JP2019116679A - Film deposition apparatus, film deposition method, and method of manufacturing electronic device - Google Patents

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Abstract

To let a substrate and a mask adhere together without any gap.SOLUTION: A film deposition apparatus according to the present invention includes: an electrostatic chuck for holding a substrate; a mask table installed on a substrate holding surface side of the electrostatic chuck and holding a mask; magnetic force application means installed on the opposite side from the substrate holding surface of the electrostatic chuck, and applying magnetic force to the mask; and a control part controlling the electrostatic chuck, the mask table, and the magnetic force application means. The control part performs control so that before the magnetic force application means is moved toward the mask table so as to let the substrate and the mask adhere together, the substrate held by the electrostatic chuck and the mask held by the mask table are at a predetermined interval.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、成膜装置及び成膜方法に関するもので、具体的には、成膜装置においてマスクを基板に密着させるための方法及び装置に関するものである。   The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method, and more particularly to a method and apparatus for bringing a mask into close contact with a substrate in a film forming apparatus.

最近、フラットパネル表示装置として有機EL表示装置が脚光を浴びている。有機EL表示装置は自発光ディスプレイであり、応答速度、視野角、薄型化などの特性が液晶パネルディスプレイより優れており、モニタ、テレビ、スマートフォンに代表される各種携帯端末などで既存の液晶パネルディスプレイを早いスピードで代替している。また、自動車用ディスプレイ等にも、その応用分野を広げている。   Recently, an organic EL display device has been in the limelight as a flat panel display device. The organic EL display device is a self-luminous display, and its characteristics such as response speed, viewing angle and thinning are superior to those of liquid crystal panel displays, and existing liquid crystal panel displays such as monitors, televisions and various portable terminals represented by smartphones. Substitute at a high speed. In addition, the field of application is being expanded to displays for automobiles and the like.

有機EL表示装置の素子は、2つの向かい合う電極(カソード電極、アノード電極)の間に発光を起こす有機物層が形成された基本構造を持つ。有機ELディスプレイ素子の有機物層と電極金属層は真空チャンバー内で、画素パターンが形成されたマスクを介して基板に蒸着物質を蒸着させることで製造される。   The element of the organic EL display device has a basic structure in which an organic substance layer which emits light is formed between two facing electrodes (a cathode electrode and an anode electrode). The organic layer and the electrode metal layer of the organic EL display device are manufactured by depositing a deposition material on a substrate through a mask on which a pixel pattern is formed in a vacuum chamber.

このような成膜プロセスにおいて、マスク上の画素パターンを高精度で基板に成膜するためには、基板への蒸着が行われる前にマスクと基板の相対的位置を精密に調整し、マスクを基板の成膜面に密着させなければならない。   In such a deposition process, in order to deposit a pixel pattern on a mask on a substrate with high precision, the relative position between the mask and the substrate is precisely adjusted before deposition on the substrate, and the mask is It must be in close contact with the film formation surface of the substrate.

マスクを基板の成膜面に密着させるために、マグネット板を用いて、基板の上部から基板の下部の金属製のマスクに磁力を印加している。すなわち、相対的位置が調整(アライメント)された基板をマスクの上面に載置した状態で、マグネット板を基板の上面に当接させることで、マグネット板のマグネットによって、金属製のマスクに印加される磁力を通じて基板とマスクとを密着させる。   In order to bring the mask into close contact with the film formation surface of the substrate, a magnetic plate is used to apply a magnetic force to the metal mask on the lower portion of the substrate from the top of the substrate. That is, with the substrate whose relative position has been adjusted (aligned) placed on the upper surface of the mask, the magnet plate is applied to the metal mask by the magnet of the magnetic plate by bringing it into contact with the upper surface of the substrate. The substrate and the mask are in close contact with each other through a magnetic force.

例えば、図7に図示した従来技術では、基板ホルダ721によって下面の周縁部が保持された基板710を、マスク台722に保持されたマスク730上に載置した後、マグネット板724及び冷却板723を下降させて、マグネット板724からマスク730に加えられる磁力によってマスク730と基板710とを引き付けて密着させる。   For example, in the prior art illustrated in FIG. 7, after the substrate 710 whose peripheral edge is held by the substrate holder 721 is placed on the mask 730 held by the mask table 722, the magnet plate 724 and the cooling plate 723 are provided. Is lowered to attract and bring the mask 730 and the substrate 710 into close contact with each other by the magnetic force applied from the magnet plate 724 to the mask 730.

ところが、マスク台722上に保持されたマスク730は、その自重によって撓む状態で保持される。ここに、基板710が置かれると、マスク730は、基板の重量を受け、さらに撓むようになる。この状態で、マグネット板724及び冷却板723を、冷却板723の下面が基板の上面周縁部に接触するまで下降させ、マスクに磁力を印加して引き寄せれば、マスクと基板とが全体的に引き寄せられて撓みが減少する。しかし、基板710の上面の周縁部が冷却板723の下面に接触した状態で、マスクと基板とが引き寄せられると、基板とマスクの中央部の撓みが完全には解消できず、基板及びマスクの中央部にしわが残った状態で密着される。   However, the mask 730 held on the mask table 722 is held in a bent state by its own weight. Here, when the substrate 710 is placed, the mask 730 receives the weight of the substrate and is further bent. In this state, the magnet plate 724 and the cooling plate 723 are lowered until the lower surface of the cooling plate 723 contacts the upper surface peripheral portion of the substrate, and a magnetic force is applied to the mask to draw the mask and the substrate as a whole. It is attracted and the deflection is reduced. However, if the mask and the substrate are drawn while the peripheral edge of the upper surface of the substrate 710 is in contact with the lower surface of the cooling plate 723, the bending of the central portion of the substrate and the mask can not be completely eliminated. Close contact with wrinkles remaining in the center.

さらに、マスクと基板の撓みの程度が異なるので、マグネット板724の磁力を持ってしても、マスクと基板とが完全に密着することができず、マスクと基板との間に隙間が生じる。このような隙間によって、基板の成膜領域に蒸着材料が高精度で成膜されることができない成膜ボケが生じる。   Furthermore, since the degree of bending of the mask and the substrate is different, even if the magnet plate 724 has a magnetic force, the mask and the substrate can not be completely in close contact with each other, and a gap is generated between the mask and the substrate. With such a gap, a film formation blur can not be formed in which the deposition material can not be formed with high precision on the film formation region of the substrate.

一方、最近、基板の自重による撓みを防止するため、基板を下方からのみ保持する基板ホルダの代りに(または基板ホルダとともに)、静電チャックの静電引力によって基板の上面を保持する方法が検討されている。静電チャックは、基板の上面を静電引力によって吸着するので、基板の直上に設置される。   On the other hand, recently, in order to prevent bending of the substrate due to its own weight, a method of holding the upper surface of the substrate by electrostatic attraction of the electrostatic chuck instead of (or together with) the substrate holder holding the substrate only from below It is done. The electrostatic chuck is placed immediately above the substrate because the upper surface of the substrate is attracted by electrostatic attraction.

したがって、静電チャックを用いて基板を保持し、静電チャックに保持された基板とマスクとをマグネット板によって密着させる構造の成膜装置においては、静電チャックがマグネット板の下で基板を保持するようになる。   Therefore, in a film forming apparatus having a structure in which the electrostatic chuck is used to hold the substrate and the mask held by the electrostatic chuck is in close contact with the mask, the electrostatic chuck holds the substrate under the magnet plate. You will come to

例えば、図8に図示したように、静電チャック823に吸着されて保持された基板810をマスク830と密着させるため、基板810の下面の周縁部がマスク830の上面周縁部に接触するまで、静電チャック823を下降させた後、マグネット板824を下降させて、マスクに磁力を印加すれば、マスクが磁力によって引き付けられて、その撓みが減少するようになる。   For example, as shown in FIG. 8, in order to bring the substrate 810 adsorbed and held by the electrostatic chuck 823 into close contact with the mask 830, until the peripheral edge of the lower surface of the substrate 810 contacts the upper peripheral edge of the mask 830, After the electrostatic chuck 823 is lowered, the magnet plate 824 is lowered and a magnetic force is applied to the mask, whereby the mask is attracted by the magnetic force and the deflection thereof is reduced.

ところが、静電チャック823に保持された基板810の下面周縁部がマスク830の上面周縁部に接触した状態で、マスクが引き寄せられるので、マスクの自重による撓みが完全には解消できず、マスクの中央部にしわが残った状態で、基板に付着する。すなわち、図7に図示した従来技術に比べて、静電チャック823の採用によって、基板の自重による撓みの影響は少なくなるが、依然として、基板810とマスク830との間に隙間ができ、成膜ボケが生じる。   However, since the mask is drawn in a state where the lower surface peripheral edge of the substrate 810 held by the electrostatic chuck 823 is in contact with the upper surface peripheral edge of the mask 830, deflection of the mask by its own weight can not be completely eliminated. It adheres to the substrate with wrinkles remaining in the center. That is, compared to the prior art shown in FIG. 7, the adoption of the electrostatic chuck 823 reduces the influence of the bending due to the weight of the substrate, but still there is a gap between the substrate 810 and the mask 830. Bokeh occurs.

