KR102490641B1 - Deposition device and depositing method - Google Patents

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Abstract

증착 장치 및 증착 방법이 제공된다.
일례로, 증착 장치는 기판의 양단부를 지지하고, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 지지부; 상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되며, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 클램핑부; 상기 각 기판 지지부와 상기 각 기판 클램핑부 사이에 배치되며 상기 각 기판 클램핑부가 하강 이동시 서로 멀어지도록 수평 이동하여 상기 기판을 인장시키는 복수의 인장 블록; 및 승강 및 하강 이동이 가능하도록 상기 각 인장 블록 내부에 배치되고, 하강 이동에 의해 상기 각 인장 블록들을 서로 멀어지도록 수평 이동시키는 복수의 푸쉬 봉을 포함한다.
A deposition apparatus and a deposition method are provided.
For example, a deposition apparatus may include a plurality of substrate support units configured to support both ends of a substrate and to move up and down; a plurality of substrate clamping units disposed above each of the plurality of substrate support units so as to overlap both ends of the substrate, and configured to move up and down; a plurality of tension blocks disposed between each of the substrate supporters and each of the substrate clamping units and horizontally moving away from each other when each of the substrate clamping units moves downward to tension the substrate; and a plurality of push rods disposed inside each of the tension blocks to enable elevation and descent, and horizontally moving the tension blocks away from each other by the downward movement.

Description

증착 장치 및 증착 방법{DEPOSITION DEVICE AND DEPOSITING METHOD}Deposition apparatus and deposition method {DEPOSITION DEVICE AND DEPOSITING METHOD}

본 발명은 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus and a deposition method.

표시 장치로서, 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등이 널리 이용되고 있다.As a display device, a liquid crystal display device, a plasma display device, an organic light emitting display device, and the like are widely used.

이러한 표시 장치는 증착 공정을 통해 기판에 증착 물질을 증착시켜 박막을 형성함으로써 제조될 수 있다. Such a display device may be manufactured by depositing a deposition material on a substrate through a deposition process to form a thin film.

기판에 박막을 형성하기 위해서는, 증착 공정에서 기판의 증착면이 노출되도록 기판의 단부가 지지된다. 그런데, 표시 장치가 대형화됨에 따라 기판이 대형화되어 기판의 중앙부에 큰 처짐이 발생되고 있다. 이 경우, 기판과 마스크의 정렬 과정에서 오차가 발생될 수 있다. 이러한 정렬 오차는 증착 정밀도를 떨어뜨려 기판에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡을 발생시킬 수 있다.In order to form a thin film on the substrate, an end of the substrate is supported so that the deposition surface of the substrate is exposed during the deposition process. However, as the size of the display device increases, the size of the substrate increases, resulting in large sagging in the center of the substrate. In this case, an error may occur in the process of aligning the substrate and the mask. Such an alignment error may cause distortion in a pattern of a thin film formed by depositing a deposition material on a substrate by reducing deposition accuracy.

이에, 본 발명이 해결하려는 과제는 기판의 처짐을 최소화하여 증착 정밀도를 높일 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다. Accordingly, an object to be solved by the present invention is to provide a deposition apparatus capable of increasing deposition precision by minimizing sagging of a substrate.

또한, 본 발명이 해결하려는 과제는 기판의 처짐을 최소화하여 증착 정밀도를 높일 수 있는 증착 방법을 제공을 제공하는 것이다.In addition, the problem to be solved by the present invention is to provide a deposition method capable of increasing deposition precision by minimizing sagging of a substrate.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the technical tasks mentioned above, and other technical tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는 기판의 양단부를 지지하고, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 지지부; 상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되며, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 클램핑부; 상기 각 기판 지지부와 상기 각 기판 클램핑부 사이에 배치되며 상기 각 기판 클램핑부가 하강 이동시 서로 멀어지도록 수평 이동하여 상기 기판을 인장시키는 복수의 인장 블록; 및 승강 및 하강 이동이 가능하도록 상기 각 인장 블록 내부에 배치되고, 하강 이동에 의해 상기 각 인장 블록들을 서로 멀어지도록 수평 이동시키는 복수의 푸쉬 봉을 포함한다.A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above object includes a plurality of substrate support units configured to support both ends of a substrate and to move up and down; a plurality of substrate clamping units disposed above each of the plurality of substrate support units so as to overlap both ends of the substrate and configured to move upward and downward; a plurality of tension blocks disposed between each of the substrate supporting parts and each of the substrate clamping parts, and horizontally moving away from each other when each of the substrate clamping parts moves downward to tension the substrate; and a plurality of push rods disposed inside each of the tension blocks to allow elevation and descent, and horizontally moving the tension blocks away from each other by the downward movement.

상기 각 인장 블록은 상기 푸쉬 봉이 하강하는 공간을 제공하는 이동 제공홀과, 상기 푸쉬 봉이 하강 이동시 경사진 방향으로 가이드 되어 상기 인장 블록을 수평 이동시키기 위한 경사홀을 포함하는 삽입홀을 포함할 수 있다.Each of the tension blocks may include a movement providing hole providing a space in which the push rod descends, and an insertion hole including an inclined hole for horizontally moving the tension block by guiding the push rod in an inclined direction when the push rod descends. .

상기 각 인장 블록과 상기 각 푸쉬 봉은 기판 인장부를 구성하며, 상기 기판 인장부는 상기 각 기판 클램핑부와 상기 각 인장 블록 사이에 배치되어 상기 인장 블록의이 수평 이동시 가이드하는 제1 가이드부와, 상기 각 인장 블록과 상기 기판 지지부 사이에 배치되어 상기 각 인장 블록이 미끄러짐을 방지하는 미끄럼 방지 패드와, 상기 각 기판 지지부와 상기 미끌림 방지 패드 사이에 배치되어 상기 인장 블록이 수평 이동시 함께 이동되는 이동 홀더와, 상기 이동 홀더와 상기 기판 지지부 사이에 배치되어 상기 이동 홀더가 수평 이동시 상기 이동 홀더를 가이드하는 제2 가이드부를 더 포함할 수 있다.Each of the tensile blocks and each of the push rods constitute a substrate tensioning unit, and the substrate tensioning unit includes a first guide unit disposed between each substrate clamping unit and each of the tensile blocks to guide the tensile block during horizontal movement, and each of the tensile blocks. An anti-slip pad disposed between the block and the substrate support to prevent slipping of each of the tensile blocks, and a moving holder disposed between each substrate support and the anti-slip pad to move together when the tensile block moves horizontally; A second guide part disposed between the movable holder and the substrate supporter to guide the movable holder when the movable holder moves horizontally may be further included.

상기 기판 인장부는 상기 각 기판 지지부의 측부와 상기 이동 홀더의 측부 사이에 배치되는 탄성체를 더 포함할 수 있다.The substrate extension part may further include an elastic body disposed between a side part of each substrate support part and a side part of the movable holder.

상기 각 인장 블록과 상기 각 푸쉬 봉은 기판 인장부를 구성하며, 상기 기판 인장부는 상기 각 기판 클램핑부와 상기 각 인장 블록 사이에 배치되어 상기 인장 블록이 수평 이동시 가이드하는 제1 가이드부와, 상기 각 인장 블록과 상기 기판 지지부 사이에 배치되어, 상기 인장 블록의 수평 이동시 상기 인장 블록을 미끌리게 하는 미끌림 패드를 더 포함할 수 있다.Each of the tensile blocks and each of the push rods constitutes a substrate tension unit, and the substrate tension unit includes a first guide unit disposed between each substrate clamping unit and each of the tension blocks to guide the tension block during horizontal movement, and each tension block. It may further include a sliding pad disposed between the block and the substrate support to slide the tensile block when the tensile block moves horizontally.

상기 각 인장 블록은 상기 각 기판 지지부에 삽입되게 배치되어 상기 각 푸쉬 봉과 함께 기판 인장부를 구성하며, 상기 기판 인장부는 상기 각 기판 클램핑부와 상기 각 인장 블록 사이에 배치되어 상기 인장 블록이 수평 이동시 가이드하는 제1 가이드부와, 제1 가이드부와 상기 기판 클램핑부 사이에 배치되어 상기 제1 가이드부의 수평 이동에 의해 이동하는 상기 기판의 미끌림을 방지하는 미끌림 방지 패드와, 상기 각 기판 클램핑부와 상기 미끌림 방지 패드 사이에 배치되어 상기 기판을 미끌리게 하는 미끌림 패드를 더 포함할 수 있다.Each of the tensile blocks is arranged to be inserted into each of the substrate support parts and constitutes a substrate tensioning part together with the respective push rods, and the substrate tensioning part is disposed between each of the substrate clamping parts and each of the tensile blocks to guide the tensioning block during horizontal movement. an anti-slip pad disposed between the first guide unit and the substrate clamping unit to prevent slipping of the substrate moving by the horizontal movement of the first guide unit; The anti-slip pad may further include a slip pad disposed between the anti-slip pads to allow the substrate to slide.

상기 미끌림 방지 패드는 고무 재질로 형성되며, 상기 미끌림 패드는 테프론으로 형성될 수 있다.The anti-slip pad may be made of a rubber material, and the slip pad may be made of Teflon.

또한, 상기 증착 장치는 상기 기판 클램핑부들 사이에 배치되는 정전척; 및 상기 정전척의 하부에 배치되며, 마스크를 지지하고 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 마스크 스테이지를 더 포함하며, 상기 정전척은 상기 마스크를 정전력에 의해 상기 정전척에 척킹시키도록 구성된 제1 전극부를 포함하고, 상기 제1 전극부와 절연되며, 상기 기판을 정전력에 의해 상기 정전척에 척킹시키도록 구성된 제2 전극부를 포함할 수 있다.In addition, the deposition apparatus includes an electrostatic chuck disposed between the substrate clamping parts; and a mask stage disposed under the electrostatic chuck and configured to support a mask and to move up and down, wherein the electrostatic chuck is configured to chuck the mask to the electrostatic chuck with an electrostatic force. A second electrode portion including a portion, insulated from the first electrode portion, and configured to chuck the substrate to the electrostatic chuck by electrostatic force.

상기 정전척은 상기 제1 전극부 상에 배치되는 냉각층을 더 포함할 수 있다.The electrostatic chuck may further include a cooling layer disposed on the first electrode part.

상기 정전척은 상기 제2 전극부 상에 배치되는 유전체층과, 상기 유전체층 상에 배치되는 엠보싱부를 더 포함할 수 있다.The electrostatic chuck may further include a dielectric layer disposed on the second electrode unit and an embossing unit disposed on the dielectric layer.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는 기판의 양단부를 지지하고 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 지지부; 상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되며, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성되는 복수의 기판 클램핑부; 상기 기판 클램핑부들 사이에 배치되는 정전척; 및 상기 정전척의 하부에 배치되며, 마스크를 지지하고 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 마스크 스테이지를 포함하며, 상기 정전척은 상기 마스크를 정전력에 의해 상기 정전척에 척킹시키도록 구성된 제1 전극부를 포함하고, 상기 제1 전극부와 절연되며, 상기 기판을 정전력에 의해 상기 정전척에 척킹시키도록 구성된 제2 전극부를 포함할 수 있다.A deposition apparatus according to another embodiment of the present invention for achieving the above object includes a plurality of substrate support units configured to support both ends of a substrate and to move up and down; a plurality of substrate clamping units disposed above each of the plurality of substrate support units so as to overlap both ends of the substrate and configured to move up and down; an electrostatic chuck disposed between the substrate clamping portions; and a mask stage disposed below the electrostatic chuck and configured to support a mask and to move up and down, wherein the electrostatic chuck includes a first electrode unit configured to chuck the mask to the electrostatic chuck by electrostatic force. and a second electrode portion that is insulated from the first electrode portion and configured to chuck the substrate to the electrostatic chuck by electrostatic force.

상기 제1 전극부는 연결부와 상기 연결부로부터 분기된 복수의 가지부를 포함하고, 상기 제2 전극부는 서로 절연되게 배치되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은 제1 연결부와 상기 제1 연결부로부터 분기된 복수의 제1 가지부를 포함하고, 상기 제2 전극은 제2 연결부와 상기 제2 연결부로부터 분기된 복수의 제2 가지부를 포함하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 가지부와 상기 제2 가지부는 일 방향을 따라 교대로 배치될 수 있다.The first electrode part includes a connection part and a plurality of branch parts branched off from the connection part, and the second electrode part includes a first electrode and a second electrode disposed to be insulated from each other, and the first electrode includes the first connection part and the second electrode. A plurality of first branch portions branched from the first connection portion, wherein the second electrode includes a second electrode including a second connection portion and a plurality of second branch portions branched from the second connection portion; The part and the second branch part may be alternately disposed along one direction.

상기 정전척은 상기 제1 전극부 상에 배치되는 냉각층을 더 포함할 수 있다.The electrostatic chuck may further include a cooling layer disposed on the first electrode part.

상기 정전척은 상기 제2 전극부 상에 배치되는 유전체층과, 상기 유전체층 상에 배치되는 엠보싱부를 더 포함할 수 있다.The electrostatic chuck may further include a dielectric layer disposed on the second electrode unit and an embossing unit disposed on the dielectric layer.

상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법은 기판의 양단부가 지지되도록 서로 이격되게 배치된 복수의 기판 지지부 상에 상기 기판을 안착시키는 단계; 상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되는 복수의 기판 클램핑부를 하강 이동시키고, 상기 각 기판 지지부와 상기 각 기판 클램핑부 사이에 배치 되는 복수의 인장 블록을 서로 멀어지도록 수평 이동시키도록 상기 각 인장 블록의 내부에 삽입된 푸쉬 봉을 하강 이동 시켜 상기 기판을 인장시키는 단계; 및 상기 복수의 기판 지지부를 하강시켜 상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치된 마스크와 상기 기판을 정렬하는 단계를 포함한다. A deposition method according to an embodiment of the present invention for achieving the other object includes: seating the substrate on a plurality of substrate supports spaced apart from each other so that both ends of the substrate are supported; The plurality of substrate clamping units disposed on each of the plurality of substrate support units are lowered and moved so as to overlap both ends of the substrate, and the plurality of tension blocks disposed between each substrate support unit and each substrate clamping unit are horizontally moved away from each other. tensioning the substrate by moving a push rod inserted into each tensile block downward to move the substrate; and lowering the plurality of substrate supports to align the substrate with a mask disposed below the plurality of substrate supports.

또한, 상기 증착 방법은 상기 마스크와 상기 기판을 정렬하는 단계 이후, 상기 복수의 기판 클램핑부들 사이에 배치되는 쿨 플레이트를 하강시켜 상기 기판에 밀착시키는 단계; 상기 쿨 플레이트의 상부에 배치되는 마그넷 어셈블리를 하강시켜 상기 기판과 상기 마스크를 밀착시키는 단계; 및 상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치되는 증착원을 이용하여 상기 기판측으로 증착 물질을 분사하여 상기 기판에 증착시키는 단계를 더 포함할 수 있다.The deposition method may further include, after aligning the mask and the substrate, lowering a cool plate disposed between the plurality of substrate clamping parts to bring it into close contact with the substrate; lowering a magnet assembly disposed on the cool plate to bring the substrate and the mask into close contact with each other; and depositing a deposition material on the substrate by spraying a deposition material toward the substrate using a deposition source disposed below the plurality of substrate supporters.

