53fが回転すると、ボールネジ機構によって、移動板53bが昇降し、移動板53bの昇降に伴ってマスク磁着板54が昇降する。駆動プーリ53j、従動プーリ53h及びベルト53iは、例えばタイミングプーリ及びタイミングベルトである。   The mask holding / positioning device 5 includes an elevating mechanism 53 for elevating and lowering the magnet support plate 51 together with the magnet array 52 and the mask magnetized plate 54. The elevating mechanism 53 includes two support columns 53 a provided substantially perpendicular to the outer surface of the upper portion of the processing chamber 11, and a moving plate 53 b supported by the support columns 53 a and moving up and down above the processing chamber 11. Is provided. The moving plate 53b is provided with a linear bush 53c through which each of the columns 53a is inserted. The moving plate 53b can be moved up and down while being substantially parallel to the outer surface of the upper portion of the processing chamber 11. Through the column 53a. An elevating shaft 53d for elevating the magnet array 52 and the mask magnetized plate 54 together with the magnet support plate 51 is provided substantially vertically at the substantially central portion of the lower surface of the moving plate 53b. A magnet support plate 51 is connected to the lower end of the elevating shaft 53d so that the magnetized surface of the mask M magnetized portion is substantially horizontal. Further, a top plate portion 53g is provided at the upper end portion of the column 53a, and a screw shaft 53f constituting a ball screw mechanism passes through the top plate portion 53g via a bearing. A screw nut 53e that is screwed into the screw shaft 53f is provided at an appropriate location of the moving plate 53b, and a ball screw mechanism that raises and lowers the moving plate 53b is configured by the screw nut 53e and the screw shaft 53f. A driven pulley 53h for rotating the screw shaft 53f is provided at the upper end portion of the screw shaft 53f. Further, the elevating mechanism 53 includes a motor 53k that supplies a rotational force that rotates the screw shaft 53f, and a motor drive unit 53l that drives the motor 53k. The motor 53k is fixed so that the output shaft faces vertically upward, and a drive pulley 53j is provided on the output shaft. A belt 53i is wound around the driving pulley 53j and the driven pulley 53h, and the driving force of the motor 53k is transmitted to the screw shaft 53f through the driving pulley 53j, the belt 53i, and the driven pulley 53h. When the screw shaft 53f rotates, the moving plate 53b moves up and down by the ball screw mechanism, and the mask magnetized plate 54 moves up and down as the moving plate 53b moves up and down. The driving pulley 53j, the driven pulley 53h, and the belt 53i are, for example, a timing pulley and a timing belt.

図5は、磁石アレイ52の模式図、図6は、永久磁石52a,52bを模式的に示した側面図である。磁石アレイ52は、磁石支持板51にマトリクス状に配された複数の永久磁石52a,…,52lを備える。各永久磁石が作る磁場の強さは異なる。例えば、磁石支持板51の一辺側(図5中右側)に配された永久磁石52a,…52lが作る磁場の強さが、他辺側(図5中左側)に配された永久磁石52a,…52lが作る磁場の強さに比べて強くなるように構成されている。ここでは、S極及びN極が交互に配列される例を示したが、N極のみ、又はS極のみが配列される構成でも良い。   FIG. 5 is a schematic view of the magnet array 52, and FIG. 6 is a side view schematically showing the permanent magnets 52a and 52b. The magnet array 52 includes a plurality of permanent magnets 52a, ..., 52l arranged in a matrix on the magnet support plate 51. The strength of the magnetic field created by each permanent magnet is different. For example, the strength of the magnetic field created by the permanent magnets 52a,... 52l arranged on one side (right side in FIG. 5) of the magnet support plate 51 is equal to the permanent magnet 52a, arranged on the other side (left side in FIG. 5). ... 52l is configured to be stronger than the strength of the magnetic field created by 52l. Here, an example in which the S pole and the N pole are alternately arranged has been described, but a configuration in which only the N pole or only the S pole is arranged may be employed.

図7は、マスク保持・位置あわせ装置5の要部を模式的に示した説明図である。マスク保持・位置あわせ装置5は、基板Gに対するマスクMの位置合わせを行うための複数の撮像部55を備える。処理室11は、上部の一部を透光性部材、例えば石英にて構成した透光部11d,11dを有しており、また、該透光部11d,11dの下方に位置する磁石支持板51及びマスク磁着板54の一部には、貫通孔51c,51c,54c,54cが設けられている。各透光部11d,11d及び貫通孔51c,51c,54c,54cは、基板Gに配されるべきマスクMの特定位置、例えば対角をなす2つの頂点部分に対応する箇所に設けられている。撮像部55は、例えばCCDカメラであり、各撮像部55は、透光部11d及び貫通孔51c,51cを通じて、基板G及びマスクMを撮像できるように配されている。基板Gに対するマスクMの位置調整方法の詳細は後述する。
なお、ここでは、撮像部55の処理室11の上方に配する例を説明したが、基板保持部13に撮像部55を配し、下方から基板G及びマスクMを撮像するように構成しても良い。
また、マスク保持・位置あわせ装置5は、マスク磁着板54をその面方向へ移動させるための位置調整機構56を備える。位置調整機構56は、例えば、磁石支持板51に設けられており、昇降軸53dに対して、磁石支持板51をモータ53kによって水平方向へ移動させるXYステージである。
FIG. 7 is an explanatory view schematically showing a main part of the mask holding / positioning device 5. The mask holding / alignment apparatus 5 includes a plurality of imaging units 55 for aligning the mask M with respect to the substrate G. The processing chamber 11 has light-transmitting portions 11d and 11d made of a light-transmitting member, for example, quartz at a part of the upper portion, and a magnet support plate located below the light-transmitting portions 11d and 11d. Through holes 51c, 51c, 54c and 54c are provided in a part of 51 and the mask magnetized plate 54. Each of the light transmitting portions 11d and 11d and the through holes 51c, 51c, 54c, and 54c are provided at specific positions of the mask M to be disposed on the substrate G, for example, at locations corresponding to two vertex portions that form a diagonal. . The imaging unit 55 is, for example, a CCD camera, and each imaging unit 55 is arranged so that the substrate G and the mask M can be imaged through the light transmitting unit 11d and the through holes 51c and 51c. Details of the method for adjusting the position of the mask M with respect to the substrate G will be described later.
Here, an example in which the imaging unit 55 is disposed above the processing chamber 11 has been described, but the imaging unit 55 is disposed on the substrate holding unit 13 so that the substrate G and the mask M are imaged from below. Also good.
Further, the mask holding / positioning device 5 includes a position adjusting mechanism 56 for moving the mask magnetized plate 54 in the surface direction. The position adjustment mechanism 56 is, for example, an XY stage that is provided on the magnet support plate 51 and moves the magnet support plate 51 in the horizontal direction by the motor 53k with respect to the lifting shaft 53d.

また、マスク保持・位置あわせ装置5は、マスク磁着板54の内部に設けられ、該マスク磁着板54を冷却する冷却管51a,51bを備える。冷却管51a,51bは、昇降軸53dの内部を通じて、薄膜形成装置1の外部へ引き回されている。冷却管51a,51bには、例えば冷却水が供給され、磁石アレイ52、及びマスク磁着板54に磁着されたマスクMを冷却する。   The mask holding / positioning device 5 includes cooling pipes 51 a and 51 b that are provided inside the mask magnetic deposition plate 54 and cool the mask magnetic deposition plate 54. The cooling pipes 51a and 51b are routed outside the thin film forming apparatus 1 through the inside of the elevating shaft 53d. For example, cooling water is supplied to the cooling pipes 51 a and 51 b to cool the magnet M 52 and the mask M magnetically attached to the mask magnetic attachment plate 54.

図8は、基板保持部13の一構成例を模式的に示した側断面図である。基板保持部13は、中空略直方体の本体部を備え、該本体部の内部には、処理容器の内部の雰囲気と遮断された空間部13aが形成されている。基板保持部13の上面内部には、基板保持部13に載せた基板Gを保持するための静電チャック13bを有している。静電チャック13bには給電線13cが接続されており、該給電線13cは、本体部の内部の空間に引き出され、図示しない中空のダクトアームを通じて外部の電源に接続されている。
また、基板保持部13の上面内部には、基板保持部13に載せた基板Gの温度を調整するための熱媒体流路13dが埋設されている。熱媒体流路13dには、エチレングリコールなどの熱媒体を熱媒体流路13dへ供給する配管13eが接続されており、該配管13eも給電線13cと同様、本体部の内部の空間に引き出され、図示しない中空のダクトアームを通じて外部の熱媒体供給源に接続されている。
更に、基板保持部13の上面には、基板保持部13に載せた基板Gの下面と、基板保持部13の上面との隙間に伝熱用のガスを供給する伝熱用ガス供給部13fが設けられている。伝熱用のガスは、例えばヘリウムである。伝熱用ガス供給部13fには、ガス供給配管13gが接続され、本体部の内部空間及び図示しない中空のダクトアームを通じて外部の伝熱用ガス供給源に接続されている。
更にまた、マスクMを接地するための配線13hが、基板保持部13の本体部に設けられており、配線の先端部には、マスクM表面の所定箇所、例えば周縁部に成膜された有機膜を破壊して導通をとるピン13jが移動可能に設けられている。例えば、ピンは回動するように撓む腕部の先端に設け、腕部を電磁力などの外力によって回動させる駆動部を備えると良い。もちろん、腕部の基部を回転軸によって支持するように構成しても良い。また、配線13hの途中には、スイッチ13iが接続されている。
蒸着を終えた後、前記駆動部はピン13jを移動させて、マスクMの表面に成膜された有機膜を破壊し、配線13hとの導通を取り、スイッチ13iを入状態にする。蒸着されたマスクMの表面は、絶縁性の有機膜によって覆われているが、ピン13jによって、マスクM上の有機膜を破壊し、導通をとることができる。そして、スイッチ13iが入状態にある場合、マスクMが接地される。マスクMが接地した場合、静電チャック13bへの給電によって帯電したマスクMの電荷が、グランドに逃げるため、基板GからマスクMを容易に取り外すことが可能になる。
FIG. 8 is a side sectional view schematically showing a configuration example of the substrate holding unit 13. The substrate holding part 13 includes a hollow body having a substantially rectangular parallelepiped shape, and a space part 13 a that is shielded from the atmosphere inside the processing container is formed inside the body part. An electrostatic chuck 13 b for holding the substrate G placed on the substrate holding unit 13 is provided inside the upper surface of the substrate holding unit 13. A power supply line 13c is connected to the electrostatic chuck 13b. The power supply line 13c is drawn out to a space inside the main body and is connected to an external power source through a hollow duct arm (not shown).
Further, a heat medium flow path 13 d for adjusting the temperature of the substrate G placed on the substrate holding unit 13 is embedded in the upper surface of the substrate holding unit 13. A pipe 13e for supplying a heat medium such as ethylene glycol to the heat medium flow path 13d is connected to the heat medium flow path 13d, and the pipe 13e is also drawn out to the space inside the main body, similarly to the power supply line 13c. These are connected to an external heat medium supply source through a hollow duct arm (not shown).
Further, on the upper surface of the substrate holding unit 13, there is a heat transfer gas supply unit 13 f that supplies heat transfer gas to a gap between the lower surface of the substrate G placed on the substrate holding unit 13 and the upper surface of the substrate holding unit 13. Is provided. The heat transfer gas is, for example, helium. A gas supply pipe 13g is connected to the heat transfer gas supply part 13f, and is connected to an external heat transfer gas supply source through an internal space of the main body part and a hollow duct arm (not shown).
Furthermore, a wiring 13h for grounding the mask M is provided in the main body of the substrate holding part 13, and an organic film formed at a predetermined position on the surface of the mask M, for example, a peripheral part is formed at the tip of the wiring. A pin 13j that breaks the film and conducts is provided movably. For example, the pin may be provided at the tip of an arm portion that is bent so as to rotate, and may include a drive unit that rotates the arm portion by an external force such as an electromagnetic force. Of course, you may comprise so that the base of an arm part may be supported by a rotating shaft. A switch 13i is connected in the middle of the wiring 13h.
After the vapor deposition is completed, the driving unit moves the pin 13j to break the organic film formed on the surface of the mask M, establish electrical connection with the wiring 13h, and turn on the switch 13i. The surface of the deposited mask M is covered with an insulating organic film. However, the organic film on the mask M can be destroyed by the pins 13j to be conductive. When the switch 13i is in the on state, the mask M is grounded. When the mask M is grounded, the charge of the mask M charged by the power supply to the electrostatic chuck 13b escapes to the ground, so that the mask M can be easily detached from the substrate G.