本発明は、静電チャックを用いて基板を保持し、磁力印加手段を用いて、基板とマスクとを密着させる構造の成膜装置において、基板とマスクを隙間なく密着させるための成膜装置、これを用いる成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを主な目的とする。   The present invention is a film forming apparatus for holding a substrate using an electrostatic chuck and for bringing a substrate and a mask into close contact with each other using magnetic force application means, wherein the film forming apparatus brings the substrate and the mask into close contact with each other. A main object is to provide a film forming method and an electronic device manufacturing method using the same.

本発明の第1態様による成膜装置は、基板を保持するための静電チャックと、前記静電チャックの基板保持面側に設置されて、マスクを保持するためのマスク台と、前記静電チャックの基板保持面の反対側に設置されて、前記マスクに磁力を印加するための磁力印加手段と、前記静電チャック、前記マスク台及び前記磁力印加手段を制御する制御部とを含み、前記制御部は、前記基板と前記マスクとを密着させるために前記磁力印加手段を前記マスク台に向けて移動させる前に、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクが所定の間隔を持つように制御する。   A film forming apparatus according to a first aspect of the present invention includes an electrostatic chuck for holding a substrate, a mask table installed on the substrate holding surface side of the electrostatic chuck for holding a mask, and the electrostatic It is installed on the opposite side of the substrate holding surface of the chuck, and includes magnetic force application means for applying a magnetic force to the mask, and a control unit for controlling the electrostatic chuck, the mask table and the magnetic force application means. The control unit is configured to hold the substrate held by the electrostatic chuck and the mask held by the mask table before moving the magnetic force application unit toward the mask table to bring the substrate and the mask into close contact with each other. The mask is controlled to have a predetermined interval.

本発明の第2態様による成膜方法は、マスクをマスク台上に載置する段階と、基板を基板支持台上に載置する段階と、静電チャックで基板を吸着して保持する段階と、静電チャックに保持された基板と前記マスク台上に載置されたマスク間の間隔が所定の間隔になるように、前記静電チャックまたは前記マスク台を相対的に移動させる段階と、前記基板と前記マスクが前記所定の間隔で離隔された状態で、磁力印加手段を前記マスク台に向けて移動させて、前記マスクを前記基板の成膜領域に密着させる段階と、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する段階とを含む。   The film forming method according to the second aspect of the present invention comprises the steps of: placing a mask on a mask table; placing the substrate on a substrate support table; and adsorbing and holding the substrate with an electrostatic chuck Moving the electrostatic chuck or the mask table relative to each other such that the distance between the substrate held by the electrostatic chuck and the mask placed on the mask table is a predetermined distance; Moving the magnetic force application unit toward the mask table in a state in which the substrate and the mask are separated by the predetermined distance, and bringing the mask into close contact with the film formation region of the substrate; Depositing a vapor deposition material thereon.

本発明の第3態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第2態様による成膜方法を用いて、電子デバイスを製造する。   The method of manufacturing an electronic device according to the third aspect of the present invention manufactures an electronic device using the film forming method according to the second aspect of the present invention.

本発明によれば、基板とマスクとを密着させるために、基板を保持する静電チャックをマスクに向けて下降させる時、或いは、マスクを保持するマスク台を静電チャックに保持
された基板に向けて上昇させる時、基板とマスクとの間に所定の間隔を設けた位置までに下降または上昇させた後、磁力印加手段を下降させてマスクに磁力を印加する。磁力印加手段からの磁力でよって、マスクが引き寄せられてマスクの中央部の撓みが減少する際、マスクの周縁部が基板と接触せず、所定の間隔で離隔されているので、マスクの中央部の撓みがマスクの周縁部に向けて円滑に伸びることができるようになる。その結果、マスクの自重による撓みがマスクの周縁部に分散され、マスクのしわが基板の成膜領域の外に寄るようになるので、基板とマスクとの間に隙間が残らないようになり、成膜ボケを低減することができるようになる。
According to the present invention, when the electrostatic chuck holding the substrate is lowered toward the mask to bring the substrate into close contact with the mask, or the mask table holding the mask is held by the substrate held by the electrostatic chuck At the time of raising, the magnetic force application means is lowered to apply a magnetic force to the mask after lowering or raising it to a position where a predetermined distance is provided between the substrate and the mask. When the mask is attracted and the deflection of the central portion of the mask is reduced by the magnetic force from the magnetic force application means, the peripheral portion of the mask is not in contact with the substrate and is separated by a predetermined distance. Bending can be extended smoothly toward the periphery of the mask. As a result, the deflection of the mask due to its own weight is dispersed at the periphery of the mask, and the wrinkles of the mask come out of the film formation area of the substrate, so that no gap remains between the substrate and the mask. It becomes possible to reduce film formation blur.

図1は、有機EL表示装置の製造ラインの一部の模式図である。FIG. 1 is a schematic view of a part of a manufacturing line of an organic EL display device. 図2は、本発明の成膜装置の模式図である。FIG. 2 is a schematic view of a film forming apparatus of the present invention. 図3は、本発明の成膜装置によるマスク付着方法を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a mask adhesion method by the film forming apparatus of the present invention. 図4は、本発明の成膜装置の一実施形態による磁力印加手段及びその制御方法を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a magnetic force application means and a control method thereof according to an embodiment of the film forming apparatus of the present invention. 図5は、本発明の成膜装置の他の実施形態による磁力印加手段及びその制御方法を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a magnetic force application means and a control method thereof according to another embodiment of the film forming apparatus of the present invention. 図6は、本発明による成膜方法を用いて製造される電子デバイスの一例を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic view showing an example of an electronic device manufactured using the film forming method according to the present invention. 図7は、従来技術における基板とマスクとの密着工程を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing a process of adhering the substrate and the mask in the prior art. 図8は、他の従来技術における基板とマスクとの密着工程を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing the step of adhering the substrate to the mask in another prior art.

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は、本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。   Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples merely illustrate preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to those configurations. In the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, the process flow, the manufacturing conditions, the dimensions, the materials, the shape, etc. limit the scope of the present invention to only those unless otherwise specified. It is not for the purpose.

本発明は、基板の表面に真空蒸着によって所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、硝子、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選択することができ、また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選択することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス(例えば、有機EL表示装置、薄膜太陽電池)、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、有機EL表示装置の製造装置は、基板の大型化又は、表示パネルの高精細化などにつれて、基板とマスクのアライメント精度及び密着精度のさらなる向上が求められているので、本発明の望ましい適用例の一つである。   The present invention can be desirably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern on a surface of a substrate by vacuum evaporation. As a material of the substrate, any material such as glass, film of polymer material, metal and the like can be selected, and as a vapor deposition material, organic material, metallic material (metal, metal oxide, etc.), etc. Any material can be selected. Specifically, the technology of the present invention is applicable to manufacturing apparatuses such as organic electronic devices (for example, organic EL display devices, thin film solar cells), optical members and the like. Among them, the manufacturing apparatus of the organic EL display device is desired to further improve the alignment accuracy and the adhesion accuracy of the substrate and the mask as the substrate is enlarged or the display panel is made higher in definition. It is one of the application examples.

<電子デバイス製造ライン>
図1は、電子デバイスの製造ラインの構成の一部を模式的に示す上視図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、約1800mm×約1500mmのサイズの基板に有機ELの成膜を行った後、該基板を切り出して、複数の小さなサイズのパネルを作製する。
<Electronic Device Production Line>
FIG. 1 is a top view schematically showing a part of a configuration of a manufacturing line of an electronic device. The manufacturing line of FIG. 1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone. In the case of a display panel for a smartphone, for example, after forming a film of an organic EL on a substrate having a size of about 1800 mm × about 1500 mm, the substrate is cut out to produce a plurality of small size panels.

電子デバイスの製造ラインは、一般に、図1に示すように、複数の成膜室11、12と、搬送室13とを有する。搬送室13内には、基板10を保持し搬送する搬送ロボット14が設けられている。搬送ロボット14は、例えば、多関節アームに、基板10を保持す
るロボットハンドが取り付けられた構造を持つロボットであり、各成膜室への基板10の搬入/搬出を行う。
各成膜室11、12には、それぞれ成膜装置(蒸着装置とも称する)が設けられている。搬送ロボット14との基板10の受け渡し、基板10とマスクの相対位置の調整(アライメント)、マスク上への基板10の固定、成膜(蒸着)などの一連の成膜プロセスは、成膜装置によって自動で行われる。
Generally, as shown in FIG. 1, a production line of an electronic device has a plurality of film forming chambers 11 and 12 and a transfer chamber 13. In the transfer chamber 13, a transfer robot 14 for holding and transferring the substrate 10 is provided. The transport robot 14 is, for example, a robot having a structure in which a robot hand holding the substrate 10 is attached to an articulated arm, and carries the substrate 10 into and out of each film forming chamber.
In each of the film forming chambers 11 and 12, a film forming apparatus (also referred to as a vapor deposition apparatus) is provided. A series of film forming processes such as delivery of the substrate 10 with the transport robot 14, adjustment (alignment) of the relative position between the substrate 10 and the mask, fixing of the substrate 10 on the mask, film formation (deposition) It is done automatically.

以下、成膜室の成膜装置の構成について説明する。
<成膜装置>
図2は、成膜装置2の構成を概略的に示す断面図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標系を使う。成膜時に、基板10が水平面(XY平面)と平行に固定されることを仮定する時、基板10の短辺に平行な方向をX方向、長辺に平行な方向をY方向とする。また、Z軸周りの回転角をθで表示する。
Hereinafter, the configuration of the film forming apparatus in the film forming chamber will be described.
<Deposition apparatus>
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the film forming apparatus 2. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system in which the vertical direction is the Z direction is used. Assuming that the substrate 10 is fixed parallel to the horizontal plane (XY plane) at the time of film formation, the direction parallel to the short side of the substrate 10 is taken as the X direction, and the direction parallel to the long side is taken as the Y direction. Also, the rotation angle around the Z axis is indicated by θ.

