JP2010087271A - Carrier, substrate processing apparatus, and manufacturing method of image display apparatus - Google Patents

Carrier, substrate processing apparatus, and manufacturing method of image display apparatus Download PDF

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英樹 吉澤
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紳 松井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for controlling the temperature of a carrier having a permanent electromagnet. <P>SOLUTION: The carrier holds a mask and a substrate by magnetic attraction of the mask containing a magnetic material through the substrate. The carrier has a holding body, the permanent electromagnet assembled in the holding body, a temperature regulation channel arranged in the holding body, a joint for connecting the temperature regulation channel to a pipe duct of an external temperature regulation apparatus, and a valve which is arranged inside or near the joint, and closes the temperature regulation channel in the state in which the temperature regulation channel is filled with a temperature regulation medium. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、キャリヤ、基板処理装置、および画像表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a carrier, a substrate processing apparatus, and a method for manufacturing an image display apparatus.

フラットパネルディスプレイの製造において、ガラス基板などの基板にパターンが形成される。パターンの形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、フォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法などが存在する。   In the manufacture of flat panel displays, a pattern is formed on a substrate such as a glass substrate. As a pattern formation method, for example, there are a vacuum deposition method, a sputtering method, a photolithography method, a screen printing method, and the like.

特許文献1、2には、磁力を利用してマスクを基板に密着させて、その状態で蒸着を行う方法が開示されている。微細なパターンを基板に形成するためには、マスクのパターン部分を薄くすること、パターン部分と基板との密着性を向上させること、パターン部分に撓みや皺などが発生しないことなどが求められる。このような目的に関連して、特許文献2には、厚さが500μm以下の金属製マスクに張力をかけながら該金属製マスクを枠に固定する方法が開示されている。   Patent Documents 1 and 2 disclose a method in which a mask is brought into close contact with a substrate using magnetic force and vapor deposition is performed in that state. In order to form a fine pattern on a substrate, it is required to make the pattern portion of the mask thin, to improve the adhesion between the pattern portion and the substrate, and to prevent the pattern portion from being bent or wrinkled. In relation to such an object, Patent Document 2 discloses a method of fixing a metal mask to a frame while applying tension to the metal mask having a thickness of 500 μm or less.

一方、基板処理装置による基板の処理能力を向上させるための方式として、インライン方式(特許文献3)や、それを改善したインターバック方式が知られている。いずれの方式も、相互に区切られた複数の処理室を通して基板を搬送しながら該基板を処理するものである。このような方式において、基板は、キャリヤによって保持されてコロ搬送されうる。   On the other hand, an in-line method (Patent Document 3) and an improved inter-back method are known as methods for improving the substrate processing capability of the substrate processing apparatus. In either method, the substrate is processed while being transferred through a plurality of processing chambers separated from each other. In such a system, the substrate can be transferred by being held by a carrier.

基板にパターンを形成するために、基板は、マスクとともにキャリヤによって保持された状態で搬送されうる。特許文献4には、基板を保持するためのプレートに永久磁石と電磁石とを備え、基板を介して磁性材料からなるマスクを磁気吸引することによって基板を保持する構成が開示されている。この構成では、永久磁石の磁力によりマスクが保持され、電磁石が発生する磁力で永久磁石が発生する磁力を相殺することによってマスクの保持が解除される。   In order to form a pattern on the substrate, the substrate can be transported while being held by a carrier with a mask. Patent Document 4 discloses a configuration in which a plate for holding a substrate is provided with a permanent magnet and an electromagnet, and the substrate is held by magnetically attracting a mask made of a magnetic material through the substrate. In this configuration, the mask is held by the magnetic force of the permanent magnet, and the holding of the mask is released by offsetting the magnetic force generated by the permanent magnet with the magnetic force generated by the electromagnet.

特許文献5には、金型固定装置として、永電磁石が組み込まれた永電磁チャックが開示されている。この永電磁チャックは、ネオジューム磁石と、アルニコ磁石と、アルニコ磁石に巻かれたコイルとを有する。アルニコ磁石の極性は、コイルに流す電流の方向によって制御され、コイルに流れる電流を遮断しても、その極性は維持される。金型を吸着しようとするときは、ネオジューム磁石とアルニコ磁石とによって形成される磁束が吸着面を通過するようにアルニコ磁石の極性が制御され、金型の吸着を解除しようとするときは、ネオジューム磁石とアルニコ磁石とによって形成される磁束が吸着面を通過しないようにアルニコ磁石の極性が制御される。
特開平10−41069号公報 特許3539125号公報 特開2002−203885号公報 特開平10−152776号公報 特開2005−246634号公報
Patent Document 5 discloses a permanent electromagnetic chuck incorporating a permanent electromagnet as a mold fixing device. This permanent electromagnetic chuck has a neodymium magnet, an alnico magnet, and a coil wound around the alnico magnet. The polarity of the alnico magnet is controlled by the direction of the current flowing through the coil, and the polarity is maintained even when the current flowing through the coil is interrupted. When trying to attract the mold, the polarity of the alnico magnet is controlled so that the magnetic flux formed by the neodymium magnet and the alnico magnet passes through the attracting surface, and when trying to release the mold adsorption, The polarity of the alnico magnet is controlled so that the magnetic flux formed by the magnet and the alnico magnet does not pass through the attracting surface.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-41069 Japanese Patent No. 3539125 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-203885 Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-152776 JP 2005-246634 A

特許文献5に記載された金型の固定用の永電磁チャックは、コイルの通電を停止しても、吸着状態または非吸着状態が維持される点で優れている。しかしながら、永電磁チャックを制御するための制御部から永電磁チャックを切り離して自由に移動させる構成を採用する場合には、その温度を如何にして管理するかが問題になる。特許文献5では、永電磁チャックの温度の制御に関して考慮されていない。   The permanent electromagnetic chuck for fixing the mold described in Patent Document 5 is excellent in that the attracted state or the non-sucked state is maintained even when the coil is turned off. However, when adopting a configuration in which the permanent electromagnetic chuck is separated and freely moved from the control unit for controlling the permanent electromagnetic chuck, it becomes a problem how to manage the temperature. In Patent Document 5, no consideration is given to the temperature control of the permanent electromagnetic chuck.

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、永電磁石を有するキャリヤの温度を制御する技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made based on the recognition of the above problems, and an object thereof is to provide a technique for controlling the temperature of a carrier having a permanent electromagnet, for example.

本発明の第1の側面は、磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクおよび前記基板を保持するキャリヤに係り、前記キャリヤは、支持体と、前記支持体に組み込まれた永電磁石と、前記支持体に設けられた温調流路と、前記温調流路を外部の温調装置の管路と接続するためのジョイントと、前記ジョイントの内部又は付近に設けられて、前記温調流路に温調媒体が充填された状態で前記温調流路を閉塞するための弁とを備え、前記永電磁石は、極性が可変の極性可変磁石と、前記極性可変磁石の極性を変更するための磁界を発生するコイルと、極性が固定された極性固定磁石とを含み、
前記キャリヤの状態は、前記コイルが発生する磁界によって前記極性可変磁石の極性を制御することによって、前記極性可変磁石および前記極性固定磁石が発生する磁界によって前記マスクおよび前記基板を保持する第1状態と、前記マスクおよび前記基板を保持しない第2状態とのいずれかに設定される。
A first aspect of the present invention relates to a carrier that holds the mask and the substrate by magnetically attracting a mask containing a magnetic material through the substrate, and the carrier is incorporated into the support and the support. A permanent electromagnet, a temperature control channel provided in the support, a joint for connecting the temperature control channel to a pipe of an external temperature control device, and provided in or near the joint. A valve for closing the temperature control channel in a state where the temperature control channel is filled with the temperature control medium, the permanent electromagnet includes a polarity variable magnet having a variable polarity, and a polarity variable magnet. Including a coil that generates a magnetic field for changing the polarity, and a polarity-fixed magnet having a fixed polarity,
The carrier is in a first state in which the mask and the substrate are held by the magnetic field generated by the polarity variable magnet and the polarity fixed magnet by controlling the polarity of the polarity variable magnet by the magnetic field generated by the coil. And a second state in which the mask and the substrate are not held.

本発明の第2の側面は、基板を処理する基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクおよび前記基板を保持するキャリヤと、前記キャリヤの温度を調整する温調装置とを備え、前記キャリヤは、支持体と、前記支持体に組み込まれた永電磁石と、前記支持体に設けられた温調流路と、前記温調流路を前記温調装置の管路と接続するためのジョイントと、前記ジョイントの内部又は付近に設けられて、前記温調流路に温調媒体が充填された状態で前記温調流路を閉塞するための弁とを含み、前記永電磁石は、極性が可変の極性可変磁石と、前記極性可変磁石の極性を変更するための磁界を発生するコイルと、極性が固定された極性固定磁石とを含み、前記キャリヤの状態は、前記コイルが発生する磁界によって前記極性可変磁石の極性を制御することによって、前記極性可変磁石および前記極性固定磁石が発生する磁界によって前記マスクおよび前記基板を保持する第1状態と、前記マスクおよび前記基板を保持しない第2状態とのいずれかに設定され、前記温調装置は、前記キャリヤが所定位置に配置されているときに、前記管路を前記ジョイントに接続して前記温調流路に温調媒体を供給し又は前記温調流路から温調媒体を回収する。   A second aspect of the present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate, and the substrate processing apparatus includes a carrier that holds the mask and the substrate by magnetically attracting a mask containing a magnetic material through the substrate. And a temperature control device for adjusting the temperature of the carrier, the carrier comprising a support, a permanent electromagnet incorporated in the support, a temperature control channel provided in the support, and the temperature control. A joint for connecting the flow path to the pipe of the temperature control device; and provided in or near the joint, the temperature control flow path is filled with a temperature control medium. The permanent magnet includes a variable polarity magnet having a variable polarity, a coil for generating a magnetic field for changing the polarity of the polarity variable magnet, and a fixed polarity magnet having a fixed polarity. Including the state of the carrier A first state in which the mask and the substrate are held by the magnetic field generated by the polarity variable magnet and the polarity fixed magnet by controlling the polarity of the polarity variable magnet by the magnetic field generated by the coil; The temperature adjustment device is set to any one of the second states in which the substrate is not held, and the temperature adjustment device connects the pipe line to the joint when the carrier is disposed at a predetermined position. The temperature control medium is supplied to or collected from the temperature control flow path.