ところで、成膜パターンの微細化のためにはマスクMの薄膜化が必要である。しかし、マスクMの厚さが10〜100ミクロン程度になると、通常行われるようにマスクM一面を同時的に吸着させるやり方では吸着時に、皺等が生じ、正確に保持することができず、後続の位置あわせを精度良く行えないことが分かった。また、従来のマスク保持・位置あわせ装置から基板G上へ配置する際にも、皺等が生じる可能性がある。従来、このような薄いマスクMを皺無く保持し、基板G上に搬送し、位置合わせを行うことを可能にする技術は存在しなかった。そこで、本願の発明者は、鋭意検討の結果、マスクMを保持する際にマスクM全面を一時に吸着させず、マスクMを段階的に吸着させることで、皺等の発生が抑えられることを発見した。   Incidentally, it is necessary to reduce the thickness of the mask M in order to make the film formation pattern finer. However, when the thickness of the mask M is about 10 to 100 microns, the method of simultaneously sucking the entire surface of the mask M as usual is caused by wrinkles or the like at the time of suction and cannot be accurately held. It was found that the positioning of the could not be performed accurately. In addition, wrinkles and the like may occur when the conventional mask holding / positioning apparatus is arranged on the substrate G. Conventionally, there has been no technology that makes it possible to hold such a thin mask M without loss, transport it onto the substrate G, and perform alignment. Therefore, as a result of earnest study, the inventor of the present application has confirmed that the generation of wrinkles and the like can be suppressed by adsorbing the mask M step by step without adsorbing the entire surface of the mask M at the time when holding the mask M. discovered.

図9は、マスクM保持方法を概念的に示す説明図である。図9では、搬送ロボット32の腕部32aに載せられたマスクMを、マスク保持・位置あわせ装置5を用いて保持する方法を説明する。まず、マスク磁着板54を腕部32aよりも上側に位置するように上昇させ、次いで、図9(a)に示すように、マスク磁着板54を降下させる。マスク磁着板54が腕部32aに接近すると、図9(b)〜(d)に示すように、磁場が強い領域から順にマスクMがマスク磁着板54に磁着される。この状態では、マスク磁着板54は、付勢部材54bによって、磁石支持板51から離隔するように付勢されているため、一定距離離隔した状態にある。従って、マスクMに働く磁場が急激に強くなり、皺ができた状態でマスク磁着板54に磁着されることが防止される。図9(e)に示すようにマスク磁着板54が腕部32aに密着した状態では、マスクMは皺無くマスク磁着板54に磁着された状態になる。また、付勢部材54bの付勢力に逆らって、マスク磁着板54と、磁石支持板51とが近接又は密着しているため、マスクMにはより強い磁力が働き、マスクMはマスク磁着板54に磁着される。そして、図9(f)に示すように、昇降軸53dを上昇させた場合、マスクMは皺無くマスク磁着板54に磁着されたまま、マスク磁着板54と共に上昇する。   FIG. 9 is an explanatory diagram conceptually showing the mask M holding method. In FIG. 9, a method of holding the mask M placed on the arm portion 32 a of the transfer robot 32 using the mask holding / positioning device 5 will be described. First, the mask magnetic plate 54 is raised so as to be positioned above the arm portion 32a, and then the mask magnetic plate 54 is lowered as shown in FIG. 9A. When the mask magnetized plate 54 approaches the arm portion 32a, as shown in FIGS. 9B to 9D, the mask M is magnetized on the mask magnetized plate 54 in order from the region where the magnetic field is strong. In this state, the mask magnetized plate 54 is biased so as to be separated from the magnet support plate 51 by the biasing member 54b, and thus is separated by a certain distance. Accordingly, the magnetic field acting on the mask M is suddenly increased, and it is prevented that the mask M is magnetically attached to the mask magnetized plate 54 in a state where wrinkles are formed. As shown in FIG. 9E, when the mask magnetized plate 54 is in close contact with the arm portion 32a, the mask M is in a state of being magnetized to the mask magnetized plate 54 without any defects. Further, since the mask magnetizing plate 54 and the magnet support plate 51 are close to or in close contact with the biasing force of the biasing member 54b, a stronger magnetic force acts on the mask M, and the mask M adheres to the mask magnetizing. Magnetically attached to the plate 54. As shown in FIG. 9 (f), when the elevating shaft 53d is raised, the mask M is raised together with the mask magnetized plate 54 while still being magnetized on the mask magnetized plate 54.

図10は、基板Gに対するマスクMの取付方法を概念的に示す説明図である。図10では、保持したマスクMを基板G上に載せる方法を説明する。マスク磁着板54には、図9に示した方法でマスクMが磁着されている。そして、図10(a)に示すように、位置調整機構56を駆動することによって、マスクMを基板Gに対して略平行な方向へ移動させ、基板Gに対するマスクMの位置調整を行う。   FIG. 10 is an explanatory diagram conceptually showing a method of attaching the mask M to the substrate G. In FIG. 10, a method of placing the held mask M on the substrate G will be described. A mask M is magnetized on the mask magnetized plate 54 by the method shown in FIG. Then, as shown in FIG. 10A, by driving the position adjustment mechanism 56, the mask M is moved in a direction substantially parallel to the substrate G, and the position of the mask M with respect to the substrate G is adjusted.

図11及び図12は、基板Gに対するマスクMの位置調整方法を概念的に示した説明図である。撮像部55は、基板G上のアライメントマークG1,G2と、マスクMのアライメントマークM1,M2を撮像する。基板GのアライメントマークG1,G2は、例えば、クロム等の金属薄膜で形成され、マスクMのアライメントマークM1,M2は、例えば貫通した孔として形成されている。なお、アライメントマークM1,M2は、マスクMが基板Gに配された場合に基板Gの中央部では無く、周縁部に位置するような箇所に設けられている。基板Gの周縁部であれば、マスクMのアライメントマークM1,M2を通じて基板Gが成膜されても問題が無いためである。そして、各アライメントマークM1,M2,G1,G2が所定の位置関係になるように位置調整機構56を駆動する。つまり、水平面内方向におけるアライメントマークG1と、アライメントマークM1とが一致し、かつアライメントマークG2と、アライメントマークM2とが一致するように、位置調整機構56を駆動することによって、マスクMを基板Gに対して略平行な方向へ移動させ、基板Gに対するマスクMの位置調整を行う。図11及び図12では、1枚のマスクMの位置調整を説明しているが、他のマスクMの位置調整の方法も同様である。   11 and 12 are explanatory diagrams conceptually showing a method for adjusting the position of the mask M with respect to the substrate G. FIG. The imaging unit 55 images the alignment marks G1 and G2 on the substrate G and the alignment marks M1 and M2 on the mask M. The alignment marks G1 and G2 of the substrate G are formed of, for example, a metal thin film such as chromium, and the alignment marks M1 and M2 of the mask M are formed of, for example, through holes. Note that the alignment marks M1 and M2 are provided not at the central portion of the substrate G but at the peripheral portion when the mask M is disposed on the substrate G. This is because there is no problem even if the substrate G is formed through the alignment marks M1 and M2 of the mask M at the peripheral portion of the substrate G. Then, the position adjusting mechanism 56 is driven so that the alignment marks M1, M2, G1, and G2 have a predetermined positional relationship. That is, by driving the position adjustment mechanism 56 so that the alignment mark G1 and the alignment mark M1 in the horizontal plane direction coincide with each other and the alignment mark G2 and the alignment mark M2 coincide with each other, the mask M is placed on the substrate G. The position of the mask M with respect to the substrate G is adjusted. 11 and 12, the position adjustment of one mask M is described, but the method of adjusting the position of other masks M is the same.

マスクM及び基板G上のアライメントマークが所定の位置関係になった場合、図10(b)に示すように、マスク磁着板54を降下させ、基板保持部13に保持された基板GにマスクMを密着させる。そして、基板保持部13の静電チャック13bに給電され、基板Gに載せられたマスクMが基板Gと共に静電力によって基板保持部13に保持される。次いで、マスク磁着板54を上昇させる。同様の手順で、複数枚のマスクMを基板G上に並べて配置する。   When the alignment marks on the mask M and the substrate G are in a predetermined positional relationship, as shown in FIG. 10B, the mask magnetized plate 54 is lowered and the mask is applied to the substrate G held on the substrate holder 13. Adhere M. Then, power is supplied to the electrostatic chuck 13 b of the substrate holding unit 13, and the mask M placed on the substrate G is held by the substrate holding unit 13 together with the substrate G by electrostatic force. Next, the mask magnetized plate 54 is raised. A plurality of masks M are arranged on the substrate G in the same procedure.

図13は、マスクMが配された基板Gの模式図である。図13(a)は、マスクMが載せられた基板Gの平面図、図13(b)は、マスクが載せられた基板Gの側面図である。図9〜図12で説明した以上の工程によって、マスクフレームを備えないマスクMを皺無く保持し、基板Gに対するマスクMの位置あわせを行い、図13に示すように、基板G上に皺無く保持させることができる。   FIG. 13 is a schematic diagram of the substrate G on which the mask M is arranged. 13A is a plan view of the substrate G on which the mask M is placed, and FIG. 13B is a side view of the substrate G on which the mask is placed. 9 to 12, the mask M without the mask frame is held without any loss, and the mask M is aligned with the substrate G. As shown in FIG. Can be retained.

図14は、基板Gに対するマスクMの再配置方法を概念的に示す説明図である。図14では、基板G上に載せたマスクMを再び保持し、基板Gに対するマスクMの位置を変更する方法を説明する。例えば、マスクMを載せた状態で有機EL発光素子の赤(R)に対応した有機発光層の蒸着を終えた後、マスクMをずらして、緑(G)に対応した有機発光層の蒸着を行い、以下同様にした他の有機発光層の蒸着を順次行うような場合、マスクMの位置変更が必要になる。まず、図14(a)に示すように、マスクMが載せられた基板Gに対してマスク磁着板54を降下させ、図14(b)に示すようにマスク磁着板54をマスクMに密着させる。この状態で、静電チャック13bへの給電は停止され、スイッチ13iが閉状態になる。従って、マスクMに働く静電力は無くなっており、マスクMは磁石アレイ52が作る磁場によってマスク磁着板54に磁着される。次いで、図14(c)に示すように、マスク保持・位置あわせ装置5を上昇させる。上述したように静電力は消失しているため、マスクMはマスク磁着板54に磁着された状態で、基板Gから離れ、マスク磁着板54と共に上昇する。次いで、図14(d)に示すように、基板Gに対するマスクMの位置あわせを行う。以下の工程は、図10と同様である。なお、マスクMの位置をずらして、複数の有機発光層の蒸着を行う場合を説明したが、言うまでも無く、各層の蒸着を終える毎に、マスクMを廃棄し、新たなマスクMを使用するように構成しても良い。   FIG. 14 is an explanatory diagram conceptually showing a method of rearranging the mask M with respect to the substrate G. In FIG. 14, a method of holding the mask M placed on the substrate G again and changing the position of the mask M with respect to the substrate G will be described. For example, after the deposition of the organic light emitting layer corresponding to red (R) of the organic EL light emitting element is finished with the mask M placed, the mask M is shifted to deposit the organic light emitting layer corresponding to green (G). If the other organic light emitting layers are sequentially deposited, the position of the mask M needs to be changed. First, as shown in FIG. 14A, the mask magnetic plate 54 is lowered with respect to the substrate G on which the mask M is placed, and the mask magnetic plate 54 is used as the mask M as shown in FIG. Adhere closely. In this state, the power supply to the electrostatic chuck 13b is stopped and the switch 13i is closed. Accordingly, the electrostatic force acting on the mask M is eliminated, and the mask M is magnetically attached to the mask magnetic plate 54 by the magnetic field generated by the magnet array 52. Next, as shown in FIG. 14C, the mask holding / positioning device 5 is raised. As described above, since the electrostatic force has disappeared, the mask M is separated from the substrate G while being magnetically attached to the mask magnetic plate 54, and rises together with the mask magnetic plate 54. Next, as shown in FIG. 14D, the mask M is aligned with the substrate G. The subsequent steps are the same as those in FIG. In addition, although the case where the position of the mask M was shifted and the vapor deposition of the several organic light emitting layer was demonstrated, it cannot be overemphasized, whenever the vapor deposition of each layer is completed, the mask M is discarded and new mask M is used. You may comprise so that it may do.