成膜装置2は、成膜工程が行われる空間を定義する真空チャンバー20を具備する。真空チャンバー20の内部は、真空雰囲気、或いは、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される。   The film forming apparatus 2 includes a vacuum chamber 20 that defines a space in which a film forming process is performed. The inside of the vacuum chamber 20 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas.

成膜装置2の真空チャンバー20内の上部には、基板10を支持する基板支持台21、マスクが置かれるマスク台22、基板10を静電引力によって保持する静電チャック23、金属製のマスクに磁力を印加するための磁力印加手段24などが設けられ、成膜装置の真空チャンバー20内の下部には、蒸着材料が収納される蒸着源25などが設けられる。   A substrate support 21 for supporting a substrate 10, a mask 22 for placing a mask, an electrostatic chuck 23 for holding the substrate 10 by electrostatic attraction, and a metal mask A magnetic force application means 24 or the like for applying a magnetic force thereto is provided, and a vapor deposition source 25 or the like in which a vapor deposition material is accommodated is provided at the lower part in the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus.

基板支持台21には、搬送室13の搬送ロボット14によって真空チャンバー20内に搬入された基板10が載置される。基板支持台21は、真空チャンバー20に固定させるように設けられてもよく、鉛直方向に昇降可能に設けられてもいい。基板支持台21は、基板10の下面の周縁部を支持する支持部材211、212を含む。   The substrate 10 carried into the vacuum chamber 20 by the transfer robot 14 of the transfer chamber 13 is placed on the substrate support 21. The substrate support 21 may be provided so as to be fixed to the vacuum chamber 20, or may be provided so as to be vertically movable. The substrate support 21 includes support members 211 and 212 for supporting the periphery of the lower surface of the substrate 10.

基板支持台21の下には、フレーム状のマスク台22が設置される。マスク台22は、真空チャンバー20に固定されるように設置されてもよく、鉛直方向に昇降可能に設置されてもいい。マスク台22には、基板10上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを有するマスク221が置かれる。特に、スマートフォン用の有機EL素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、FMM(Fine Metal Mask)とも呼ぶ。   Under the substrate support 21, a frame-shaped mask table 22 is installed. The mask table 22 may be installed so as to be fixed to the vacuum chamber 20, or may be installed so as to be vertically movable. A mask 221 having an opening pattern corresponding to the thin film pattern formed on the substrate 10 is placed on the mask table 22. In particular, a mask used to manufacture an organic EL element for a smartphone is a metal mask on which a minute opening pattern is formed, and is also called FMM (Fine Metal Mask).

基板支持台21の支持部材211、212の上方には、基板10を静電引力によって保持して固定させるための静電チャック23が設けられる。静電チャック23は、例えば、誘電体(例えば、セラミック材質)マトリックス内に、金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。金属電極にプラス(+)及びマイナス(−)の電圧が印加されると、誘電体マトリックスを通じて基板10に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、これら間の静電気的引力によって、基板10が静電チャック23に保持及び固定される。静電チャック23は、一つのプレートで形成することもでき、複数のサブプレートを持つように形成してもいい。また、一つのプレートで形成する場合にも、その内部の電気回路を複数含んで、一つのプレート内で位置によって静電引力を独立的に制御することができる。   An electrostatic chuck 23 is provided above the support members 211 and 212 of the substrate support 21 to hold and fix the substrate 10 by electrostatic attraction. The electrostatic chuck 23 has, for example, a structure in which an electric circuit such as a metal electrode is embedded in a dielectric (for example, ceramic material) matrix. When positive (+) and negative (-) voltages are applied to the metal electrode, polarization charges of the opposite polarity to the metal electrode are induced in the substrate 10 through the dielectric matrix, and the electrostatic attraction between them causes the substrate 10 to It is held and fixed to the electrostatic chuck 23. The electrostatic chuck 23 may be formed of one plate or may be formed to have a plurality of subplates. Also, even in the case of forming by one plate, electrostatic attraction can be independently controlled depending on the position in one plate, including a plurality of electric circuits inside.

静電チャック23の上部には、金属製のマスク221に磁力を印加してマスク221の撓みを防止し、マスク221と基板10を密着させるための磁力印加手段24が設けられる。磁力印加手段24は、永久磁石または電磁石からなり、複数の磁石モジュールを含むことができる。本発明の磁力印加手段24の詳細な構造及び磁力印加手段24による基板10とマスク221の密着方法については、図3ないし5を参照して、後述する。   A magnetic force application means 24 is provided on the upper portion of the electrostatic chuck 23 for applying a magnetic force to the metal mask 221 to prevent bending of the mask 221 and for bringing the mask 221 and the substrate 10 into close contact. The magnetic force application means 24 consists of a permanent magnet or an electromagnet, and can include a plurality of magnet modules. The detailed structure of the magnetic force application means 24 and the method of adhering the substrate 10 and the mask 221 by the magnetic force application means 24 of the present invention will be described later with reference to FIGS. 3 to 5.

図2には図示されていないが、静電チャック23と磁力印加手段24との間には、基板10を冷却するための冷却板が設けられてもいい。冷却板は、静電チャック23又は、磁力印加手段24と一体に形成されてもいい。   Although not shown in FIG. 2, a cooling plate for cooling the substrate 10 may be provided between the electrostatic chuck 23 and the magnetic force application means 24. The cooling plate may be formed integrally with the electrostatic chuck 23 or the magnetic force applying means 24.

蒸着源25は、基板10に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ(不図示)、るつぼを加熱するためのヒータ(不図示)、蒸着源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ(不図示)などを含む。蒸着源25は、点(point)蒸着源、線形(linear)蒸着源などの用途によって多様な構成を持つことができる。   The deposition source 25 is a crucible (not shown) in which the deposition material to be deposited on the substrate 10 is stored, a heater (not shown) for heating the crucible, the deposition material until the evaporation rate from the deposition source becomes constant. It includes a shutter (not shown) or the like that prevents the substrate from being scattered. The deposition source 25 may have various configurations depending on applications such as a point deposition source and a linear deposition source.

図2に図示されていないが、成膜装置2は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ(不図示)及び膜厚算出ユニット(不図示)を含む。   Although not shown in FIG. 2, the film forming apparatus 2 includes a film thickness monitor (not shown) and a film thickness calculation unit (not shown) for measuring the thickness of the film deposited on the substrate.

成膜装置2の真空チャンバー20の外部上面には、基板支持台21、マスク台22、静電チャック23、磁力印加手段24などを鉛直方向(Z方向)に移動させるための駆動機構、及び基板10とマスク221のアライメントのために水平面に平行に(X方向、Y方向、θ方向に)静電チャック23などを移動させるための駆動機構などが設けられる。また、マスク221と基板10のアライメントのために、真空チャンバー20の天井に設けられた窓を通じて基板10及びマスク221に形成されたアライメントマークを撮影するアライメント用カメラ(不図示)も設けられる。   A driving mechanism for moving the substrate support 21, the mask table 22, the electrostatic chuck 23, the magnetic force application means 24 and the like in the vertical direction (Z direction) on the outer upper surface of the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus 2 A drive mechanism or the like for moving the electrostatic chuck 23 or the like in parallel with the horizontal plane (in the X direction, the Y direction, and the θ direction) for alignment of the mask 10 and the mask 221 is provided. In addition, for alignment of the mask 221 and the substrate 10, an alignment camera (not shown) is also provided which captures an alignment mark formed on the substrate 10 and the mask 221 through a window provided on the ceiling of the vacuum chamber 20.

成膜装置は、制御部26を具備する。制御部26は、基板10の搬送及びアライメント、蒸着源25の制御、成膜の制御などの機能を有する。特に、本発明の制御部26は、基板10とマスク221とを密着させるために、静電チャック23又はマスク台22を昇降させる時、静電チャック23とマスク台22とが所定の間隔を持つ位置まで、或いは、静電チャック23に保持された基板10とマスク台22に置かれたマスク221とが所定の間隔を持つ位置まで、静電チャック23又はマスク台22を昇降させるように、静電チャック23の駆動機構またはマスク台22の駆動機構の昇降を制御する。また、制御部26は、磁力印加手段24を下降させて基板10とマスク221を密着させる工程において、磁力印加手段24のマスク221に対する磁力印加を制御する。制御部26は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/Oなどを持つコンピューターによって構成可能である。この場合、制御部26の機能はメモリまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては汎用のパーソナルコンピューターを使用しても、組込み型のコンピューターまたはPLC(programmable logic controller)を使用してもよい。または、制御部26の機能の一部または全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部26が設置されていてもよいし、一つの制御部26が複数の成膜装置を制御するものとしてもよい。   The film forming apparatus includes a control unit 26. The control unit 26 has functions such as transport and alignment of the substrate 10, control of the vapor deposition source 25, and control of film formation. In particular, when the control unit 26 according to the present invention raises and lowers the electrostatic chuck 23 or the mask table 22 to bring the substrate 10 and the mask 221 into close contact, the electrostatic chuck 23 and the mask table 22 have a predetermined distance. The electrostatic chuck 23 or the mask table 22 is moved up and down to a position where the substrate 10 held by the electrostatic chuck 23 and the mask 221 placed on the mask table 22 have a predetermined interval. The elevation of the drive mechanism of the electric chuck 23 or the drive mechanism of the mask table 22 is controlled. Further, the control unit 26 controls the application of the magnetic force to the mask 221 of the magnetic force application means 24 in the step of lowering the magnetic force application means 24 and bringing the substrate 10 and the mask 221 into close contact. The control unit 26 can be configured by, for example, a computer having a processor, a memory, a storage, an I / O, and the like. In this case, the function of the control unit 26 is realized by the processor executing a program stored in the memory or the storage. As a computer, a general-purpose personal computer may be used, or an embedded computer or programmable logic controller (PLC) may be used. Alternatively, some or all of the functions of the control unit 26 may be configured by a circuit such as an ASIC or an FPGA. Moreover, the control part 26 may be installed for every film-forming apparatus, and one control part 26 is good also as what controls several film-forming apparatuses.