本発明の第3の側面は、画像表示装置を製造する製造方法に係り、前記製造方法は、上記の請求項9に記載の基板処理装置により基板に膜を形成する工程を含む。   A third aspect of the present invention relates to a manufacturing method for manufacturing an image display device, and the manufacturing method includes a step of forming a film on a substrate by the substrate processing apparatus according to claim 9.

本発明によれば、例えば、永電磁石を有するキャリヤの温度を制御する技術が提供される。   According to the present invention, for example, a technique for controlling the temperature of a carrier having a permanent electromagnet is provided.

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1Aは、本発明の好適な実施形態の基板保持装置の構成を示す模式図である。この基板保持装置500は、磁性材料を含むマスク200を基板300を介して磁気吸引することによりマスク200および基板300を保持するキャリヤ410と、キャリヤ410を制御する制御部420とを備える。キャリヤ410は、基板300を保持する保持面400Sを有する支持体400と、支持体400に埋め込まれた永電磁石101、102X、102Yと、第1接点120(120a、120b、120c)とを含みうる。   FIG. 1A is a schematic diagram showing a configuration of a substrate holding device according to a preferred embodiment of the present invention. The substrate holding device 500 includes a carrier 410 that holds the mask 200 and the substrate 300 by magnetically attracting the mask 200 containing a magnetic material through the substrate 300, and a control unit 420 that controls the carrier 410. The carrier 410 may include a support 400 having a holding surface 400S that holds the substrate 300, permanent electromagnets 101, 102X, and 102Y embedded in the support 400, and first contacts 120 (120a, 120b, and 120c). .

永電磁石101、102X、102Yの各々は、図7に例示されるように、磁性体102aと、極性が可変の極性可変磁石(例えば、アルニコ磁石)102cと、第1接点120(120a、120b、120c)に電気的に接続されていて第1接点120(120a、120b、120c)を介して供給される電流により極性可変磁石102cの極性を変更するための磁界を発生するコイル102dと、極性が固定された極性固定磁石(例えば、ネオジューム磁石等の希土類磁石)102bとを含む。ここで、極性可変磁石102cは、永久磁石の一種であり、外部から与えられる磁界の向きに応じて2つの極(N極、S極)の各極性が反転し、外部から与えられる磁界が取り除かれてもその極性を維持する磁石である。コイル102dに流す電流の向きを反対にするとコイル102dが発生する磁界の向きが反対になるので、コイル102dに流す電流の向きによって極性可変磁石102cの極性を制御することができる。第1接点120(120a、120b、120c)は、コイル102dに電気的に接続されている。   As illustrated in FIG. 7, each of the permanent electromagnets 101, 102X, and 102Y includes a magnetic body 102a, a variable polarity magnet (for example, an alnico magnet) 102c having a variable polarity, and a first contact 120 (120a, 120b, 120c) and a coil 102d that generates a magnetic field for changing the polarity of the variable polarity magnet 102c by the current supplied through the first contact 120 (120a, 120b, 120c), and the polarity is And a fixed polarity fixed magnet (for example, a rare earth magnet such as a neodymium magnet) 102b. Here, the variable polarity magnet 102c is a kind of permanent magnet, and the polarities of the two poles (N pole and S pole) are reversed according to the direction of the magnetic field applied from the outside, and the magnetic field applied from the outside is removed. It is a magnet that maintains its polarity even if it is. When the direction of the current flowing through the coil 102d is reversed, the direction of the magnetic field generated by the coil 102d is reversed, so that the polarity of the polarity variable magnet 102c can be controlled by the direction of the current flowing through the coil 102d. The first contact 120 (120a, 120b, 120c) is electrically connected to the coil 102d.

キャリヤ410の状態は、極性可変磁石102cおよび極性固定磁石102bが発生する磁界によって、マスク200および基板300を保持する第1状態(吸引状態あるいは保持状態)と、マスク200および基板300を保持しない第2状態(非吸引状態あるいは非保持状態)とのいずれかに設定(制御)される。キャリヤ410の状態の設定(制御)は、制御部420がコイル102dに流す電流の向き(コイル102dが発生する磁界の向き)を制御することによってなされる。   The carrier 410 is in a first state in which the mask 200 and the substrate 300 are held by a magnetic field generated by the polarity variable magnet 102c and the polarity fixed magnet 102b (attraction state or holding state), and in the first state in which the mask 200 and substrate 300 are not held. Two states (non-suction state or non-holding state) are set (controlled). The state of the carrier 410 is set (controlled) by the control unit 420 controlling the direction of current flowing through the coil 102d (the direction of the magnetic field generated by the coil 102d).

制御部420は、キャリヤ410の第1接点120(120a、120b、120c)に接触して第1接点120(120a、120b、120c)を介してコイル102dに電流を供給するための第2接点121(121a、121b、121c)と、第1接点120(120a、120b、120c)と第2接点121(121a、121b、121c)との接触状態を検知する検知部(後述)と、該接触状態が判定基準を満たす場合に第1接点120(120a、120b、120c)と第2接点121(121a、121b、121c)とを介してコイル102dに電流を供給する電流供給部151とを含む。   The controller 420 contacts the first contact 120 (120a, 120b, 120c) of the carrier 410 and supplies a current to the coil 102d via the first contact 120 (120a, 120b, 120c). (121a, 121b, 121c), a first contact 120 (120a, 120b, 120c) and a second contact 121 (121a, 121b, 121c) detecting the contact state (described later), and the contact state A current supply unit 151 that supplies current to the coil 102d through the first contact 120 (120a, 120b, 120c) and the second contact 121 (121a, 121b, 121c) when the determination criterion is satisfied is included.

図1Aには、マスク200と基板300との位置合わせが終了した時点におけるキャリヤ410、マスク200および基板300の状態が例示されている。基板300は、保持面400Sの上に配置され、その上にマスク200が配置される。基板300に対して蒸着等の膜形成方法(成膜方法)によりパターンを形成する際は、一般には、マスク200および基板300を保持した状態でキャリヤ410の天地が反転するように180度回転された状態にされうる。   FIG. 1A illustrates the state of the carrier 410, the mask 200, and the substrate 300 when the alignment between the mask 200 and the substrate 300 is completed. The substrate 300 is disposed on the holding surface 400S, and the mask 200 is disposed thereon. When a pattern is formed on the substrate 300 by a film formation method (film formation method) such as vapor deposition, the pattern is generally rotated 180 degrees so that the top of the carrier 410 is inverted while the mask 200 and the substrate 300 are held. It can be left in a state.

この実施形態では、複数組の永電磁石、具体的には、3組の永電磁石101、102X、102Yが設けられていて、それらは制御部420によって互いに独立に制御されうる。第1組の永電磁石101は、マスク枠200aを磁気吸引するように配置されている。第2組の永電磁石102Xは、マスクパターン部200b内の領域における中央部を磁気吸引するように配置されている。第3組の永電磁石102Yは、マスクパターン部200b内の領域における周辺部(中央部の外側)を磁気吸引するように配置されている。制御部420の電流供給部151は、第1組の永電磁石101に電流を供給する第1ユニット151cと、第2組の永電磁石102Xに電流を供給する第2ユニット151aと、第3組の永電磁石102Yに電流を供給する第3ユニット151bとを含みうる。   In this embodiment, a plurality of sets of permanent electromagnets, specifically, three sets of permanent electromagnets 101, 102 </ b> X, and 102 </ b> Y are provided and can be controlled independently from each other by the control unit 420. The first set of permanent electromagnets 101 is arranged to magnetically attract the mask frame 200a. The second set of permanent electromagnets 102X is arranged so as to magnetically attract the central portion in the region within the mask pattern portion 200b. The third set of permanent electromagnets 102Y is arranged so as to magnetically attract the peripheral portion (outside of the central portion) in the region within the mask pattern portion 200b. The current supply unit 151 of the control unit 420 includes a first unit 151c that supplies current to the first set of permanent electromagnets 101, a second unit 151a that supplies current to the second set of permanent electromagnets 102X, and a third set of And a third unit 151b for supplying a current to the permanent electromagnet 102Y.

マスク200は、マスクパターン部200bと、マスクパターン部200bを支持するマスク枠200aとを含む。マスクパターン部200bは、マスクパターンを有するシート状の部材である。マスクパターン部200bおよびマスクパターン部200bは、磁性材料(例えば、鉄を主成分とする材料)を含んで構成される。該磁性材料としては、例えば、蒸着時における輻射入熱による熱膨張を小さくするために、インバー材(鉄64%、ニッケル36%で構成される合金)などの低熱膨張材料が好適である。マスクパターン部200bには、エッチングなどの方法によりマスクパターンが形成される。マスクパターン部200bは、マスクパターンの高精細化に伴い、その厚みを薄くすることが求められている。   The mask 200 includes a mask pattern portion 200b and a mask frame 200a that supports the mask pattern portion 200b. The mask pattern portion 200b is a sheet-like member having a mask pattern. The mask pattern portion 200b and the mask pattern portion 200b are configured to include a magnetic material (for example, a material containing iron as a main component). As the magnetic material, for example, a low thermal expansion material such as an invar material (an alloy composed of 64% iron and 36% nickel) is suitable in order to reduce thermal expansion due to radiation input heat during vapor deposition. A mask pattern is formed on the mask pattern portion 200b by a method such as etching. The mask pattern portion 200b is required to have a reduced thickness as the mask pattern becomes higher in definition.

図1Bは、マスク200の例示的な平面図である。この例では、マスク200は、36面取りのマスクである。マスク枠200aで囲まれた個々の長方形の領域が一面(例えば、1つの表示デバイス)に相当する。パターン領域であるマスクパターン部200bの厚みが厚いと、微細な開口部内における周辺の膜厚が薄くなるという問題が生じるため、マスクパターン部の200bは、マスク枠200aよりも薄くされ、例えば、0.05mm以下の厚さにされることもある。マスクパターン部200bを薄くすることによって、微細な開口に斜め方向から入射する成膜粒子をも基板に到達させることができる。マスクパターン部200bは、事前に張力を加えた状態で、マスク枠200aに包囲されるようにマスク枠200aに溶接などの方法により固定されうる。   FIG. 1B is an exemplary plan view of mask 200. In this example, the mask 200 is a 36-chamfer mask. Each rectangular area surrounded by the mask frame 200a corresponds to one surface (for example, one display device). If the thickness of the mask pattern portion 200b, which is a pattern region, is thick, there is a problem that the film thickness of the periphery in the fine opening portion becomes thin. Therefore, the mask pattern portion 200b is made thinner than the mask frame 200a. May be less than 0.05mm thick. By making the mask pattern portion 200b thin, it is possible to cause film formation particles that enter the fine opening from an oblique direction to reach the substrate. The mask pattern portion 200b can be fixed to the mask frame 200a by a method such as welding so as to be surrounded by the mask frame 200a in a state where tension is applied in advance.