このように構成された薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置5にあっては、マスクフレームを備えない単体のマスクMを基板G上に搬送し、又は基板Gに対するマスクMの位置調整を行うべく、マスクMを皺無く保持することができる。このため、大型の基板Gに対して、基板Gより小さい複数のマスクMを基板G上に並べて載せ、有機蒸着を行うことが可能になり、大型の基板に対するパターン形成を行うことができる。   In the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning apparatus 5 configured as described above, a single mask M not provided with a mask frame is transferred onto the substrate G, or the position of the mask M with respect to the substrate G is adjusted. In order to do so, the mask M can be held without any defects. For this reason, a plurality of masks M smaller than the substrate G can be placed on the substrate G, and organic vapor deposition can be performed on the large substrate G, and a pattern can be formed on the large substrate.

また、マスク磁着板54は、付勢部材54bによって、磁石支持板51から離隔するように付勢されているため、マスクMに働く磁場が急激に強くなり、皺ができた状態でマスク磁着板54に磁着されることを防止することができる。   Further, since the mask magnetized plate 54 is biased by the biasing member 54b so as to be separated from the magnet support plate 51, the magnetic field acting on the mask M suddenly increases and the mask magnetism plate 54 is in a state of wrinkles. It can be prevented from being magnetically attached to the attachment plate 54.

更に、磁石アレイ52及びマスク磁着板54は冷却管51a,51bによって冷却されるため、磁力が低下することを防止することができる。また、マスクMが変形することを防止することができる。   Furthermore, since the magnet array 52 and the mask magnetized plate 54 are cooled by the cooling pipes 51a and 51b, it is possible to prevent the magnetic force from being lowered. Further, the mask M can be prevented from being deformed.

更にまた、基板Gの上面にマスクMを載せ、上側から有機蒸着を行う構成であるため、基板Gに載せられたマスクMは自重で撓むことは無く、マスクMの位置ずれ、マスクMの孔の変形が発生しない。従って、より高精度なパターン形成を行うことができる。   Furthermore, since the mask M is placed on the upper surface of the substrate G and the organic vapor deposition is performed from the upper side, the mask M placed on the substrate G is not bent by its own weight, and the mask M is displaced. Hole deformation does not occur. Therefore, it is possible to form a pattern with higher accuracy.

更にまた、マスクMを接地する配線13h及びスイッチ13iを備えているため、マスクMと、基板Gとの間に働く静電力を除去し、基板GからマスクMを容易に取り外すことができる。   Furthermore, since the wiring 13h and the switch 13i for grounding the mask M are provided, the electrostatic force acting between the mask M and the substrate G can be removed, and the mask M can be easily detached from the substrate G.

更にまた、基板保持部13は、熱媒体流路13dを備えているため、基板Gを冷却することができ、パターン形成された膜が損傷したり、基板G上のマスクMが変形することを防止することができる。   Furthermore, since the substrate holding unit 13 includes the heat medium flow path 13d, the substrate G can be cooled, the patterned film is damaged, and the mask M on the substrate G is deformed. Can be prevented.

なお、実施の形態では、パターン形成が行われる面が上方になるように基板Gを保持し、有機蒸着を行うように構成されているが、パターン形成が行われる面が横方向を向くように基板Gを保持し、マスク保持・位置あわせ装置5を基板保持部13の横側に配置しても良い。   In the embodiment, the substrate G is held so that the surface on which pattern formation is performed is upward and organic vapor deposition is performed. However, the surface on which pattern formation is performed is directed in the horizontal direction. The substrate G may be held, and the mask holding / positioning device 5 may be disposed on the side of the substrate holding unit 13.

また、マスク収容部2に収容されたマスクMを、マスク保持・位置あわせ装置6を用いて保持するように構成してあるが、櫛状の溝を有する棚に配置されたマスクMを、該溝に倣って形成された櫛状の腕部32aを有する搬送ロボット32にて直接持ち上げ、薄膜形成装置1へ搬送するように構成しても良い。   Further, the mask M accommodated in the mask accommodating portion 2 is configured to be held using the mask holding / positioning device 6, but the mask M arranged on a shelf having a comb-shaped groove is It may be configured such that it is directly lifted by a transfer robot 32 having a comb-like arm portion 32a formed following the groove and transferred to the thin film forming apparatus 1.

更に、有機層を基板Gに有機蒸着させる薄膜形成装置1を説明したが、パターン形成されたマスクMを基板Gに載せ、薄膜を基板G上に形成する処理を行う各種装置、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)装置、PVD(Physical Vapor Deposition)装置に本発明を適用しても良い。   Further, the thin film forming apparatus 1 for organic vapor deposition of the organic layer on the substrate G has been described. However, various apparatuses for performing a process of forming a thin film on the substrate G by placing a patterned mask M on the substrate G, such as CVD (Chemical The present invention may be applied to a Vapor Deposition (PVD) apparatus and a PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus.

(変形例1)
変形例1に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置5は、磁石支持板151及び磁石アレイ152の構成のみが異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。
図15は、変形例1に係る磁石支持板151及び磁石アレイ152の模式図である。磁石アレイ152は、磁石支持板151にマトリクス状に配された複数の永久磁石152aを備える。各永久磁石152aが作る磁場の強さは略同一である。磁石支持板151は、磁石支持板151の一辺側(図15中右側)に配された永久磁石152aと、マスク磁着板54との距離が、他辺側(図15中左側)に配された永久磁石152aと、マスク磁着板54との距離よりも短くなるように、永久磁石152aが配される配置面に段状部を有する。
このように構成されたマスク保持・位置あわせ装置5にあっては、磁石支持板151の一辺側に作られる磁場の強度は、他辺側に作られる磁場の強度に比べて強い。
(Modification 1)
Since the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning apparatus 5 according to the modification 1 are different only in the configuration of the magnet support plate 151 and the magnet array 152, the difference will be mainly described below.
FIG. 15 is a schematic diagram of the magnet support plate 151 and the magnet array 152 according to the first modification. The magnet array 152 includes a plurality of permanent magnets 152a arranged in a matrix on the magnet support plate 151. The strength of the magnetic field created by each permanent magnet 152a is substantially the same. The magnet support plate 151 is arranged such that the distance between the permanent magnet 152a arranged on one side (right side in FIG. 15) of the magnet support plate 151 and the mask magnetized plate 54 is on the other side (left side in FIG. 15). In addition, a stepped portion is provided on the arrangement surface on which the permanent magnet 152a is arranged so as to be shorter than the distance between the permanent magnet 152a and the mask magnetized plate 54.
In the mask holding / alignment apparatus 5 configured as described above, the strength of the magnetic field created on one side of the magnet support plate 151 is higher than the strength of the magnetic field created on the other side.

変形例1にあっては、上述の実施の形態と同様の効果を奏する。また、永久磁石152aの磁力は同じであるため、磁力が強い磁石と、磁力が弱い磁石との配置位置を考慮する必要が無く、容易に磁石アレイ152を構成することができる。従って、より低コストで本発明を製造することができる。   In the first modification, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained. Moreover, since the magnetic force of the permanent magnet 152a is the same, it is not necessary to consider the arrangement position of the magnet with a strong magnetic force and the magnet with a weak magnetic force, and the magnet array 152 can be comprised easily. Therefore, the present invention can be manufactured at a lower cost.

(変形例2)
変形例2に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置5は、磁石支持板251及び磁石アレイ252の構成のみが異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。
図16は、変形例2に係る磁石アレイ252の模式図である。磁石アレイ252は、磁石支持板251にマトリクス状に配された複数の永久磁石252a,252b,252cを備える。各永久磁石252a,252b,252cが作る磁場の強さは略同一である。また、磁石支持板251の一辺側(図16中右側)に配された複数の永久磁石252c間の距離が、他辺側(図16中左側)に配された複数の永久磁石252a間の距離に比べて短くなるように構成されている。
このように構成されたマスク保持・位置あわせ装置5にあっては、磁石支持板251の一辺側に作られる磁場の強度は、他辺側に作られる磁場の強度に比べて強い。
(Modification 2)
Since the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning apparatus 5 according to the modified example 2 are different only in the configuration of the magnet support plate 251 and the magnet array 252, the differences will be mainly described below.
FIG. 16 is a schematic diagram of a magnet array 252 according to the second modification. The magnet array 252 includes a plurality of permanent magnets 252a, 252b, and 252c arranged in a matrix on the magnet support plate 251. The strength of the magnetic field generated by each permanent magnet 252a, 252b, 252c is substantially the same. Further, the distance between the plurality of permanent magnets 252c arranged on one side (the right side in FIG. 16) of the magnet support plate 251 is the distance between the plurality of permanent magnets 252a arranged on the other side (the left side in FIG. 16). It is comprised so that it may become short compared with.
In the mask holding / alignment apparatus 5 configured as described above, the strength of the magnetic field created on one side of the magnet support plate 251 is higher than the strength of the magnetic field created on the other side.

変形例2にあっては、上述の実施の形態と同様の効果を奏する。また、永久磁石252a,252b,252cの磁力は同じであるため、磁力が強い磁石と、磁力が弱い磁石との配置位置を考慮する必要が無く、容易に磁石アレイ252を構成することができる。従って、より低コストで本発明を製造することができる。   In the second modification, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained. In addition, since the magnetic forces of the permanent magnets 252a, 252b, and 252c are the same, it is not necessary to consider the arrangement positions of the strong magnetic force and the weak magnetic force, and the magnet array 252 can be easily configured. Therefore, the present invention can be manufactured at a lower cost.

(変形例3)
変形例3に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置5は、磁石支持板を兼ねたマスク磁着板351及び電磁石アレイ352の構成のみが異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。
図17は、変形例3に係る電磁石アレイ352の模式図、図18は、電磁石アレイ352の回路構成を示した模式図である。電磁石アレイ352は、樹脂製のマスク磁着板351にマトリクス状に配された複数の電磁石352aを備える。電磁石352aは、例えば、マスク磁着板351の一辺側(図17中右側)に配された電磁石352aが作る磁場の強さが、他辺側(図17中左側)に配された電磁石352aが作る磁場の強さに比べて強くなるように構成されている。また、マスク保持・位置あわせ装置5は、電磁石352aに電流を供給する電磁石用電源352bが接続されている。電磁石352aが作る磁界の強度は、コイルの巻き数、コイルの供給する電流の強さ、コアの材質などに差を設けることによって、変更することができる。
(Modification 3)
The thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning apparatus 5 according to the modified example 3 are different only in the configuration of the mask magnetizing plate 351 that also serves as a magnet support plate and the electromagnet array 352. explain.
FIG. 17 is a schematic diagram of an electromagnet array 352 according to Modification 3. FIG. 18 is a schematic diagram illustrating a circuit configuration of the electromagnet array 352. The electromagnet array 352 includes a plurality of electromagnets 352a arranged in a matrix on a resin mask magnetized plate 351. The electromagnet 352a has, for example, the strength of the magnetic field created by the electromagnet 352a arranged on one side (the right side in FIG. 17) of the mask magnetized plate 351, and the electromagnet 352a arranged on the other side (the left side in FIG. 17). It is configured to be stronger than the strength of the magnetic field created. The mask holding / positioning device 5 is connected to an electromagnet power source 352b that supplies current to the electromagnet 352a. The strength of the magnetic field generated by the electromagnet 352a can be changed by providing a difference in the number of turns of the coil, the strength of the current supplied by the coil, the material of the core, and the like.