또한, 상기 증착 방법은 상기 마스크와 상기 기판을 정렬하는 단계 이후, 상기 복수의 기판 클램핑부들 사이에 배치되는 정전척을 하강시키고 정전력을 이용하여 상기 기판을 상기 정전척에 척킹시키는 단계; 상기 정전척에 정전력을 이용하여 상기 마스크를 척킹시켜 상기 기판과 상기 마스크를 밀착시키는 단계; 및 상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치되는 증착원을 이용하여 상기 기판측으로 증착 물질을 분사하여 상기 기판에 증착시키는 단계를 더 포함할 수 있다.The deposition method may further include, after aligning the mask and the substrate, lowering an electrostatic chuck disposed between the plurality of substrate clamping parts and chucking the substrate to the electrostatic chuck using electrostatic force; chucking the mask using electrostatic force to the electrostatic chuck to bring the substrate and the mask into close contact with each other; and depositing a deposition material on the substrate by spraying a deposition material toward the substrate using a deposition source disposed below the plurality of substrate supporters.

상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 방법은 기판의 양단부가 지지되도록 서로 이격되게 배치된 복수의 기판 지지부 상에 기판을 안착시키는 단계; 상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치된 마스크측으로 상기 복수의 기판 지지부를 하강시키는 단계; 제1 전극부와, 상기 제1 전극부와 절연되게 배치된 제2 전극부를 포함하며, 상기 복수의 기판 지지부 사이에 배치된 정전척을 하강시키고, 상기 제2 전극부를 이용한 정전력에 의해 상기 기판을 상기 정전척에 척킹시키는 단계; 상기 정전척에 척킹된 상기 기판과 상기 마스크를 정렬하는 단계; 및 상기 제1 전극부를 이용한 정전력에 의해 상기 마스크를 상기 정전척에 척킹시키는 단계를 포함하는 증착 단계를 포함할 수 있다.A deposition method according to another embodiment of the present invention for achieving the above object includes placing a substrate on a plurality of substrate supports spaced apart from each other so that both ends of the substrate are supported; lowering the plurality of substrate supports toward a mask disposed below the plurality of substrate supports; It includes a first electrode part and a second electrode part disposed to be insulated from the first electrode part, and lowers an electrostatic chuck disposed between the plurality of substrate support parts, and lowers the substrate by electrostatic force using the second electrode part. chucking to the electrostatic chuck; aligning the mask and the substrate chucked by the electrostatic chuck; and a deposition step including chucking the mask to the electrostatic chuck by electrostatic force using the first electrode part.

상기 제2 전극부는 서로 절연된 제1 전극과 제2 전극을 포함하며, 상기 기판을 상기 정전척에 척킹시키는 단계는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각에 서로 다른 전압이 인가시키고, 상기 제1 전극부에 인가되는 전압을 차단하는 것을 포함할 수 있다.The second electrode unit includes a first electrode and a second electrode insulated from each other, and in the chucking of the substrate to the electrostatic chuck, different voltages are applied to the first electrode and the second electrode, respectively. 1 may include blocking the voltage applied to the electrode unit.

상기 마스크를 상기 정전척에 척킹시키는 단계는 상기 제1 전극부에 상기 마스크와 상기 정전척 사이에 전위차를 줄수 있는 전압을 인가하고, 상기 제2 전극부에 인가되는 전압을 차단하는 것을 포함하는 포함할 수 있다.The step of chucking the mask to the electrostatic chuck includes applying a voltage to the first electrode part to give a potential difference between the mask and the electrostatic chuck, and blocking the voltage applied to the second electrode part. can do.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.According to embodiments of the present invention, at least the following effects are provided.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치에 따르면, 기판의 처짐이 최소화되어 증착 정밀도가 높아질 수 있다.According to the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, deflection of the substrate is minimized, thereby increasing deposition accuracy.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 홀더부, 기판 클램핑부 및 기판 인장부의 확대 단면도이다.
도 3은 인장 블록과 푸쉬 봉의 사시도이다.
도 4는 도 3의 미끄럼 방지 패드의 사시도이다.
도 5 및 도 6은 미끄럼 방지 패드의 다양한 실시예를 보여주는 사시도들이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용한 증착 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용한 증착 방법에 의해 형성되는 표시 장치의 예시적인 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치 중 기판 홀더부, 기판 클램핑부 및 기판 인장부의 확대 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치 중 기판 홀더부, 기판 클램핑부 및 기판 인장부의 확대 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치의 개략적인 단면도이다.
도 14는 도 13의 정전척의 구체적인 구성을 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 14의 제1 전극부의 평면도이다.
도 16은 도 14의 제2 전극부의 평면도이다.
도 17 및 도 18은 도 13의 증착 장치를 이용한 증착 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 19 및 도 20은 도 13의 정전척이 기판 캐리어로서 동작하는 것을 예시적으로 보여주는 단면도들이다.
도 21은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치의 개략적인 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the substrate holder part, the substrate clamping part, and the substrate tensioning part of FIG. 1 .
3 is a perspective view of a tensile block and a push rod.
4 is a perspective view of the non-slip pad of FIG. 3;
5 and 6 are perspective views showing various embodiments of an anti-slip pad.
7 to 9 are cross-sectional views illustrating a deposition method using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
10 is an exemplary cross-sectional view of a display device formed by a deposition method using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
11 is an enlarged cross-sectional view of a substrate holder part, a substrate clamping part, and a substrate extension part of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
12 is an enlarged cross-sectional view of a substrate holder part, a substrate clamping part, and a substrate extension part of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
13 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a specific configuration of the electrostatic chuck of FIG. 13 .
FIG. 15 is a plan view of the first electrode part of FIG. 14 .
FIG. 16 is a plan view of the second electrode unit of FIG. 14 .
17 and 18 are cross-sectional views illustrating a deposition method using the deposition apparatus of FIG. 13 .
19 and 20 are cross-sectional views illustrating the operation of the electrostatic chuck of FIG. 13 as a substrate carrier.
21 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.When an element or layer is referred to as “on” another element or layer, it includes all cases where another element or layer is directly on top of another element or another layer or other element intervenes therebetween. Like reference numbers designate like elements throughout the specification.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms, of course. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, it goes without saying that the first element mentioned below may also be the second element within the technical spirit of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 홀더부, 기판 클램핑부 및 기판 인장부의 확대 단면도이고, 도 3은 인장 블록과 푸쉬 봉의 사시도이고, 도 4는 도 3의 미끄럼 방지 패드의 사시도이고, 도 5 및 도 6은 미끄럼 방지 패드의 다양한 실시예를 보여주는 사시도들이다.1 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a substrate holder part, a substrate clamping part, and a substrate tensioning part of FIG. 1, and FIG. 3 is a perspective view of a tensile block and a push rod. , FIG. 4 is a perspective view of the anti-skid pad of FIG. 3, and FIGS. 5 and 6 are perspective views showing various embodiments of the anti-skid pad.

도 1을 참조하면, 증착 장치(100)는 챔버(101), 압력 조절 유닛(102), 복수의 기판 홀더부(110), 복수의 기판 클램핑부(120), 복수의 기판 인장부(130), 쿨 플레이트(140), 마그넷 어셈블리(150), 쿨 플레이트 수직 이동부(160), 쿨 플레이트 수평 이동부(170), 비젼 카메라(180), 증착원(190) 및 마스크 스테이지(MS)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the deposition apparatus 100 includes a chamber 101, a pressure control unit 102, a plurality of substrate holders 110, a plurality of substrate clamping units 120, and a plurality of substrate tensioning units 130. , Cool plate 140, magnet assembly 150, cool plate vertical moving part 160, cool plate horizontal moving part 170, vision camera 180, deposition source 190, and mask stage MS. can do.

챔버(101)는 기판(S)에 증착 물질을 증착시켜 박막을 형성하는 증착 공정이 수행될 수 있는 내부 공간을 가지도록 형성된다. 기판(S)은 복수의 단위 표시 장치를 형성할 수 있는 크기를 가지는 대형 기판일 수 있다.The chamber 101 is formed to have an internal space in which a deposition process of forming a thin film by depositing a deposition material on the substrate S can be performed. The substrate S may be a large substrate having a size capable of forming a plurality of unit display devices.

압력 조절 유닛(102)은 챔버(101)의 일측에 연결되며, 챔버(101)의 압력을 조절한다. 예를 들어, 압력 조절 유닛(102)은 챔버(101)의 내부 공간이 진공 상태가 되도록 압력을 조절할 수 있다. 압력 조절 유닛(102)은 챔버(101)에 연결되는 배관(103), 배관(103)에 설치되는 펌프(104)를 포함할 수 있다. 이와 같은 구성에 따라, 펌프(104)의 작동에 따라 배관(103)을 통해 챔버(101)의 내부 공간의 기체 등이 외부로 배출됨으로써, 챔버(101)의 내부 공간의 압력이 조절될 수 있다.The pressure control unit 102 is connected to one side of the chamber 101 and controls the pressure of the chamber 101 . For example, the pressure control unit 102 may adjust the pressure so that the inner space of the chamber 101 is in a vacuum state. The pressure control unit 102 may include a pipe 103 connected to the chamber 101 and a pump 104 installed in the pipe 103 . According to this configuration, the gas in the internal space of the chamber 101 is discharged to the outside through the pipe 103 according to the operation of the pump 104, so that the pressure in the internal space of the chamber 101 can be adjusted. .

복수의 기판 홀더부(110)는 챔버(101)의 내부 공간에 설치될 수 있다. 복수의 기판 홀더부(110)는 챔버(101)의 내부 공간으로 인입되는 기판(S)의 양단부를 지지하도록 서로 이격되게 배치될 수 있다. A plurality of substrate holders 110 may be installed in the inner space of the chamber 101 . The plurality of substrate holders 110 may be spaced apart from each other to support both ends of the substrate S introduced into the inner space of the chamber 101 .

각 기판 홀더부(110)는 승강 및 하강 이동과, 수평 이동이 가능하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 각 기판 홀더부(110)는 제1 방향(X), 제2 방향(Y) 및 제3 방향(Z)으로 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 각 기판 홀더부(110)는 실질적으로 승강 및 하강 이동과, 수평 이동이 가능하도록 배치되는 제1 구동축(111)과, 제1 구동축(111)에 연결되며 기판(S)의 양단을 지지하는 기판 지지부(112)를 포함할 수 있다. 제1 구동축(111)은 챔버(101)의 외부에 설치되는 제1 구동부(MT1)에 연결될 수 있다. 제1 구동부(MT1)는 모터 또는 실린더 등과 같이 제1 구동축(111)에 연결되어 제1 구동축(111)이 승강 및 하강 이동을 가능하게 하는 모든 장치를 포함할 수 있다. 도시되진 않았지만, 제1 구동축(111)에는 모터 또는 실린더 등과 같이 제1 구동축(111)에 연결되어 수평 이동을 가능하게 하는 구동부가 연결될 수 있다.Each substrate holder unit 110 may be configured to be able to move up and down and move horizontally. For example, each substrate holder unit 110 may be configured to be movable in a first direction (X), a second direction (Y), and a third direction (Z). Each substrate holder unit 110 is substantially connected to the first driving shaft 111 disposed to enable vertical movement, horizontal movement, and a substrate connected to the first driving shaft 111 and supporting both ends of the substrate S. A support portion 112 may be included. The first driving shaft 111 may be connected to the first driving unit MT1 installed outside the chamber 101 . The first driving unit MT1 may include any device connected to the first driving shaft 111 such as a motor or a cylinder to allow the first driving shaft 111 to move up and down. Although not shown, a driving unit that is connected to the first driving shaft 111 and enables horizontal movement, such as a motor or a cylinder, may be connected to the first driving shaft 111 .

복수의 기판 클램핑부(120)는 챔버(101)의 내부 공간에 설치될 수 있다. 복수의 기판 클램핑부(120)는 기판(S)의 양단부와 중첩하도록 각 기판 지부(112)의 상부에 배치될 수 있다. A plurality of substrate clamping units 120 may be installed in the inner space of the chamber 101 . The plurality of substrate clamping parts 120 may be disposed above each substrate branch 112 so as to overlap both ends of the substrate S.

각 기판 클램핑부(120)는 승강 및 하강 이동과, 수평 이동이 가능하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 각 기판 클램핑부(120)는 제1 방향(X), 제2 방향(Y) 및 제3 방향(Z)으로 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 각 기판 클램핑부(120)는 제2 구동축(121), 지지 블록(122), 탄성체(123) 및 클램핑 블록(124)을 포함할 수 있다.Each substrate clamping unit 120 may be configured to be able to move up and down and move horizontally. For example, each substrate clamping part 120 may be configured to be movable in a first direction (X), a second direction (Y), and a third direction (Z). Each substrate clamping unit 120 may include a second drive shaft 121 , a support block 122 , an elastic body 123 and a clamping block 124 .

제2 구동축(121)은 실질적으로 승강 및 하강 이동과, 수평 이동이 가능하도록 배치될 수 있다. 지지 블록(122)은 제2 구동축(121)에 연결되며, 탄성체(123)가 장착되는 공간을 제공할 수 있다. 탄성체(123)는 예를 들어 스프링일 수 있으며, 제2 구동축(121)이 하강 이동하여 클램핑 블록(124)이 기판(S)을 가압시 가압 충격을 줄여 가압 충격에 대한 기판(S)의 손상을 줄일 수 있다. 클램핑 블록(124)은 제2 구동축(121)이 하강 이동시 기판(S)을 가압할 수 있다. 한편, 제2 구동축(121)은 챔버(101)의 외부에 설치되는 제2 구동부(MT2)에 연결될 수 있다. 제2 구동부(MT2)는 모터 또는 실린더 등과 같이 제2 구동축(121)에 연결되어 제2 구동축(121)이 승강 및 하강 이동을 가능하게 하는 모든 장치를 포함할 수 있다. 도시되진 않았지만, 제2 구동축(121)에는 모터 또는 실린더 등과 같이 제2 구동축(121)에 연결되어 좌측 및 우측 이동을 가능하게 하는 구동부가 연결될 수 있다.The second drive shaft 121 may be substantially arranged to enable elevation and descent and horizontal movement. The support block 122 is connected to the second driving shaft 121 and may provide a space in which the elastic body 123 is mounted. The elastic body 123 may be, for example, a spring, and the second driving shaft 121 moves downward to reduce the pressure impact when the clamping block 124 presses the substrate S, resulting in damage to the substrate S from the pressure impact. can reduce The clamping block 124 may press the substrate S when the second driving shaft 121 moves downward. Meanwhile, the second driving shaft 121 may be connected to the second driving unit MT2 installed outside the chamber 101 . The second drive unit MT2 may include any device connected to the second drive shaft 121 such as a motor or a cylinder to allow the second drive shaft 121 to move up and down. Although not shown, a driving unit that is connected to the second driving shaft 121 and enables left and right movement, such as a motor or a cylinder, may be connected to the second driving shaft 121 .

복수의 기판 인장부(130)는 각 기판 홀더부(110)와 각 기판 클램핑부(120) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 기판 인장부(130)는 복수의 클램핑부(120)가 서로 멀어지도록 수평 이동 하도록 구성될 수 있다. 이러한 복수의 기판 인장부(130)는 복수의 클램핑부(120)에 의해 고정된 기판(S)이 처진 경우 처진 기판(S)을 인장시켜 기판(S)이 평평한 상태가 되게 할 수 있다. The plurality of substrate extension parts 130 may be disposed between each substrate holder part 110 and each substrate clamping part 120 . The plurality of substrate extension parts 130 may be configured to move horizontally so that the plurality of clamping parts 120 are farther apart from each other. When the substrate S held by the plurality of clamping units 120 is drooped, the plurality of substrate tensioning parts 130 may tension the sagging substrate S so that the substrate S becomes flat.