マスク枠200aには、マスクパターン部200bに加えた張力に対する反力により発生する変形を許容値内に収めるための剛性が与えられる。その結果、マスク200全体の重量が大きくなり、一例を挙げると、基板サイズ1300mm×800mm程度のマスクにおいての重量は300kgにも及びうる。   The mask frame 200a is provided with rigidity for keeping the deformation caused by the reaction force against the tension applied to the mask pattern portion 200b within an allowable value. As a result, the weight of the mask 200 as a whole increases. For example, the weight of a mask having a substrate size of about 1300 mm × 800 mm can reach 300 kg.

続いて、基板300およびマスク200の保持(磁気吸引)およびその解除の手順を説明する。図1Aは、作業位置(通常は、キャリヤ410が停止する位置)においてキャリヤ410に制御部420が接続され、基板300およびマスク200がキャリヤ410に磁気吸引される直前の状態を例示している。キャリヤ410は、基板処理装置の所定の作業位置に位置決めされうる。その後、キャリヤ410側の接点である第1接点120と制御部420側の接点である第2接点121とが接続される。ここで、第1接点120と第2接点121との接続は、不図示の操作機構によってなされうる。図1Aでは、第1接点120と第2接点121の構造は、特定のものには限定されず、例えば、雄型のコネクタを雌型のコネクタに圧入するタイプのものでもよいし、一方を他方に押し付けるタイプのものでもよいし、他のタイプのものでもよい。   Subsequently, a procedure for holding (magnetic attraction) and releasing the substrate 300 and the mask 200 will be described. FIG. 1A illustrates a state immediately before the control unit 420 is connected to the carrier 410 and the substrate 300 and the mask 200 are magnetically attracted to the carrier 410 at a working position (usually a position where the carrier 410 stops). The carrier 410 can be positioned at a predetermined working position of the substrate processing apparatus. Thereafter, the first contact 120 that is the contact on the carrier 410 side and the second contact 121 that is the contact on the control unit 420 side are connected. Here, the connection between the first contact 120 and the second contact 121 can be made by an operation mechanism (not shown). In FIG. 1A, the structure of the first contact 120 and the second contact 121 is not limited to a specific one. For example, the first contact 120 and the second contact 121 may be of a type in which a male connector is press-fitted into a female connector. It may be of a type that presses against the other, or may be of another type.

第1接点120と第2接点121とが接続された状態で、電流供給部151(151a、151b、151c)から第1接点120および第2接点121を介して永電磁石101、102X、102Yのコイル102dに対して、キャリヤ410の状態を第1状態(吸引状態あるいは保持状態)に設定するための電流が供給される。これにより、マスク200が基板300を介して永電磁石101、102X、102Yによって磁気吸引され、マスク200および基板300がキャリヤ410の保持面400S上に保持される。以後、キャリヤ410の状態を第2状態(非吸引状態あるいは非保持状態)に設定するための電流がコイル102dに対して供給されない限り、第1状態が維持される。   In a state where the first contact 120 and the second contact 121 are connected, the coils of the permanent electromagnets 101, 102X, and 102Y from the current supply unit 151 (151a, 151b, 151c) via the first contact 120 and the second contact 121 A current for setting the state of the carrier 410 to the first state (suction state or holding state) is supplied to 102d. Accordingly, the mask 200 is magnetically attracted by the permanent electromagnets 101, 102 </ b> X, and 102 </ b> Y through the substrate 300, and the mask 200 and the substrate 300 are held on the holding surface 400 </ b> S of the carrier 410. Thereafter, the first state is maintained unless the current for setting the state of the carrier 410 to the second state (non-attraction state or non-holding state) is supplied to the coil 102d.

マスク200および基板300がキャリヤ410の保持面400S上に保持された後、コイル102dに対する電流の供給が遮断され、第1接点120と第2接点121との接続が解除される。この状態でキャリヤ410が基板処理装置において搬送され、基板300に膜(マスクパターン部200bに従うパターン)が形成されうる。   After the mask 200 and the substrate 300 are held on the holding surface 400S of the carrier 410, the current supply to the coil 102d is cut off, and the connection between the first contact 120 and the second contact 121 is released. In this state, the carrier 410 is transported in the substrate processing apparatus, and a film (a pattern according to the mask pattern portion 200b) can be formed on the substrate 300.

マスク200および基板300の保持を解除する際は、再び第1接点120と第2接点121とを接続し、その状態で、電流供給部151(151a、151b、151c)から第1接点120および第2接点121を介して永電磁石101、102X、102Yのコイル102dに対して、キャリヤ410の状態を第2状態(非吸引状態あるいは非保持状態)に設定するための電流を供給すればよい。   When releasing the holding of the mask 200 and the substrate 300, the first contact 120 and the second contact 121 are connected again, and in this state, the first contact 120 and the first contact 120 from the current supply unit 151 (151a, 151b, 151c). A current for setting the state of the carrier 410 to the second state (non-attraction state or non-holding state) may be supplied to the coils 102d of the permanent electromagnets 101, 102X, and 102Y via the two contact points 121.

図7および図8を参照しながら永電磁石101、101X、101Yの構成例を説明する。永電磁石は、前述のように、磁性体102aと、極性が可変の極性可変磁石(例えば、アルニコ磁石)102cと、第1接点120(120a、120b、120c)に電気的に接続されていて第1接点120(120a、120b、120c)を介して供給される電流により極性可変磁石102cの極性を変更するための磁界を発生するコイル102dと、極性が固定された極性固定磁石(例えば、ネオジューム磁石)102bとを含む。第1接点120(120a、120b、120c)とコイル102dとを接続する導電線は、空間102fに収められうる。図7および図8において、Lは、極性固定磁石102bが発生する磁界の磁力線を模式的に示している。また、NはN極、SはS極を示している。   A configuration example of the permanent electromagnets 101, 101X, and 101Y will be described with reference to FIGS. As described above, the permanent magnet is electrically connected to the magnetic body 102a, the variable polarity magnet (for example, alnico magnet) 102c having a variable polarity, and the first contact 120 (120a, 120b, 120c). A coil 102d that generates a magnetic field for changing the polarity of the polarity variable magnet 102c by a current supplied through one contact 120 (120a, 120b, 120c), and a polarity fixed magnet (for example, a neodymium magnet) with a fixed polarity ) 102b. The conductive wire connecting the first contact 120 (120a, 120b, 120c) and the coil 102d can be accommodated in the space 102f. 7 and 8, L schematically shows the magnetic field lines of the magnetic field generated by the polar fixed magnet 102b. N indicates the N pole, and S indicates the S pole.

制御部420がコイル102dに所定時間(例えば、約0.5秒)にわたって第1方向の電流(例えば、100A)を流すと、図7に模式的に示すように、極性可変磁石102cの極性が反転し、極性固定磁石102bと極性可変磁石102cとが同極化する。これにより、磁界(磁束)が永電磁石の保持面400Sの外側に多く漏れて、マスク200が保持面400S側に磁気吸引される。これが第1状態(吸引状態あるいは保持状態)である。   When the control unit 420 applies a current (for example, 100 A) in the first direction to the coil 102d for a predetermined time (for example, about 0.5 seconds), the polarity of the polarity variable magnet 102c is changed as schematically illustrated in FIG. The polarity is reversed, and the polarity-fixed magnet 102b and the polarity-variable magnet 102c become the same polarity. As a result, a large amount of magnetic field (magnetic flux) leaks outside the permanent electromagnet holding surface 400S, and the mask 200 is magnetically attracted toward the holding surface 400S. This is the first state (suction state or holding state).

一方、制御部420がコイル102dに所定時間(例えば、約0.5秒間)にわたって第1方向と反対方向に電流(例えば、100A)を流すと、極性可変磁石102cの極性が反転し、極性固定磁石102bと極性可変磁石102cが引き合う状態、即ち磁力線が保持面400Sの外側に漏れない状態になり、マスク200の磁気吸引が停止される。これが第2状態(非吸引状態あるいは非保持状態)である。   On the other hand, when the control unit 420 applies a current (for example, 100 A) to the coil 102d in a direction opposite to the first direction for a predetermined time (for example, about 0.5 seconds), the polarity of the polarity variable magnet 102c is reversed and the polarity is fixed. The magnet 102b and the variable polarity magnet 102c are attracted, that is, the magnetic lines of force are not leaked outside the holding surface 400S, and the magnetic attraction of the mask 200 is stopped. This is the second state (non-suction state or non-holding state).

このようなキャリヤ410では、第1状態から第2状態への変更、および第2状態から第1状態への変更においては、コイル102dに電流が供給されるが、それ以外の場合には、コイル102dに電流を供給する必要がない。そのため、コイル102dへの電流供給による発熱は無視可能である。よって、このようなキャリヤ410は、減圧環境や真空環境下での使用において有利である。   In such a carrier 410, a current is supplied to the coil 102d in the change from the first state to the second state and in the change from the second state to the first state. There is no need to supply current to 102d. For this reason, heat generation due to current supply to the coil 102d can be ignored. Therefore, such a carrier 410 is advantageous when used in a reduced pressure environment or a vacuum environment.

図2Aは、第1接点120と第2接点121との接続方法を例示的に示す図である。なお、1つの永電磁石のコイルに電流を流すためには、当該コイルの一方の端子と他方の端子にそれぞれ電気的に接続された2つの第1接点120が必要であり、それに対応して2つの第2接点121が必要である。図2Aでは、1つの第1接点120と1つの第2接点121のみが示されている。図2Aに示す例では、第1接点120は、接点支持部120aによって支持され、コイル102dの一方の端子に対して導電線102kを介して接続されている。   FIG. 2A is a view exemplarily showing a connection method between the first contact 120 and the second contact 121. In order to pass a current through a coil of one permanent electromagnet, two first contacts 120 electrically connected to one terminal and the other terminal of the coil are necessary, and 2 correspondingly. Two second contacts 121 are required. In FIG. 2A, only one first contact 120 and one second contact 121 are shown. In the example shown in FIG. 2A, the first contact 120 is supported by a contact support portion 120a and connected to one terminal of the coil 102d via a conductive wire 102k.