以下、本発明の成膜装置で行われる成膜プロセスを説明する。
まず、成膜装置の真空チャンバー20内に新しいマスク221が搬入され、マスク台22の上に載置される。
Hereinafter, the film forming process performed by the film forming apparatus of the present invention will be described.
First, a new mask 221 is carried into the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus and placed on the mask table 22.

搬送室13の搬送ロボット14によって基板10が真空チャンバー20内に搬入されて基板支持台21に置かれる。続いて、静電チャック23が下降し、基板10を静電引力によって保持する。   The substrate 10 is carried into the vacuum chamber 20 by the transfer robot 14 in the transfer chamber 13 and placed on the substrate support 21. Subsequently, the electrostatic chuck 23 is lowered to hold the substrate 10 by electrostatic attraction.

静電チャック23に保持された基板10とマスク台に置かれたマスク221との水平(XYθ)方向においての相対的位置の測定及び調整を行う基板アライメント工程が行われ
る。
A substrate alignment process is performed to measure and adjust the relative positions of the substrate 10 held by the electrostatic chuck 23 and the mask 221 placed on the mask table in the horizontal (XYθ) direction.

基板アライメント工程が完了すれば、静電チャック23及び/又は基板支持台21が駆動機構によって下降し、基板10をマスク221の上面から所定の間隔で離隔された位置へ移動させ、その後、磁力印加手段24が駆動機構によって下降し、基板10とマスク221とを密着させる。静電チャック23及び/または基板支持台21を下降させる代りに
、マスク台22を駆動機構によって上昇させて、マスク221を基板10から所定の間隔で離隔された位置に移動させることもできる。基板10とマスク221を密着させる具体的な方法については、図3ないし5を参照して後述する。
When the substrate alignment process is completed, the electrostatic chuck 23 and / or the substrate support 21 is lowered by the driving mechanism to move the substrate 10 to a position spaced apart from the upper surface of the mask 221 by a predetermined distance, and then a magnetic force is applied. The means 24 is lowered by the drive mechanism to bring the substrate 10 and the mask 221 into close contact. Instead of lowering the electrostatic chuck 23 and / or the substrate support 21, the mask table 22 may be lifted by a drive mechanism to move the mask 221 to a position spaced apart from the substrate 10 by a predetermined distance. A specific method of adhering the substrate 10 and the mask 221 will be described later with reference to FIGS. 3 to 5.

この状態で、蒸着源25のシャッタが開かれて、蒸着源25のるつぼから蒸発された蒸着材料がマスクの微細パターン開口を通して基板10に蒸着される。   In this state, the shutter of the deposition source 25 is opened, and the deposition material evaporated from the crucible of the deposition source 25 is deposited on the substrate 10 through the fine pattern opening of the mask.

基板10に蒸着された蒸着材料の膜厚が所定の厚さに到逹すれば、蒸着源25のシャッタが閉じ、その後、搬送ロボット14が基板10を真空チャンバー20から搬送室13に搬出する。所定の枚数の基板に対して、基板搬入から基板搬出までの工程を繰り返し行った後、蒸着材料が堆積されて使用済みのマスク221を成膜装置から搬出し、新しいマスク221を成膜装置に搬入する。   When the film thickness of the deposition material deposited on the substrate 10 reaches a predetermined thickness, the shutter of the deposition source 25 is closed, and then the transfer robot 14 unloads the substrate 10 from the vacuum chamber 20 to the transfer chamber 13. After repeating the steps from substrate loading to substrate unloading for a predetermined number of substrates, the deposition material is deposited and the used mask 221 is unloaded from the film forming apparatus, and a new mask 221 is used as a film forming apparatus. Bring in.

<マスク付着方法>
以下、図3を参照して本発明によって、基板とマスクとを付着または密着させるための方法について説明する。
本実施形態では、成膜工程を遂行する前に基板10とマスク221とを密着させるため、図3aに図示したように、静電チャック23に吸着されて保持された基板10を静電チャック駆動機構(不図示)によって下降させるか、マスク221を支持するマスク台22をマスク台駆動機構(不図示)によって上昇させる。この時、従来技術と違って、静電チャック23またはマスク台22を基板10の下面がマスク221の上面周縁部と接触するまで静電チャック23またはマスク台22を相対的に移動させるのではなく、図3bに図示したように、基板10とマスク221の間が所定の間隔で離隔される程度だけ移動させる。
<Mask adhesion method>
Hereinafter, a method for adhering or adhering the substrate and the mask according to the present invention will be described with reference to FIG.
In the present embodiment, in order to bring the substrate 10 and the mask 221 into close contact with each other before performing the film forming process, as shown in FIG. 3A, the electrostatic chuck 23 drives the substrate 10 attracted and held by the electrostatic chuck 23. It is lowered by a mechanism (not shown) or the mask table 22 supporting the mask 221 is lifted by a mask table driving mechanism (not shown). At this time, unlike the prior art, the electrostatic chuck 23 or the mask table 22 is not moved relative to the electrostatic chuck 23 or the mask table 22 until the lower surface of the substrate 10 contacts the upper surface peripheral portion of the mask 221. As shown in FIG. 3b, the substrate 10 and the mask 221 are moved by a predetermined distance so as to be separated.

基板10とマスク221の間隔は、マスク221の初期撓み量に基づいて決める。マスク221が成膜装置2内に搬入されて、マスク台22に載置されれば、マスク221の自重によってマスク221の中央部が下方に撓むようになる。本発明においては、基板10とマスク221を密着させるために静電チャック23またはマスク台22を相対的に移動させる時、基板10とマスク221の間の間隔がこのようなマスク221の初期撓み量に相応する間隔になるまで移動させる。   The distance between the substrate 10 and the mask 221 is determined based on the initial deflection amount of the mask 221. When the mask 221 is carried into the film forming apparatus 2 and placed on the mask table 22, the central portion of the mask 221 is bent downward by the weight of the mask 221. In the present invention, when the electrostatic chuck 23 or the mask base 22 is relatively moved to bring the substrate 10 and the mask 221 into close contact, the distance between the substrate 10 and the mask 221 is the initial deflection of the mask 221 Move until the interval corresponding to.

基板10とマスク221との間の間隔がマスク221の初期撓み量より大きくなる場合、その後の磁力印加手段24を下降させる工程で、磁力印加手段24によってマスクに印加される磁力が十分ではなくなり、基板10とマスク221とを密着させることができなくなる。また、基板10とマスク221との間の間隔が、マスク221の初期撓み量より小さすぎる場合には、磁力印加手段24の磁力によってマスク221が鉛直下方に凹んだ形状(撓んだ形状)から鉛直上方に出っ張った形状に反転される途中で、基板10に付着するので、マスク221の中央部が基板10の中央部に一番先に付着することができなくなり、最終的に基板10の成膜領域とマスク221との間に間隙が残ってしまう。   When the distance between the substrate 10 and the mask 221 is larger than the initial deflection amount of the mask 221, the magnetic force applied to the mask by the magnetic force application means 24 is not sufficient in the subsequent step of lowering the magnetic force application means 24. The substrate 10 and the mask 221 can not be in close contact with each other. Also, if the distance between the substrate 10 and the mask 221 is too smaller than the initial amount of deflection of the mask 221, the magnetic force of the magnetic force application means 24 causes the mask 221 to be recessed downward (vertically) Since it adheres to the substrate 10 in the process of being inverted in the vertically upward projecting shape, the central portion of the mask 221 can not be attached to the central portion of the substrate 10 first, and finally the formation of the substrate 10 A gap remains between the film area and the mask 221.

この状態で(すなわち、静電チャック23に保持された基板10とマスク台22に保持
されたマスク221が、所定の間隔を持って離隔された状態で)、図3cに図示したよう
に、磁力印加手段24をマスク台22に向けて下降させ、マスク221を磁力印加手段24の磁力によって、基板10側に引き寄せる。この際、基板10とマスク221とは所定
の間隔で離隔されているので、マスク221が磁力によって引き寄せられる過程で、基板10との摩擦は生じなく、マスク221中央部の撓みがマスクの両側周縁部に移動することができるようになる。
In this state (that is, in a state where the substrate 10 held by the electrostatic chuck 23 and the mask 221 held by the mask table 22 are separated at a predetermined distance), as shown in FIG. The application means 24 is lowered toward the mask table 22, and the mask 221 is pulled toward the substrate 10 by the magnetic force of the magnetic force application means 24. At this time, since the substrate 10 and the mask 221 are separated by a predetermined distance, no friction with the substrate 10 occurs in the process of attracting the mask 221 by the magnetic force, and the bending of the central portion of the mask 221 causes both sides of the mask You will be able to move to the department.