각 기판 인장부(130)는 인장 블록(131), 푸쉬 봉(132), 제1 가이드부(133), 미끌림 방지 패드(134), 이동 홀더(135), 제2 가이드부(134), 탄성체(137)를 포함할 수 있다.Each substrate tension unit 130 includes a tension block 131, a push bar 132, a first guide unit 133, an anti-slip pad 134, a movable holder 135, a second guide unit 134, and an elastic body. (137).

인장 블록(131)은 각 기판 홀더부(110)와 각 기판 클램핑부(120) 사이, 구체적으로 클램핑 블록(124)의 하부에 배치될 수 있다. 인장 블록(131)은 기판 클램핑부(120)의 하강 이동에 의해 함께 하강 이동할 수 있으며, 후술하는 푸쉬 봉(132)의 하강 이동에 의해 수평 이동할 수 있다. 인장 블록(131)은 대략 직육면체 형상을 가지나, 이러한 형상으로 한정하는 것은 아니다.The tensile block 131 may be disposed between each substrate holder part 110 and each substrate clamping part 120 , specifically below the clamping block 124 . The tensile block 131 may move downward together with the downward movement of the substrate clamping unit 120, and may move horizontally by the downward movement of the push rod 132 described later. The tensile block 131 has a substantially rectangular parallelepiped shape, but is not limited to this shape.

푸쉬 봉(132)은 승강 및 하강 이동이 가능하도록 인장 블록(131)의 내부에 배치될 수 있다. 이 경우, 푸쉬 봉(132)을 삽입시키기 위해 인장 블록(131)의 내부에 형성된 삽입홀(131a)은 푸쉬 봉(132)이 하강하여 인장 블록(131)이 기판(S)을 가압하도록 푸쉬 봉(132)이 하강하는 공간을 제공하는 이동 제공홀(131aa)과, 기판(S)이 가압된 상태에서 푸쉬 봉(132)이 하강시 경사진 방향으로 가이드 되어 인장 블록(131)을 기판(S)의 외측 방향으로 수평 이동시키기 위한 경사홀(131ab)을 포함할 수 있다. 도시하진 않았지만, 푸쉬 봉(132)의 승강 및 하강 이동은 모터 또는 실린더 등과 같은 구동부를 통해 수행될 수 있다.The push rod 132 may be disposed inside the tension block 131 so as to be able to move up and down. In this case, the insertion hole 131a formed inside the tension block 131 to insert the push rod 132 is such that the push rod 132 descends and the tension block 131 presses the substrate S. The movement providing hole 131aa providing a space for the 132 to descend, and the push rod 132 in a state in which the substrate S is pressed, are guided in an inclined direction when the substrate S is lowered, thereby moving the tensile block 131 to the substrate S. ) It may include an inclined hole (131ab) for horizontal movement in the outward direction. Although not shown, the lifting and lowering of the push bar 132 may be performed by a driving unit such as a motor or a cylinder.

제1 가이드부(133)는 클램핑 블록(124)과 인장 블록(131) 사이에 배치될 수 있다. 제1 가이드부(133)는 푸쉬 봉(132)의 작동에 의해 인장 블록(131)이 기판(S)의 외측 방향으로 수평 이동하도록 가이드한다. 제1 가이드부(133)는 클램핑 블록(124)의 하부에 배치된 제1 가이드 레일(133a)과, 인장 블록(131)의 상부에 배치되어 제1 가이드 레일(133a)을 따라 수평 이동할 수 있는 제1 가이드 블록(133b)을 포함할 수 있다. The first guide part 133 may be disposed between the clamping block 124 and the tension block 131 . The first guide part 133 guides the tensile block 131 to horizontally move outwardly of the substrate S by the operation of the push bar 132 . The first guide part 133 may be horizontally movable along the first guide rail 133a disposed below the clamping block 124 and the first guide rail 133a disposed above the tension block 131. A first guide block 133b may be included.

미끌림 방지 패드(134)는 인장 블록(131)의 하부에 배치될 수 있다. 미끌림 방지 패드(134)는 인장 블록(131)과 접촉하는 제1 면(TS)과, 기판(S)과 접촉하는 제2 면(BS)을 포함할 수 있다. 미끌림 방지 패드(134)의 제1 면(TS)과 제2 면(BS)은 평평한 면들일 수 있다. 이러한 미끌림 방지 패드(134)는 인장 블록(131)에 의해 기판(S)을 가압할 때 기판(S) 상에서 미끄러지는 것을 방지할 수 있다. 미끌림 방지 패드(134)는 고무 재질, 예를 들어 우레탄계 고무 또는 불소계 고무로 형성될 수 있다. The anti-slip pad 134 may be disposed under the tensile block 131 . The anti-slip pad 134 may include a first surface TS contacting the tensile block 131 and a second surface BS contacting the substrate S. The first surface TS and the second surface BS of the anti-slip pad 134 may be flat surfaces. The anti-slip pad 134 may prevent slipping on the substrate S when the substrate S is pressed by the tension block 131 . The anti-slip pad 134 may be formed of a rubber material, for example, urethane-based rubber or fluorine-based rubber.

다른 실시예에서, 미끌림 방지 패드(134a)는 기판(S)과의 마찰력을 더 높여 인장 블록(131)의 미끄러짐을 더욱 높이기 위해 제2 면(BS)에 배치되는 복수의 원기둥 형상의 돌출부(134P1)를 더 포함할 수 있다(도 5 참조). 또다른 실시예에서, 미끌림 방지 패드(134b)는 기판(S)과의 마찰력을 더 높여 인장 블록(131)의 미끄러짐을 더욱 높이기 위해 제2 면(BS)에 배치되는 직육면체 형상의 돌출부(134P2)를 더 포함할 수 있다(도 6 참조).In another embodiment, the anti-slip pad 134a is a plurality of cylindrical protrusions 134P1 disposed on the second surface BS to further increase the sliding force of the tensile block 131 by increasing the frictional force with the substrate S. ) may further include (see FIG. 5). In another embodiment, the anti-slip pad 134b is a rectangular parallelepiped-shaped protrusion 134P2 disposed on the second surface BS to further increase the sliding force of the tensile block 131 by further increasing the frictional force with the substrate S. It may further include (see FIG. 6).

이동 홀더(135)는 기판 지지부(112)와 미끌림 방지 패드(134) 사이에 배치될 수 있으며, 실질적으로 기판(S)이 지지되는 공간을 제공한다. 이동 홀더(135)는 인장 블록(131)이 수평 이동시 함께 수평 이동하여 기판(S)을 함께 인장시킨다. The movable holder 135 may be disposed between the substrate support 112 and the anti-slip pad 134, and substantially provides a space in which the substrate S is supported. The movable holder 135 moves horizontally when the tensile block 131 moves horizontally and tensions the substrate S together.

제2 가이드부(136)는 기판 지지부(112) 상에서 이동 홀더(135)의 하부에 배치될 수 있다. 제2 가이드부(136)는 푸쉬 봉(132)의 작동에 의해 인장 블록(131)이 기판(S)의 외측 방향으로 수평 이동시 이동 홀더(135)가 함께 수평 이동하도록 가이드한다. 제2 가이드부(136)는 기판 지지부(112)와 이동 홀더(135) 사이에 배치된 제2 가이드 레일(136a)과, 제2 가이드 레일(136a)과 이동 홀더(135) 사이에 배치되어 제2 가이드 레일(136a)을 따라 수평 이동할 수 있는 제2 가이드 블록(136b)을 포함할 수 있다.The second guide part 136 may be disposed below the movable holder 135 on the substrate support part 112 . The second guide part 136 guides the moving holder 135 to horizontally move together when the tensile block 131 moves horizontally outward from the substrate S by the operation of the push bar 132 . The second guide part 136 is disposed between the second guide rail 136a disposed between the substrate support part 112 and the movable holder 135, and disposed between the second guide rail 136a and the movable holder 135. It may include a second guide block 136b that can move horizontally along the two guide rails 136a.

탄성체(137)는 기판 지지부(112)의 측부와 이동 홀더(135)의 측부 사이에 배치될 수 있다. 탄성체(137)는 이동 홀더(135)가 수평 이동시 이동 홀더(135)가 기판 지지부(112)에 부딪치는 힘에 의해 기판(S)에 충격을 가하는 것을 방지할 수 있다. 탄성체(137)는 예를 들어 스프링으로 구성될 수 있다.The elastic body 137 may be disposed between the side of the substrate support 112 and the side of the movable holder 135 . The elastic body 137 may prevent the movable holder 135 from applying an impact to the substrate S due to the force of the movable holder 135 colliding with the substrate support 112 when the movable holder 135 moves horizontally. The elastic body 137 may be composed of, for example, a spring.

이와 같이 구성되는 기판 인장부(130)는 기판(S)을 인장시켜 기판(S)이 처지는 것을 최소화시킴으로써, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 과정에서 오차가 발생되는 것을 줄일 수 있다. 이에 따라, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 오차에 의해 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.The substrate tensioning unit 130 constructed as described above can minimize the sagging of the substrate S by tensioning the substrate S, thereby reducing the occurrence of errors in the process of aligning the substrate S and the mask M. Accordingly, distortion in the pattern of the thin film formed by depositing the deposition material on the substrate S due to an alignment error between the substrate S and the mask M can be reduced.

쿨 플레이트(140)는 기판 클램핑부들(120) 사이에 배치되며, 기판(S)에 증착 물질을 증착시 고온에 의해 기판(S)이 변형되는 것을 방지할 수 있는 재질로 형성된다. 예를 들어, 쿨 플레이트(140)는 티타늄과 같은 재질로 형성될 있다. 쿨 플레이트(140)의 내부에는 냉각수 파이프가 내장될 수 있다. The cool plate 140 is disposed between the substrate clamping portions 120 and is made of a material capable of preventing the substrate S from being deformed by high temperature when a deposition material is deposited on the substrate S. For example, the cool plate 140 may be formed of a material such as titanium. Cooling water pipes may be embedded in the cool plate 140 .

마그넷 어셈블리(150)는 쿨 플레이트(140)와 이격되게 쿨 플레이트(140)의 상부에 배치될 수 있다. 마그넷 어셈블리(150)는 지지 플레이트(151) 및 복수의 자석(152)을 포함할 수 있다. 지지 플레이트(151)는 복수의 자석(152)이 장착되는 공간을 제공한다. 복수의 자석(152)은 지지 플레이트(151)의 하부에 배치되며, 자력을 이용하여 마스크(M)와 기판(S)을 밀착시킬 수 있다. 마스크(M)는 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 일정한 패턴을 가지는 박막을 형성하도록, 상기 일정한 패턴과 대응되는 패턴의 증착 개구들을 가진다. 또한, 마스크(M)의 중앙부에는 기판(S)의 처짐량을 측정하는 센서(SEN)가 배치될 수 있다.The magnet assembly 150 may be disposed above the cool plate 140 and spaced apart from the cool plate 140 . The magnet assembly 150 may include a support plate 151 and a plurality of magnets 152 . The support plate 151 provides a space in which the plurality of magnets 152 are mounted. The plurality of magnets 152 are disposed under the support plate 151 and may bring the mask M and the substrate S into close contact using magnetic force. The mask M has deposition openings of a pattern corresponding to the predetermined pattern so as to form a thin film having a predetermined pattern by depositing a deposition material on the substrate S. In addition, a sensor SEN for measuring the amount of deflection of the substrate S may be disposed at the center of the mask M.

한편, 쿨 플레이트(140)의 측부에는 연결 블록(145)이 연결되고, 이러한 연결 블록(145)은 지지 플레이트(151)의 상부에 연결된다. 이 경우, 쿨 플레이트(140)가 승강 및 하강 이동할 때, 마그넷 어셈블리(150)가 함께 승강 및 하강 이동할 수 있다. 여기서, 마그넷 어셈블리(150)는 별도의 구동부에 의해 쿨 플레이트(140)의 승강 및 하강 이동과 독립적으로 승강 및 하강 이동을 할 수 있다. 예를 들어, 마스크(M)와 기판(S)을 밀착시키기 위해 복수의 자석(152)을 이용하여 자력을 발생시키는 경우, 복수의 자석(152)을 마스크(M)와 가까워지도록 하기 위해 마그넷 어셈블리(150)는 하강 이동할 수 있다. 이때, 복수의 자석(152)은 쿨 프레이트(140)와 접촉하지는 않는다. Meanwhile, a connection block 145 is connected to a side of the cool plate 140 , and the connection block 145 is connected to an upper portion of the support plate 151 . In this case, when the cool plate 140 moves up and down, the magnet assembly 150 can move up and down together. Here, the magnet assembly 150 can move up and down independently of the up and down movement of the cool plate 140 by a separate driving unit. For example, when generating magnetic force using a plurality of magnets 152 to bring the mask M and the substrate S into close contact, the magnet assembly to bring the plurality of magnets 152 closer to the mask M. (150) can move down. At this time, the plurality of magnets 152 do not contact the cool plate 140 .

쿨 플레이트 수직 이동부(160)는 마그넷 어셈블리(150)에 연결되게 마그넷 어셈블리(150)의 상부에 배치될 수 있다. 쿨 플레이트 수직 이동부(160)는 연결 블록(145)을 통해 지지 플레이트(151)와 연결된 쿨 플레이트(140)를 승강 및 하강 이동할 수 있도록 구성된다. 쿨 플레이트 수직 이동부(160)는 지지 플레이트(151)에 연결된 이동 블록(161)과, 이동 블록(161)에 연결되어 이동 블록(161)을 승강 및 하강 이동시키는 제3 구동축(162)을 포함할 수 있다. 제3 구동축(162)은 챔버(101)의 외부에 설치되는 제3 구동부(MT3)에 연결될 수 있다. 제3 구동부(MT3)는 모터 또는 실린더 등과 같이 제3 구동축(161)에 연결되어 제3 구동축(163)이 승강 및 하강 이동을 가능하게 하는 모든 장치를 포함할 수 있다.The cool plate vertical movement unit 160 may be disposed above the magnet assembly 150 to be connected to the magnet assembly 150 . The cool plate vertical movement unit 160 is configured to move the cool plate 140 connected to the support plate 151 through the connection block 145 up and down. The cool plate vertical moving unit 160 includes a moving block 161 connected to the support plate 151 and a third drive shaft 162 connected to the moving block 161 to move the moving block 161 up and down. can do. The third drive shaft 162 may be connected to the third drive unit MT3 installed outside the chamber 101 . The third drive unit MT3 may include any device connected to the third drive shaft 161 such as a motor or cylinder to allow the third drive shaft 163 to move up and down.

쿨 플레이트 수평 이동부(170)는 챔버(101)의 외부에 배치될 수 있다. 쿨 플레이트 수평 이동부(170)는 연결 블록(145)을 통해 지지 플레이트(151)와 연결된 쿨 플레이트(140)를 수평 이동시키도록 구성된다. 쿨 플레이트 수평 이동부(170)는 이동 플레이트(171), 제1 수평 구동부(172), 제2 수평 구동부(173)를 포함할 수 있다. The cool plate horizontal moving unit 170 may be disposed outside the chamber 101 . The cool plate horizontal movement unit 170 is configured to horizontally move the cool plate 140 connected to the support plate 151 through the connection block 145 . The cool plate horizontal moving unit 170 may include a moving plate 171 , a first horizontal driving unit 172 , and a second horizontal driving unit 173 .