第1接点120および第2接点121には、永電磁石のコイルを励磁するために必要な高電流(約100A)を安定して流すことができる信頼性が要求される。第1接点120と第2接点121との電気的な接触が不十分であると、前述のように、それらの間で放電(スパーク)が起こり、接点の劣化が進みうる。特に真空環境下では放電が起こりやすいので注意が必要である。   The first contact 120 and the second contact 121 are required to have a reliability that allows a high current (about 100 A) necessary for exciting the permanent magnet coil to flow stably. If the electrical contact between the first contact 120 and the second contact 121 is insufficient, as described above, discharge (spark) occurs between them, and deterioration of the contact can proceed. In particular, care must be taken because discharge easily occurs in a vacuum environment.

この実施形態では、第1接点120(120a、120b、120c)と第2接点121(121a、121b、121c)との接触状態を検知する検知部が制御部420に設けられている。   In this embodiment, the control unit 420 is provided with a detection unit that detects a contact state between the first contact 120 (120a, 120b, 120c) and the second contact 121 (121a, 121b, 121c).

図11は、接触状態の検知に関連する部分についての本発明の好適な実施形態の概略構成を示す図である。制御部420には、1つの第2接点121(121a、121b、121c)に対して1つの検知部220が設けられうる。検知部220は、キャリヤ410側の第1接点120(120a、120b、120c)と制御部420側の第2接点121(121a、121b、121c)との接触部分における抵抗値又は電圧降下に基づいて第1接点120(120a、120b、120c)と第2接点121(121a、121b、121c)との接触状態を検知する。   FIG. 11 is a diagram showing a schematic configuration of a preferred embodiment of the present invention regarding a portion related to detection of a contact state. In the control unit 420, one detection unit 220 may be provided for one second contact 121 (121a, 121b, 121c). The detection unit 220 is based on a resistance value or a voltage drop at a contact portion between the first contact 120 (120a, 120b, 120c) on the carrier 410 side and the second contact 121 (121a, 121b, 121c) on the control unit 420 side. A contact state between the first contact 120 (120a, 120b, 120c) and the second contact 121 (121a, 121b, 121c) is detected.

検知部220は、例えば、検査接点201を含み、第2接点121が第1接点120の第1部分120−1に接触し、検査接点201が第1接点120の第2部分120−2に接触した状態で、検査接点201から第1接点120を経由して第2接点121に至る経路における抵抗値又は電圧降下に基づいて接触状態を検知するように構成されうる。ここで、当該経路には、第1接点120と第2接点121との接触抵抗Rのほかに、抵抗r1、r2等が含まれうる。検知部220は、当該経路の全体の抵抗値又は電圧降下を検知してもよいし、該全体の抵抗値又は電圧降下から接触抵抗Rの抵抗値又はそれによる電圧降下を抽出してもよい。この場合、抵抗r1、r2等を予め求めておけばよい。   The detection unit 220 includes, for example, an inspection contact 201, the second contact 121 contacts the first portion 120-1 of the first contact 120, and the inspection contact 201 contacts the second portion 120-2 of the first contact 120. In this state, the contact state can be detected based on a resistance value or a voltage drop in a path from the inspection contact 201 to the second contact 121 via the first contact 120. Here, in addition to the contact resistance R between the first contact 120 and the second contact 121, the path may include resistances r1, r2, and the like. The detection unit 220 may detect the entire resistance value or voltage drop of the path, or may extract the resistance value of the contact resistance R or the voltage drop caused by the resistance value or voltage drop. In this case, the resistances r1, r2, etc. may be obtained in advance.

制御部420の電流供給部151は、検知部220によって検知された接触状態(抵抗値又は電圧降下)が判定基準を満たす場合(例えば、抵抗値又は電圧降下が所定値未満である場合)に第1接点120と第2接点121とを介してコイル102dに電流を供給するように構成されうる。   The current supply unit 151 of the control unit 420 is the first when the contact state (resistance value or voltage drop) detected by the detection unit 220 satisfies the determination criterion (for example, when the resistance value or voltage drop is less than a predetermined value). A current may be supplied to the coil 102 d through the first contact 120 and the second contact 121.

図12は、接触状態の検知に関連する部分についての本発明の他の好適な実施形態の概略構成を示す図である。図12に示す実施形態は、図11に示す実施形態の変形例であり、図11に示す実施形態とは、キャリヤ410が第1検査接点120'を含む点で異なる。制御部420側の検査接点(第2検査接点)201は、接触状態の検知時に、キャリヤ410側の第1検査接点120'と接触可能に構成されている。キャリヤ410の第1検査接点120'は、抵抗値r5を有する導電線を介して第1接点120に電気的に接続されている。   FIG. 12 is a diagram showing a schematic configuration of another preferred embodiment of the present invention regarding a portion related to detection of a contact state. The embodiment shown in FIG. 12 is a modification of the embodiment shown in FIG. 11, and differs from the embodiment shown in FIG. 11 in that the carrier 410 includes a first inspection contact 120 ′. The inspection contact (second inspection contact) 201 on the control unit 420 side is configured to be able to contact the first inspection contact 120 ′ on the carrier 410 side when a contact state is detected. The first inspection contact 120 ′ of the carrier 410 is electrically connected to the first contact 120 via a conductive line having a resistance value r5.

図3は、本発明の好適な実施形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。この基板処理装置30は、例えば、真空処理装置として構成されうる。まず、基板300の搬入及び搬出について説明する。基板処理装置30は、バルブ401a、401b、401cを介して真空ポンプ等の真空排気ユニット402a、402b、402cに連通している。   FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 30 can be configured as a vacuum processing apparatus, for example. First, loading and unloading of the substrate 300 will be described. The substrate processing apparatus 30 communicates with vacuum exhaust units 402a, 402b, and 402c such as vacuum pumps via valves 401a, 401b, and 401c.

基板300を搬入し、位置決めし、固定(キャリヤ410によって保持)する工程は、搬入室(第1処理室)31で行われる。基板300は、不図示の基板搬送系によって、搬入室31に搬送される。搬送された基板300は、不図示の操作機構により、キャリヤ410の保持面上に載置される。また、マスク200は、不図示のマスク搬送系により、基板300を覆うようにキャリヤ410上に搬送される。   The steps of loading, positioning, and fixing (holding by the carrier 410) the substrate 300 are performed in the loading chamber (first processing chamber) 31. The substrate 300 is transferred to the carry-in chamber 31 by a substrate transfer system (not shown). The conveyed substrate 300 is placed on the holding surface of the carrier 410 by an operation mechanism (not shown). The mask 200 is transferred onto the carrier 410 so as to cover the substrate 300 by a mask transfer system (not shown).

このようにして搬送された基板300とマスク200は、搬入室31内において、キャリヤ410側の接点(第1接点)120および制御部の電流供給部151側の接点(第2接点)121とを接続して永電磁石のコイルが通電されることにより、キャリヤ410に磁気吸引される。これにより、基板300に膜を形成する準備が完了する。   The substrate 300 and the mask 200 thus transported have a contact (first contact) 120 on the carrier 410 side and a contact (second contact) 121 on the current supply unit 151 side of the control unit in the loading chamber 31. By being connected and energizing the coil of the permanent electromagnet, the carrier 410 is magnetically attracted. Thus, preparation for forming a film on the substrate 300 is completed.

キャリヤ410側の接点(第1接点)120と制御部420の電流供給部151側の接点(第2接点)121との接続が解除された後に、搬入室31の内部に配置された回転機構により、成膜室(第2処理室)32内での成膜のために、基板300およびマスク200を保持したキャリヤ410の天地が反転される。成膜室32では、例えば、蒸着、スパッタリング、化学気相成長等の方法により基板300に膜が形成されうる。   After the connection between the contact (first contact) 120 on the carrier 410 side and the contact (second contact) 121 on the current supply unit 151 side of the control unit 420 is released, the rotation mechanism disposed in the carry-in chamber 31 is used. The top of the carrier 410 holding the substrate 300 and the mask 200 is inverted for film formation in the film formation chamber (second processing chamber) 32. In the film formation chamber 32, a film can be formed on the substrate 300 by a method such as vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition, or the like.

その後、基板300およびマスク200を保持したキャリヤ410は、不図示の搬送系により、成膜室(第2処理室)32へ搬送され、成膜室32において、蒸着等により基板300に膜が形成される。膜の形成は、例えば、基板300およびマスク200を保持したキャリヤ410を不図示の搬送系によって搬送しながらなされうる。また、膜の形成は、蒸着源等の材料供給部34から原料を基板300に供給することによってなされうる。   Thereafter, the carrier 410 holding the substrate 300 and the mask 200 is transferred to a film forming chamber (second processing chamber) 32 by a transfer system (not shown), and a film is formed on the substrate 300 by vapor deposition or the like in the film forming chamber 32. Is done. The film can be formed, for example, while the carrier 410 holding the substrate 300 and the mask 200 is transported by a transport system (not shown). Further, the film can be formed by supplying a raw material to the substrate 300 from a material supply unit 34 such as a vapor deposition source.

膜の形成が完了すると、基板300およびマスク200を保持したキャリヤ410は、不図示の搬送系により搬出室(第3処理室)33に搬送される。   When the film formation is completed, the carrier 410 holding the substrate 300 and the mask 200 is transferred to the carry-out chamber (third processing chamber) 33 by a transfer system (not shown).

その後、搬出室33の内部に配置された回転機構により、基板300およびマスク200を保持したキャリヤ410の天地が反転される。次いで、搬出室33内において、キャリヤ410側の接点(第1接点)120および制御部の電流供給部151側の接点(第2接点)121とを接続して永電磁石のコイルが通電されることにより、キャリヤ410による磁気吸引が解除される。   Thereafter, the top and bottom of the carrier 410 holding the substrate 300 and the mask 200 is reversed by the rotation mechanism disposed inside the carry-out chamber 33. Next, in the carry-out chamber 33, the permanent electromagnet coil is energized by connecting the contact (first contact) 120 on the carrier 410 side and the contact (second contact) 121 on the current supply unit 151 side of the control unit. Thus, the magnetic attraction by the carrier 410 is released.

その後、不図示の操作機構によって、キャリヤ410からマスク200および基板300が分離されて、それぞれの搬送系に渡される。基板300は、次工程の装置に搬送される。   Thereafter, the mask 200 and the substrate 300 are separated from the carrier 410 by an operation mechanism (not shown) and transferred to the respective transport systems. The substrate 300 is transferred to the next process apparatus.