変形例3にあっては、上述の実施の形態と同様の効果を奏する。
また、コイルの巻き数及びコアの材質を変更することによって、各電磁石352aが作る磁界の強度に差を設ける場合、各電磁石352aに同量の電流を流すだけで、磁場の強度の分布を偏らせることができるため、制御が容易である。
更に、各電磁石352aに流す電流量を制御することによって、各電磁石352aが作る磁界の強度に差を設ける場合、同一の電磁石352aをアレイ状に配置するのみで電磁石アレイ352を製造することができるため、より低コストで本発明を製造することができる。
更にまた、例えば、マスク磁着板54の昇降に応じて、電磁石352aに供給する電流量を増減させるように構成した場合、実施の形態で説明したピン54a及び付勢部材54bを廃することができる。具体的には、マスク磁着板54とマスクMとの距離が長いほど、電磁石352aに供給する電流を弱くし、マスク磁着板54とマスクMとの距離が短いほど、電磁石352aに供給する電流を強くすると良い。このように構成した場合、マスク磁着板54をマスクMが急激に吸い寄せられて皺がよることを防止することができる。また、マスク磁着板54にマスクMが磁着した後はマスクMを強い磁場によって磁着することができる。
In the third modification, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.
Also, in the case where a difference is provided in the strength of the magnetic field generated by each electromagnet 352a by changing the number of turns of the coil and the material of the core, the distribution of the strength of the magnetic field is biased only by flowing the same amount of current through each electromagnet 352a. Control is easy.
Furthermore, when a difference is provided in the strength of the magnetic field created by each electromagnet 352a by controlling the amount of current flowing through each electromagnet 352a, the electromagnet array 352 can be manufactured simply by arranging the same electromagnet 352a in an array. Therefore, the present invention can be manufactured at a lower cost.
Furthermore, for example, when the amount of current supplied to the electromagnet 352a is increased or decreased in accordance with the elevation of the mask magnetized plate 54, the pins 54a and the biasing member 54b described in the embodiment may be eliminated. it can. Specifically, the longer the distance between the mask magnetized plate 54 and the mask M, the weaker the current supplied to the electromagnet 352a, and the shorter the distance between the mask magnetized plate 54 and the mask M, the supplied to the electromagnet 352a. It is better to increase the current. When comprised in this way, it can prevent that the mask M attracts | sucks the mask magnetic attachment board 54 rapidly, and a wrinkle arises. Further, after the mask M is magnetized on the mask magnetized plate 54, the mask M can be magnetized by a strong magnetic field.

なお、複数の電磁石352a毎に流す電流量に差を設けて、磁界の強度に差を設ける例を説明したが、電磁石352aに電流を流すタイミングを制御することによって、マスクMを皺無く保持するように構成しても良い。例えば、マスク磁着板351の一辺側(図17中右側)に配された電磁石352aから電流を流し、次に、一辺側の電磁石352aから他端側(図17中左側)の電磁石352aへ順に電流を流すように構成しても良い。この場合、マスクMは、一辺側から他端側の順でマスク磁着板351に皺無く磁着する。
また、マスク磁着板351の中央部に配された電磁石352aから電流を流し、次に、該中央部から周辺側の順で電磁石352aに電流を流すように構成しても良い。
In addition, although the example which provides the difference in the electric current amount sent for every some electromagnet 352a and provides a difference in the intensity | strength of a magnetic field was demonstrated, the mask M is hold | maintained thoroughly by controlling the timing which sends an electric current to the electromagnet 352a. You may comprise as follows. For example, an electric current is passed from the electromagnet 352a disposed on one side (the right side in FIG. 17) of the mask magnetized plate 351, and then the electromagnet 352a on the one side is sequentially transferred to the electromagnet 352a on the other end (the left side in FIG. 17) You may comprise so that an electric current may be sent. In this case, the mask M is magnetically adhered to the mask magnetic adhesion plate 351 in order from one side to the other end.
Alternatively, a current may be supplied from the electromagnet 352a disposed in the central portion of the mask magnetic plate 351, and then a current may be supplied to the electromagnet 352a in the order from the central portion to the peripheral side.

(変形例4)
変形例4に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置405は、マスク保持・位置あわせ装置405の構造のみが異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。マスク保持・位置あわせ装置405は、実施の形態と同様の磁石支持板及び磁石アレイを備える。磁石アレイは、磁石支持板にマトリクス状に配された複数の永久磁石を備える。各永久磁石が作る磁場の強さは異なる。具体的には、磁石支持板の中央部に配された永久磁石が作る磁場の強さが、周辺側に配された永久磁石が作る磁場の強さに比べて強くなるように構成されている。
図19は、変形例4におけるマスク保持方法を概念的に示す説明図である。図19では、搬送ロボット32の腕部32aに載せられたマスクMを、マスク保持・位置あわせ装置405を用いて保持する方法を説明する。まず、マスク磁着板54を腕部32aよりも上側に位置するように上昇させ、次いで、図19(a)に示すように、マスク磁着板54を降下させる。マスク磁着板54が腕部32aに接近すると、図19(b)〜(d)に示すように、磁場が強い領域から順にマスクMがマスク磁着板54に磁着される。特に変形例4では、マスクMの中央部分からマスク磁着板54に磁着され、次いで、マスクMの中央部から周辺側の順で皺無くマスク磁着板54に磁着される。図19(e)に示すようにマスク磁着板54が腕部32aに密着した状態では、マスクMは皺無くマスク磁着板54に磁着された状態になる。また、付勢部材54bの付勢力に逆らって、マスク磁着板54と、磁石支持板51とが近接又は密着しているため、マスクMにはより強い磁力が働き、マスクMはマスク磁着板54に磁着される。そして、図19(f)に示すように、昇降軸を上昇させた場合、マスクMは皺無くマスク磁着板54に磁着されたまま、マスク磁着板54と共に上昇する。
(変形例5)
変形例5に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置5は、磁石支持板551及び磁石アレイ552の構成のみが異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。
図20は、変形例5に係る磁石支持板551及び磁石アレイ552の模式図である。磁石アレイ552は、磁石支持板551にマトリクス状に配された複数の永久磁石552aを備える。各永久磁石552aが作る磁場の強さは略同一である。磁石支持板551は、該磁石支持板551の中央部に配された永久磁石552aと、マスク磁着板54との距離が、周辺側に配された永久磁石552aと、マスク磁着板54との距離が短くなるように、永久磁石552aが配される配置面に段状部を有する。
このように構成されたマスク保持・位置あわせ装置5にあっては、マスク磁着板54の中央部に作られる磁場の強度は、周辺側に作られる磁場の強度に比べて強い。マスクMの吸着の態様は、変形例4と同様である。
(Modification 4)
Since the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning device 405 according to the modification 4 are different only in the structure of the mask holding / positioning device 405, the differences will be mainly described below. The mask holding / positioning device 405 includes the same magnet support plate and magnet array as in the embodiment. The magnet array includes a plurality of permanent magnets arranged in a matrix on a magnet support plate. The strength of the magnetic field created by each permanent magnet is different. Specifically, it is configured such that the strength of the magnetic field created by the permanent magnet disposed in the center of the magnet support plate is stronger than the strength of the magnetic field created by the permanent magnet disposed on the peripheral side. .
FIG. 19 is an explanatory diagram conceptually showing the mask holding method in the fourth modification. In FIG. 19, a method of holding the mask M placed on the arm portion 32 a of the transfer robot 32 using the mask holding / positioning device 405 will be described. First, the mask magnetic plate 54 is raised so as to be positioned above the arm portion 32a, and then the mask magnetic plate 54 is lowered as shown in FIG. When the mask magnetized plate 54 approaches the arm portion 32a, as shown in FIGS. 19B to 19D, the mask M is magnetized on the mask magnetized plate 54 in order from the region where the magnetic field is strong. In particular, in the fourth modification, the mask M is magnetized on the mask magnetized plate 54 from the central portion, and then the mask M is magnetized on the mask magnetized plate 54 in order from the central portion to the peripheral side. As shown in FIG. 19 (e), when the mask magnetized plate 54 is in close contact with the arm portion 32a, the mask M is in a state of being magnetized to the mask magnetized plate 54 without any defects. Further, since the mask magnetizing plate 54 and the magnet support plate 51 are close to or in close contact with the biasing force of the biasing member 54b, a stronger magnetic force acts on the mask M, and the mask M adheres to the mask magnetizing. Magnetically attached to the plate 54. Then, as shown in FIG. 19F, when the lifting shaft is raised, the mask M is raised together with the mask magnetized plate 54 while still being magnetized on the mask magnetized plate 54.
(Modification 5)
Since the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning apparatus 5 according to the modification 5 are different only in the configuration of the magnet support plate 551 and the magnet array 552, the differences will be mainly described below.
FIG. 20 is a schematic diagram of a magnet support plate 551 and a magnet array 552 according to the fifth modification. The magnet array 552 includes a plurality of permanent magnets 552a arranged in a matrix on the magnet support plate 551. The strength of the magnetic field generated by each permanent magnet 552a is substantially the same. The magnet support plate 551 includes a permanent magnet 552a disposed in the central portion of the magnet support plate 551 and a distance between the mask magnetized plate 54 and the permanent magnet 552a disposed on the peripheral side, and the mask magnetized plate 54 Has a stepped portion on the arrangement surface on which the permanent magnet 552a is disposed.
In the mask holding / alignment apparatus 5 configured as described above, the strength of the magnetic field created at the center of the mask magnetized plate 54 is higher than the strength of the magnetic field created at the peripheral side. The mode of suction of the mask M is the same as that of the fourth modification.