이동 플레이트(171)는 제3 구동축(162)이 관통되게 구성되며, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이동 가능하다. 제1 수평 구동부(172)는 이동 플레이트(171)를 제1 방향(X)으로 이동시키기 위한 것으로, 구동축과 구동축에 연결된 모터 또는 실린더를 포함하여 구성될 수 있다. 제2 수평 구동부(173)는 이동 플레이트(171)를 제2 방향(Y)으로 이동시키기 위한 것으로, 구동축과 구동축에 연결된 모터 또는 실린더를 포함하여 구성될 수 있다.The moving plate 171 is configured to pass through the third driving shaft 162 and is movable in the first direction (X) and the second direction (Y). The first horizontal driving unit 172 is for moving the moving plate 171 in the first direction (X), and may include a driving shaft and a motor or cylinder connected to the driving shaft. The second horizontal driving unit 173 is for moving the moving plate 171 in the second direction (Y), and may include a driving shaft and a motor or cylinder connected to the driving shaft.

비젼 카메라(180)는 이동 플레이트(171)의 상부에 배치될 수 있다. 비젼 카메라(180)는 기판(S)과 마스크(M)의 정렬이 정확하게 이루어지는 것을 확인하기 위해 기판(S)과 마스크(M)의 얼라인 마크를 촬영하도록 구성된다. 한편, 비젼 카메라(180)가 기판(S)과 마스크(M)의 얼라인 마크를 확인하도록, 이동 플레이트(171)에는 노출홀이 형성될 수 있으며 챔버(101)에는 투명창이 배치될 수 있다.The vision camera 180 may be disposed on top of the moving plate 171 . The vision camera 180 is configured to photograph an alignment mark of the substrate S and the mask M in order to confirm that the substrate S and the mask M are accurately aligned. Meanwhile, an exposure hole may be formed in the moving plate 171 and a transparent window may be disposed in the chamber 101 so that the vision camera 180 checks an alignment mark between the substrate S and the mask M.

마스크 스테이지(MS)는 복수의 기판 홀더부(110)의 하부에 배치될 수 있다. 마스크 스테이지(MS) 마스크(M)에 형성된 증착 개구 패턴을 가지리 않도록 마스크(M)의 테두리 영역을 지지할 수 있다. 마스크 스테이지(MS)는 제4 구동축(MSA)의 구동에 의해 선택적으로 승강 및 하강 이동할 수 있다. 제4 구동축(MSA)은 챔버(101)의 외부에 설치되는 제4 구동부(MT4)에 연결될 수 있다. 제4 구동부(MT4)는 모터 또는 실린더 등과 같이 제4 구동축(MSA)에 연결되어 제4 구동축(MSA)이 승강 및 하강 이동을 가능하게 하는 모든 장치를 포함할 수 있다.The mask stage MS may be disposed under the plurality of substrate holder units 110 . The mask stage MS may support an edge region of the mask M so as not to have a deposition opening pattern formed on the mask M. The mask stage MS may be selectively moved up and down by driving the fourth drive shaft MSA. The fourth drive shaft MSA may be connected to the fourth drive unit MT4 installed outside the chamber 101 . The fourth drive unit MT4 may include any device connected to the fourth drive shaft MSA such as a motor or a cylinder to allow the fourth drive shaft MSA to move up and down.

증착원(190)은 마스크 스테이지(MS)의 하부에 배치될 수 있다. 증착원(190)은 증착 물질을 내부에 저장하고, 증착 물질을 가열하여 기판(S) 측으로 분사하도록 구성될 수 있다. The deposition source 190 may be disposed below the mask stage MS. The deposition source 190 may store a deposition material therein, heat the deposition material, and spray the deposition material toward the substrate S.

한편, 상기 구성들의 동작은 도시되지 않은 제어부에 의해 제어될 수 있으며, 상기 제어부는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다.Meanwhile, operations of the components may be controlled by a control unit (not shown), and the control unit may be implemented in a computer or similar device using hardware, software, or a combination thereof.

상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(100)는 인장 블록(131)과 푸쉬 봉(132)을 포함하는 기판 인장부(130)를 통해 복잡한 인장 장치를 사용하지 않고 간단한 장치로 기판(S)을 인장시켜 기판(S)이 처지는 것을 최소화시킬 수 있다. As described above, the deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention uses a substrate tensioning unit 130 including a tensioning block 131 and a push rod 132, and is a simple device without using a complicated tensioning device. It is possible to minimize sagging of the substrate (S) by tensioning (S).

이에 따라, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 과정에서 오차가 발생되는 것을 줄일 수 있으며, 따라서 기판(S)와 마스크(M)의 정렬 오차에 의해 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.Accordingly, it is possible to reduce the occurrence of errors in the process of aligning the substrate S and the mask M. Accordingly, the deposition material is deposited on the substrate S due to the alignment error between the substrate S and the mask M. Distortion in the pattern of the thin film to be formed can be reduced.

이하에서는, 도 1의 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, a deposition method using the deposition apparatus 100 of FIG. 1 will be described.

도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용한 증착 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.7 to 9 are cross-sectional views illustrating a deposition method using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 1을 참조하면, 챔버(101)의 내부 공간에 기판(S)을 인입시키고 복수의 기판 홀더부(110)의 복수의 기판 지지부(112) 상에 안착시킨다. 이때, 기판(S)의 양단부가 복수의 기판 지지부(112)에 의해 지지될 수 있으며, 기판(S)이 처진 상태일 수 있다. 또한, 마스크 스테이지(MS) 상에는 마스크(M)가 배치된 상태일 수 있다. First, referring to FIG. 1 , a substrate S is introduced into the inner space of the chamber 101 and placed on the plurality of substrate support parts 112 of the plurality of substrate holder parts 110 . At this time, both ends of the substrate S may be supported by a plurality of substrate supporters 112, and the substrate S may be in a drooping state. Also, the mask M may be disposed on the mask stage MS.

이어서, 도 1 및 도 7을 참조하면, 각 기판 클램핑부(120)의 클램핑 블록(124)과 각 기판 인장부(130)의 푸쉬 봉(132)을 하강 이동시켜 인장 블록(131)이 기판(S)을 클램핑한다. 기판 클램핑부(120)의 클램핑 블록(124)과 각 기판 인장부(130)의 푸쉬 봉(132)을 하강 이동시키는 동작은 앞에서 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략한다. Next, referring to FIGS. 1 and 7 , the clamping block 124 of each substrate clamping unit 120 and the push bar 132 of each substrate tensioning unit 130 are moved downward so that the tension block 131 is placed on the substrate ( S) clamp. Since the operation of lowering the clamping block 124 of the substrate clamping unit 120 and the push bar 132 of each substrate tensioning unit 130 has been described above, duplicate descriptions will be omitted.

이어서, 도 1 및 도 8을 참조하면, 기판(S)에 가해지는 클램핑 블록(124)의 가압을 유지한 상태에서 각 기판 인장부(130)의 인장 블록(131)을 서로 멀어지는 방향으로 수평 이동시킨다. 그럼 복수의 기판 지지부(112) 상에 처진 상태로 안착된 기판(S)이 인장되어, 도 9에 도시된 바와 같이 평평한 상태가 될 수 있다. 여기서, 기판(S)의 인장은 마스크(M)에 장착된 센서(SEN)를 통해 측정된 기판(S)의 처짐량을 고려하여 제어될 수 있다. 각 기판 인장부(130)의 인장 블록(131)이 서로 멀어지는 방향으로 수평 이동되는 동작은 앞에서 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략한다.Subsequently, referring to FIGS. 1 and 8, the tension block 131 of each substrate tension unit 130 is horizontally moved in a direction away from each other while maintaining the pressure of the clamping block 124 applied to the substrate S let it Then, the substrate S seated on the plurality of substrate supporters 112 in a drooping state may be tensioned and become flat as shown in FIG. 9 . Here, the tension of the substrate S may be controlled in consideration of the amount of deflection of the substrate S measured through the sensor SEN mounted on the mask M. Since the operation of horizontally moving the tension blocks 131 of each substrate tension unit 130 in a direction away from each other has been described above, redundant description will be omitted.

이어서, 도 1을 참조하면, 복수의 기판 홀더부(110)를 하강시켜 마스크(M)와 가깝게 배치시킨 상태에서 기판(S)과 마스크(M)를 정렬한다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬은 비젼 카메라(180)에 의해 촬영된 정보, 예를 들어 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 마크들을 확인한 후, 기판 클램핑부(120)를 수평 방향으로 조정함으로써 이루어질 수 있다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬은 기판(S)이 평평한 상태에서 이루어져 정밀하게 수행될 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 1 , the substrate S and the mask M are aligned in a state in which the plurality of substrate holder parts 110 are lowered and placed close to the mask M. The alignment of the substrate (S) and the mask (M) is confirmed by the information photographed by the vision camera 180, for example, the alignment marks of the substrate (S) and the mask (M), and then the substrate clamping unit 120 is horizontally This can be done by adjusting the direction. Alignment of the substrate S and the mask M can be precisely performed when the substrate S is flat.

이어서, 도 1을 참조하면, 쿨 플레이트(140)를 하강시켜 기판(S)과 밀착시키고, 기판 클램핑부(120)와 기판 인장부(130)의 일부 구성(즉, 기판(S)의 상부에 배치된 구성)을 승강시킨다.Next, referring to FIG. 1 , the cool plate 140 is lowered to bring it into close contact with the substrate S, and some components of the substrate clamping portion 120 and the substrate tensioning portion 130 (that is, on top of the substrate S) placed component) is raised and lowered.

이어서, 도 1을 참조하면, 복수의 기판 홀더부(110)를 하강시켜 기판(S)과 마스크(M)를 접촉시키고, 마그넷 어셈블리(150)를 하강시켜 기판(S)과 마스크(M)를 밀착시킨다. Next, referring to FIG. 1 , the plurality of substrate holder parts 110 are lowered to bring the substrate S and the mask M into contact, and the magnet assembly 150 is lowered to separate the substrate S and the mask M. close up

이어서, 도 1을 참조하면, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬을 확인한다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 확인은 비젼 카메라(180)에 의해 촬영된 정보, 예를 들어 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 마크들을 확인함으로써 이루어질 수 있다. 이 때, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬에 오차가 발생됨을 확인하면, 기판 클램핑부(120)를 수평 방향으로 조정하여 기판(S)과 마스크(M)의 정렬을 보정한다. Subsequently, referring to FIG. 1 , the alignment of the substrate S and the mask M is checked. Checking the alignment of the substrate S and the mask M may be performed by checking information photographed by the vision camera 180, for example, alignment marks of the substrate S and the mask M. At this time, if it is confirmed that an error occurs in the alignment of the substrate S and the mask M, the substrate clamping unit 120 is adjusted horizontally to correct the alignment of the substrate S and the mask M.

이어서, 도 1을 참조하면, 증착원(190)을 이용하여 기판(S) 측으로 증착 물질을 분사하여 증착시킴으로써 기판(S)에 박막을 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 1 , a thin film is formed on the substrate S by spraying and depositing a deposition material toward the substrate S using the deposition source 190 .

이어서, 도 1을 참조하면, 기판 클램핑부(120)를 하강 이동시키고, 기판 홀더부(110)를 승강 이동시키고, 쿨 플레이트(140)를 승강 이동 시킨 후, 기판(S)을 챔버(101)의 외부로 배출시킨다. Next, referring to FIG. 1 , after the substrate clamping unit 120 is moved down, the substrate holder unit 110 is moved up and down, and the cool plate 140 is moved up and down, the substrate S is placed in the chamber 101. discharged to the outside of

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용한 증착 방법에 의해 형성되는 표시 장치의 단면도이다. 표시 장치로서는 발광 표시 장치가 예시된다. 10 is a cross-sectional view of a display device formed by a deposition method using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. As the display device, a light emitting display device is exemplified.

도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 의해 형성되는 발광 표시 장치는 기판(5), 제1 전극(10), 화소 정의막(20), 정공 주입층(30), 정공 수송층(40), 발광층(50), 전자 수송층(60), 전자 주입층(70) 및 제2 전극(80)을 포함한다. Referring to FIG. 10 , a light emitting display formed by a deposition method using a deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 5, a first electrode 10, a pixel defining layer 20, It includes a hole injection layer 30 , a hole transport layer 40 , a light emitting layer 50 , an electron transport layer 60 , an electron injection layer 70 and a second electrode 80 .

기판(5)은 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 의해 도 1의 기판(S)에 형성된 복수의 단위 발광 표시 장치 중 하나의 발광 표시 장치용 기판일 수 있다. 기판(5)은 투명한 절연성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(5)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다. 기판(5)은 평탄한 판상일 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면 기판(5)은 외력에 의하여 용이하게 구부러질 수 있는 재질로 형성될 수도 있다. 기판(5)은 기판(5) 상에 배치된 타 구성들을 지지할 수 있다. 도시되진 않았지만, 기판(5)은 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 복수의 박막 트랜지스터 중 적어도 일부의 드레인 전극은 제1 전극(10)과 전기적으로 연결될 수 있다.The substrate 5 may be a substrate for one light emitting display device among a plurality of unit light emitting display devices formed on the substrate S of FIG. 1 by a deposition method using the deposition apparatus 100 . The substrate 5 may be formed of a transparent insulating material. For example, the substrate 5 may be formed of glass, quartz, ceramic, plastic, or the like. The substrate 5 may have a flat plate shape. According to some embodiments, the substrate 5 may be formed of a material that can be easily bent by an external force. The substrate 5 may support other components disposed on the substrate 5 . Although not shown, the substrate 5 may include a plurality of thin film transistors. Drain electrodes of at least some of the plurality of thin film transistors may be electrically connected to the first electrode 10 .

제1 전극(10)은 기판(5) 상에 각 화소 별로 배치될 수 있다. 제1 전극(10)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 인가된 신호를 받아 발광층(50)으로 정공을 제공하는 애노드 전극 또는 전자를 제공하는 캐소드 전극일 수 있다.The first electrode 10 may be disposed on the substrate 5 for each pixel. The first electrode 10 may be an anode electrode that receives a signal applied to the drain electrode of the thin film transistor and provides holes to the light emitting layer 50 or a cathode electrode that provides electrons.

제1 전극(10)은 투명 전극, 반사 전극 또는 반투과 전극으로 사용될 수 있다. 제1 전극(10)이 투명 전극으로 사용될 때는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 또는 In2O3로 형성될 수 있다. 제1 전극(10)이 반사 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(10)이 반투과 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 얇은 두께로 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(10)은 포토리소그래피 방법을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.The first electrode 10 may be used as a transparent electrode, a reflective electrode, or a transflective electrode. When the first electrode 10 is used as a transparent electrode, it may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or In 2 O 3 . When the first electrode 10 is used as a reflective electrode, a reflective film is formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and their compounds, and then ITO, IZO, and ZnO are formed thereon. or In 2 O 3 It can be configured by forming. When the first electrode 10 is used as a transflective electrode, a thin reflective film is formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and their compounds, and then ITO is formed thereon. , IZO, ZnO or In 2 O 3 It can be configured by forming. The first electrode 10 may be formed through a photolithography method, but is not limited thereto.