なお、搬入室31、成膜室32および搬出室33が1つの空間を構成してもよい。   The carry-in chamber 31, the film formation chamber 32, and the carry-out chamber 33 may constitute one space.

上記のように、キャリヤ410は、マスク200および基板300を保持した状態で搬送されたり、回転等の操作を受けたりしうる。したがって、マスク200および基板300がキャリヤ410によって保持されていることを保証することは重要である。また、キャリヤ410にマスク200および基板300が保持されている状態でそれらをキャリヤ410から取り去ろうとすると、マスク200および基板300に過度なストレスが加わりうる。   As described above, the carrier 410 can be transported while holding the mask 200 and the substrate 300, or can be subjected to operations such as rotation. Therefore, it is important to ensure that the mask 200 and substrate 300 are held by the carrier 410. In addition, if the carrier 200 holds the mask 200 and the substrate 300 and tries to remove them from the carrier 410, excessive stress may be applied to the mask 200 and the substrate 300.

そこで、基板保持装置500は、キャリヤ410の状態を検知する検知部185を備えることが好ましい。検知部185は、例えば、永電磁石101から出る磁界を検知する磁気センサ180を含み、磁気センサ180によってキャリヤ410の状態が第1状態(吸引状態あるいは保持状態)であるか第2状態(非吸引状態あるいは非保持状態)であるかを検知するように構成されうる。   Therefore, the substrate holding device 500 preferably includes a detection unit 185 that detects the state of the carrier 410. The detection unit 185 includes, for example, a magnetic sensor 180 that detects a magnetic field emitted from the permanent electromagnet 101, and the carrier 410 is in a first state (suction state or holding state) or a second state (non-suction) by the magnetic sensor 180. State or non-holding state).

図10は、検知部185によってキャリヤ410の状態を検知する方法の原理を説明するための図である。図10(a)は、第1状態(吸引状態あるいは保持状態)を模式的に示している。第1状態では、キャリヤ410の支持体400から外部に磁界(磁束)が出ているので磁気センサ180による測定値が判定基準値よりも大きい値である場合にキャリヤ410が第1状態であると判定することができる。図10(b)は、第2状態(非吸引状態あるいは非保持状態)を模式的に示している。第2状態では、キャリヤ410の支持体400から外部に磁界(磁束)が出ていないか、又は小さいので、磁気センサ180による測定値が判定基準値よりも小さい値である場合にキャリヤ410が第2状態であると判定することができる。   FIG. 10 is a diagram for explaining the principle of a method for detecting the state of the carrier 410 by the detection unit 185. FIG. 10A schematically shows the first state (suction state or holding state). In the first state, since the magnetic field (magnetic flux) is emitted from the support 400 of the carrier 410 to the outside, the carrier 410 is in the first state when the measured value by the magnetic sensor 180 is larger than the determination reference value. Can be determined. FIG. 10B schematically shows the second state (non-suction state or non-holding state). In the second state, since the magnetic field (magnetic flux) is not emitted from the support body 400 of the carrier 410 to the outside or is small, the carrier 410 has the first value when the measured value by the magnetic sensor 180 is smaller than the determination reference value. It can be determined that there are two states.

検知部185は、磁気センサ180を操作する操作機構182を含むことが好ましい。この実施形態では、図3に模式的に示すように、マスク200のマスク枠200aに穴(好ましくは、貫通孔)200cが設けられている。操作機構182は、その穴200cに磁気センサ180を挿入するように構成されることが好ましい。マスク枠200aに穴200cを設けて、その穴200cに磁気センサ180に挿入する構成は、マスク200がキャリヤ410の上に存在する状態(即ち、マスク200の磁気吸引が可能な状態、或いは、マスク200が磁気吸引された状態)で永電磁石101の状態(キャリヤ410の状態)を検知するために有用である。   The detection unit 185 preferably includes an operation mechanism 182 that operates the magnetic sensor 180. In this embodiment, as schematically shown in FIG. 3, a hole (preferably a through hole) 200 c is provided in the mask frame 200 a of the mask 200. The operating mechanism 182 is preferably configured to insert the magnetic sensor 180 into the hole 200c. The configuration in which the hole 200c is provided in the mask frame 200a and the hole 200c is inserted into the magnetic sensor 180 is such that the mask 200 exists on the carrier 410 (that is, the state in which the mask 200 can be magnetically attracted, or the mask This is useful for detecting the state of the permanent electromagnet 101 (the state of the carrier 410) in a state in which the magnet 200 is magnetically attracted).

検知部185は、図3に示す基板処理装置30では、搬入室31および搬出室33に設けられることが好ましい。搬入室31では、永電磁石101、102X、102Yを第1状態(吸引状態あるいは保持状態)に設定する手順が実行された後、永電磁石101が第1状態であることが検知部185によって確認されたことを条件として、キャリヤ410へのマスク200および基板300の固定が完了したものと判断され、キャリヤ410が搬送或いは操作されうる。   In the substrate processing apparatus 30 shown in FIG. 3, the detection unit 185 is preferably provided in the carry-in chamber 31 and the carry-out chamber 33. In the carry-in chamber 31, the detection unit 185 confirms that the permanent electromagnet 101 is in the first state after the procedure for setting the permanent electromagnets 101, 102X, and 102Y to the first state (attraction state or holding state) is executed. If it is determined that the mask 200 and the substrate 300 are fixed to the carrier 410, the carrier 410 can be transported or operated.

搬出室33では、永電磁石101、102X、102Yを第2状態(非吸引状態あるいは非保持状態)に設定する手順が実行された後、永電磁石101が第2状態であることが検知部185によって確認されたことを条件として、キャリヤ410からマスク200および基板300が取り去られうる。   In the carry-out chamber 33, after the procedure for setting the permanent electromagnets 101, 102X, and 102Y to the second state (non-attraction state or non-holding state) is executed, the detection unit 185 determines that the permanent electromagnet 101 is in the second state. The mask 200 and the substrate 300 can be removed from the carrier 410, provided that it has been confirmed.

検知部185は、検知部185への電力供給および制御部420との通信のための構成を単純化すること、または、キャリヤ410の構成を簡単化すること、磁気センサからの脱ガスなどを考慮すると、キャリヤ410とは分離して配置されることが好ましい。ただし、検知部185は、例えばバッテリーおよび無線通信デバイスとともにキャリヤ410に設けられてもよい。   The detection unit 185 considers simplification of the configuration for power supply to the detection unit 185 and communication with the control unit 420, simplification of the configuration of the carrier 410, degassing from the magnetic sensor, or the like. Then, it is preferable that the carrier 410 is arranged separately. However, the detection unit 185 may be provided in the carrier 410 together with, for example, a battery and a wireless communication device.

基板300への膜の形成の際にキャリヤ410は、例えば、蒸着源等の材料供給部34からの輻射熱等により加熱されうる。或いは、キャリヤ410には加熱やその後の熱放出により不均一な温度分布が形成されうる。そこで、キャリヤ410の支持体に温度調整用の温調流路230を設けることが好ましい。また、キャリヤ410の移動に伴って温調用の管路が移動することを避けるために、温調流路230に外部の温調装置の管路132a、132b(のジョイント131)と接続しおよび切り離すためのジョイント130を設けることが好ましい。更に、キャリヤ410には、図2Bに例示的に示すように、温調流路230に温調媒体が充填された状態で温調流路230を閉塞するための弁140がジョイント130の内部又は付近に設けられることが好ましい。   When forming a film on the substrate 300, the carrier 410 can be heated by, for example, radiant heat from a material supply unit 34 such as an evaporation source. Alternatively, the carrier 410 may have a non-uniform temperature distribution due to heating or subsequent heat release. Therefore, it is preferable to provide a temperature control flow path 230 for temperature adjustment on the support of the carrier 410. In addition, in order to avoid the movement of the temperature adjustment pipe along with the movement of the carrier 410, the temperature adjustment flow path 230 is connected to and disconnected from the pipes 132a and 132b (joint 131) of the external temperature adjustment device. It is preferable to provide a joint 130 for the purpose. Further, as illustrated in FIG. 2B, the carrier 410 includes a valve 140 for closing the temperature control channel 230 in a state where the temperature control channel 230 is filled with the temperature control medium. It is preferable to be provided in the vicinity.

温調流路230に単一の接続口を設けて、その接続口にジョイント130および弁140が設けられてもよいが、温調流路230に入口および出口を設けて、該入口および出口の双方にジョイント130および弁140を設けることが好ましい。後者においては、2つの弁140を開いた状態で該入口を通して温調流路230に温調媒体を供給し該出口を通して温調流路230から温調媒体を回収しながら、温調流路230を通して温調媒体が循環されうる。   The temperature control channel 230 may be provided with a single connection port, and the joint 130 and the valve 140 may be provided at the connection port. However, the temperature control channel 230 may be provided with an inlet and an outlet, and the inlet and the outlet It is preferable to provide the joint 130 and the valve 140 on both sides. In the latter, while the two valves 140 are opened, the temperature control medium 230 is supplied to the temperature control channel 230 through the inlet and the temperature control medium 230 is recovered from the temperature control channel 230 through the outlet. The temperature control medium can be circulated through.

温調装置133は、温度制御された温調媒体を管路132a、132bのジョイント131をキャリヤ410側のジョイント130に接続して、管路132a、132bおよびキャリヤ410の温調流路230によって構成される循環経路を通して温調媒体を循環させる。ジョイント131とジョイント130との接続は、不図示の操作機構によってなされうる。   The temperature control device 133 is configured by connecting the joint 131 of the pipe lines 132a and 132b to the joint 130 on the carrier 410 side and controlling the temperature controlled medium by the pipes 132a and 132b and the temperature control flow path 230 of the carrier 410. The temperature control medium is circulated through the circulation path. The connection between the joint 131 and the joint 130 can be made by an operation mechanism (not shown).