特に、図3cに図示したように、磁力印加手段24をマスク台22に向けて下降させる時、マスク221の中央部に先に磁力印加手段24の磁力が印加されるように、磁力印加手段24を下降させる。例えば、図4を参照して後述するように、磁力印加手段24の複数の磁石モジュールのうちの、中央部の磁石モジュールを先に下降させるか、複数の電磁石モジュールを一緒に下降させた後、中央部の電磁石モジュールに先に電源を供給して中央部の電磁石モジュールからの磁力がマスク221の中央部を引き寄せるようにする。   In particular, as shown in FIG. 3 c, when lowering the magnetic force application means 24 toward the mask table 22, the magnetic force application means 24 is applied such that the magnetic force of the magnetic force application means 24 is first applied to the central portion of the mask 221. Let down. For example, as described later with reference to FIG. 4, after the magnet module of the central portion of the plurality of magnet modules of the magnetic force application means 24 is first lowered or the plurality of electromagnet modules are lowered together, Power is supplied to the central electromagnet module first so that the magnetic force from the central electromagnet module attracts the central portion of the mask 221.

これによって、マスク台22に載置されたとき、マスク221の自重によって中央部が撓んでいたマスク221は、その中央部から基板10に向けて引き寄せられ、マスク221の中央部が先に基板10の中央部に密着するようになる。すなわち、マスク221が鉛直下方に凹んだ形状から鉛直上方に出っ張った形状に反転しながら、反転したマスク221の中央部が基板10の中央部に先に付着するようになる。   As a result, when the mask 221 is placed on the mask table 22, the mask 221 whose central portion is bent by its own weight is drawn from the central portion toward the substrate 10, and the central portion of the mask 221 is the substrate 10 first. It comes in close contact with the central part of the That is, the central portion of the inverted mask 221 comes first to adhere to the central portion of the substrate 10 while reversing the mask 221 from the vertically downward concave shape to the vertically upward projecting shape.

次いで、図3dに図示したように、マスク221の両側に対応するように配置された磁石モジュールが、マスク台22に向けて下降することで、マスク221が中央部から両辺側の周縁部に向かって基板10に密着される。これにより、マスク221の撓みは、基板10の成膜領域の外に寄り、マスク221は、基板10の成膜領域にしわなく(間隙なく)密着する。   Next, as illustrated in FIG. 3D, the magnet modules arranged to correspond to both sides of the mask 221 are lowered toward the mask table 22 so that the mask 221 moves from the central portion toward the peripheral portions on both sides. The substrate 10 is in close contact with the substrate 10. Thereby, the deflection of the mask 221 moves out of the film formation region of the substrate 10, and the mask 221 adheres to the film formation region of the substrate 10 without wrinkles (without a gap).

図3に図示した実施形態では、磁力印加手段24がマスク221の中央部から磁力を印加し始めた後、マスク221の両辺側の周縁部に磁力を印加すると説明したが、本発明はこれに限定されず、図5を参照して説明するように、マスクの対向する二つの辺のうちの、ある一辺から他の辺に向けて順次に磁力を印加することもできる。   In the embodiment illustrated in FIG. 3, after the magnetic force application means 24 starts applying the magnetic force from the central portion of the mask 221, the magnetic force is applied to the peripheral portions on both sides of the mask 221, but the present invention Without being limited thereto, as described with reference to FIG. 5, it is also possible to apply a magnetic force sequentially from one side to the other side of the two opposing sides of the mask.

<磁力印加手段の構造及び磁力制御>
以下、図4及び図5を参照して、基板10とマスク221とを密着させる工程で用いられる磁力印加手段24の構造及び磁力制御の具体的な実施例について説明する。以下で説明する磁力制御は、成膜装置2の制御部26によって行われるが、本発明はこれに限定されず、別途の磁力制御部によって行っても良い。このために、本発明の成膜装置2は別途の磁力制御部を含むことができる。
<Structure of magnetic force application means and magnetic force control>
The structure of the magnetic force application means 24 used in the step of bringing the substrate 10 and the mask 221 into close contact with each other and a specific example of the magnetic force control will be described below with reference to FIGS. 4 and 5. Although the magnetic force control described below is performed by the control unit 26 of the film forming apparatus 2, the present invention is not limited thereto, and may be performed by a separate magnetic force control unit. For this purpose, the film forming apparatus 2 of the present invention can include a separate magnetic force control unit.

図4aは、本発明の実施例1による磁力印加手段24の構成及び磁力印加手段24によるマスク221への磁力印加方法を概略的に示す。   FIG. 4a schematically shows the configuration of the magnetic force application means 24 and the method for applying the magnetic force to the mask 221 by the magnetic force application means 24 according to the first embodiment of the present invention.

実施例1では、磁力印加手段24による磁力印加がマスク221の中央部からマスク221の対向する二辺側の方向に進行される。   In the first embodiment, the magnetic force application by the magnetic force application unit 24 is advanced from the central portion of the mask 221 in the direction of the two opposing sides of the mask 221.

即ち、実施例1においては、磁力印加手段24が複数(例えば、二つ)のモジュールからなり、その中央部に回動部としてのヒンジ部241が設けられる。2つのモジュールは、ヒンジ部241によって、相対的に回動可能に設けられる。   That is, in the first embodiment, the magnetic force application means 24 is composed of a plurality of (for example, two) modules, and the hinge portion 241 as a rotation portion is provided at the central portion thereof. The two modules are provided so as to be relatively rotatable by the hinge portion 241.

磁力印加過程においては、図4aに図示したように、磁力印加手段24を、ヒンジ部241を中心として、両側の磁石モジュールがV字の形を取るようにした状態で、マスク台22に対して下降させてから(または下降させながら)、平面形状に戻すように制御する。これによって、マスク221の中央部が最も先に磁力印加手段24から磁力を受けて、基板10に向かって引き上げられ(マスク221が鉛直下方に凹んだ形状から鉛直上方に出
っ張る形状になり)、続いて、マスク221の中央部からマスク221の対向する両辺側(例えば、対向する2つの長辺側)に向かって、マスク221が基板10に密着するように
なる。これによって、マスクが基板の成膜領域に隙間(しわ)なく密着するようになる。
実施例1の磁力印加手段24は、電磁石または永久磁石で具現することができる。
In the process of applying the magnetic force, as shown in FIG. 4a, with respect to the mask table 22, with the magnetic force applying means 24 having the magnet modules on both sides taking the V shape with the hinge portion 241 as the center, After lowering (or while lowering), control is made to return to the planar shape. As a result, the central portion of the mask 221 receives the magnetic force from the magnetic force application means 24 first and is pulled up toward the substrate 10 (the mask 221 is in the shape of protruding vertically downward from the shape depressed vertically downward), Then, the mask 221 comes in close contact with the substrate 10 from the central portion of the mask 221 toward the opposing sides (for example, two opposing long sides) of the mask 221. By this, the mask comes into close contact with the film formation region of the substrate without any gap (wrinkling).
The magnetic force application means 24 of the first embodiment can be embodied by an electromagnet or a permanent magnet.

実施例1の変形例として、図4bに図示したように、磁力印加手段24を複数(本実施
例では3つ)の磁石モジュールで構成し、複数の個別磁石モジュール242、243、2
44をマスク221に対して機械的に下降させる順番を適切に制御することで、マスク221への磁力印加の順番を調節することができる。
As a modification of the first embodiment, as shown in FIG. 4b, the magnetic force application means 24 is constituted by a plurality of (three in the present embodiment) magnet modules, and a plurality of individual magnet modules 242, 243, 2
By appropriately controlling the order of mechanically lowering 44 with respect to the mask 221, the order of applying the magnetic force to the mask 221 can be adjusted.

例えば、図4bに示したように、マスク221の中央部に対応する位置に配置された磁石モジュール243から、マスク221の両端側に対応するように配置された磁石モジュール242、244に向かって、磁力が印加されるように磁石モジュールの下降順番を制御することで、実施例1と同様に、マスク221への磁力印加が、マスク221の中央部からマスク221の両辺の周縁部に向かって進行するように、制御することができる。この際、磁石モジュール242、243、244は、電磁石または永久磁石で具現することができる。   For example, as shown in FIG. 4b, from the magnet module 243 disposed at a position corresponding to the central portion of the mask 221 to the magnet modules 242 and 244 disposed correspondingly to both end sides of the mask 221, By controlling the descending order of the magnet modules so that the magnetic force is applied, the application of the magnetic force to the mask 221 proceeds from the central portion of the mask 221 toward the peripheral portions on both sides of the mask 221 as in the first embodiment. Can be controlled as you At this time, the magnet modules 242, 243 and 244 may be embodied as electromagnets or permanent magnets.

実施例1の他の変形例として、図4cに図示したように、磁力印加手段24を複数(例
えば、3つ)の電磁石モジュール242、243、244で構成し、複数の個別電磁石モ
ジュール242、243、244に電源が印加される順番を適切に制御することで、マスク221への磁力印加の順番を制御することができる。
As another modification of the first embodiment, as shown in FIG. 4c, the magnetic force application means 24 is constituted by a plurality of (for example, three) electromagnet modules 242, 243, 244, and a plurality of individual electromagnet modules 242, 243. The order of applying the magnetic force to the mask 221 can be controlled by appropriately controlling the order in which the power is applied to the light source 244.