화소 정의막(20)은 제1 전극(10)을 노출하는 개구부(21)를 가지도록 기판(5) 상에 배치되며, 기판(5) 상에 각 화소를 구획한다. 화소 정의막(20)은 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(20)은 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아미드(polyamide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또 다른 예로, 화소 정의막(20)은 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(20)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The pixel defining layer 20 is disposed on the substrate 5 to have an opening 21 exposing the first electrode 10 and divides each pixel on the substrate 5 . The pixel defining layer 20 may be made of an insulating material. For example, the pixel defining layer 20 may include at least one organic material selected from benzocyclobutene (BCB), polyimide (PI), polyamide (PA), acrylic resin, and phenol resin. can be made including As another example, the pixel defining layer 20 may include an inorganic material such as silicon nitride. The pixel defining layer 20 may be formed through a photolithography process, but is not limited thereto.

정공 주입층(30)은 화소 정의막(20)의 개구부(21)를 통해 노출되는 제1 전극(10) 상에 형성되되, 화소 정의막(20)을 모두 덮도록 형성될 수도 있다. 정공 주입층(30)은 제1 전극(10)과 정공 수송층(40) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제1 전극(10)으로부터 제공되는 정공이 정공 수송층(40)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 정공 주입층(30)은 유기 화합물, 예를 들어 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene)/polystyrene sulfonate) 등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 이러한 정공 주입층(30)은 도 1의 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. The hole injection layer 30 may be formed on the first electrode 10 exposed through the opening 21 of the pixel defining layer 20 to cover the entirety of the pixel defining layer 20 . The hole injection layer 30 serves as a buffer layer that lowers the energy barrier between the first electrode 10 and the hole transport layer 40, and allows holes provided from the first electrode 10 to be easily injected into the hole transport layer 40. do The hole injection layer 30 is an organic compound such as MTDATA (4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc (copper phthalocyanine) or PEDOT/PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiphene) / polystyrene sulfonate), etc., but is not limited thereto, etc. Such a hole injection layer 30 may be formed by a deposition method using the deposition apparatus 100 of FIG.

정공 수송층(40)은 정공 주입층(30) 상에 형성된다. 정공 수송층(40)은 정공 주입층(30)을 통해 제공받는 정공을 발광층(50)으로 전달하는 역할을 한다. 이러한 정공 수송층(40)은 유기 화합물, 예를 들어 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 이러한 정공 수송층(40)은 도 1의 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.The hole transport layer 40 is formed on the hole injection layer 30 . The hole transport layer 40 serves to transfer holes provided through the hole injection layer 30 to the light emitting layer 50 . The hole transport layer 40 is an organic compound, for example, TPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) or NPB (N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), etc., but is not limited thereto. The hole transport layer 40 may be formed by a deposition method using the deposition apparatus 100 of FIG. 1 .

발광층(50)은 정공 수송층(40) 상에 형성된다. 발광층(50)은 제1 전극(10)에서 제공되는 정공과 제2 전극(80)에서 제공되는 전자를 재결합시켜 광을 방출한다. 보다 상세히 설명하면, 발광층(50)에 정공 및 전자가 제공되면 정공 및 전자가 결합하여 엑시톤을 형성하고, 이러한 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 변화면서 광을 방출시킨다. 이러한 발광층(50)은 도 1의 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 발광층(50)은 적색을 방출하는 적색 발광층, 녹색을 방출하는 녹색 발광층, 및 청색을 방출하는 청색 발광층을 포함할 수 있다.The light emitting layer 50 is formed on the hole transport layer 40 . The light emitting layer 50 emits light by recombination of holes provided from the first electrode 10 and electrons provided from the second electrode 80 . More specifically, when holes and electrons are provided to the light emitting layer 50, the holes and electrons combine to form excitons, and these excitons emit light while changing from an excited state to a ground state. The light emitting layer 50 may be formed by a deposition method using the deposition apparatus 100 of FIG. 1 . The light emitting layer 50 may include a red light emitting layer that emits red light, a green light emitting layer that emits green light, and a blue light emitting layer that emits blue light.

상기 적색 발광층은 하나의 적색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 적색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 적색 발광층의 호스트의 예로는 Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium), CBP(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl), PVK(ploy(n-vinylcarbazole)), ADN(9,10-Di(naphthyl-2-yl)anthracene), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene), DSA(distyrylarylene) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 적색 도펀트로서, PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac)등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The red light emitting layer may include one red light emitting material or may include a host and a red dopant. Examples of the host of the red light emitting layer include Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum), CBP (4,4'-N, N'-dicarbazol-biphenyl), PVK (ploy (n-vinylcarbazole)), ADN (9 ,10-Di(naphthyl-2-yl)anthracene), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth -2-yl) anthracene), DSA (distyrylarylene), etc. may be used, but are not limited thereto. Also, as the red dopant, PtOEP, Ir(piq) 3 , Btp 2 Ir(acac), etc. may be used, but is not limited thereto.

상기 녹색 발광층은 하나의 녹색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 녹색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 녹색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The green light-emitting layer may include one green light-emitting material or may include a host and a green dopant. A host of the red light emitting layer may be used as a host of the green light emitting layer. And, as the green dopant, Ir(ppy) 3 , Ir(ppy) 2 (acac), Ir(mpyp) 3 , etc. may be used, but is not limited thereto.

상기 청색 발광층은 하나의 청색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 청색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 청색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis(4-di-p- tolylaminostyryl) biphenyl), TBPe(2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The blue light emitting layer may include one blue light emitting material or may include a host and a blue dopant. A host of the red light emitting layer may be used as a host of the blue light emitting layer. And, as the blue dopant, F 2 Irpic, (F 2 ppy) 2 Ir(tmd), Ir(dfppz) 3 , ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis(4-di-p-tolylaminostyryl) biphenyl ), TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene), etc. may be used, but is not limited thereto.

전자 수송층(60)은 발광층(50) 상에 형성되며, 제2 전극(80)에서 제공받은 전자를 발광층(50)으로 전달하는 역할을 한다. 이러한 전자 수송층(60)은 유기 화합물, 예를 들어 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BAlq(aluminum(III)bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)4-phenylphenolate), Alq3(Tris(8-quinolinolato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene) 등의 재료를 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 전자 수송층(60)은 도 1의 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.The electron transport layer 60 is formed on the light emitting layer 50 and serves to transfer electrons provided from the second electrode 80 to the light emitting layer 50 . The electron transport layer 60 is an organic compound such as Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BAlq (aluminum (III) bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) 4-phenylphenolate), Materials such as Alq 3 (Tris(8-quinolinolato)aluminum), Bebq 2 (berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), TPBI (1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene) can be used. The electron transport layer 60 may be formed by a deposition method using the deposition apparatus 100 of FIG. 1 .

전자 주입층(70)은 전자 수송층(60) 상에 형성되며, 전자 수송층(60)과 제2 전극(80) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제2 전극(80)로부터 제공되는 전자가 전자 수송층(60)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 이러한 전자 주입층(70)은 예를 들어, LiF 또는 CsF 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 전자 수송층(70)은 도 1의 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.The electron injection layer 70 is formed on the electron transport layer 60 and is a buffer layer that lowers the energy barrier between the electron transport layer 60 and the second electrode 80, and electrons supplied from the second electrode 80 are transferred to the electron transport layer. (60) serves to facilitate injection. The electron injection layer 70 may be formed of, for example, LiF or CsF, but is not limited thereto. The electron transport layer 70 may be formed by a deposition method using the deposition apparatus 100 of FIG. 1 .

제2 전극(80)은 전자 주입층(70)의 상부에 배치될 수 있다. 제2 전극(80)은 제1 전극(10)과 동일한 재질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 제2 전극(80)은 도 1의 증착 장치(100)를 이용한 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 제2 전극(80)은 발광 표시 장치에 포함된 복수의 화소들에 배치되는 공통 전극일 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 제2 전극(80)은 전자 주입층(70)의 상부 및 화소 정의막(20)의 상부 전면에 배치될 수도 있다. 제1 전극(10)과 제2 전극(80) 사이에 흐르는 전류에 따라 발광층(50)의 발광이 제어될 수 있다.The second electrode 80 may be disposed on the electron injection layer 70 . The second electrode 80 may be formed of the same material as the first electrode 10, but is not necessarily limited thereto. The second electrode 80 may be formed by a deposition method using the deposition apparatus 100 of FIG. 1 . According to some embodiments, the second electrode 80 may be a common electrode disposed in a plurality of pixels included in the light emitting display device. According to some embodiments, the second electrode 80 may be disposed on the entire upper surface of the electron injection layer 70 and the pixel defining layer 20 . Light emission of the light emitting layer 50 may be controlled according to a current flowing between the first electrode 10 and the second electrode 80 .

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치 중 기판 홀더부, 기판 클램핑부 및 기판 인장부의 확대 단면도이다.11 is an enlarged cross-sectional view of a substrate holder part, a substrate clamping part, and a substrate extension part of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는 도 1의 증착 장치(100)와 비교하여 복수의 기판 인장부(230)만 다르고, 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치에서는 복수의 기판 인장부(230)에 대해서만 설명한다. Referring to FIG. 11 , a deposition apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention has the same configuration as the deposition apparatus 100 of FIG. 1 except for the plurality of substrate extension parts 230 . Accordingly, in the deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, only the plurality of substrate extension parts 230 will be described.

각 기판 인장부(230)는 인장 블록(131), 푸쉬 봉(132), 제1 가이드부(133), 미끌림 방지 패드(134) 및 미끌림 패드(235)를 포함할 수 있다.Each substrate tension unit 230 may include a tension block 131 , a push bar 132 , a first guide unit 133 , an anti-slip pad 134 and a slip pad 235 .

인장 블록(131), 푸쉬 봉(132), 제1 가이드부(133), 미끌림 방지 패드(134)는 도 1의 기판 인장부(130)에서 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략한다.Since the tensile block 131, the push bar 132, the first guide part 133, and the anti-slip pad 134 have been described in the substrate tension part 130 of FIG. 1, duplicate descriptions will be omitted.

미끌림 패드(235)는 기판 지지부(112)의 바닥부 상에 배치될 수 있다. 미끌림 패드(235)는 인장 블록(131)을 미끌리게 하여, 푸쉬 봉(132)의 작동에 의해 인장 블록(131)이 기판(S)으 외측 방향으로 수평 이동하도록 가이드한다. 미끌림 패드(235)는 테프론과 같은 재질로 형성될 수 있다. The slip pad 235 may be disposed on the bottom of the substrate support 112 . The sliding pad 235 slides the tensile block 131 and guides the tensile block 131 to horizontally move the substrate S in an outward direction by the operation of the push bar 132 . The sliding pad 235 may be formed of a material such as Teflon.

이와 같이 구성되는 기판 인장부(230)는 간단한 미끌림 패드(235)를 이용해 복잡한 인장 장치 없이 기판(S)을 인장시켜 기판(S)이 처지는 것을 최소화시킬 수 있다.The substrate tensioning unit 230 configured as described above can minimize sagging of the substrate S by tensioning the substrate S without a complicated tensioning device using a simple sliding pad 235 .

이에 따라, 기판(S)과 마스크(도 1의 M)의 정렬 과정에서 오차가 발생되는 것을 줄일 수 있으며, 따라서 기판(S)와 마스크(도 1의 M)의 정렬 오차에 의해 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.Accordingly, it is possible to reduce the occurrence of errors in the process of aligning the substrate S and the mask (M in FIG. 1 ), and thus the substrate S due to the alignment error between the substrate S and the mask (M in FIG. 1 ). Distortion in the pattern of a thin film formed by depositing a deposition material on the surface can be reduced.

도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치 중 기판 홀더부, 기판 클램핑부 및 기판 인장부의 확대 단면도이다.12 is an enlarged cross-sectional view of a substrate holder part, a substrate clamping part, and a substrate extension part of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치는 도 1의 증착 장치(100)와 비교하여 복수의 기판 홀더부(310)와 복수의 기판 인장부(330)만 다르고, 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치에서는 복수의 기판 홀더부(310)와 복수의 기판 인장부(330)에 대해서만 설명한다. Referring to FIG. 12, the deposition apparatus according to another embodiment of the present invention is different from the deposition apparatus 100 of FIG. have a configuration Accordingly, in the deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, only the plurality of substrate holders 310 and the plurality of substrate extensions 330 will be described.

각 기판 홀더부(310)는 제1 구동축(도 1의 111)과 기판 지지부(312)를 포함하며, 도 2의 각 기판 홀더부(110)와 유사하다. 다만, 기판 지지부(312)가 인장 블록(331)과, 제1 가이드부(333)가 설치되는 공간을 제공하는 삽입홈(312a)을 포함한다. Each substrate holder unit 310 includes a first drive shaft (111 in FIG. 1 ) and a substrate support unit 312 , and is similar to each substrate holder unit 110 in FIG. 2 . However, the substrate support part 312 includes the insertion groove 312a providing a space in which the tensile block 331 and the first guide part 333 are installed.

각 기판 인장부(330)는 인장 블록(331), 푸쉬 봉(332), 제1 가이드부(333), 미끌림 방지 패드(334) 및 미끌림 패드(335)를 포함할 수 있다.Each substrate tension unit 330 may include a tension block 331 , a push rod 332 , a first guide unit 333 , an anti-slip pad 334 and a slip pad 335 .

인장 블록(331)은 기판 지지부(312)의 삽입홈(312a) 내부에 배치될 수 있다. 인장 블록(331)은 후술하는 푸쉬 봉(332)의 하강 이동에 의해 수평 이동할 수 있다. 인장 블록(331)은 대략 직육면체 형상을 가지나, 이러한 형상으로 한정하는 것은 아니다.The tensile block 331 may be disposed inside the insertion groove 312a of the substrate support 312 . The tensile block 331 may move horizontally by the downward movement of the push bar 332 described later. The tensile block 331 has a substantially rectangular parallelepiped shape, but is not limited to this shape.

푸쉬 봉(332)은 승강 및 하강 이동이 가능하도록 인장 블록(331)의 내부에 배치될 수 있다. 푸쉬 봉(332)은 도 2의 푸쉬 봉(132)과 동일한 역할을 하므로, 중복된 설명은 생략한다. The push bar 332 may be disposed inside the tension block 331 so as to be able to move up and down. Since the push rod 332 plays the same role as the push rod 132 of FIG. 2, duplicate descriptions will be omitted.

제1 가이드부(333)는 인장 블록(331)과 클램핑 블록(124) 사이에 배치될 수 있다. 제1 가이드부(333)는 푸쉬 봉(332)의 작동에 의해 인장 블록(331)이 기판(S)의 외측 방향으로 수평 이동하도록 가이드한다. 제1 가이드부(333)는 인장 블록(331)의 상부에 배치되는 제1 가이드 레일(333a)과, 제1 가이드 레일(333a)의 상부에 배치되어 제1 가이드 레일(333a)을 따라 수평 이동할 수 있는 제1 가이드 블록(333b)를 포함할 수 있다.The first guide part 333 may be disposed between the tension block 331 and the clamping block 124 . The first guide part 333 guides the tensile block 331 to horizontally move outwardly of the substrate S by the operation of the push bar 332 . The first guide part 333 moves horizontally along the first guide rail 333a disposed above the tension block 331 and the first guide rail 333a disposed above the first guide rail 333a. It may include a first guide block (333b) that can be.