変形例5にあっては、上述の実施の形態と同様の効果を奏する。また、永久磁石552aの磁力は同じであるため、磁力が強い磁石と、磁力が弱い磁石との配置位置を考慮する必要が無く、容易に磁石アレイ552を構成することができる。従って、より低コストで本発明を製造することができる。
(変形例6)
変形例6に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置5は、磁石支持板658、マスク磁着板651及び磁石アレイ652の構成のみが異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。
図21は、変形例6に係る磁石支持板658、マスク磁着板651及び磁石アレイ652の模式図である。磁石支持板658は、磁石アレイ652を支持する板材である。磁石支持板658は、例えば略矩形であり、対向する両辺には側壁659が下方へ、略垂直に設けられている。該側壁659の下端部には、磁石支持板658に対して略平行にマスク磁着板651が設けられている。
磁石アレイ652は、磁石支持板658にマトリクス状に配された複数の永久磁石652aを上下方向、即ちマスク磁着板に対して接離する方向へ移動可能に備える。具体的には、磁石アレイ652は、各永久磁石652aを上下方向へ移動させる複数のモータ652bを備えており、各モータ652bは、磁石支持板658にマトリクス状に固定されている。モータ652bは、上下方向に進退する軸部652cを備えており、各軸部652cの端部に永久磁石652aが固定されている。各モータ652bの動作は、図示しない制御部によって制御される。
In the modified example 5, the same effects as those of the above-described embodiment are obtained. Moreover, since the magnetic force of the permanent magnet 552a is the same, it is not necessary to consider the arrangement position of the magnet with a strong magnetic force and the magnet with a weak magnetic force, and the magnet array 552 can be comprised easily. Therefore, the present invention can be manufactured at a lower cost.
(Modification 6)
Since the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning apparatus 5 according to the modified example 6 are different only in the configuration of the magnet support plate 658, the mask magnetic deposition plate 651, and the magnet array 652, the following mainly describes the differences. To do.
FIG. 21 is a schematic diagram of a magnet support plate 658, a mask magnetized plate 651, and a magnet array 652 according to Modification 6. The magnet support plate 658 is a plate material that supports the magnet array 652. The magnet support plate 658 has a substantially rectangular shape, for example, and side walls 659 are provided substantially vertically downward on opposite sides. At the lower end of the side wall 659, a mask magnetized plate 651 is provided substantially parallel to the magnet support plate 658.
The magnet array 652 includes a plurality of permanent magnets 652a arranged in a matrix on the magnet support plate 658 so as to be movable in the vertical direction, that is, in a direction in which the magnet magnet 652a is in contact with or separated from the mask magnetized plate. Specifically, the magnet array 652 includes a plurality of motors 652b that move the permanent magnets 652a in the vertical direction, and the motors 652b are fixed to the magnet support plate 658 in a matrix. The motor 652b includes a shaft portion 652c that advances and retreats in the vertical direction, and a permanent magnet 652a is fixed to an end portion of each shaft portion 652c. The operation of each motor 652b is controlled by a control unit (not shown).

図22及び図23は、変形例6におけるマスク保持方法を概念的に示す説明図である。まず、図22(a)に示すように、マスク磁着板651を降下させ、図22(b)に示すように、モータ652bを用いて一部の永久磁石652aをマスク磁着板651に接近させる。例えば、磁石支持板658の一辺側(図22中右側)に配された3つの永久磁石652aをマスク磁着板651側へ移動させる。
次いで、図22(c)に示すように、前記3つの永久磁石652aを移動させながら、磁石支持板658の一辺側に配された残りの3つの永久磁石652aもマスク磁着板651側へ移動させる。マスク磁着板651が腕部32aに接近し、一部の永久磁石652aがマスク磁着板651に接近すると、図22(c)に示すように、マスク磁着板651の一部に磁界が強い領域が発生し、その領域から順にマスクMがマスク磁着板651に磁着される。従って、マスクMに働く磁場が急激に強くなり、皺ができた状態でマスク磁着板651に磁着されることが防止される。以下、同様にして、図23(d)〜(g)に示すように、マスク磁着板651を腕部32aに接近させながら、磁石支持板658の一辺側から他辺側(図22中左側)の順で永久磁石652aをマスク磁着板651に接近させると、マスクMが一辺側から他辺側へ順に皺無く磁着する。そして、マスクMの磁着完了後、マスク磁着板651を上昇させると、マスクMは皺無くマスク磁着板651に磁着されたまま、マスク磁着板651と共に上昇する。
22 and 23 are explanatory views conceptually showing the mask holding method in the sixth modification. First, as shown in FIG. 22 (a), the mask magnetized plate 651 is lowered, and as shown in FIG. 22 (b), some permanent magnets 652a are moved closer to the masked magnetized plate 651 using the motor 652b. Let For example, the three permanent magnets 652a arranged on one side (the right side in FIG. 22) of the magnet support plate 658 are moved to the mask magnetized plate 651 side.
Next, as shown in FIG. 22 (c), while moving the three permanent magnets 652a, the remaining three permanent magnets 652a arranged on one side of the magnet support plate 658 are also moved to the mask magnetized plate 651 side. Let When the mask magnetized plate 651 approaches the arm portion 32a and a part of the permanent magnets 652a approaches the mask magnetized plate 651, a magnetic field is generated on a part of the mask magnetized plate 651 as shown in FIG. A strong region is generated, and the mask M is magnetically attached to the mask magnetized plate 651 in that order. Therefore, the magnetic field acting on the mask M is suddenly increased, and it is prevented that the mask M is magnetically attached to the mask magnetic plate 651 in a state where wrinkles are formed. Hereinafter, similarly, as shown in FIGS. 23D to 23G, the mask magnetized plate 651 is brought close to the arm portion 32a while moving from one side of the magnet support plate 658 to the other side (left side in FIG. 22). When the permanent magnet 652a is brought close to the mask magnetized plate 651 in this order, the mask M is magnetized in sequence from one side to the other side. When the magnetic masking plate 651 is lifted after the completion of the magnetic bonding of the mask M, the mask M is lifted together with the mask magnetic bonding plate 651 while being completely attached to the mask magnetic bonding plate 651.

変形例6にあっては、上述の実施の形態と同様の効果を奏する。また、永久磁石652aの位置を制御することによって、磁場の強度の分布を変更することができるため、磁場の制御が容易である。
更に、各永久磁石652aの位置を制御する構成であるため、同一の永久磁石652aをアレイ状に配置するのみで磁石アレイ652を製造することができるため、より低コストで薄膜形成装置を製造することができる。
更にまた、上述の実施の形態で説明したピン54a及び付勢部材54bを廃することができる。
In the modified example 6, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained. Further, since the distribution of the strength of the magnetic field can be changed by controlling the position of the permanent magnet 652a, the control of the magnetic field is easy.
Furthermore, since the position of each permanent magnet 652a is controlled, the magnet array 652 can be manufactured simply by arranging the same permanent magnet 652a in an array, so that a thin film forming apparatus can be manufactured at a lower cost. be able to.
Furthermore, the pin 54a and the urging member 54b described in the above embodiment can be eliminated.

(変形例7)
変形例7に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置5は、基板保持部713の構成のみが上述の実施の形態とは異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。
図24は、変形例7に係る基板保持部713の一構成例を模式的に示した側断面図である。変形例7に係る薄膜形成装置1の基板保持部713の内部には、マスク保持機構8が設けられている。マスク保持機構8は、上面に永久磁石アレイ82が設けられた移動磁石支持板81と、移動磁石支持板81を基板保持部713内部で昇降させる昇降機構83とを備える。永久磁石アレイ82は、実施の形態と同様、一辺側に配された永久磁石の磁場の強度が、他辺側に配された永久磁石の磁場の強度に比べて強くなるように構成されている。昇降機構83は、底板83aと、底板83aの上面に対して、略垂直に設けられた2本の第1支柱83bと、第1支柱83bの上端に設けられたネジ軸支持板83cとを備える。また、昇降機構83は、ネジ軸支持板83cの上面には、略垂直に設けられた2本の第2支柱83dと、第2支柱83dの上端部に設けられた天板部83eとを備える。該第2支柱83dには、基板保持部713内で昇降する移動磁石支持板81が支持されている。移動磁石支持板81には、各第1及び第2支柱83b,83dが挿通するリニアブッシュ83fが設けられており、移動磁石支持板81は、基板保持部713の上部の外面に対して略平行な状態で昇降可能に、該リニアブッシュ83fを介して第2支柱83に挿通している。ネジ軸支持板83cには、ボールネジ機構を構成するネジ軸83gが、軸受けを介して貫通している。移動磁石支持板81の適宜箇所には、ネジ軸83gに螺合するネジナット83iが設けられており、該ネジナット83i及びネジ軸83gによって、移動磁石支持板81を昇降させるボールネジ機構が構成されている。ネジ軸83gの下端部には、ネジ軸83gを回転させるための従動プーリ83hが設けられている。従動プーリ83hには、実施の形態で説明した昇降機構と同様、図示しないベルトを介してモータの出力軸に設けられた駆動プーリに接続しており、モータの回転力によって移動磁石支持板81が昇降するように構成されている。モータの回転は、図示しない制御部が制御している。
(Modification 7)
Since the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning apparatus 5 according to the modified example 7 are different from the above-described embodiment only in the configuration of the substrate holding unit 713, the differences will be mainly described below.
FIG. 24 is a side cross-sectional view schematically showing a configuration example of the substrate holding unit 713 according to Modification 7. A mask holding mechanism 8 is provided inside the substrate holding portion 713 of the thin film forming apparatus 1 according to Modification Example 7. The mask holding mechanism 8 includes a moving magnet support plate 81 having a permanent magnet array 82 provided on the upper surface, and an elevating mechanism 83 that moves the moving magnet support plate 81 up and down inside the substrate holding portion 713. As in the embodiment, the permanent magnet array 82 is configured such that the strength of the magnetic field of the permanent magnet arranged on one side is higher than the strength of the magnetic field of the permanent magnet arranged on the other side. . The elevating mechanism 83 includes a bottom plate 83a, two first support posts 83b provided substantially perpendicular to the upper surface of the bottom plate 83a, and a screw shaft support plate 83c provided at the upper end of the first support post 83b. . The elevating mechanism 83 includes two second support columns 83d provided substantially vertically on the upper surface of the screw shaft support plate 83c, and a top plate portion 83e provided at the upper end of the second support column 83d. . A movable magnet support plate 81 that moves up and down in the substrate holding portion 713 is supported by the second support column 83d. The moving magnet support plate 81 is provided with a linear bush 83f through which the first and second support columns 83b and 83d are inserted. The moving magnet support plate 81 is substantially parallel to the outer surface of the upper portion of the substrate holding portion 713. The second support 83 is inserted through the linear bush 83f so that it can be moved up and down. A screw shaft 83g constituting a ball screw mechanism passes through the screw shaft support plate 83c through a bearing. A screw nut 83i that is screwed into the screw shaft 83g is provided at an appropriate position of the moving magnet support plate 81, and a ball screw mechanism that moves the moving magnet support plate 81 up and down is configured by the screw nut 83i and the screw shaft 83g. . A driven pulley 83h for rotating the screw shaft 83g is provided at the lower end of the screw shaft 83g. Similarly to the lifting mechanism described in the embodiment, the driven pulley 83h is connected to a drive pulley provided on the output shaft of the motor via a belt (not shown), and a moving magnet support plate 81 is provided by the rotational force of the motor. It is configured to move up and down. The rotation of the motor is controlled by a control unit (not shown).

熱媒体流路13d、配管13e、伝熱用ガス供給部13f、ガス供給配管13g、スイッチ13iなどの構成は実施の形態と同様である。なお、変形例7に係る基板保持部713に、静電チャック13bを更に設けてもよい。   The configuration of the heat medium flow path 13d, the pipe 13e, the heat transfer gas supply unit 13f, the gas supply pipe 13g, the switch 13i, and the like is the same as that of the embodiment. An electrostatic chuck 13b may be further provided on the substrate holding part 713 according to the modification example 7.

変形例7にあっては、基板保持部713は、マスク保持・位置あわせ装置5と同様、マスクMを磁力によって基板G上に皺無く保持することができる。   In the modified example 7, the substrate holding unit 713 can hold the mask M on the substrate G with a magnetic force as in the mask holding / positioning device 5.