例えば、図4cに示したように、3つの電磁石モジュールのうちの、中央の電磁石モジュール243に先に電源を加えて、マスク221の中央部が基板に先に密着されるようにした後、両端部の電磁石モジュール242、244に電源を印加して、対応する位置のマスク部分が基板に密着されるようにすることができる。特に、この変形例においては、電磁石モジュール242、243、244に印加する電源をON/OFFすることで、磁力
を制御できるため、実施例1および他の変形例のように、磁力印加手段24の複雑な機械的制御が不要となるという点で、成膜装置の構造を簡単にすることができ、機構の制御も簡単になる。
For example, as shown in FIG. 4c, of the three electromagnet modules, the electromagnet module 243 at the center is first powered on so that the central part of the mask 221 is brought into intimate contact with the substrate first, and then both ends Power may be applied to the electromagnet modules 242, 244 of the part so that the mask part at the corresponding position is in close contact with the substrate. In particular, in this modification, the magnetic force can be controlled by turning on / off the power source applied to the electromagnet modules 242, 243, 244. Therefore, as in the first embodiment and the other modifications, By eliminating the need for complicated mechanical control, the structure of the film forming apparatus can be simplified, and control of the mechanism can also be simplified.

以下では、本発明の磁力制御の実施例2について説明する。実施例2は、磁力印加手段24がマスク221の対向する両辺のいずれかの一辺(例えば、1つの長辺)から磁力を印加するように制御するという点で、実施例1と異なる。   Below, Example 2 of magnetic force control of the present invention is described. The second embodiment differs from the first embodiment in that the magnetic force application unit 24 controls so that the magnetic force is applied from one side (for example, one long side) of both opposing sides of the mask 221.

そのため、実施例2においては、例えば、図5aに示したように、磁力印加手段24の一辺に回動部245を設け、磁力印加手段24が当該辺を軸に回動可能に構成する。   Therefore, in the second embodiment, for example, as shown in FIG. 5A, the rotation portion 245 is provided on one side of the magnetic force application means 24, and the magnetic force application means 24 is configured to be rotatable about the side.

本実施例による磁力印加過程においては、図5aに図示したように、回動部245を軸に磁力印加手段24を回動させて傾斜させた状態で、マスク台22に対して下降させてから(または下降させながら)、これを水平に戻すように制御する。これによって、磁力印加手段24が、マスク221の一辺からマスク221の中央部を経て、マスク221の対向する他辺の方の順に、マスクに磁力が印加できるようになる。これによって、マスク221の中央部が磁力印加手段24から最も遅れて磁力を受けて、マスク221中央部にしわが残ってしまう問題を解決できるようになる。
本実施例において、磁力印加手段24は、電磁石または永久磁石で具現することができる。
In the magnetic force application process according to the present embodiment, as shown in FIG. 5a, after the magnetic force application means 24 is rotated about the rotation portion 245 and inclined, it is lowered relative to the mask table 22. Control this (or lower it) to bring it back to the horizontal position. As a result, the magnetic force application means 24 can apply the magnetic force to the mask in the order of the other opposite side of the mask 221 from the one side of the mask 221 through the central part of the mask 221. This makes it possible to solve the problem that the central portion of the mask 221 receives the magnetic force most lately from the magnetic force application means 24 and the wrinkles remain in the central portion of the mask 221.
In the present embodiment, the magnetic force applying means 24 may be embodied by an electromagnet or a permanent magnet.

本実施例では、磁力印加手段24をマスク面に対して傾かせるため、回動部245を用
いる構成について説明したが、本発明はこれに限らず、他の方法を用いて、磁力印加手段24をマスク面に対して傾かせてもいい。
In the present embodiment, the configuration using the pivoting portion 245 is described in order to incline the magnetic force application means 24 with respect to the mask surface, but the present invention is not limited to this, and other methods may be used to apply the magnetic force application means 24 You may tilt it to the mask surface.

実施例2の変形例として、磁力印加手段24を複数(例えば、3つ)の磁石モジュールで構成し、マスク221の一端側(例えば、対向する二つの辺のうちのある一つの長辺側)からマスク221の中央部を経て、マスク221の他端側(対向する二つの辺のうちの他の
長辺側)に行く順番で、磁力が印加されるように、複数の磁石モジュールを下降させる順
番を制御する。
As a modification of the second embodiment, the magnetic force application means 24 is constituted by a plurality (for example, three) of magnet modules, and one end side of the mask 221 (for example, one long side of two opposing sides) The plurality of magnet modules are lowered so that the magnetic force is applied in order from the center part of the mask 221 to the other end side (the other long side of the two opposite sides) of the mask 221 from the Control the order.

すなわち、図5bに示したように、マスク221の一端に対応するように配置された磁石モジュール242から、マスク221の中央部に対応するように配置された磁石モジュール243、マスク221の他端に対応するように配置された磁石モジュール244の順番に、磁石モジュールを鉛直上方から機械的に下降させることで、実施例2と同様の効果を奏することができる。   That is, as shown in FIG. 5 b, from the magnet module 242 disposed to correspond to one end of the mask 221, the magnet module 243 disposed to correspond to the central portion of the mask 221 and the other end to the mask 221. The mechanical module according to the second embodiment can achieve the same effect as that of the second embodiment by mechanically lowering the magnet module vertically from the upper side in the order of the magnet modules 244 arranged correspondingly.

実施例2の他の変形例として、複数(例えば、3つ)の電磁石モジュール242、243、244で構成される磁力印加手段24を用いて、マスク221の一端側(一長辺側)からマスク221の中央部を経て、マスク221の他端側(対向する長辺側)に、マスク221の基板10への密着が進行されるように、電磁石モジュールへの電圧印加を制御する。   As another modification of the second embodiment, a mask is provided from one end side (long side) of the mask 221 using the magnetic force application means 24 constituted by a plurality of (for example, three) electromagnet modules 242, 243, 244. The voltage application to the electromagnet module is controlled so that adhesion of the mask 221 to the substrate 10 proceeds to the other end side (opposite long side side) of the mask 221 through the central portion of 221.

すなわち、磁力印加手段24は、3つ以上の電磁石モジュールから構成され、これによる磁力印加は、例えば、3つの電磁石モジュールのうちの、マスク221の一長辺側に対応する位置の電磁石モジュール242に先に電源を印加して、マスク221の該当長辺側が先に基板10に密着されるようにする。続いて、マスク221の中央部に対応する位置の電磁石モジュール243に電源を印加して、マスク221の中央部が基板10に密着されるようにし、最後にマスク221の他の長辺側に対応する位置の電磁石モジュール244に電源を印加することにより、マスク221の当該他の長辺側が基板10に密着するようにする。このように磁力印加手段24を制御することにより、マスク221が基板10にしわなく密着されるようになる。   That is, the magnetic force application means 24 is composed of three or more electromagnet modules, and the magnetic force application by this is performed, for example, to the electromagnet module 242 at a position corresponding to one long side of the mask 221 among the three electromagnet modules. The power is applied first so that the corresponding long side of the mask 221 is in close contact with the substrate 10 first. Subsequently, power is applied to the electromagnet module 243 at a position corresponding to the central portion of the mask 221 so that the central portion of the mask 221 is in close contact with the substrate 10, and finally the other long side of the mask 221 is accommodated. The other long side of the mask 221 is brought into close contact with the substrate 10 by applying a power supply to the electromagnet module 244 at the above position. By controlling the magnetic force application means 24 in this manner, the mask 221 comes into close contact with the substrate 10 without wrinkles.

以上、本発明の磁力制御の望ましい実施例について、図面を参照して説明したが、本発明は、前記例示した実施例だけに限定されない。
例えば、実施例1のように、板状の磁力印加手段24をヒンジ部241で連結する構成の代わりに、柔軟性を持つシート型の磁力印加手段24を用いて、類似の作用効果を得ることができる。つまり、柔軟性を持つシート型の磁力印加手段24の両長辺側を支持すれば、その中央部が下方に撓むようになるが、この状態でそのまま基板上にシート型の磁力印加手段24を下降させることにより、実施例1の構成と同様の作用効果を得ることができる。
Although the preferred embodiments of the magnetic force control of the present invention have been described above with reference to the drawings, the present invention is not limited to the illustrated embodiments.
For example, instead of the configuration in which the plate-like magnetic force application means 24 is connected by the hinge portion 241 as in the first embodiment, a similar sheet-type magnetic force application means 24 is used to obtain a similar function and effect. Can. In other words, if both long sides of the flexible sheet-type magnetic force application means 24 are supported, the central portion will be bent downward. In this state, the sheet-type magnetic force application means 24 is lowered on the substrate as it is. By doing this, it is possible to obtain the same effects as the configuration of the first embodiment.

<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図6(a)は有機EL表示装置60の全体図、図6(b)は1画素の断面構造を表している。
<Method of Manufacturing Electronic Device>
Next, an example of a method of manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of the present embodiment will be described. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of the organic EL display device will be illustrated as an example of the electronic device.
First, an organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 6 (a) is a general view of the organic EL display device 60, and FIG. 6 (b) shows a cross-sectional structure of one pixel.

図6(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R
、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
As shown in FIG. 6A, in the display region 61 of the organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 including a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Although details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. The term “pixel” as used herein refers to the minimum unit capable of displaying a desired color in the display area 61. In the case of the organic EL display device according to the present embodiment, the first light emitting element 62R showing light emission different from each other
The pixel 62 is configured by a combination of the second light emitting element 62G and the third light emitting element 62B. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element and a white light emitting element It is not limited.