미끌림 방지 패드(334)는 제1 가이드 블록(333b)의 상부에 배치될 수 있다. 이러한 미끌림 방지 패드(334)는 제1 가이드 블록(333b)이 기판(S) 상에서 미끄러지는 것을 방지할 수 있다.The anti-slip pad 334 may be disposed above the first guide block 333b. The anti-slip pad 334 may prevent the first guide block 333b from slipping on the substrate S.

미끌림 패드(335)는 클램핑 블록(124)의 하부에 배치될 수 있다. 미끌림 패드(335)는 기판(S)을 미끌리게 하여 푸쉬 봉(333)의 작동에 의해 인장 블록(331)이 기판 지지부(312)의 측부 방향으로 수평 이동하도록 가이드한다. The sliding pad 335 may be disposed below the clamping block 124 . The sliding pad 335 slides the substrate S and guides the tensile block 331 to horizontally move in the lateral direction of the substrate support 312 by the operation of the push bar 333 .

이와 같이 구성되는 기판 인장부(330)는 간단한 미끌림 방지 패드(334)와 미끌림 패드(335)를 이용해 복잡한 인장 장치 없이 기판(S)을 인장시켜 기판(S)이 처지는 것을 최소화시킬 수 있다.The substrate tensioning unit 330 configured as described above can minimize sagging of the substrate S by tensioning the substrate S without a complicated tensioning device using the simple anti-slip pad 334 and the slip pad 335.

이에 따라, 기판(S)과 마스크(도 1의 M)의 정렬 과정에서 오차가 발생되는 것을 줄일 수 있으며, 따라서 기판(S)와 마스크(도 1의 M)의 정렬 오차에 의해 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.Accordingly, it is possible to reduce the occurrence of errors in the process of aligning the substrate S and the mask (M in FIG. 1 ), and thus the substrate S due to the alignment error between the substrate S and the mask (M in FIG. 1 ). Distortion in the pattern of a thin film formed by depositing a deposition material on the surface can be reduced.

도 13은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치의 개략적인 단면도이고, 도 14는 도 13의 정전척의 구체적인 구성을 보여주는 단면도이고, 도 15는 도 14의 제1 전극부의 평면도이고, 도 16은 도 14의 제2 전극부의 평면도이다.13 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 14 is a cross-sectional view showing a specific configuration of the electrostatic chuck of FIG. 13, FIG. 15 is a plan view of the first electrode part of FIG. 14, and FIG. is a plan view of the second electrode part of FIG. 14 .

도 13 내지 도 16을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치(400)는 챔버(401), 압력 조절 유닛(402), 복수의 기판 홀더부(410), 복수의 기판 클램핑부(420), 정전척(430), 정전척 수직 이동부(450), 정전척 수평 이동부(460), 비젼 카메라(470), 증착원(480) 및 마스크 스테이지(MS)를 포함할 수 있다.13 to 16, a deposition apparatus 400 according to another embodiment of the present invention includes a chamber 401, a pressure control unit 402, a plurality of substrate holders 410, and a plurality of substrate clamping units. 420, an electrostatic chuck 430, an electrostatic chuck vertical movement unit 450, an electrostatic chuck horizontal movement unit 460, a vision camera 470, a deposition source 480, and a mask stage MS. .

챔버(401)는 도 1의 챔버(101)와 동일하다. The chamber 401 is the same as the chamber 101 of FIG. 1 .

압력 조절 유닛(402)은 배관(403)과 펌프(404)를 포함하며, 도 1의 압력 조절 유닛(102)과 동일한 역할을 한다. The pressure control unit 402 includes a pipe 403 and a pump 404 and plays the same role as the pressure control unit 102 of FIG. 1 .

복수의 기판 홀더부(410)는 도 1의 복수의 기판 홀더부(110)와 동일하다. 즉, 각 기판 홀더부(410)는 제1 구동축(411)과 기판 지지부(412)를 포함한다. The plurality of substrate holder units 410 are the same as the plurality of substrate holder units 110 of FIG. 1 . That is, each substrate holder part 410 includes a first drive shaft 411 and a substrate support part 412 .

복수의 기판 클램핑부(420)는 도 2의 복수의 기판 클램핑부(120)와 유사하다. 다만, 각 기판 클램핑부(420)는 승강 및 하강 이동이 가능한 제2 구동축(421)과, 제2 구동축(421)에 연결되며 제2 구동축(421)의 하강 이동시 기판(S)을 가압하는 클램핑 블록(422)을 포함할 수 있다. The plurality of substrate clamping portions 420 are similar to the plurality of substrate clamping portions 120 of FIG. 2 . However, each substrate clamping unit 420 is connected to the second driving shaft 421 capable of lifting and lowering, and the second driving shaft 421, and is clamped to press the substrate S when the second driving shaft 421 moves downward. Block 422 may be included.

정전척(430)은 기판 클램핑부들(420) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 정전척(430)은 복수의 기판 홀더부(410)에 안착되는 기판(S)과 밀착되어 기판(S)이 처지는 것을 방지할 수 있으며, 기판(S)에 증착 물질을 증착시 고온에 의해 기판(S)이 변형되는 것을 방지하도록 구성된다. 이를 위해, 정전척(430)은 제1 절연층(431), 제1 전극부(432), 제2 절연층(433), 제2 전극부(434, 435), 제3 절연층(436), 유전체층(437), 엠보싱부(438) 및 냉각층(439)을 포함할 수 있다.The electrostatic chuck 430 may be disposed between the substrate clamping parts 420 . The electrostatic chuck 430 can prevent the substrate S from sagging by coming into close contact with the substrate S seated on the plurality of substrate holder units 410, and when depositing a deposition material on the substrate S, high temperature It is configured to prevent the substrate S from being deformed. To this end, the electrostatic chuck 430 includes a first insulating layer 431, a first electrode part 432, a second insulating layer 433, second electrode parts 434 and 435, and a third insulating layer 436. , a dielectric layer 437, an embossing portion 438 and a cooling layer 439 may be included.

제1 절연층(431)은 제1 전극부(432)가 배치될 수 있는 공간을 제공한다. 제1 절연층(431)은 절연 재질로 형성될 수 있다.The first insulating layer 431 provides a space in which the first electrode unit 432 can be disposed. The first insulating layer 431 may be formed of an insulating material.

제1 전극부(432)는 제1 절연층(431) 상에, 구체적으로 제1 절연층(431)의 하부에 배치될 수 있다. 이러한 제1 전극부(432)는 마스크(M)가 정전척(430)에 먼저 부착된 기판(S)에 밀착되기 위해 정전척(430)에 척킹될 수 있는 정전력을 제공하는 전압이 인가되게 한다. 제1 전극부(432)는 도 15에 도시된 바와 같이 상기 전압이 인가되는 경로를 제공하는 연결부(432a)와, 연결부(432a)로부터 분기된 복수의 가지부(432b)를 포함할 수 있다. 한편, 도 14에는, 제1 전극부(432)에 마이너스 전압(-)이 인가되는 것으로 도시되었으나, 플러스 전압(+)이 인가될 수도 있다.The first electrode part 432 may be disposed on the first insulating layer 431 , specifically, below the first insulating layer 431 . The first electrode part 432 is applied with a voltage that provides electrostatic power capable of being chucked to the electrostatic chuck 430 so that the mask M adheres to the substrate S first attached to the electrostatic chuck 430. do. As shown in FIG. 15 , the first electrode part 432 may include a connection part 432a providing a path through which the voltage is applied, and a plurality of branch parts 432b branched from the connection part 432a. Meanwhile, in FIG. 14 , it is shown that a negative voltage (−) is applied to the first electrode part 432, but a positive voltage (+) may also be applied.

제2 절연층(433)은 제1 전극부(432)를 덮으며, 제2 전극부(434)가 배치될 수 있는 공간을 제공한다. 제2 절연층(433)은 절연 재질로 형성될 수 있다.The second insulating layer 433 covers the first electrode part 432 and provides a space in which the second electrode part 434 can be disposed. The second insulating layer 433 may be formed of an insulating material.

제2 전극부(434, 435)는 제2 절연층(433) 상에, 구체적으로 제2 절연층(433)의 하부에 배치될 수 있다. 이러한 제2 전극부(434, 435)는 기판(S)이 정전척(430)에 척킹될 수 있는 정전력을 제공하는 전압이 인가되게 한다. 제2 전극부(434, 435)는 서로 다른 전압이 인가될 수 있도록 제1 전극(434)과 제2 전극(435)으로 구분될 수 있다. The second electrode parts 434 and 435 may be disposed on the second insulating layer 433 , specifically, below the second insulating layer 433 . These second electrode parts 434 and 435 allow the substrate S to be applied with a voltage providing electrostatic force capable of being chucked to the electrostatic chuck 430 . The second electrode units 434 and 435 may be divided into a first electrode 434 and a second electrode 435 so that different voltages may be applied thereto.

제1 전극(434)은 도 16에 도시된 바와 같이 제1 전압이 인가되는 경로를 제공하는 제1 연결부(434a)와, 제1 연결부(434a)로부터 동일한 방향으로 분기된 복수의 제1 가지부(434b)를 포함할 수 있다. 제2 전극(435)은 도 16에 도시된 바와 같이 제1 전압과 다른 제2 전압이 인가되는 경로를 제공하는 제2 연결부(435a)와, 제2 연결부(435a)로부터 동일한 방향으로 분기된 복수의 제2 가지부(435b)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 가지부(434b)와 제2 가지부(435b)는 일 방향을 따라 서로 교대 배치될 수 있다. 한편, 도 14에는, 제1 전극(434)에 마이너스 전압(-)이 인가되고 제2 전극(435)에 플러스 전압(+)이 인가되는 것으로 도시되었으나, 제1 전극(434)에 플러스 전압(+)이 인가되고 제2 전극(435)에 마이너스 전압(-)이 인가될 수도 있다.As shown in FIG. 16 , the first electrode 434 includes a first connection portion 434a providing a path to which a first voltage is applied and a plurality of first branch portions branched in the same direction from the first connection portion 434a. (434b). As shown in FIG. 16, the second electrode 435 includes a second connection portion 435a providing a path to which a second voltage different from the first voltage is applied, and a plurality of plural branches branched in the same direction from the second connection portion 435a. A second branch portion 435b of may be included. Here, the first branch portion 434b and the second branch portion 435b may be alternately disposed along one direction. Meanwhile, although it is shown in FIG. 14 that a negative voltage (-) is applied to the first electrode 434 and a positive voltage (+) is applied to the second electrode 435, a positive voltage ( +) may be applied and a negative voltage (−) may be applied to the second electrode 435 .

제3 절연층(436)은 제1 전극(434)과 제2 전극(435) 사이에 배치되어, 제1 제1 전극(434)과 제2 전극(435)을 서로 절연시킬 수 있다.The third insulating layer 436 may be disposed between the first electrode 434 and the second electrode 435 to insulate the first electrode 434 and the second electrode 435 from each other.

유전체층(437)은 제3 절연층(436) 상에, 구체적으로 제3 절연층(436)의 하부에 제1 제1 전극(434)과 제2 전극(435)을 덮도록 형성될 수 있다. 유전체층(437)은 Al2O3 등과 같은 재질로 형성될 수 있다. The dielectric layer 437 may be formed on the third insulating layer 436 , specifically, below the third insulating layer 436 to cover the first electrode 434 and the second electrode 435 . The dielectric layer 437 may be formed of a material such as Al 2 O 3 .

엠보싱부(438)는 유전체층(437) 상에, 구체적으로 유전체층(437)의 하부에서 가장자리부에 배치될 수 있다. 이러한 엠보싱부(438)는 정전척(430)에 마스크(M)가 척킹될 때 기판(S) 중 정전력이 다른 부분보다 상대적으로 작은 가장자리부를 눌러 기판(S)과 마스크(M)의 밀착 강도를 증가시킬 수 있다. The embossing portion 438 may be disposed on the dielectric layer 437 , specifically, at an edge portion at a lower portion of the dielectric layer 437 . When the mask M is chucked by the electrostatic chuck 430, the embossing portion 438 presses the edge portion of the substrate S where the electrostatic force is relatively smaller than other portions, thereby strengthening the adhesion between the substrate S and the mask M. can increase

냉각층(439)은 제1 절연층(431) 상에, 구체적으로 제1 절연층(431)의 상부에 배치된다. 이러한 냉각층(439)은 기판(S)에 증착 물질을 증착시 고온에 의해 기판(S)이 변형되는 것을 방지할 수 있는 재질로 형성된다. 예를 들어, 냉각층(439)은 티타늄 또는 세라믹(SiC, Al2O3, Si3N4, ZrO2)으로 형성될 수 있다. 냉각층(439)의 내부에는 냉각수 파이프(Pi)가 내장될 수 있다.The cooling layer 439 is disposed on the first insulating layer 431 , specifically, on top of the first insulating layer 431 . The cooling layer 439 is formed of a material capable of preventing the substrate S from being deformed by high temperature when the deposition material is deposited on the substrate S. For example, the cooling layer 439 may be formed of titanium or ceramic (SiC, Al 2 O3, Si 3 N 4 , ZrO 2 ). A cooling water pipe Pi may be embedded in the cooling layer 439 .

이와 같이 구성된는 정전척(430)은 기판(S)을 척킹하여 기판(S)이 처지는 것을 최소화시킴으로써, 기판(S)와 마스크(M)의 정렬 과정에서 오차가 발생되는 것을 줄일 수 있다. 이에 따라, 기판(S)와 마스크(M)의 정렬 오차에 의해 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.The electrostatic chuck 430 configured as described above can reduce the occurrence of an error in the process of aligning the substrate S and the mask M by minimizing sagging of the substrate S by chucking the substrate S. Accordingly, distortion in the pattern of the thin film formed by depositing the deposition material on the substrate S due to an alignment error between the substrate S and the mask M can be reduced.

정전척 수직 이동부(450)는 정전척(430)에 연결되게 정전척(430)의 상부에 배치될 수 있다. 정전척 수직 이동부(160)는 정전척(430)를 승강 및 하강 이동할 수 있도록 구성된다. 정전척 수직 이동부(450)는 정전척(430)에 연결된 이동 블록(451)과, 이동 블록(451)에 연결되어 이동 블록(451)을 승강 및 하강 이동시키는 제3 구동축(452)을 포함할 수 있다. 제3 구동축(452)은 챔버(401)의 외부에 설치되는 제3 구동부(MT3)에 연결될 수 있다. 제3 구동부(MT3)는 모터 또는 실린더 등과 같이 제3 구동축(452)에 연결되어 제3 구동축(452)이 승강 및 하강 이동을 가능하게 하는 모든 장치를 포함할 수 있다.The electrostatic chuck vertical movement unit 450 may be disposed above the electrostatic chuck 430 to be connected to the electrostatic chuck 430 . The electrostatic chuck vertical movement unit 160 is configured to move the electrostatic chuck 430 up and down. The electrostatic chuck vertical moving unit 450 includes a moving block 451 connected to the electrostatic chuck 430 and a third driving shaft 452 connected to the moving block 451 to move the moving block 451 up and down. can do. The third driving shaft 452 may be connected to the third driving unit MT3 installed outside the chamber 401 . The third drive unit MT3 may include any device connected to the third drive shaft 452 such as a motor or a cylinder to allow the third drive shaft 452 to move up and down.