温調装置133は、温調媒体を目標温度に制御する制御システムを有する。該制御システムは、例えば、温調器(例えば、冷却器及び/又は加熱器を含む)、温度センサ、目標温度と該温度センサによる測定値との偏差に基づいて操作量を演算して温調器を制御するPID補償器等を含みうる。ここで、温度センサは、温調装置133のほか、キャリヤ410側にも配置されて、キャリヤ410側に配置された温度センサによる温度測定値が無線通信デバイスによって温調装置133に提供されてもよい。キャリヤ410側の温度センサや無線通信デバイスは、バッテリーによって駆動されうる。キャリヤ410側で温度を測定し、それを温調装置133にフィードバックすることにより、キャリヤ410の温度を高い精度で制御することができる。   The temperature adjustment device 133 has a control system that controls the temperature adjustment medium to a target temperature. The control system is, for example, a temperature controller (for example, including a cooler and / or a heater), a temperature sensor, a temperature control by calculating an operation amount based on a deviation between a target temperature and a measurement value by the temperature sensor. It may include a PID compensator for controlling the device. Here, the temperature sensor is disposed not only on the temperature control device 133 but also on the carrier 410 side, and a temperature measurement value by the temperature sensor disposed on the carrier 410 side may be provided to the temperature control device 133 by the wireless communication device. Good. The temperature sensor and the wireless communication device on the carrier 410 side can be driven by a battery. By measuring the temperature on the carrier 410 side and feeding it back to the temperature control device 133, the temperature of the carrier 410 can be controlled with high accuracy.

温調装置133は、キャリヤ410を目標温度まで冷却するように構成されてもよいし、目標温度まで加熱するように構成されてもよい、温度の不均一な分布を低減するように構成されてもよい。   The temperature control device 133 may be configured to cool the carrier 410 to a target temperature, or may be configured to heat to the target temperature, and may be configured to reduce a non-uniform distribution of temperature. Also good.

温調装置133によるキャリヤ410の温度調整が終了すると、キャリヤ410側のジョイント130から温調装置133側のジョイント131が切り離されて、キャリヤ410が搬送されうる。温調装置133は、例えば、前述の搬入室31および/または搬出室33においてキャリヤ410の温度を調整するように構成されうる。温調装置133は、温調のために設けられた温調室においてキャリヤ410の温度を調整するように構成されうる。   When the temperature adjustment of the carrier 410 by the temperature adjustment device 133 is finished, the joint 131 on the temperature adjustment device 133 side is disconnected from the joint 130 on the carrier 410 side, and the carrier 410 can be transported. For example, the temperature control device 133 can be configured to adjust the temperature of the carrier 410 in the carry-in chamber 31 and / or the carry-out chamber 33 described above. The temperature adjustment device 133 can be configured to adjust the temperature of the carrier 410 in a temperature adjustment chamber provided for temperature adjustment.

キャリヤ410側のジョイント130と温調装置133側のジョイント131との接続または切り離し、または温調装置133側の管路132a、132bの操作等によって、液体の温調媒体がキャリヤ410、特に接点120や保持面400Sに付着すると、永電磁石の誤動作、吸着不良、接点120の劣化等を生じさせる可能性がある。そこで、キャリヤ410側のジョイント130から温調装置133側のジョイント131が切り離されたの後に、除去ユニット150によって、キャリヤ410のジョイント130およびその周辺から温調媒体を除去することが好ましい。除去ユニット150は、例えば、キャリヤ410のジョイント130およびその周辺にエアー等を吹き付けるブロワー及び/又はジョイント130およびその周辺をワイピングするワイパーによって温調媒体を除去する。   By connecting or disconnecting the joint 130 on the carrier 410 side and the joint 131 on the temperature control device 133 side, or operating the pipes 132a and 132b on the temperature control device 133 side, the liquid temperature control medium is changed to the carrier 410, particularly the contact 120. If attached to the holding surface 400S, there is a possibility of causing malfunction of the permanent electromagnet, poor adsorption, deterioration of the contact 120, or the like. Therefore, it is preferable that the temperature adjusting medium is removed from the joint 130 of the carrier 410 and the vicinity thereof by the removing unit 150 after the joint 131 on the temperature adjusting device 133 side is disconnected from the joint 130 on the carrier 410 side. The removal unit 150 removes the temperature control medium by, for example, a blower that blows air or the like around the joint 130 of the carrier 410 and / or a wiper that wipes the joint 130 and the periphery thereof.

図9A〜図9Dは、キャリヤ410によるマスク200および基板300の磁気吸引による保持(吸着)の手順を模式的に示す図である。永電磁石101、102X、102Yのうち白色で表示している部分は非吸引状態(第2状態)、黒色で表示している場合は吸引状態(第1状態)を示す。   9A to 9D are diagrams schematically showing a procedure of holding (adsorption) of the mask 200 and the substrate 300 by the magnetic attraction by the carrier 410. FIG. Of the permanent electromagnets 101, 102X, and 102Y, a portion displayed in white indicates a non-attraction state (second state), and a portion displayed in black indicates an attraction state (first state).

図9Aは、マスク200と基板300とを位置合わせする工程を模式的に示している。基板300が支持体400の保持面400S上に配置され、その上にマスク200が配置されている。不図示の位置合わせ装置は、図9Aの状態において、マスク200と基板300とを位置合わせする。位置合わせは、マスク200および基板300のいずれを移動させることによって実施されてもよい。位置合わせは、例えば、基板300の所定箇所およびマスク200上の所定箇所に形成されたアライメントマークをCCDカメラなどの光学観察装置で観察して、その結果に基づいて相互のずれを修正することによってなされうる。マスク200と基板300との相対移動させる際に、マスク200と基板300とが接触していると、基板300に傷を与える可能性がある。そこで、図9Aに模式的に示されているように、マスク200と基板300との間に隙間を設けた状態で位置あわせがなされる。この隙間が大きいと、次の手順においてマスクパターン部200bと基板300とを密着させる際に位置ずれを起こす原因となるため、隙間は微小であることが好ましく、具体的には500μm以下であることが好ましい。   FIG. 9A schematically shows a process of aligning the mask 200 and the substrate 300. The substrate 300 is disposed on the holding surface 400S of the support 400, and the mask 200 is disposed thereon. The alignment apparatus (not shown) aligns the mask 200 and the substrate 300 in the state shown in FIG. 9A. The alignment may be performed by moving either the mask 200 or the substrate 300. The alignment is performed, for example, by observing alignment marks formed at a predetermined position on the substrate 300 and a predetermined position on the mask 200 with an optical observation device such as a CCD camera, and correcting the mutual displacement based on the result. Can be made. When the mask 200 and the substrate 300 are moved relative to each other, if the mask 200 and the substrate 300 are in contact with each other, the substrate 300 may be damaged. Therefore, as schematically shown in FIG. 9A, alignment is performed in a state where a gap is provided between the mask 200 and the substrate 300. If this gap is large, it may cause a positional shift when the mask pattern portion 200b and the substrate 300 are brought into close contact with each other in the next procedure. Therefore, the gap is preferably small, specifically 500 μm or less. Is preferred.

図9Bは、位置合わせの終了後に、マスク枠200aの保持のための第1組の永電磁石101のみを電流供給部151の第1ユニット151cによって第1状態(吸引状態あるいは保持状態)に制御して、マスク枠200aがキャリヤ410に磁気吸引により固定された状態を模式的に示している。なお、前述のように、3組の永電磁石101、102X、102Yは、第1ユニット151c、第2ユニット151a、第3ユニット151bによって互いに独立して制御される。   9B, after the alignment is completed, only the first set of permanent electromagnets 101 for holding the mask frame 200a is controlled to the first state (attraction state or holding state) by the first unit 151c of the current supply unit 151. The state in which the mask frame 200a is fixed to the carrier 410 by magnetic attraction is schematically shown. As described above, the three sets of permanent electromagnets 101, 102X, and 102Y are controlled independently of each other by the first unit 151c, the second unit 151a, and the third unit 151b.

図9Cは、マスク枠200aがキャリヤ410に固定された後にマスクパターン部200bの中央部を固定するための第2組の永電磁石102Xを電流供給部151の第2ユニット151aによって第1状態(吸引状態あるいは保持状態)に制御して、マスクパターン部200bの中央部がキャリヤ410に磁気吸引により固定された状態を模式的に示している。この状態では、基板300の中央部とマスクパターン部200bの中央部とが接触している。マスクパターン部200bに張力が加えられた状態でマスクパターン部200bの中央部を基板300に接触させることで、マスクパターン部200bの全面を一度に基板300に接触させる場合に比べて、マスクパターン部200bに皺や位置ずれを生じさせることなく、基板300に密着させることができる。   FIG. 9C shows that the second set of permanent magnets 102X for fixing the central part of the mask pattern part 200b after the mask frame 200a is fixed to the carrier 410 is in a first state (attraction) by the second unit 151a of the current supply part 151. The state in which the central portion of the mask pattern portion 200b is fixed to the carrier 410 by magnetic attraction is shown schematically. In this state, the central portion of the substrate 300 is in contact with the central portion of the mask pattern portion 200b. By bringing the central portion of the mask pattern portion 200b into contact with the substrate 300 while tension is applied to the mask pattern portion 200b, the mask pattern portion is compared with the case where the entire surface of the mask pattern portion 200b is in contact with the substrate 300 at one time. The substrate 200b can be closely attached to the substrate 300 without causing wrinkles or positional deviation.

図9Dは、基板300の中央部とマスクパターン部200bの中央部とが接触した後に、マスクパターン部200bの周辺部を固定するための第3組の永電磁石102Yを電流供給部151の第3ユニット151bによって第1状態(吸引状態あるいは保持状態)に制御して、マスクパターン部200bの周辺部がキャリヤ410に磁気吸引により固定され、結果としてマスク枠200a、マスクパターン部200bの中央部及び周辺部がキャリヤ410に固定された状態を模式的に示している。   FIG. 9D shows a third set of permanent electromagnets 102Y for fixing the peripheral part of the mask pattern part 200b after the central part of the substrate 300 and the central part of the mask pattern part 200b are in contact with the third part of the current supply part 151. The peripheral portion of the mask pattern portion 200b is fixed to the carrier 410 by magnetic attraction by controlling to the first state (attraction state or holding state) by the unit 151b. As a result, the mask frame 200a and the central portion and the periphery of the mask pattern portion 200b are fixed. A state in which the portion is fixed to the carrier 410 is schematically shown.