(変形例8)
変形例8に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置805は、マスク保持・位置あわせ装置805の構成のみが上述の実施の形態とは異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。
図25は、変形例8に係るマスク保持・位置あわせ装置805の要部を模式的に示した説明図である。マスク保持・位置あわせ装置805は、マスク磁着板54に磁着されたマスクMの縁部を把持し、面方向外側の張力を該マスクMに付与するクランプ部57を、磁石支持板51の外周部分に複数備える。クランプ部57は、磁石支持板51の側部から外側、即ちマスク磁着板54の面に沿った外側方向へ突出した案内軸57bと、該案内軸57bに沿って移動する本体部57aとを備える。本体部57aは、マスク磁着板54に磁着されたマスクMを把持するための把持突起57cを有する。把持突起57cは、例えば、本体部57aから、マスク磁着板54側へ突出した板部材である。また、本体部57aは、把持突起57cに対して接離するように、該本体部57aに回転可能に設けられた把持爪57dを備える。更に、クランプ部57は、本体部57aを案内軸57bに沿って移動させる図示しない本体部駆動モータと、把持爪57dを回動させる把持爪駆動モータとを備え、各モータの回転は制御部によって制御されるように構成されている。
(Modification 8)
Since the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning device 805 according to the modification 8 are different from the above-described embodiment only in the configuration of the mask holding / positioning device 805, the differences will be mainly described below. To do.
FIG. 25 is an explanatory view schematically showing a main part of a mask holding / positioning device 805 according to Modification 8. The mask holding / alignment device 805 grips the edge of the mask M magnetically attached to the mask magnetic attachment plate 54, and provides a clamp portion 57 for applying a tension in the outer side in the surface direction to the mask M. A plurality of outer peripheral portions are provided. The clamp portion 57 includes a guide shaft 57b that protrudes outward from the side portion of the magnet support plate 51, that is, an outward direction along the surface of the mask magnetized plate 54, and a main body portion 57a that moves along the guide shaft 57b. Prepare. The main body 57a has a gripping protrusion 57c for gripping the mask M magnetically attached to the mask magnetic attachment plate 54. The gripping protrusion 57c is, for example, a plate member that protrudes from the main body portion 57a to the mask magnetic adhesion plate 54 side. The main body 57a includes a gripping claw 57d that is rotatably provided on the main body 57a so as to be in contact with and away from the gripping protrusion 57c. Further, the clamp unit 57 includes a main body drive motor (not shown) that moves the main body 57a along the guide shaft 57b, and a grip claw drive motor that rotates the grip claw 57d, and the rotation of each motor is controlled by the control unit. It is configured to be controlled.

制御部は、マスクMをマスク磁着板54に磁着させる前段階で、本体部駆動モータを駆動させて本体部57aを外側へ移動させると共に、把持爪駆動モータを駆動させて把持爪57dを把持突起57cから離隔させる。
マスクMがマスク磁着板54に磁着された場合、次いで、制御部は、本体部駆動モータを駆動させて本体部57aを内側へ移動させ、把持爪駆動モータを駆動させて把持爪57dを把持突起57cに当接する方向へ回転させる。マスクMが把持突起57c及び把持爪57dによって把持された場合、制御部は、本体部駆動モータを駆動させて本体部57aを外側へ移動させる。
把持突起57c及び把持爪57dによってマスクMが把持された状態で本体部57aが外側へ移動した場合、マスクMには面方向外側の張力が該マスクMに付与され、皺が引き延ばされる。
The control unit drives the main body drive motor to move the main body 57a to the outside and drives the gripping claw drive motor to drive the gripping claw 57d before magnetizing the mask M to the mask magnetized plate 54. Separated from the gripping projection 57c.
When the mask M is magnetized on the mask magnetized plate 54, the control unit then drives the main body drive motor to move the main body 57a inward, and drives the grip claw drive motor to move the grip claw 57d. Rotate in a direction to contact the gripping protrusion 57c. When the mask M is gripped by the gripping protrusions 57c and the gripping claws 57d, the control unit drives the body portion driving motor to move the body portion 57a outward.
When the main body 57a moves to the outside while the mask M is gripped by the gripping protrusions 57c and the gripping claws 57d, the mask M is applied with a tension on the outer side in the surface direction, and the wrinkles are stretched.

変形例8にあっては、マスクMには面方向外側の張力が該マスクMに付与され、皺が引き延ばされるため、より皺がない状態でマスクMを磁着することができる。   In the modified example 8, the mask M is applied with a tension on the outer side in the plane direction, and the wrinkles are extended, so that the mask M can be magnetically attached without any wrinkles.

なお、変形例8では、マスク磁着板54を枠状、例えば矩形枠状に形成し、マスクMがマスク磁着板54に磁着される際、蒸着が行われないマスクMの領域がマスク磁着板54に接触するように構成しても良い。このように構成した場合、マスクMに蒸着された有機層がマスク磁着板54に接触することが無く、マスク磁着板54に有機材料が付着することを防ぐことができる。   In the modification 8, the mask magnetic plate 54 is formed in a frame shape, for example, a rectangular frame shape, and when the mask M is magnetically attached to the mask magnetic plate 54, the region of the mask M where no vapor deposition is performed is masked. You may comprise so that it may contact with the magnetized board 54. FIG. When configured in this manner, the organic layer deposited on the mask M does not come into contact with the mask magnetic plate 54, and the organic material can be prevented from adhering to the mask magnetic plate 54.

(変形例9)
変形例9に係る薄膜形成装置1及びマスク保持・位置あわせ装置905は、マスク保持・位置あわせ装置905の構成のみが上述の実施の形態とは異なるため、以下では主に上記相異点を説明する。
(Modification 9)
Since the thin film forming apparatus 1 and the mask holding / positioning apparatus 905 according to the modification 9 are different from the above-described embodiment only in the configuration of the mask holding / positioning apparatus 905, the following mainly describes the differences. To do.

図26は、変形例9に係るマスク保持・位置あわせ装置905の要部を模式的に示した説明図である。マスク保持・位置あわせ装置905は、マスクMを接地するためのピン54dを、マスク磁着板54に備える。ピン54dは、例えば、マスク磁着板54の周縁部に設けられている。ピン54dは、図示しない配線によって接地されている。   FIG. 26 is an explanatory view schematically showing the main part of a mask holding / positioning device 905 according to Modification 9. The mask holding / positioning device 905 includes a pin 54 d for grounding the mask M on the mask magnetic adhesion plate 54. The pins 54d are provided, for example, at the peripheral edge portion of the mask magnetized plate 54. The pin 54d is grounded by a wiring (not shown).

変形例9にあっては、蒸着を終えた後、マスク保持・位置あわせ装置905が駆動し、マスク磁着板54がマスクMに接触した場合、ピン54dによって、マスクMの表面に成膜された有機膜が破壊され、マスクMは接地される。マスクMが接地された場合、静電チャック13bへの給電によって帯電したマスクMの電荷が、グランドに逃げるため、基板GからマスクMを容易に取り外すことが可能になる。
特に、変形例9にあっては、ピン54dの回動機構が不要であるため、パーティクルの発生を抑えることができる。
In the modified example 9, after the vapor deposition is completed, when the mask holding / positioning device 905 is driven and the mask magnetic deposition plate 54 comes into contact with the mask M, the film is formed on the surface of the mask M by the pins 54d. The organic film is destroyed and the mask M is grounded. When the mask M is grounded, the charge of the mask M charged by the power supply to the electrostatic chuck 13b escapes to the ground, so that the mask M can be easily detached from the substrate G.
Particularly, in the modified example 9, since the rotation mechanism of the pin 54d is unnecessary, the generation of particles can be suppressed.

(変形例10)
変形例10に係る薄膜形成装置は、基板Gに配置されるマスクMの総数よりも少ない数のマスク保持・位置あわせ装置5を用いて構成されている点が異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。具体的には、変形例10に係る薄膜形成装置は、基板Gの搬送方向に直交する方向に沿って配置されるマスクMの数と同数のマスク保持・位置あわせ装置5を備える。
(Modification 10)
The thin film forming apparatus according to the modified example 10 is different in that it is configured using a smaller number of mask holding / alignment apparatuses 5 than the total number of masks M arranged on the substrate G. The differences will be described. Specifically, the thin film forming apparatus according to the modified example 10 includes the same number of mask holding / alignment devices 5 as the number of masks M arranged along the direction orthogonal to the transport direction of the substrate G.

図27は、変形例10に係る薄膜形成装置の要部を横断面で模式的に示した説明図である。図27に示すように、変形例10に係る薄膜形成装置は、2つのマスク保持・位置あわせ装置5を備え、基板Gに4枚のマスクMを配置するように構成されている。2つのマスク保持・位置あわせ装置5は、基板Gの搬送方向に対して直交する方向に並置され、各装置は基板Gの搬送方向へ移動可能に処理室11の天部に設けられている。具体的には、薄膜形成装置は、マスク保持・位置あわせ装置5を、基板Gの搬送方向へ移動させる移動機構91を備える。   FIG. 27 is an explanatory view schematically showing a main part of a thin film forming apparatus according to Modification 10 in cross section. As shown in FIG. 27, the thin film forming apparatus according to Modification 10 includes two mask holding / positioning apparatuses 5 and is configured to dispose four masks M on a substrate G. The two mask holding / alignment devices 5 are juxtaposed in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate G, and each device is provided at the top of the processing chamber 11 so as to be movable in the transport direction of the substrate G. Specifically, the thin film forming apparatus includes a moving mechanism 91 that moves the mask holding / positioning apparatus 5 in the transport direction of the substrate G.

移動機構91は、長手方向が基板Gの搬送方向に一致するように、処理室11の天部に設けられた2本の搬送レール91aを平行的に備える。2本の搬送レール91aによって、マスク保持・位置あわせ装置5は、基板Gの搬送方向へ移動可能に支持されている。また、移動機構91には、マスク保持・位置あわせ装置5を、搬送レール91aに沿って移動させる駆動機構91bを備える。   The moving mechanism 91 includes two transport rails 91a provided in parallel on the top of the processing chamber 11 so that the longitudinal direction thereof coincides with the transport direction of the substrate G. The mask holding / positioning device 5 is supported by the two transport rails 91a so as to be movable in the transport direction of the substrate G. Further, the moving mechanism 91 includes a driving mechanism 91b that moves the mask holding / positioning device 5 along the transport rail 91a.

このように構成された薄膜形成装置にあっては、駆動機構91bを駆動することによって、2つのマスク保持・位置あわせ装置5を左側へ移動させ、基板Gの左側に2枚のマスクMを配置する。次いで、マスク保持・位置あわせ装置5は、マスクストック室2から搬送された2枚のマスクMを保持し、駆動機構91bを駆動することによって、2つのマスク保持・位置あわせ装置5を右側へ移動させ、基板Gの右側に2枚のマスクMを配置する。   In the thin film forming apparatus configured as described above, by driving the driving mechanism 91b, the two mask holding / alignment apparatuses 5 are moved to the left side, and the two masks M are arranged on the left side of the substrate G. To do. Next, the mask holding / positioning device 5 holds the two masks M conveyed from the mask stock chamber 2 and drives the driving mechanism 91b to move the two mask holding / positioning devices 5 to the right side. Then, two masks M are arranged on the right side of the substrate G.

変形例10にあっては、基板Gに配置されるマスクMの総数よりも少ない数のマスク保持・位置あわせ装置5を用いて低コストで薄膜形成装置を構成することができる。   In the modified example 10, a thin film forming apparatus can be configured at a low cost by using a smaller number of mask holding / alignment apparatuses 5 than the total number of masks M arranged on the substrate G.

なお、上述の変形例10では、マスク保持・位置あわせ装置5を水平移動させる構成を説明したが、マスク保持・位置あわせ装置5を基板Gの搬送方向へ移動させる代わりに、基板保持部13側を該搬送方向へ移動させるように構成しても良い。この場合、処理室11の天側から基板Gに落下するパーティクルを低減することができる。   In the above-described modification 10, the configuration in which the mask holding / positioning device 5 is horizontally moved has been described. However, instead of moving the mask holding / positioning device 5 in the transport direction of the substrate G, the substrate holding unit 13 side You may comprise so that it may move to this conveyance direction. In this case, particles falling on the substrate G from the top side of the processing chamber 11 can be reduced.

(変形例11)
変形例11に係る薄膜形成装置は、単一のマスク保持・位置あわせ装置5を用いて、基板Gに複数のマスクMを配置するように構成されている点が異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
(Modification 11)
The thin film forming apparatus according to the modified example 11 is different in that a plurality of masks M are arranged on the substrate G using a single mask holding / positioning apparatus 5, and therefore mainly the above will be described below. The differences will be described.