정전척 수평 이동부(460)는 챔버(401)의 외부에 배치될 수 있다. 정전척 수평 이동부(460)는 정전척(430)을 수평 이동시킬 수 있도록 구성된다. 정전척 수평 이동부(460)는 이동 플레이트(461), 제1 수평 구동부(462), 제2 수평 구동부(463)를 포함할 수 있다. The electrostatic chuck horizontal moving unit 460 may be disposed outside the chamber 401 . The electrostatic chuck horizontal moving unit 460 is configured to horizontally move the electrostatic chuck 430 . The electrostatic chuck horizontal moving unit 460 may include a moving plate 461 , a first horizontal driving unit 462 , and a second horizontal driving unit 463 .

이동 플레이트(461)는 제3 구동축(452)이 관통되게 구성되며, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이동 가능하다. 제1 수평 구동부(462)는 이동 플레이트(461)를 제1 방향(X)으로 이동시키기 위한 것으로, 구동축과 구동축에 연결된 모터 또는 실린더를 포함하여 구성될 수 있다. 제2 수평 구동부(463)는 이동 플레이트(461)를 제2 방향(Y)으로 이동시키기 위한 것으로, 구동축과 구동축에 연결된 모터 또는 실린더를 포함하여 구성될 수 있다.The moving plate 461 is configured to pass through the third driving shaft 452 and is movable in the first direction (X) and the second direction (Y). The first horizontal driving unit 462 is for moving the moving plate 461 in the first direction (X), and may include a driving shaft and a motor or cylinder connected to the driving shaft. The second horizontal driving unit 463 is for moving the moving plate 461 in the second direction (Y), and may include a driving shaft and a motor or cylinder connected to the driving shaft.

비젼 카메라(470)는 이동 플레이트(461)의 상부에 배치될 수 있다. 이러한 비젼 카메라(470)는 도 1의 비젼 카메라(180)과 동일한 역할을 한다. The vision camera 470 may be disposed on top of the moving plate 461 . This vision camera 470 plays the same role as the vision camera 180 of FIG. 1 .

마스크 스테이지(MS)는 도 1에서 설명되었으므로 중복된 설명은 생략한다.Since the mask stage MS has been described with reference to FIG. 1 , redundant description will be omitted.

증착원(480)은 마스크 스테이지(MS)의 하부에 배치될 수 있다. 이러한 증착원(480)은 도 1의 증착원(190)과 동일한 역할을 한다.The deposition source 480 may be disposed under the mask stage MS. The evaporation source 480 plays the same role as the evaporation source 190 of FIG. 1 .

상기와 같은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치(400)는 마그넷 어셈블리와 같은 복잡한 장치를 사용하지 않고 간단하게 냉각부(439)를 포함하는 정전척(430)에 기판(S)을 척킹시켜 기판(S)이 처지는 것을 최소화시킬 수 있다. As described above, the deposition apparatus 400 according to another embodiment of the present invention simply chucks the substrate S onto the electrostatic chuck 430 including the cooling unit 439 without using a complicated device such as a magnet assembly. Thus, sagging of the substrate S can be minimized.

이에 따라, 기판(S)와 마스크(M)의 정렬 과정에서 오차가 발생되는 것을 줄일 수 있으며, 따라서 기판(S)와 마스크(M)의 정렬 오차에 의해 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.Accordingly, it is possible to reduce the occurrence of errors in the process of aligning the substrate S and the mask M. Accordingly, the deposition material is deposited on the substrate S due to the alignment error between the substrate S and the mask M. Distortion in the pattern of the thin film to be formed can be reduced.

이하에서는, 도 13의 증착 장치(400)를 이용한 증착 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a deposition method using the deposition apparatus 400 of FIG. 13 will be described.

도 17 및 도 18은 도 13의 증착 장치를 이용한 증착 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.17 and 18 are cross-sectional views illustrating a deposition method using the deposition apparatus of FIG. 13 .

먼저, 도 13을 참조하면, 챔버(401)의 내부 공간에 기판(S)을 인입시키고 복수의 기판 홀더부(410)의 복수의 기판 지지부(412) 상에 안착시킨다. 이때, 기판(S)의 양단부가 복수의 기판 지지부(412)에 의해 지지될 수 있으며, 기판(S)이 처진 상태일 수 있다. 또한, 마스크 스테이지(MS) 상에는 마스크(M)가 배치된 상태일 수 있다. First, referring to FIG. 13 , a substrate S is introduced into the inner space of the chamber 401 and placed on the plurality of substrate support parts 412 of the plurality of substrate holder parts 410 . At this time, both ends of the substrate S may be supported by a plurality of substrate supporters 412 and the substrate S may be in a drooping state. Also, the mask M may be disposed on the mask stage MS.

이어서, 복수의 기판 홀더부(410)를 하강 이동시켜 기판(S)이 마스크(M)와 가깝도록 위치시킨다. Subsequently, the plurality of substrate holders 410 are moved downward to position the substrate S close to the mask M.

이어서, 정전척(430)을 하강시키고, 도 17에 도시된 바와 같이 정전력을 이용하여 정전척(430)에 기판(S)을 척킹시킨다. 이에 따라, 복수의 기판 홀더부(410) 상에 지지되는 기판(S)이 평평해질 수 있다. 정전척(430)에 기판(S)을 척킹시키기 위한 정전력은 제2 전극부(434, 435)의 제1 전극(434)과 제2 전극(435)에 서로 다른 전압을 인가함으로써 형성될 수 있다. Subsequently, the electrostatic chuck 430 is lowered, and the substrate S is chucked to the electrostatic chuck 430 using electrostatic force as shown in FIG. 17 . Accordingly, the substrate S supported on the plurality of substrate holder units 410 may be flattened. Electrostatic force for chucking the substrate S to the electrostatic chuck 430 may be generated by applying different voltages to the first electrode 434 and the second electrode 435 of the second electrode units 434 and 435 . there is.

이어서, 도 13을 참조하면, 기판(S)을 마스크(M)와 가깝게 배치시킨 상태에서 기판(S)과 마스크(M)를 정렬한다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬은 비젼 카메라(470)에 의해 촬영된 정보, 예를 들어 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 마크들을 확인한 후, 정전척(430)을 수평 방향으로 조정함으로써 이루어질 수 있다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬은 기판(S)이 평평한 상태에서 이루어져 정밀하게 수행될 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 13 , the substrate S and the mask M are aligned in a state in which the substrate S is placed close to the mask M. The alignment of the substrate (S) and the mask (M) is determined by checking the information photographed by the vision camera 470, for example, the alignment marks of the substrate (S) and the mask (M), and then moving the electrostatic chuck 430 in the horizontal direction. This can be done by adjusting Alignment of the substrate S and the mask M can be precisely performed when the substrate S is flat.

이어서, 도 18을 참조하면, 정전력을 이용하여 정전척(430)에 마스크(M)을 척킹시켜 기판(S)과 마스크(M)를 밀착시킨다. 정전척(430)에 마스크(M)을 척킹시키기 위한 정전력은 제1 전극부(432)에 정전척(430)과 마스크(M) 사이에 전위차를 줄 수 있는 전압을 인가함으로써 형성될 수 있다. 이때, 제2 전극부(434, 435)의 제1 전극(434)으로 인가되는 제1 전압과 제2 전극(435)에 인가되는 제2 전압은 차단된다. 이와 같이 정전척(430)에 의해 평평한 상태의 기판(S)과 마스크(M)가 밀착되므로, 처진 상태의 기판과 마스크가 밀착시 기판과 마스크의 정렬에 오차가 발생되는 것이 줄어들 수 있다. Subsequently, referring to FIG. 18 , the mask M is chucked to the electrostatic chuck 430 using electrostatic force to bring the substrate S and the mask M into close contact. Electrostatic force for chucking the mask M to the electrostatic chuck 430 may be formed by applying a voltage to the first electrode part 432 to give a potential difference between the electrostatic chuck 430 and the mask M. . At this time, the first voltage applied to the first electrode 434 of the second electrode units 434 and 435 and the second voltage applied to the second electrode 435 are blocked. As such, since the substrate S in a flat state and the mask M are brought into close contact with each other by the electrostatic chuck 430, an error in alignment between the substrate and the mask can be reduced when the substrate in a sagging state and the mask come into close contact.

이어서, 도 13을 참조하면, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬을 확인한다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 확인은 비젼 카메라(470)에 의해 촬영된 정보, 예를 들어 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 마크들을 확인함으로써 이루어질 수 있다. 이 때, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬에 오차가 발생됨을 확인하면, 정전척(430)을 수평 방향으로 조정하여 기판(S)과 마스크(M)의 정렬을 보정한다. Subsequently, referring to FIG. 13 , the alignment of the substrate S and the mask M is checked. Checking the alignment of the substrate (S) and the mask (M) can be performed by checking information photographed by the vision camera 470, for example, alignment marks of the substrate (S) and the mask (M). At this time, if it is confirmed that an error occurs in the alignment of the substrate S and the mask M, the alignment of the substrate S and the mask M is corrected by adjusting the electrostatic chuck 430 in a horizontal direction.

이어서, 도 13을 참조하면, 증착원(480)을 이용하여 기판(S) 측으로 증착 물질을 분사하여 증착시킴으로써 기판(S)에 박막을 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 13 , a thin film is formed on the substrate S by spraying and depositing a deposition material toward the substrate S using the deposition source 480 .

이어서, 도 13을 참조하면, 기판 클램핑부(420)를 하강 이동시키고, 정전척(430)으로부터 마스크(M)를 디척킹시키고, 기판 클램핑부(120)를 승강 이동시킨 후, 기판(S)을 챔버(401)의 외부로 배출시킨다. Next, referring to FIG. 13 , the substrate clamping unit 420 is moved down, the mask M is dechucked from the electrostatic chuck 430, and the substrate clamping unit 120 is moved up and down, and then the substrate S is discharged to the outside of the chamber 401.

도 13의 증착 장치(400)를 이용한 증착 방법에 의해 형성되는 표시 장치로서는, 도 10의 표시 장치가 예시될 수 있다. As a display device formed by the deposition method using the deposition device 400 of FIG. 13 , the display device of FIG. 10 may be exemplified.

한편, 도 13의 정전척(430)은 기판(S)을 이동시킬 수 있는 기판 캐리어로서 이용될 수 있다. Meanwhile, the electrostatic chuck 430 of FIG. 13 may be used as a substrate carrier capable of moving the substrate S.

도 19 및 도 20은 도 13의 정전척이 기판 캐리어로서 동작하는 것을 예시적으로 보여주는 단면도들이다.19 and 20 are cross-sectional views illustrating the operation of the electrostatic chuck of FIG. 13 as a substrate carrier.

도 19를 참조하면, 정전척(430)은 정전력을 이용하여 챔버(도 13의 401)의 외부에 위치하는 기판(S)을 척킹하고, 기판(S)을 이동시킬 수 있는 기판 캐리어로서 이용된다. 여기서, 정전척(430)에 기판(S)을 척킹시키기 위한 정전력은 제2 전극부(434, 435)의 제1 전극(434)과 제2 전극(435)에 서로 다른 전압들을 인가함으로써 발생될 수 있다. 또한, 정전척(430)은 정전력을 이용하여 컨베이어와 같은 이동 장치를 통해 이동된 마스크(M)를 척킹한다. 여기서, 정전척(430)에 마스크(M)을 척킹시키기 위한 정전력을 제1 전극부(432)에 정전척(430)과 마스크(M) 사이에 큰 전위차를 줄 수 있는 전압을 인가함으로써 발생될 수 있다. 이때, 제2 전극부(434, 435)의 제1 전극(434)과 제2 전극(435)에 인가되는 제1 전압과 제2 전압은 차단된다. 한편, 정전척(430)에 마스크(M)가 척킹되기 이전에는 기판(S)과 마스크(M)가 별도의 정렬 장치를 통해 정렬될 수 있다.Referring to FIG. 19, an electrostatic chuck 430 is used as a substrate carrier capable of chucking a substrate S positioned outside a chamber (401 in FIG. 13) and moving the substrate S using electrostatic force. do. Here, electrostatic force for chucking the substrate S to the electrostatic chuck 430 is generated by applying different voltages to the first electrode 434 and the second electrode 435 of the second electrode units 434 and 435. It can be. In addition, the electrostatic chuck 430 chucks the mask M moved through a moving device such as a conveyor using electrostatic force. Here, electrostatic force for chucking the mask M to the electrostatic chuck 430 is generated by applying a voltage that can give a large potential difference between the electrostatic chuck 430 and the mask M to the first electrode part 432. It can be. At this time, the first voltage and the second voltage applied to the first electrode 434 and the second electrode 435 of the second electrode units 434 and 435 are blocked. Meanwhile, before the mask M is chucked by the electrostatic chuck 430, the substrate S and the mask M may be aligned through a separate alignment device.

이러한 정전척(430)은 기판(S)과 마스크(M)를 척킹한 상태로 챔버(도 13의 401)의 내부에 인입되어 기판(S)에 증착 물질을 증착하는 증착 과정이 수행될 수 있다. The electrostatic chuck 430 is inserted into the chamber (401 in FIG. 13) in a state where the substrate S and the mask M are chucked, and a deposition process of depositing a deposition material on the substrate S can be performed. .

이후, 정전척(430)은 기판(S)과 마스크(M)를 척킹한 상태로 챔버(도 13의 401)의 외부로 배출될 수 있고, 정전척(430)으로부터 마스크(M)가 디척킹되어 컨베이어와 같은 이동 장치를 통해 이동하며, 정전척(430)으로부터 기판(S)이 디척킹될 수 있다. Thereafter, the electrostatic chuck 430 may be discharged to the outside of the chamber ( 401 in FIG. 13 ) in a state in which the substrate S and the mask M are chucked, and the mask M from the electrostatic chuck 430 is dechucked. It moves through a moving device such as a conveyor, and the substrate S can be dechucked from the electrostatic chuck 430 .

한편, 마스크(M)는 제1 전극부(432)에 인가되는 전압을 차단하여 정전척(430)으로부터 디척킹될 수 있으며, 이때 제2 전극부(434,435)의 제1 전극(434)와 제2 전극부(435) 각각에 제1 전압과 제2 전압이 인가되어 정전척(430)에 기판(S)이 척킹된 상태가 유지될 수 있다. 이 후, 기판(S)은 제2 전극부(434,435)의 제1 전극(434)과 제2 전극(435) 각각에 인가되는 제1 전압과 제2 전압을 차단하여 정전척(430)으로부터 디척킹될 수 있다.Meanwhile, the mask M can be dechuked from the electrostatic chuck 430 by blocking the voltage applied to the first electrode part 432, and at this time, the first electrode 434 of the second electrode parts 434 and 435 and the A state in which the substrate S is chucked to the electrostatic chuck 430 may be maintained by applying the first voltage and the second voltage to each of the two electrode parts 435 . Thereafter, the substrate S blocks the first voltage and the second voltage applied to the first and second electrodes 434 and 435 of the second electrode parts 434 and 435, respectively, so that the electrostatic chuck 430 does not can be chucked

도 20을 참조하면, 정전척(430)은 정전력을 이용하여 챔버(도 13의 401)의 외부에 위치하는 기판(S)을 척킹하고, 기판(S)을 이동시킬 수 있는 기판 캐리어로서 이용된다. 여기서, 정전척(430)에 기판(S)을 척킹시키기 위한 정전력은 제2 전극부(434, 435)의 제1 전극(434)과 제2 전극(435)에 서로 다른 전압들을 인가함으로써 발생될 수 있다. Referring to FIG. 20 , an electrostatic chuck 430 is used as a substrate carrier capable of chucking a substrate S positioned outside a chamber (401 in FIG. 13 ) and moving the substrate S using electrostatic force. do. Here, electrostatic force for chucking the substrate S to the electrostatic chuck 430 is generated by applying different voltages to the first electrode 434 and the second electrode 435 of the second electrode units 434 and 435. It can be.