図4(a)、図4(b)は、図3に示す基板処理装置を製造工程の一部において使用して製造される画像表示装置の例を示す図である。電子源基板81とフェースプレート82とを一定の距離を隔てて共に水平に配置した状態で、それらの間にスペーサ(支持部材)89を垂直にするとともに支持枠86で外周を囲む。これにより、電子源基板81、フェースプレート82および支持枠86によって囲まれた気密容器90が構成される。フェースプレート82は、ガラス基板83に蛍光膜84とメタルバック85とが積層された構造を有する。電子源基板81は、Y方向配線24、X方向配線26および導電性膜(素子膜)27等の導電部が積層された構造を有する。   4A and 4B are diagrams illustrating an example of an image display device manufactured using the substrate processing apparatus shown in FIG. 3 in a part of the manufacturing process. In a state where the electron source substrate 81 and the face plate 82 are horizontally arranged with a certain distance therebetween, a spacer (support member) 89 is made vertical between them and the outer periphery is surrounded by a support frame 86. Thereby, an airtight container 90 surrounded by the electron source substrate 81, the face plate 82, and the support frame 86 is configured. The face plate 82 has a structure in which a fluorescent film 84 and a metal back 85 are laminated on a glass substrate 83. The electron source substrate 81 has a structure in which conductive portions such as the Y-direction wiring 24, the X-direction wiring 26, and the conductive film (element film) 27 are laminated.

気密容器90が高い信頼性で動作するためには、この内側の空間に、黒色導電体91、非蒸発型ゲッタ87、蒸発型ゲッタ88を配置するべきであり、これらは組立前にフェースプレート82の上に成膜される。非蒸発型ゲッタ87および蒸発型ゲッタ88は、所定のパターンを有する必要があるので、上記のようなマスク200を基板300に重ねた状態で保持するキャリヤ410を使って基板処理装置30によって成膜を行うことが好ましい。   In order for the hermetic container 90 to operate with high reliability, the black conductor 91, the non-evaporable getter 87, and the evaporable getter 88 should be disposed in this inner space, and these are the face plate 82 before assembly. A film is formed on the substrate. Since the non-evaporable getter 87 and the evaporable getter 88 need to have a predetermined pattern, a film is formed by the substrate processing apparatus 30 using the carrier 410 that holds the mask 200 in a state of being overlaid on the substrate 300 as described above. It is preferable to carry out.

完成した画像表示装置において、電子源基板81に所定の手順でY方向配線24、X方向配線26を通して導電性膜(素子膜)27に電圧を印加すると、そこから放出された電子が対向するフェースプレート82の蛍光膜84に衝突して画像が形成される。   In the completed image display apparatus, when a voltage is applied to the conductive film (element film) 27 through the Y-direction wiring 24 and the X-direction wiring 26 in a predetermined procedure on the electron source substrate 81, the electrons emitted from the surface are opposed to each other. An image is formed by colliding with the fluorescent film 84 of the plate 82.

図5および図6は、図3に示す基板処理装置を製造工程の一部において使用して画像表示装置の1つである有機蛍光ディスプレイ(有機ELディスプレイ)の構成および製造方法例示する図である。   5 and 6 are diagrams illustrating a configuration and a manufacturing method of an organic fluorescent display (organic EL display) which is one of image display devices using the substrate processing apparatus shown in FIG. 3 in a part of the manufacturing process. .

501はガラス基板、502はアノード、503は素子分離層、504aはホール注入層、504bはホール輸送層504b、505は発光層、506は電子輸送層、507は電子注入層、508はカソードである。なお、図6では、ホール注入層504aおよびホール輸送層504bの積層構造が504として示されている。   Reference numeral 501 denotes a glass substrate, 502 denotes an anode, 503 denotes an element isolation layer, 504a denotes a hole injection layer, 504b denotes a hole transport layer 504b, 505 denotes a light emitting layer, 506 denotes an electron transport layer, 507 denotes an electron injection layer, and 508 denotes a cathode. . In FIG. 6, a stacked structure of the hole injection layer 504 a and the hole transport layer 504 b is shown as 504.

アノード電極502とカソード電極508との間に電圧が印加されると、アノード電極502によりホールがホール注入層504aに注入される。一方、カソード電極508より電子が電子注入層507に注入される。注入されたホールはホール注入層504aおよびホール輸送層504bを移動し、注入された電子は電子注入層507及び電子輸送層506を移動して発光層505に達する。発光層505に達したホールと電子は再結合して発光する。   When a voltage is applied between the anode electrode 502 and the cathode electrode 508, holes are injected into the hole injection layer 504a by the anode electrode 502. On the other hand, electrons are injected from the cathode electrode 508 into the electron injection layer 507. The injected holes move through the hole injection layer 504a and the hole transport layer 504b, and the injected electrons move through the electron injection layer 507 and the electron transport layer 506 and reach the light emitting layer 505. The holes and electrons that reach the light emitting layer 505 recombine to emit light.

発光層505の材料を適宜選択することにより、光の三原色である赤(R)、緑(G)及び青(B)の光を発光させることが可能で、その結果、フルカラーの画像表示装置を実現できることができる。   By appropriately selecting the material of the light-emitting layer 505, it is possible to emit light of the three primary colors red (R), green (G), and blue (B). As a result, a full-color image display device can be obtained. Can be realized.

次に、図5に示す構造の製造方法を図6を参照しながら説明する。図6には、R、G、Bを発光する部位よりなる一ピクセルが示されている。図6は、有機ELディスプレイの発光部の一般的な製造方法を示す工程図である。まず、前工程で、TFT(Thin Film Transitor)および配線部が形成され、その後、平坦化のための成膜処理がなされたガラス基板等の基板501上に反射率の高い導電膜が形成される。その導電膜を所定の形状にパターニングされることによりアノード電極502が形成される。次に、アノード電極502上の赤、緑、青を発光する部位を囲むようにして絶縁性の高い材料からなる素子分離膜503が形成される。これにより、隣接する発光する部分R、G、Bの間は素子分離膜503により仕切られる。   Next, a manufacturing method of the structure shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows one pixel composed of portions that emit R, G, and B. FIG. 6 is a process diagram showing a general method for manufacturing a light emitting portion of an organic EL display. First, in the previous step, a thin film transistor (TFT) and a wiring portion are formed, and then a highly reflective conductive film is formed on a substrate 501 such as a glass substrate that has been subjected to a film formation process for planarization. . The anode electrode 502 is formed by patterning the conductive film into a predetermined shape. Next, an element isolation film 503 made of a highly insulating material is formed so as to surround red, green, and blue light emitting portions on the anode electrode 502. Thus, the adjacent light emitting portions R, G, and B are partitioned by the element isolation film 503.

次いで、アノード電極502上にホール注入層504aおよびホール輸送層504bからなる層504、発光層505、電子輸送層506、電子注入層507が蒸着法により順次に形成される。電子注入層507上に透明性導電膜からなるカソード電極508を積層することで、基板501上に有機ELディスプレイの発光部が形成される。   Next, a layer 504 including a hole injection layer 504a and a hole transport layer 504b, a light emitting layer 505, an electron transport layer 506, and an electron injection layer 507 are sequentially formed on the anode electrode 502 by vapor deposition. By laminating a cathode electrode 508 made of a transparent conductive film on the electron injection layer 507, a light emitting portion of an organic EL display is formed on the substrate 501.

最後に、基板上の上記発光部が透湿性の低い材料からなる図示しない封止層で覆われる。   Finally, the light emitting portion on the substrate is covered with a sealing layer (not shown) made of a material having low moisture permeability.

ここで、R、G、Bの各発光層105を蒸着法で作製する際には、図6(c)に例示するように基板がマスク510で覆われる。図6(c)においては、Rの発光部を形成するときのマスク510が示されている。したがって、GおよびBの発光部は、マスク510で覆われており、GおよびBの部位に赤Rの発光材料が混入しないようにしている。このような発光層の形成工程は、GおよびBの発光層の形成についても実施される。ここで、例えば、対角5.2インチで320×240ピクセルのフルカラー有機ELディスプレイの場合、ピクセルピッチは0.33mm(330μm)であり、サブピクセルピッチは0.11mm(110μm)である。このような場合、マスクのアライメント精度として、数ミクロン以下の精度が要求される。また、ホール輸送層504b、発光層505、電子輸送層506および電子注入層507の形成は、各有機材料の混入を防止するために互いに異なるチャンバーで行われ、且つそれぞれの専用のマスクが使用される。したがって、それらの成膜プロセスでもマスクを同一の位置に高精度にアライメントする必要がある。   Here, when the R, G, and B light emitting layers 105 are formed by vapor deposition, the substrate is covered with a mask 510 as illustrated in FIG. FIG. 6C shows a mask 510 for forming an R light emitting portion. Therefore, the G and B light emitting portions are covered with the mask 510 so that the red R light emitting material is not mixed in the G and B portions. Such a light emitting layer forming step is also performed for forming the G and B light emitting layers. Here, for example, in the case of a full color organic EL display with a diagonal size of 5.2 inches and 320 × 240 pixels, the pixel pitch is 0.33 mm (330 μm), and the sub-pixel pitch is 0.11 mm (110 μm). In such a case, an accuracy of several microns or less is required as the mask alignment accuracy. In addition, the hole transport layer 504b, the light emitting layer 505, the electron transport layer 506, and the electron injection layer 507 are formed in different chambers in order to prevent mixing of each organic material, and each dedicated mask is used. The Therefore, it is necessary to align the mask at the same position with high accuracy even in these film forming processes.

よって、マスクアライメントが高い精度で迅速に行えることは、有機ELディスプレイの生産性及び歩留まりの向上を図る上で重要である。   Therefore, it is important to perform mask alignment quickly with high accuracy in order to improve the productivity and yield of the organic EL display.

また、今後益々大型の表示画面のディスプレイに対する常用が高まると考えられ、その際には重い大型のマスクを高い精度で迅速にアライメントすることに対する要求が益々大きくなることが予想される。   Further, it is considered that the use of large display screens will become more common in the future, and at that time, it is expected that there will be an increasing demand for rapid alignment of heavy, large masks with high accuracy.

上記の基板保持装置および基板処理装置は、上記のような要求に適合したものである。   The substrate holding apparatus and the substrate processing apparatus described above meet the above requirements.

なお、本発明のキャリヤは、永電磁石を有さないキャリヤにも用いることができる。   The carrier of the present invention can also be used for a carrier that does not have a permanent electromagnet.