図28は、変形例11に係る薄膜形成装置の要部を横断面で模式的に示した説明図である。図28に示すように、変形例11に係る薄膜形成装置は、単一のマスク保持・位置あわせ装置5を備え、基板Gに4枚のマスクMを配置するように構成されている。マスク保持・位置あわせ装置5は、基板Gの搬送方向及び横方向(図28中、上下方向)の2方向へ移動可能に処理室11の天部に設けられている。具体的には、薄膜形成装置は、マスク保持・位置あわせ装置5を、基板Gの搬送方向と、横方向とへ移動させる移動機構92を備える。なお、該横方向は、実施の形態において定義した方向、つまり該搬送方向に対して直交する方向である。   FIG. 28 is an explanatory view schematically showing a main part of a thin film forming apparatus according to Modification 11 in a cross section. As shown in FIG. 28, the thin film forming apparatus according to Modification 11 includes a single mask holding / positioning apparatus 5 and is configured to arrange four masks M on a substrate G. The mask holding / positioning device 5 is provided at the top of the processing chamber 11 so as to be movable in two directions, ie, the transport direction of the substrate G and the lateral direction (vertical direction in FIG. 28). Specifically, the thin film forming apparatus includes a moving mechanism 92 that moves the mask holding / positioning apparatus 5 in the transport direction and the lateral direction of the substrate G. The lateral direction is a direction defined in the embodiment, that is, a direction orthogonal to the transport direction.

移動機構92は、長手方向が基板Gの搬送方向に一致するように、処理室11の天部に設けられた1本の搬送レール92aと、搬送レール92aに直交するように支持されており、該搬送レール92aに沿って移動する搬送レール92bとを備える。マスク保持・位置あわせ装置5は、搬送レール92bに沿って移動可能に支持されている。また、移動機構92には、マスク保持・位置あわせ装置5を、搬送レール92bに沿って移動させる駆動機構92cと、搬送レール92bを、搬送レール92aに沿って移動させる駆動機構92dとを備える。   The moving mechanism 92 is supported so as to be orthogonal to the transport rail 92a and one transport rail 92a provided at the top of the processing chamber 11 so that the longitudinal direction coincides with the transport direction of the substrate G. A transport rail 92b that moves along the transport rail 92a. The mask holding / positioning device 5 is supported so as to be movable along the transport rail 92b. The moving mechanism 92 includes a driving mechanism 92c that moves the mask holding / positioning device 5 along the transport rail 92b, and a driving mechanism 92d that moves the transport rail 92b along the transport rail 92a.

このように構成された薄膜形成装置にあっては、駆動機構92c,92dを駆動することによって、2つのマスク保持・位置あわせ装置5を図28中左上へ移動させ、1枚のマスクMを配置する。次いで、マスク保持・位置あわせ装置5は、マスクストック室2から搬送された1枚のマスクMを保持し、駆動機構92cを駆動することによって、マスク保持・位置あわせ装置5を図28中右上側へ移動させ、1枚のマスクMを配置する。以下、同様にして、駆動機構92c,92dを駆動させることによって、マスク保持・位置あわせ装置5を、図28中左下、右下側へ移動させることによって、基板GにマスクMを所要箇所に配置することができる。   In the thin film forming apparatus configured as described above, by driving the drive mechanisms 92c and 92d, the two mask holding / alignment apparatuses 5 are moved to the upper left in FIG. To do. Next, the mask holding / positioning device 5 holds one mask M transported from the mask stock chamber 2 and drives the driving mechanism 92c to move the mask holding / positioning device 5 to the upper right side in FIG. To move one mask M. Similarly, by driving the driving mechanisms 92c and 92d, the mask holding / positioning device 5 is moved to the lower left side and the lower right side in FIG. can do.

変形例11にあっては、単一のマスク保持・位置あわせ装置5を用いて低コストで薄膜形成装置を構成することができる。   In the modification 11, the thin film forming apparatus can be configured at a low cost by using the single mask holding / positioning apparatus 5.

なお、上述の変形例11では、マスク保持・位置あわせ装置5を搬送方向及び横方向へ移動させる構成を説明したが、移動機構によってマスク保持・位置あわせ装置5を横方向にのみ移動させ、基板保持部13を搬送方向へ移動させるように構成しても良い。この場合、マスク保持・位置あわせ装置5を2方向へ移動させる場合に比べて、処理室11の天側から基板Gに落下するパーティクルを低減することができる。   In the above-described modification 11, the configuration in which the mask holding / positioning device 5 is moved in the transport direction and the horizontal direction has been described. However, the mask holding / positioning device 5 is moved only in the horizontal direction by the moving mechanism, and the substrate is moved. The holding unit 13 may be configured to move in the transport direction. In this case, particles falling on the substrate G from the top side of the processing chamber 11 can be reduced as compared with the case where the mask holding / positioning device 5 is moved in two directions.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time is to be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the meanings described above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 薄膜形成装置
2 マスク収容部
3 マスクトランスファーチャンバ
4 基板トランスファーチャンバ
5,6 マスク保持・位置あわせ装置
7 使用済みマスク収容部
13 基板保持部
13b 静電チャック
13d 熱媒体流路
13f 伝熱用ガス供給部
13g ガス供給配管
13h 配線
13i スイッチ
51 磁石支持板
51a,51b 冷却管
52 磁石アレイ
53 昇降機構
53a 支柱
53b 移動板
53c リニアブッシュ
53d 昇降軸
53e ネジナット
53f ネジ軸
53g 天板部
53h 受動プーリ
53i ベルト
53j 駆動プーリ
53k モータ
53l モータ駆動部
54 マスク磁着板
54a ピン
54b 付勢部材
55 撮像部
56 位置調整機構
G 基板
M マスク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thin film formation apparatus 2 Mask accommodating part 3 Mask transfer chamber 4 Substrate transfer chamber 5, 6 Mask holding | maintenance and alignment apparatus 7 Used mask accommodating part 13 Substrate holding part 13b Electrostatic chuck 13d Heat medium flow path 13f Gas supply for heat transfer Portion 13g Gas supply piping 13h Wiring 13i Switch 51 Magnet support plate 51a, 51b Cooling tube 52 Magnet array 53 Lifting mechanism 53a Strut 53b Moving plate 53c Linear bush 53d Lifting shaft 53e Screw nut 53f Screw shaft 53g Top plate portion 53h Passive pulley 53i Belt Drive pulley 53k Motor 53l Motor drive unit 54 Mask magnetized plate 54a Pin 54b Biasing member 55 Imaging unit 56 Position adjustment mechanism G Substrate M Mask

Claims (14)