図6(b)は、図6(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R、66G、66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R、66G、66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R、66G、66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R、62G、62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。   FIG. 6 (b) is a schematic partial cross-sectional view taken along line A-B of FIG. 6 (a). The pixel 62 includes a first electrode (anode) 64, a hole transport layer 65, one of light emitting layers 66R, 66G, and 66B, an electron transport layer 67, and a second electrode (cathode) 68 on a substrate 63. , And an organic EL element comprising Among these, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G, 66B, and the electron transport layer 67 correspond to the organic layer. Further, in the present embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue. The light emitting layers 66R, 66G, 66B are formed in patterns corresponding to light emitting elements (sometimes described as organic EL elements) that emit red, green and blue, respectively. In addition, the first electrode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the second electrode 68 may be formed in common with the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light emitting element. An insulating layer 69 is provided between the first electrodes 64 in order to prevent the first electrodes 64 and the second electrodes 68 from being short-circuited by foreign matter. Furthermore, since the organic EL layer is degraded by moisture and oxygen, a protective layer 70 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.

図6(b)では正孔輸送層65や電子輸送層67が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、第1電極64と正孔輸送層65との間には第1電極64から正孔輸送層65への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第2電極68と電子輸送層67の間にも電子注入層を形成することができる。   Although the hole transport layer 65 and the electron transport layer 67 are shown in one layer in FIG. 6B, they are formed of a plurality of layers including the hole block layer and the electron block layer depending on the structure of the organic EL display element. It may be done. In addition, the positive electrode has an energy band structure which can facilitate the injection of holes from the first electrode 64 to the hole transport layer 65 between the first electrode 64 and the hole transport layer 65. A hole injection layer can also be formed. Similarly, an electron injection layer can be formed between the second electrode 68 and the electron transport layer 67 as well.

次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)及び第1電極64が形成された基板63を準備する。
Next, an example of a method of manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
First, a circuit 63 (not shown) for driving the organic EL display device and the substrate 63 on which the first electrode 64 is formed are prepared.

第1電極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。   An acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 63 on which the first electrode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography so that an opening is formed in the portion where the first electrode 64 is formed. Form 69 The opening corresponds to a light emitting region in which the light emitting element actually emits light.

絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台21及び静電チャック23にて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。   The substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the first organic material film forming apparatus, the substrate is held by the substrate support 21 and the electrostatic chuck 23, and the hole transport layer 65 is used as the first display area. A film is formed on the electrode 64 as a common layer. The hole transport layer 65 is deposited by vacuum evaporation. In practice, the hole transport layer 65 is formed to have a size larger than that of the display area 61, so a high definition mask is not necessary.

次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台21にて保持する。基板支持台21上の基板を静電チャック23によって保持した後、基板とマスクとのアライメントを行う。続いて、基板をマスクの上に載置し、基板とマスクを磁力印加手段24によって密着させる。この状態で、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。   Next, the substrate 63 on which the hole transport layer 65 has been formed is carried into the second organic material film forming apparatus and held by the substrate support 21. After the substrate on the substrate support 21 is held by the electrostatic chuck 23, the substrate and the mask are aligned. Subsequently, the substrate is placed on the mask, and the substrate and the mask are brought into close contact by the magnetic force application means 24. In this state, the light emitting layer 66R emitting red is formed on the portion of the substrate 63 where the element emitting red is disposed.

本発明によれば、マスク221を基板10に密着させる工程において、静電チャック23に吸着されて保持された基板10をマスク221から所定の間隔で離隔されるように静
電チャック23またはマスク台22を相対的に移動させる。この状態で、磁力印加手段24をマスク台22に向けて下降させることで、マスク221がしわなく基板10の成膜領域に密着されることができるようにする。
According to the present invention, in the step of bringing the mask 221 into close contact with the substrate 10, the electrostatic chuck 23 or the mask table is separated such that the substrate 10 held by suction by the electrostatic chuck 23 is separated from the mask 221 by a predetermined distance. Move 22 relatively. In this state, the magnetic force application means 24 is lowered toward the mask table 22 so that the mask 221 can be brought into close contact with the film formation region of the substrate 10 without wrinkles.

発光層66Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。   Similar to the film formation of the light emitting layer 66R, the light emitting layer 66G emitting green is formed by the third organic material film forming apparatus, and the light emitting layer 66B emitting blue is formed by the fourth organic material film forming apparatus. . After film formation of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed on the entire display region 61 by the fifth film forming apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a layer common to the three color light emitting layers 66R, 66G, and 66B.

電子輸送層67まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第2電極68を成膜する。   The substrate formed up to the electron transport layer 67 is moved by the metallic deposition material deposition apparatus to deposit the second electrode 68.

その後プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。   Thereafter, it moves to a plasma CVD apparatus to form a protective layer 70, and the organic EL display device 60 is completed.

絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。   After the substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into a film forming apparatus and the film is exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen until the film formation of the protective layer 70 is completed, the light emitting layer made of the organic EL material It may be degraded by moisture or oxygen. Therefore, in the present embodiment, the loading and unloading of the substrate between the film forming apparatuses is performed under a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

前記実施例は本発明の一例を現わしたことで、本発明は前記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形しても良い。   The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea thereof.

10:基板
21:基板支持台
22:マスク台
23:静電チャック
24:磁力印加手段
241:回動部
242〜244:磁石モジュール
10: Substrate 21: Substrate support 22: Mask base 23: Electrostatic chuck 24: Magnetic force application means 241: Rotating portions 242 to 244: Magnet module

Claims (27)

マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
基板を保持するための静電チャックと、
前記静電チャックの基板保持面側に設置されて、マスクを保持するためのマスク台と、
前記静電チャックの基板保持面の反対側に設置されて、前記マスクに磁力を印加するための磁力印加手段と、
前記静電チャック、前記マスク台及び前記磁力印加手段を制御する制御部とを含み、
前記制御部は、前記基板と前記マスクとを密着させるために前記磁力印加手段を前記マスク台に向けて移動させる前に、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクが所定の間隔を持つように制御する、成膜装置。
A film forming apparatus for forming a vapor deposition material on a substrate through a mask, the film forming apparatus comprising:
An electrostatic chuck for holding the substrate,
A mask table installed on the substrate holding surface side of the electrostatic chuck for holding a mask;
Magnetic force application means, disposed on the opposite side of the substrate holding surface of the electrostatic chuck, for applying a magnetic force to the mask;
A control unit that controls the electrostatic chuck, the mask table, and the magnetic force application unit;
The controller holds the substrate held by the electrostatic chuck and the mask table before moving the magnetic force application unit toward the mask table in order to bring the substrate and the mask into close contact with each other. A film forming apparatus in which the mask is controlled to have a predetermined interval.
前記制御部は、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクとが前記所定の間隔を持つように、前記静電チャックまたは前記マスク台の相対的移動を制御する、請求項1に記載の成膜装置。   The control unit controls relative movement of the electrostatic chuck or the mask table such that the substrate held by the electrostatic chuck and the mask held by the mask table have the predetermined interval. The film forming apparatus according to claim 1. 前記所定の間隔は、前記マスクの中央部の撓み量に基づいて決定される、請求項1または請求項2に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the predetermined interval is determined based on a deflection amount of a central portion of the mask. 前記静電チャックを移動させるための静電チャック駆動機構を更に含み、
前記制御部は、前記静電チャックが、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクとが前記所定の間隔を持って離隔された位置まで、前記マスク台に向けて移動するように、前記静電チャック駆動機構を制御する、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
The apparatus further comprises an electrostatic chuck driving mechanism for moving the electrostatic chuck,
The control unit is configured to move the electrostatic chuck to the mask base to a position where the substrate held by the electrostatic chuck and the mask held by the mask base are separated at a predetermined interval. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrostatic chuck drive mechanism is controlled so as to move in a direction.
前記マスク台を移動させるためのマスク台駆動機構を更に含み、
前記制御部は、前記マスク台が、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクが前記所定の間隔を持って離隔された位置まで、前記静電チャックに向けて移動するように、前記マスク台駆動機構を制御する、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
Further including a mask table driving mechanism for moving the mask table;
The control unit directs the mask table to the electrostatic chuck to a position where the substrate held by the electrostatic chuck and the mask held by the mask table are separated at a predetermined interval. The film-forming apparatus of any one of Claims 1-3 which controls the said mask stand drive mechanism so that it may move.
前記磁力印加手段を移動させるための磁力印加手段駆動機構を更に含み、
前記制御部は、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクが前記所定の間隔を持った状態で、前記磁力印加手段が前記マスク台に向けて移動するように、前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の成膜装置。
The apparatus further includes a magnetic force application means drive mechanism for moving the magnetic force application means,
The control unit is configured to move the magnetic force application unit toward the mask table in a state where the substrate held by the electrostatic chuck and the mask held by the mask table have the predetermined interval. The film-forming apparatus of any one of Claims 1-5 which controls the said magnetic force application means drive mechanism.
前記制御部は、前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力が前記マスクの中央部から印加されるように制御する、請求項6に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 6, wherein the control unit performs control such that a magnetic force of the magnetic force application unit to the mask is applied from a central portion of the mask. 前記制御部は、前記磁力印加手段がV字形状を取った状態で、前記マスク台の方に下降するように、前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項6または請求項7に記載の成膜装置。   The control unit according to claim 6 or 7, wherein the control unit controls the magnetic force application unit driving mechanism to descend toward the mask table in a state where the magnetic force application unit has a V shape. Film forming apparatus. 前記磁力印加手段は、複数の電磁石モジュールを含み、
前記制御部は、前記マスクの中央部に対応するように配置された電磁石モジュールから、前記マスクの対向する二つの辺に対応するように配置された電磁石モジュールに向かって、前記複数の電磁石モジュールに順次に電源を供給するように制御する、請求項6〜請求項8のいずれか1項に記載の成膜装置。
The magnetic force application means includes a plurality of electromagnet modules,
The control unit is configured to direct the plurality of electromagnet modules from an electromagnet module disposed to correspond to a central portion of the mask to an electromagnet module disposed to correspond to two opposing sides of the mask. The film forming apparatus according to any one of claims 6 to 8, wherein control is performed so as to supply power sequentially.
前記磁力印加手段は、個別的に移動可能な複数の磁石モジュールを含み、
前記制御部は、前記マスクの中央部に対応するように配置された磁石モジュールから、前記マスクの対向する二つの辺に対応するように配置された磁石モジュールに向かう順番で、前記複数の磁石モジュールが前記マスク台に向けて移動するように前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項6〜請求項9のいずれか1項に記載の成膜装置。
The magnetic force application means includes a plurality of magnet modules movable individually.
The plurality of magnet modules are arranged in the order from the magnet module disposed corresponding to the central part of the mask to the magnet module disposed corresponding to two opposing sides of the mask from the control unit. The film forming apparatus according to any one of claims 6 to 9, wherein the magnetic force application means drive mechanism is controlled such that the magnetic head moves toward the mask table.
前記制御部は、前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力が前記マスクの一辺から印加されるように制御する、請求項6に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 6, wherein the control unit controls the magnetic force of the magnetic force application unit to the mask to be applied from one side of the mask. 前記制御部は、前記磁力印加手段が傾いた状態で前記マスクに向けて移動するように、前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項11に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 11, wherein the control unit controls the magnetic force application unit driving mechanism so that the magnetic force application unit is moved toward the mask in a state where the magnetic force application unit is inclined. 前記磁力印加手段は複数の電磁石モジュールを含み、
前記制御部は、前記マスク台の対向する二つの辺のうちの、一辺に対応する位置に配置された電磁石モジュールから順次に、前記複数の電磁石モジュールに電源が印加されるように制御する、請求項11または請求項12に記載の成膜装置。
The magnetic force application means includes a plurality of electromagnet modules,
The control unit is configured to control power to be applied to the plurality of electromagnet modules sequentially from an electromagnet module disposed at a position corresponding to one of two opposing sides of the mask table. The film-forming apparatus of Claim 11 or Claim 12.
前記磁力印加手段は、個別的に移動可能な複数の磁石モジュールを含み、
前記制御部は、前記マスク台の対向する二つの辺のうちの、一辺に対応する位置に配置された磁石モジュールから順次に、前記複数の磁石モジュールが前記マスク台側に移動するように、前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項11〜請求項13のいずれか1項に記載の成膜装置。
The magnetic force application means includes a plurality of magnet modules movable individually.
The control unit is configured to move the plurality of magnet modules toward the mask base sequentially from a magnet module disposed at a position corresponding to one of two opposing sides of the mask base. The film forming apparatus according to any one of claims 11 to 13, which controls the magnetic force application means driving mechanism.
マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
マスクをマスク台上に載置する段階と、
基板を基板支持台上に載置する段階と、
静電チャックで基板を吸着して保持する段階と、
前記静電チャックに保持された基板と前記マスク台上に載置された前記マスク間の間隔が所定の間隔になるように、前記静電チャックまたは前記マスク台を相対的に移動させる段階と、
前記基板と前記マスクが前記所定の間隔で離隔された状態で、磁力印加手段を前記マスク台に向けて移動させて、前記マスクを前記基板の成膜領域に密着させる段階と、
前記マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する段階とを含む成膜方法。
A film forming method for forming a vapor deposition material on a substrate through a mask, comprising:
Placing the mask on the mask table;
Placing the substrate on a substrate support;
Adsorbing and holding the substrate with an electrostatic chuck;
Moving the electrostatic chuck or the mask table relative to each other such that the distance between the substrate held by the electrostatic chuck and the mask placed on the mask table is a predetermined distance;
Moving the magnetic force application unit toward the mask table in a state in which the substrate and the mask are separated by the predetermined distance, and bringing the mask into close contact with the film formation region of the substrate;
And depositing an evaporation material on the substrate through the mask.
前記所定の間隔は、前記マスクの撓み量に基づいて決定される、請求項15に記載の成膜方法。   The film forming method according to claim 15, wherein the predetermined interval is determined based on a deflection amount of the mask. 前記移動させる段階において、前記基板と前記マスクとが前記所定の間隔を持って離隔されるように、前記基板を保持した前記静電チャックを前記マスクが載置された前記マスク台に向けて移動させる、請求項15または請求項16に記載の成膜方法。   In the moving step, the electrostatic chuck holding the substrate is moved toward the mask table on which the mask is placed so that the substrate and the mask are separated at the predetermined interval. The film forming method according to claim 15 or 16, wherein 前記移動させる段階において、前記基板と前記マスクとが前記所定の間隔を持って離隔されるように、前記マスクが載置された前記マスク台を前記基板を保持した前記静電チャックに向けて移動させる、請求項15または請求項16に記載の成膜方法。   Moving the mask table on which the mask is mounted toward the electrostatic chuck holding the substrate so that the substrate and the mask are separated at the predetermined distance in the moving step; The film forming method according to claim 15 or 16, wherein 前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力を前記マスクの中央部から印加する、請求項15〜請求項18のいずれか1項に記載の成膜方法。   The film forming method according to any one of claims 15 to 18, wherein a magnetic force of the magnetic force application unit to the mask is applied from a central portion of the mask. 前記磁力印加手段が、V字形状を取った状態で前記マスク台側に下降する、請求項15〜請求項19のいずれか1項に記載の成膜方法。   The film forming method according to any one of claims 15 to 19, wherein the magnetic force application means descends toward the mask table in a V-shaped state. 複数の電磁石モジュールを含む前記磁力印加手段の前記複数の電磁石モジュールに、前記マスクの中央部に対応するように配置された電磁石モジュールから、前記マスクの対向する二つの辺に対応するように配置された電磁石モジュールに向かって、順次に電源を供給する、請求項15〜請求項20のいずれか1項に記載の成膜方法。   The plurality of electromagnet modules of the magnetic force application means including a plurality of electromagnet modules are arranged to correspond to two opposing sides of the mask from the electromagnet modules arranged to correspond to the central portion of the mask The film forming method according to any one of claims 15 to 20, wherein power is sequentially supplied toward the electromagnet module. 個別的に移動可能な複数の磁石モジュールを含む前記磁力印加手段の前記複数の磁石モジュールを、前記マスクの中央部に対応するように配置された磁石モジュールから、前記マスクの対向する二つの辺に対応するように配置された磁石モジュールに向かう順番で、前記マスク台に向けて移動させる、請求項15〜請求項21のいずれか1項に記載の成膜方法。   The plurality of magnet modules of the magnetic force application means including the plurality of magnet modules that can be moved individually are arranged on the two opposing sides of the mask from the magnet modules arranged to correspond to the central portion of the mask. The film forming method according to any one of claims 15 to 21, wherein the film is moved toward the mask table in the order of the magnet modules arranged in a corresponding manner. 前記密着させる段階において、前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力を前記マスクの一辺から印加する、請求項15〜請求項22のいずれか1項に記載の成膜方法。   The film forming method according to any one of claims 15 to 22, wherein the magnetic force of the magnetic force application unit with respect to the mask is applied from one side of the mask in the step of bringing into close contact. 前記磁力印加手段を傾いた状態で前記マスク台に向けて移動させる、請求項23に記載の成膜方法。   24. The film forming method according to claim 23, wherein the magnetic force application means is moved toward the mask table while being inclined. 複数の電磁石モジュールを含む前記磁力印加手段の前記複数の電磁石モジュールに、前記マスク台の対向する二つの辺のうちの、一辺に対応する位置に配置された電磁石モジュールから順次に電源を印加する、請求項23または請求項24に記載の成膜方法。   Power is sequentially applied to the plurality of electromagnet modules of the magnetic force application means including a plurality of electromagnet modules, starting from the electromagnet modules arranged at a position corresponding to one side of two opposing sides of the mask table. The film forming method according to claim 23 or 24. 個別的に移動可能な複数の磁石モジュールを含む前記磁力印加手段の前記複数の磁石モジュールを、前記マスク台の対向する二つの辺のうちの、一辺に対応する位置に配置された磁石モジュールから順次に前記マスク台側に向けて移動させる、請求項23〜請求項25のいずれか1項に記載の成膜方法。   The plurality of magnet modules of the magnetic force application means including the plurality of magnet modules which can be moved individually are sequentially arranged from the magnet module disposed at a position corresponding to one side of the two opposing sides of the mask table. The film forming method according to any one of claims 23 to 25, wherein the film is moved toward the mask table side. 請求項15〜請求項26のいずれか1項に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造する方法。
The method of manufacturing an electronic device using the film-forming method of any one of Claims 15-26.
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