本発明の好適な実施形態の基板保持装置の構成を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing composition of a substrate holding device of a suitable embodiment of the present invention. マスクの例示的な平面図である。It is an exemplary top view of a mask. キャリヤ側の接点(第1接点)と電流供給部(制御部)側の接点(第2接点)との接続方法を例示的に示す図である。It is a figure which shows the connection method of the contact (1st contact) by the side of a carrier, and the contact (2nd contact) by the side of a current supply part (control part) exemplarily. 本発明の好適な実施形態の温調システムの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the temperature control system of suitable embodiment of this invention. 本発明の好適な実施形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the substrate processing apparatus of suitable embodiment of this invention. 図3に示す基板処理装置を製造工程の一部において使用して製造され画像表示装置の例を示す図である。It is a figure which shows the example of an image display apparatus manufactured using the substrate processing apparatus shown in FIG. 3 in a part of manufacturing process. 図3に示す基板処理装置を製造工程の一部において使用して製造される画像表示装置の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the image display apparatus manufactured using the substrate processing apparatus shown in FIG. 3 in a part of manufacturing process. 図5に示す画像表示装置の製造工程の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the manufacturing process of the image display apparatus shown in FIG. 永電磁石の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a permanent electromagnet. 永電磁石の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a permanent electromagnet. キャリヤによるマスクおよび基板の磁気吸引による保持(吸着)の手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the procedure of the holding | maintenance (adsorption) by the magnetic attraction of the mask and board | substrate by a carrier. キャリヤによるマスクおよび基板の磁気吸引による保持(吸着)の手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the procedure of the holding | maintenance (adsorption) by the magnetic attraction of the mask and board | substrate by a carrier. キャリヤによるマスクおよび基板の磁気吸引による保持(吸着)の手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the procedure of the holding | maintenance (adsorption) by the magnetic attraction of the mask and board | substrate by a carrier. キャリヤによるマスクおよび基板の磁気吸引による保持(吸着)の手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the procedure of the holding | maintenance (adsorption) by the magnetic attraction of the mask and board | substrate by a carrier. 検知部によってキャリヤの状態を検知する方法の原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle of the method of detecting the state of a carrier by a detection part. 接触状態の検知に関連する部分についての本発明の好適な実施形態の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of suitable embodiment of this invention about the part relevant to the detection of a contact state. 接触状態の検知に関連する部分についての本発明の他の好適な実施形態の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of other suitable embodiment of this invention about the part relevant to the detection of a contact state.

符号の説明Explanation of symbols

30 基板処理装置
101、102X、102Y 永電磁石
102a 磁性体
102b 極性固定磁石
102c 極性可変磁石
102d コイル
102f 空間
102k 導電線
120 接点(第1接点)
120' 検査接点
121 接点(第2接点)
130、131 ジョイント
133 温調装置
140 弁
151 電流供給部
151a 第2ユニット
151b 第3ユニット
151c 第1ユニット
180 磁気センサ
182 操作機構
185 検知部
200 マスク
200a マスク枠
200b マスクパターン部
201 検査接点
220 検知部
300 基板
400 支持体
410 キャリヤ
420 制御部
500 基板保持装置
30 Substrate processing apparatus 101, 102X, 102Y Permanent electromagnet 102a Magnetic body 102b Polarity fixed magnet 102c Polarity variable magnet 102d Coil 102f Space 102k Conductive wire 120 Contact (first contact)
120 'inspection contact 121 contact (second contact)
130, 131 Joint 133 Temperature control device 140 Valve 151 Current supply unit 151a Second unit 151b Third unit 151c First unit 180 Magnetic sensor 182 Operation mechanism 185 Detection unit 200 Mask
200a Mask frame 200b Mask pattern part 201 Inspection contact 220 Detection part 300 Substrate 400 Support body 410 Carrier 420 Control part 500 Substrate holding device

Claims (10)

磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクおよび前記基板を保持するキャリヤであって、
支持体と、
前記支持体に組み込まれた永電磁石と、
前記支持体に設けられた温調流路と、
前記温調流路を外部の温調装置の管路と接続するためのジョイントと、
前記ジョイントの内部又は付近に設けられて、前記温調流路に温調媒体が充填された状態で前記温調流路を閉塞するための弁とを備え、
前記永電磁石は、極性が可変の極性可変磁石と、前記極性可変磁石の極性を変更するための磁界を発生するコイルと、極性が固定された極性固定磁石とを含み、
前記キャリヤの状態は、前記コイルが発生する磁界によって前記極性可変磁石の極性を制御することによって、前記極性可変磁石および前記極性固定磁石が発生する磁界によって前記マスクおよび前記基板を保持する第1状態と、前記マスクおよび前記基板を保持しない第2状態とのいずれかに設定される、
ことを特徴とするキャリヤ。
A carrier for holding the mask and the substrate by magnetically attracting a mask containing a magnetic material through the substrate,
A support;
A permanent electromagnet incorporated in the support;
A temperature control channel provided in the support;
A joint for connecting the temperature control channel with a pipe of an external temperature control device;
A valve for closing the temperature control flow path provided in or near the joint and filled with a temperature control medium in the temperature control flow path;
The permanent electromagnet includes a polarity variable magnet having a variable polarity, a coil that generates a magnetic field for changing the polarity of the polarity variable magnet, and a polarity fixed magnet having a fixed polarity.
The carrier is in a first state in which the mask and the substrate are held by the magnetic field generated by the polarity variable magnet and the polarity fixed magnet by controlling the polarity of the polarity variable magnet by the magnetic field generated by the coil. And a second state in which the mask and the substrate are not held,
A carrier characterized by the above.
前記温調流路は、入口および出口を含み、前記入口および前記出口の双方に前記ジョイントおよび前記弁が設けられていて、2つの前記弁が開かれた状態において、前記温調流路を通して温調媒体を循環させることができる、
ことを特徴とする請求項1に記載のキャリヤ。
The temperature control channel includes an inlet and an outlet. The joint and the valve are provided at both the inlet and the outlet, and the temperature is controlled through the temperature control channel in a state where the two valves are opened. The preparation medium can be circulated,
The carrier according to claim 1.
前記マスクは、マスクパターン部および前記マスクパターン部を支持するマスク枠を含み、
前記永電磁石は、前記マスクパターン部を磁気吸引するように構成され、
前記キャリヤは、前記マスク枠を磁気吸引するために、前記永電磁石とは独立に制御されるように構成された他の永電磁石を更に備える、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のキャリヤ。
The mask includes a mask pattern part and a mask frame that supports the mask pattern part,
The permanent electromagnet is configured to magnetically attract the mask pattern portion;
The carrier further comprises another permanent electromagnet configured to be controlled independently of the permanent electromagnet to magnetically attract the mask frame.
The carrier according to claim 1 or 2, characterized by the above.
基板を処理する基板処理装置であって、
磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクおよび前記基板を保持するキャリヤと、
前記キャリヤの温度を調整する温調装置とを備え、
前記キャリヤは、
支持体と、
前記支持体に組み込まれた永電磁石と、
前記支持体に設けられた温調流路と、
前記温調流路を前記温調装置の管路と接続するためのジョイントと、
前記ジョイントの内部又は付近に設けられて、前記温調流路に温調媒体が充填された状態で前記温調流路を閉塞するための弁とを含み、
前記永電磁石は、極性が可変の極性可変磁石と、前記極性可変磁石の極性を変更するための磁界を発生するコイルと、極性が固定された極性固定磁石とを含み、
前記キャリヤの状態は、前記コイルが発生する磁界によって前記極性可変磁石の極性を制御することによって、前記極性可変磁石および前記極性固定磁石が発生する磁界によって前記マスクおよび前記基板を保持する第1状態と、前記マスクおよび前記基板を保持しない第2状態とのいずれかに設定され、
前記温調装置は、前記キャリヤが所定位置に配置されているときに、前記管路を前記ジョイントに接続して前記温調流路に温調媒体を供給し又は前記温調流路から温調媒体を回収する、
ことを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A carrier for holding the mask and the substrate by magnetically attracting a mask containing a magnetic material through the substrate;
A temperature control device for adjusting the temperature of the carrier,
The carrier is
A support;
A permanent electromagnet incorporated in the support;
A temperature control channel provided in the support;
A joint for connecting the temperature control flow path with a pipe of the temperature control device;
A valve for closing the temperature control flow path in a state where the temperature control flow path is filled with a temperature control medium provided in or near the joint;
The permanent electromagnet includes a polarity variable magnet having a variable polarity, a coil that generates a magnetic field for changing the polarity of the polarity variable magnet, and a polarity fixed magnet having a fixed polarity.
The carrier is in a first state in which the mask and the substrate are held by the magnetic field generated by the polarity variable magnet and the polarity fixed magnet by controlling the polarity of the polarity variable magnet by the magnetic field generated by the coil. And a second state in which the mask and the substrate are not held,
When the carrier is disposed at a predetermined position, the temperature control device connects the pipe line to the joint and supplies a temperature control medium to the temperature control flow path or controls the temperature from the temperature control flow path. Recover media,
A substrate processing apparatus.
前記温調流路は、入口および出口を含み、前記入口および前記出口の双方に前記ジョイントおよび前記弁が設けられていて、
前記温調装置は、前記キャリヤが所定位置に配置されているときに、前記温調流路を通して温調媒体を循環させる、
ことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
The temperature control flow path includes an inlet and an outlet, and both the inlet and the outlet are provided with the joint and the valve,
The temperature control device circulates a temperature control medium through the temperature control flow path when the carrier is disposed at a predetermined position.
The substrate processing apparatus according to claim 4.
前記ジョイントまたはその付近から温調媒体を除去する除去ユニットを更に備えることを特徴とする請求項4又は5に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a removal unit that removes the temperature control medium from or near the joint. 前記除去ユニットは、ブロワーおよびワイパーの少なくとも一方を含む、
ことを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
The removal unit includes at least one of a blower and a wiper.
The substrate processing apparatus according to claim 6.
前記マスクは、マスクパターン部および前記マスクパターン部を支持するマスク枠を含み、
前記永電磁石は、前記マスクパターン部を磁気吸引するように構成され、
前記キャリヤは、前記マスク枠を磁気吸引するために、前記永電磁石とは独立に制御されるように構成された他の永電磁石を更に備える、
ことを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The mask includes a mask pattern part and a mask frame that supports the mask pattern part,
The permanent electromagnet is configured to magnetically attract the mask pattern portion;
The carrier further comprises another permanent electromagnet configured to be controlled independently of the permanent electromagnet to magnetically attract the mask frame.
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus.
前記キャリヤによってマスクとともに保持された基板に膜を形成するための処理室を更に備えることを特徴とする請求項4乃至8のいずれか1項に記載の基板処理装置。   9. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a processing chamber for forming a film on the substrate held together with the mask by the carrier. 画像表示装置を製造する製造方法であって、
請求項4乃至9のいずれか1項に記載の基板処理装置により基板に膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とする製造方法。
A manufacturing method for manufacturing an image display device,
Including a step of forming a film on the substrate by the substrate processing apparatus according to claim 4.
The manufacturing method characterized by the above-mentioned.
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