磁性材料を含み、基板上に薄膜をパターン形成するための開口が形成されたシート状のマスクを保持するマスク保持装置において、
一面側に配された複数の磁石によって、他面側にマスクが磁着されるマスク磁着板を備え、
前記複数の磁石は、
前記マスク磁着板の他面側における第1領域の磁場の分布と、該他面側における第2領域の磁場の分布とが異なるように構成されている
ことを特徴とするマスク保持装置。
In a mask holding device for holding a sheet-like mask containing a magnetic material and having an opening for patterning a thin film on a substrate,
With a plurality of magnets arranged on one side, a mask magnetized plate on which the mask is magnetized on the other side,
The plurality of magnets are:
A mask holding device, wherein the distribution of the magnetic field of the first region on the other surface side of the mask magnetic plate is different from the distribution of the magnetic field of the second region on the other surface side.
前記第1領域に対応する一面側に配された磁石が作る磁場の強さと、前記第2領域に対応する一面側に配された磁石がつくる磁場の強さとが異なる
ことを特徴とする請求項1に記載のマスク保持装置。
The strength of the magnetic field created by the magnet disposed on the one surface side corresponding to the first region is different from the strength of the magnetic field created by the magnet disposed on the one surface side corresponding to the second region. 2. The mask holding device according to 1.
前記第1領域に対応する一面側に配された磁石の前記マスク磁着板に対する距離と、前記第2領域に対応する一面側に配された磁石の前記マスク磁着板に対する距離とが異なる
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマスク保持装置。
The distance between the magnet arranged on one side corresponding to the first region and the mask magnetic plate is different from the distance between the magnet arranged on one side corresponding to the second region and the mask magnetic plate. The mask holding device according to claim 1, wherein:
前記第1領域に対応する一面側に配された複数の磁石間の距離と、前記第2領域に対応する一面側に配された複数の磁石間の距離とが異なる
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一つに記載のマスク保持装置。
The distance between the plurality of magnets arranged on the one surface side corresponding to the first region and the distance between the plurality of magnets arranged on the one surface side corresponding to the second region are different. The mask holding device according to any one of claims 1 to 3.
前記複数の磁石は、永久磁石又は電磁石である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載のマスク保持装置。
The mask holding device according to claim 1, wherein the plurality of magnets are permanent magnets or electromagnets.
前記複数の磁石に対して接離する方向への移動が可能に、前記マスク磁着板を支持する支持部材と、
前記マスク磁着板を、前記複数の永久磁石から離隔する方向へ付勢する付勢部材と
を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一つに記載のマスク保持装置。
A support member that supports the mask magnetized plate so as to be able to move in a direction in which the magnet is in contact with or separated from the plurality of magnets;
The mask holding device according to claim 1, further comprising: an urging member that urges the mask magnetized plate in a direction away from the plurality of permanent magnets.
前記複数の磁石又は前記マスク磁着板を冷却する手段を備える
ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一つに記載のマスク保持装置。
The mask holding device according to any one of claims 1 to 6, further comprising means for cooling the plurality of magnets or the mask magnetized plate.
前記マスク磁着板に磁着されたマスクの縁部を複数箇所で把持し、面方向外側の張力を該マスクに付与する手段を備える
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一つに記載のマスク保持装置。
8. The apparatus according to claim 1, further comprising means for gripping an edge portion of the mask magnetically attached to the mask magnetic attachment plate at a plurality of locations and applying a tension on the outer side in the surface direction to the mask. The mask holding device according to one.
パターン形成が行われる面を上方又は横方向に向けて基板を保持する基板保持部と、請求項1乃至請求項8のいずれか一つに記載のマスク保持装置とを備え、該マスク保持装置にて保持されたマスクを基板上に載せ、該基板上に薄膜のパターン形成を行う薄膜形成装置であって、
前記マスク保持装置は、
前記基板保持部に保持された基板に対して前記マスク磁着板が略平行になる姿勢で、前記基板保持部の上方又は側方に配されている
ことを特徴とする薄膜形成装置。
A substrate holding unit that holds a substrate with a surface on which pattern formation is performed facing upward or laterally, and the mask holding device according to any one of claims 1 to 8, wherein the mask holding device includes: A thin film forming apparatus for placing a mask held in place on a substrate and forming a thin film pattern on the substrate,
The mask holding device is
The thin film forming apparatus, wherein the mask magnetized plate is disposed above or to the side of the substrate holding unit in a posture in which the mask magnetized plate is substantially parallel to the substrate held by the substrate holding unit.
前記基板保持部に保持された基板に対して略平行な方向及び略垂直な方向へ前記マスク磁着板を移動させる位置調整機構を備える
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜形成装置。
The thin film forming apparatus according to claim 9, further comprising a position adjusting mechanism that moves the mask magnetic adhesion plate in a direction substantially parallel to and substantially perpendicular to the substrate held by the substrate holding unit.
前記基板保持部は、
静電力によって基板を保持する静電チャック機構を備える
ことを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の薄膜形成装置。
The substrate holder is
The thin film forming apparatus according to claim 9, further comprising an electrostatic chuck mechanism that holds the substrate by electrostatic force.
前記基板保持部は、
基板が吸着される面を接地する接地手段を備える
ことを特徴とする請求項11に記載の薄膜形成装置。
The substrate holder is
The thin film forming apparatus according to claim 11, further comprising a grounding unit that grounds a surface on which the substrate is attracted.
前記基板保持部は、
基板上にマスクを磁着させるための複数の磁石を備え、
該複数の磁石は、
前記基板保持部の基板が保持される面における第1領域の磁場の分布と、第2領域の磁場の分布とが異なるように構成されている
ことを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の薄膜形成装置。
The substrate holder is
A plurality of magnets for magnetizing a mask on a substrate are provided,
The plurality of magnets are:
The magnetic field distribution of the first region and the magnetic field distribution of the second region on the surface of the substrate holding unit on which the substrate is held are configured to be different from each other. The thin film forming apparatus described.
前記基板保持部は、
基板を冷却する手段を備える
ことを特徴とする請求項9乃至請求項13のいずれか一つに記載の薄膜形成装置。
The substrate holder is
The thin film forming apparatus according to claim 9, further comprising means for cooling the substrate.
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015532666A (en) * 2012-08-15 2015-11-12 フジフィルム・イメイジング・カラランツ,インコーポレーテッド Ink for inkjet printing
JP2016172932A (en) * 2016-05-19 2016-09-29 株式会社ブイ・テクノロジー Mask production method, thin film pattern forming method, and manufacturing method for organic el display device
WO2017154234A1 (en) * 2016-03-10 2017-09-14 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 Deposition mask, deposition device, deposition method, and method for manufacturing organic el display device
JP6301044B1 (en) * 2017-08-21 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic EL display device manufacturing method
JP6345854B1 (en) * 2017-09-25 2018-06-20 株式会社アルバック Vacuum processing equipment
KR101926693B1 (en) * 2012-09-20 2018-12-07 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus
JP2019035137A (en) * 2018-02-27 2019-03-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and production method of organic el display device
JP2019513290A (en) * 2017-03-17 2019-05-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Apparatus for vacuum processing a substrate, system for vacuum processing a substrate, and method for transporting a substrate carrier and a mask carrier in a vacuum chamber
CN109972084A (en) * 2017-12-27 2019-07-05 佳能特机株式会社 The manufacturing method of film formation device, film build method and electronic equipment
JP2019117924A (en) * 2017-12-27 2019-07-18 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck, film forming apparatus, substrate suction method, film forming method, and manufacturing method of electronic device
KR20190140156A (en) * 2018-06-11 2019-12-19 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption process, film forming method and electronic device manufacturing method
JP2020021927A (en) * 2018-07-31 2020-02-06 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, suction method, film forming method, and electronic device manufacturing method
JP2020021925A (en) * 2018-07-31 2020-02-06 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, suction method, film forming method, and electronic device manufacturing method
KR20200014103A (en) * 2018-07-31 2020-02-10 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device
CN110943024A (en) * 2018-09-21 2020-03-31 佳能特机株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus and method, adsorption method, and method for manufacturing electronic device
JP2020072273A (en) * 2018-10-31 2020-05-07 キヤノントッキ株式会社 Adsorption and alignment method, adsorption system, film forming method, film forming apparatus, and electronic device manufacturing method
JP2020084306A (en) * 2018-11-30 2020-06-04 大日本印刷株式会社 Apparatus for manufacturing vapor deposition mask device and method for manufacturing vapor deposition mask device
JPWO2021015224A1 (en) * 2019-07-23 2021-01-28
WO2022054713A1 (en) * 2020-09-08 2022-03-17 株式会社荏原製作所 Electromagnet device, method for driving electromagnet device, and electromagnet control system
WO2024062801A1 (en) * 2022-09-20 2024-03-28 キヤノントッキ株式会社 Film forming apparatus and film forming method
JP7462696B2 (en) 2022-04-25 2024-04-05 キヤノントッキ株式会社 Work holding device, alignment device and film forming device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103208591B (en) * 2012-01-11 2015-12-30 昆山允升吉光电科技有限公司 A kind of net arrangement that stretches tight that can accurately locate
CN103952665A (en) * 2014-04-18 2014-07-30 京东方科技集团股份有限公司 Magnetic device and OLED evaporation device
CN105154820B (en) * 2015-07-23 2017-11-21 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Evaporated device and evaporation coating method
WO2018185860A1 (en) * 2017-04-04 2018-10-11 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition device, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device
JP6548761B2 (en) * 2018-02-27 2019-07-24 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method of manufacturing organic EL display device
KR102236542B1 (en) * 2018-12-03 2021-04-06 주식회사 오럼머티리얼 Template for supporting mask, template for supporting mask metal sheet, producing method of template for supporting mask and producing method of mask integrated frame
CN114908329B (en) * 2021-02-08 2024-03-08 台湾积体电路制造股份有限公司 Correction method and semiconductor manufacturing apparatus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3885261B2 (en) * 1996-11-21 2007-02-21 東レ株式会社 Substrate support and substrate support method
JP4058149B2 (en) * 1997-12-01 2008-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 Mask alignment method for vacuum deposition system
JP2004183044A (en) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp Mask vapor deposition method and apparatus, mask and mask manufacturing method, display panel manufacturing apparatus, display panel and electronic equipment
DE10324202A1 (en) * 2003-05-28 2004-12-16 Aixtron Ag Mask holding device
JP4609755B2 (en) * 2005-02-23 2011-01-12 三井造船株式会社 Mask holding mechanism and film forming apparatus
JP2006330684A (en) * 2005-04-26 2006-12-07 Kyocera Corp Mask cleaning apparatus, mask cleaning method, method of forming vapor-deposited film, device for manufacturing el display device, and method of manufacturing el display device
JP2008198500A (en) * 2007-02-14 2008-08-28 Canon Inc Manufacturing method and apparatus of organic el display

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015532666A (en) * 2012-08-15 2015-11-12 フジフィルム・イメイジング・カラランツ,インコーポレーテッド Ink for inkjet printing
KR101926693B1 (en) * 2012-09-20 2018-12-07 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus
CN109072401A (en) * 2016-03-10 2018-12-21 鸿海精密工业股份有限公司 The manufacturing method of exposure mask, evaporation coating device, evaporation coating method and organic EL display device is deposited
US10892415B2 (en) 2016-03-10 2021-01-12 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Deposition mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display apparatus
JPWO2017154234A1 (en) * 2016-03-10 2018-06-14 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 Vapor deposition mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method of manufacturing organic EL display device
CN109072401B (en) * 2016-03-10 2021-05-11 鸿海精密工业股份有限公司 Vapor deposition mask, vapor deposition device, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display device
JP2018193618A (en) * 2016-03-10 2018-12-06 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 Vapor deposition mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and production method of organic el display device
WO2017154234A1 (en) * 2016-03-10 2017-09-14 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 Deposition mask, deposition device, deposition method, and method for manufacturing organic el display device
JP2016172932A (en) * 2016-05-19 2016-09-29 株式会社ブイ・テクノロジー Mask production method, thin film pattern forming method, and manufacturing method for organic el display device
JP2019513290A (en) * 2017-03-17 2019-05-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Apparatus for vacuum processing a substrate, system for vacuum processing a substrate, and method for transporting a substrate carrier and a mask carrier in a vacuum chamber
WO2019038811A1 (en) * 2017-08-21 2019-02-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic el display device
JP6301044B1 (en) * 2017-08-21 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic EL display device manufacturing method
US11008646B2 (en) 2017-08-21 2021-05-18 Sakai Display Products Corporation Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic EL display apparatus
US10669620B2 (en) 2017-08-21 2020-06-02 Sakai Display Products Corporation Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic EL display apparatus
JP2019059966A (en) * 2017-09-25 2019-04-18 株式会社アルバック Vacuum processing equipment
JP6345854B1 (en) * 2017-09-25 2018-06-20 株式会社アルバック Vacuum processing equipment
JP2019117924A (en) * 2017-12-27 2019-07-18 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck, film forming apparatus, substrate suction method, film forming method, and manufacturing method of electronic device
JP7127765B2 (en) 2017-12-27 2022-08-30 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck, film forming apparatus, substrate adsorption method, film forming method, and electronic device manufacturing method
JP2019116679A (en) * 2017-12-27 2019-07-18 キヤノントッキ株式会社 Film deposition apparatus, film deposition method, and method of manufacturing electronic device
CN109972084A (en) * 2017-12-27 2019-07-05 佳能特机株式会社 The manufacturing method of film formation device, film build method and electronic equipment
JP2019035137A (en) * 2018-02-27 2019-03-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and production method of organic el display device
KR102427823B1 (en) 2018-06-11 2022-07-29 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption process, film forming method and electronic device manufacturing method
KR20190140156A (en) * 2018-06-11 2019-12-19 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption process, film forming method and electronic device manufacturing method
KR102419064B1 (en) * 2018-07-31 2022-07-07 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device
JP7253367B2 (en) 2018-07-31 2023-04-06 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption method, film forming method, and electronic device manufacturing method
KR102421610B1 (en) * 2018-07-31 2022-07-14 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device
KR20200014103A (en) * 2018-07-31 2020-02-10 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device
JP2020021927A (en) * 2018-07-31 2020-02-06 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, suction method, film forming method, and electronic device manufacturing method
KR20200014113A (en) * 2018-07-31 2020-02-10 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device
CN110783247B (en) * 2018-07-31 2023-06-02 佳能特机株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption method, and film forming method
KR102430370B1 (en) * 2018-07-31 2022-08-05 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device
KR20200014109A (en) * 2018-07-31 2020-02-10 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device
JP2020021925A (en) * 2018-07-31 2020-02-06 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, suction method, film forming method, and electronic device manufacturing method
JP7262221B2 (en) 2018-07-31 2023-04-21 キヤノントッキ株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption method, film forming method, and electronic device manufacturing method
CN110777332A (en) * 2018-07-31 2020-02-11 佳能特机株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus and method, adsorption method, and method for manufacturing electronic device
CN110783247A (en) * 2018-07-31 2020-02-11 佳能特机株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption and film forming method, and method for manufacturing electronic device
CN110943024A (en) * 2018-09-21 2020-03-31 佳能特机株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus and method, adsorption method, and method for manufacturing electronic device
CN110943024B (en) * 2018-09-21 2023-10-10 佳能特机株式会社 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, film forming method, and suction method
JP2020072273A (en) * 2018-10-31 2020-05-07 キヤノントッキ株式会社 Adsorption and alignment method, adsorption system, film forming method, film forming apparatus, and electronic device manufacturing method
JP7190997B2 (en) 2018-10-31 2022-12-16 キヤノントッキ株式会社 Adsorption and alignment method, adsorption system, film formation method, film formation apparatus, and electronic device manufacturing method
JP2020084306A (en) * 2018-11-30 2020-06-04 大日本印刷株式会社 Apparatus for manufacturing vapor deposition mask device and method for manufacturing vapor deposition mask device
JP7240623B2 (en) 2018-11-30 2023-03-16 大日本印刷株式会社 Evaporation mask device manufacturing apparatus and deposition mask device manufacturing method
WO2021015224A1 (en) * 2019-07-23 2021-01-28 キヤノントッキ株式会社 Alignment mechanism, alignment method, film formation device, and film formation method
JP7191229B2 (en) 2019-07-23 2022-12-16 キヤノントッキ株式会社 Alignment Mechanism, Alignment Method, Film Forming Apparatus, and Film Forming Method
JPWO2021015224A1 (en) * 2019-07-23 2021-01-28
WO2022054713A1 (en) * 2020-09-08 2022-03-17 株式会社荏原製作所 Electromagnet device, method for driving electromagnet device, and electromagnet control system
JP7462696B2 (en) 2022-04-25 2024-04-05 キヤノントッキ株式会社 Work holding device, alignment device and film forming device
WO2024062801A1 (en) * 2022-09-20 2024-03-28 キヤノントッキ株式会社 Film forming apparatus and film forming method

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Publication number Publication date
WO2011114829A1 (en) 2011-09-22
TW201214599A (en) 2012-04-01

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