이러한 정전척(430)은 기판(S)을 척킹한 상태로 챔버(도 13의 401)의 내부에 인입되고, 기판(S)과 챔버(도 13의 401)의 내부에서 마스크 스테이지(도 13의 MS)에 배치된 마스크(도 13의 M)가 별도의 정렬 장치를 통해 정렬될 수 있다.The electrostatic chuck 430 is inserted into the chamber ( 401 in FIG. 13 ) with the substrate S being chucked, and the mask stage ( 401 in FIG. 13 ) inside the substrate S and the chamber ( 401 in FIG. 13 ). The mask (M in FIG. 13) placed on the MS may be aligned through a separate alignment device.

이 후, 정전척(430)은 정전력을 이용하여 마스크(도 13의 M)를 척킹한다. 여기서, 정전척(430)에 마스크(도 13의 M)를 척킹시키기 위한 정전력을 제1 전극부(432)에 정전척(430)과 마스크(도 13의 M) 사이에 큰 전위차를 줄 수 있는 전압을 인가함으로써 발생될 수 있다. 이때, 제2 전극부(434, 435)의 제1 전극(434)과 제2 전극(435)에 인가되는 제1 전압과 제2 전압은 차단된다.Thereafter, the electrostatic chuck 430 chucks the mask (M in FIG. 13 ) using electrostatic force. Here, an electrostatic force for chucking the mask (M in FIG. 13) to the electrostatic chuck 430 may be applied to the first electrode unit 432 with a large potential difference between the electrostatic chuck 430 and the mask (M in FIG. 13). It can be generated by applying a voltage with At this time, the first voltage and the second voltage applied to the first electrode 434 and the second electrode 435 of the second electrode units 434 and 435 are blocked.

이 후, 기판(S)에 증착 물질을 증착하는 증착 과정이 수행될 수 있다. Thereafter, a deposition process of depositing a deposition material on the substrate S may be performed.

이 후, 정전척(430)으로부터 마스크(도 13의 M)가 디척킹될 수 있으며, 정전척(430)은 기판(S)을 척킹한 상태로 챔버(도 13의 401)의 외부로 배출될 수 있고, 마스크(도 13의 M)는 컨베이어와 같은 이동 장치를 통해 챔버(도 13의 401)의 외부로 배출될 수 있다.Thereafter, the mask (M of FIG. 13) may be de-chucked from the electrostatic chuck 430, and the electrostatic chuck 430 may be discharged to the outside of the chamber (401 of FIG. 13) in a state in which the substrate S is chucked. 13, and the mask (M in FIG. 13) may be discharged to the outside of the chamber (401 in FIG. 13) through a moving device such as a conveyor.

도 21은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치의 개략적인 단면도이다.21 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 21을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치(500)는 도 1의 증착 장치(100)와 비교하여 쿨 플레이트(140), 마그넷 어셈블리(150), 쿨 플레이트 수직 이동부(160), 쿨 플레이트 수평 이동부(170), 비젼 카메라(180) 대신 도 13의 정전척(430), 정전척 수직 이동부(450), 정전척 수평 이동부(460), 비젼 카메라(470)를 적용하는 것만 제외하고 동일한 구성을 가진다.Referring to FIG. 21 , a deposition apparatus 500 according to another embodiment of the present invention, compared to the deposition apparatus 100 of FIG. 160), the cool plate horizontal movement unit 170, and the vision camera 180, the electrostatic chuck 430, the vertical movement unit 450 of the electrostatic chuck, the horizontal movement unit 460 of the electrostatic chuck, and the vision camera 470 shown in FIG. It has the same configuration except for applying .

즉, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 증착 장치(500)는 챔버(101), 압력 조절 유닛(102), 복수의 기판 홀더부(110), 복수의 기판 클램핑부(120), 복수의 기판 인장부(130), 정전척(430), 정전척 수직 이동부(450), 정전척 수평 이동부(460), 비젼 카메라(470), 증착원(190) 및 마스크 스테이지(MS)를 포함할 수 있다.That is, the deposition apparatus 500 according to another embodiment of the present invention includes a chamber 101, a pressure control unit 102, a plurality of substrate holders 110, a plurality of substrate clamping units 120, and a plurality of substrates. The tension unit 130, the electrostatic chuck 430, the vertical moving part 450 of the electrostatic chuck, the horizontal moving part 460 of the electrostatic chuck, the vision camera 470, the deposition source 190, and the mask stage MS. can

챔버(101), 압력 조절 유닛(102), 복수의 기판 홀더부(110), 복수의 기판 클램핑부(120), 복수의 기판 인장부(130), 증착원(190) 및 마스크 스테이지(MS)는 도 1에서 설명되었으므로 중복된 설명은 생략한다.A chamber 101, a pressure control unit 102, a plurality of substrate holder parts 110, a plurality of substrate clamping parts 120, a plurality of substrate extension parts 130, an evaporation source 190, and a mask stage MS. Since is described in FIG. 1, redundant description is omitted.

또한, 정전척(430), 정전척 수직 이동부(450), 정전척 수평 이동부(460) 및 비젼 카메라(470)는 도 13에서 설명되었으므로 중복된 설명은 생략한다.Also, since the electrostatic chuck 430, the vertical movement unit 450, the horizontal movement unit 460, and the vision camera 470 have been described with reference to FIG. 13, duplicate descriptions will be omitted.

이와 같이 구성되는 증착 장치(500)는 인장 블록(도 2의 131)과 푸쉬 봉(도 2의 132)을 포함하는 기판 인장부(130)를 통해 복잡한 인장 장치를 사용하지 않고 간단한 장치로 기판(S)을 인장시키고, 더불어 냉각부(439)를 포함하는 정전척(430)을 통해 마그넷 어셈블리와 같은 복잡한 장치를 사용하지 않고 간단하게(S)을 척킹시킴으로써, 기판(S)이 처지는 것을 최소화시킬 수 있다.The deposition apparatus 500 configured as described above is a simple device without using a complicated tension device through the substrate tension unit 130 including the tension block (131 in FIG. 2) and the push rod (132 in FIG. 2). By simply chucking S) without using a complicated device such as a magnet assembly through the electrostatic chuck 430 including the cooling unit 439, the sagging of the substrate S can be minimized. can

이에 따라, 기판(S)와 마스크(M)의 정렬 과정에서 오차가 발생되는 것을 줄일 수 있으며, 따라서 기판(S)와 마스크(M)의 정렬 오차에 의해 기판(S)에 증착 물질을 증착하여 형성되는 박막의 패턴에 왜곡이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.Accordingly, it is possible to reduce the occurrence of errors in the process of aligning the substrate S and the mask M. Accordingly, the deposition material is deposited on the substrate S due to the alignment error between the substrate S and the mask M. Distortion in the pattern of the thin film to be formed can be reduced.

이하에서는, 도 21의 증착 장치(500)를 이용한 증착 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a deposition method using the deposition apparatus 500 of FIG. 21 will be described.

먼저, 챔버(101)의 내부 공간에 기판(S)을 인입시키고 복수의 기판 홀더부(110)의 복수의 기판 지지부(112) 상에 안착시킨다. 이때, 기판(S)의 양단부가 복수의 기판 지지부(112)에 의해 지지될 수 있으며, 기판(S)이 처진 상태일 수 있다. 또한, 마스크 스테이지(MS) 상에는 마스크(M)가 배치된 상태일 수 있다. First, the substrate S is introduced into the inner space of the chamber 101 and placed on the plurality of substrate support parts 112 of the plurality of substrate holder parts 110 . At this time, both ends of the substrate S may be supported by a plurality of substrate supporters 112, and the substrate S may be in a drooping state. Also, the mask M may be disposed on the mask stage MS.

이어서, 각 기판 클램핑부(120)의 클램핑 블록(124)과 각 기판 인장부(130)의 푸쉬 봉(도 2의 132)을 하강 이동시켜 인장 블록(도 2의 131)이 기판(S)을 클램핑한다. 기판 클램핑부(120)의 클램핑 블록(124)과 각 기판 인장부(130)의 푸쉬 봉(도 2의 132)을 하강 이동시키는 동작은 앞에서 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략한다. Subsequently, the clamping block 124 of each substrate clamping unit 120 and the push bar ( 132 in FIG. 2 ) of each substrate tensioning unit 130 are moved downward so that the tension block ( 131 in FIG. 2 ) holds the substrate S. clamp Since the operation of moving the clamping block 124 of the substrate clamping unit 120 and the push bar ( 132 in FIG. 2 ) of each substrate tensioning unit 130 has been described above, duplicate descriptions will be omitted.

이어서, 기판(S)에 가해지는 클램핑 블록(124)의 가압을 유지한 상태에서 각 기판 인장부(130)의 인장 블록(도 2의 131)을 서로 멀어지는 방향으로 수평 이동시킨다. 그럼 복수의 기판 지지부(112) 상에 처진 상태로 안착된 기판(S)이 인장되어 평평한 상태가 될 수 있다. 여기서, 기판(S)의 인장은 마스크(M)에 장착된 센서(SEN)를 통해 측정된 기판(S)의 처짐량을 고려하여 제어될 수 있다. 각 기판 인장부(130)의 인장 블록(도 2의 131)이 서로 멀어지는 방향으로 수평 이동되는 동작은 앞에서 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략한다.Next, while maintaining the pressure of the clamping block 124 applied to the substrate S, the tension blocks ( 131 in FIG. 2 ) of each substrate tension unit 130 are horizontally moved in directions away from each other. Then, the substrate S seated on the plurality of substrate supporters 112 in a drooping state may be stretched to be in a flat state. Here, the tension of the substrate S may be controlled in consideration of the amount of deflection of the substrate S measured through the sensor SEN mounted on the mask M. Since the operation of horizontally moving the tension blocks ( 131 in FIG. 2 ) of each substrate tension unit 130 in a direction away from each other has been described above, duplicate description will be omitted.

이어서, 복수의 기판 홀더부(110)를 하강시켜 마스크(M)와 가깝게 배치시킨 상태에서 기판(S)과 마스크(M)를 정렬한다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬은 비젼 카메라(470)에 의해 촬영된 정보, 예를 들어 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 마크들을 확인한 후, 기판 클램핑부(120)를 수평 방향으로 조정함으로써 이루어질 수 있다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬은 기판(S)이 평평한 상태에서 이루어져 정밀하게 수행될 수 있다.Subsequently, the substrate S and the mask M are aligned in a state in which the plurality of substrate holder parts 110 are lowered and placed close to the mask M. The alignment of the substrate (S) and the mask (M) is confirmed by the information photographed by the vision camera 470, for example, the alignment marks of the substrate (S) and the mask (M), and then the substrate clamping unit 120 is horizontally This can be done by adjusting the direction. Alignment of the substrate S and the mask M can be precisely performed when the substrate S is flat.

이어서, 정전척(430)을 하강시키고 정전력을 이용하여 정전척(430)에 기판(S)을 척킹시켜 기판(S)의 평평한 상태를 유지시키고, 기판 클램핑부(120)와 기판 인장부(130)의 일부 구성(즉, 기판(S)의 상부에 배치된 구성)을 승강시킨다. 기판(S)의 척킹 동작은 앞에서 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략한다.Subsequently, the electrostatic chuck 430 is lowered and the substrate S is chucked to the electrostatic chuck 430 using electrostatic force to maintain the flat state of the substrate S, and the substrate clamping part 120 and the substrate tensioning part ( 130) is moved up and down (that is, a component disposed on top of the substrate S). Since the chucking operation of the substrate S has been described above, redundant description will be omitted.

이어서, 정전력을 이용하여 정전척(430)에 마스크(M))을 척킹시켜 기판(S)과 마스크(M)를 밀착시킨다. 이와 같이 정전척(430)에 의해 평평한 상태의 기판(S)과 마스크(M)가 밀착되므로, 처진 상태의 기판과 마스크가 밀착시 기판과 마스크의 정렬에 오차가 발생되는 것이 줄어들 수 있다 .마스크(M)의 척킹 동작은 앞에서 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략한다.Subsequently, the mask M is chucked to the electrostatic chuck 430 using electrostatic force to bring the substrate S and the mask M into close contact. In this way, since the substrate S in a flat state and the mask M are brought into close contact with each other by the electrostatic chuck 430, errors in alignment between the substrate and the mask can be reduced when the substrate and the mask in a sagging state come into close contact. Since the chucking operation of (M) has been described above, duplicate descriptions are omitted.

이어서, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬을 확인한다. 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 확인은 비젼 카메라(470)에 의해 촬영된 정보, 예를 들어 기판(S)과 마스크(M)의 정렬 마크들을 확인함으로써 이루어질 수 있다. 이 때, 기판(S)과 마스크(M)의 정렬에 오차가 발생됨을 확인하면, 정전척(430)을 수평 방향으로 조정하여 기판(S)과 마스크(M)의 정렬을 보정한다.Subsequently, the alignment of the substrate S and the mask M is checked. Checking the alignment of the substrate (S) and the mask (M) can be performed by checking information photographed by the vision camera 470, for example, alignment marks of the substrate (S) and the mask (M). At this time, if it is confirmed that an error occurs in the alignment of the substrate S and the mask M, the alignment of the substrate S and the mask M is corrected by adjusting the electrostatic chuck 430 in a horizontal direction.

이어서, 증착원(190)을 이용하여 기판(S) 측으로 증착 물질을 분사하여 증착시킴으로써 기판(S)에 박막을 형성한다.Subsequently, a thin film is formed on the substrate S by spraying and depositing a deposition material toward the substrate S using the deposition source 190 .

이어서, 기판 클램핑부(120)를 하강 이동시키고, 정전척(430)으로부터 마스크(M)를 디척킹시키고, 기판 클램핑부(120)를 승강 이동시킨 후, 기판(S)을 챔버(401)의 외부로 배출시킨다.Subsequently, the substrate clamping unit 120 is moved down, the mask M is de-chucked from the electrostatic chuck 430, and the substrate clamping unit 120 is moved up and down, and then the substrate S is placed in the chamber 401. discharge to the outside.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. you will be able to understand Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting.

100, 400, 500: 증착 장치 101, 401: 챔버
102, 402: 압력 조절 유닛 110, 410: 복수의 기판 홀딩부
120, 420: 복수의 기판 클램핑부 130, 230, 330: 복수의 기판 인장부
140: 쿨 플레이트 150: 마그넷 어셈블리
160: 쿨 플레이트 수직 이동부 170: 쿨 플레이트 수평 이동부
180, 470: 비젼 카메라 190, 480: 증착원
430: 정전척 450: 정전척 수직 이동부
460: 정전척 수평 이동부
100, 400, 500: deposition apparatus 101, 401: chamber
102, 402: pressure control unit 110, 410: plurality of substrate holding units
120, 420: a plurality of substrate clamping units 130, 230, 330: a plurality of substrate tensioning units
140: cool plate 150: magnet assembly
160: Cool plate vertical moving part 170: Cool plate horizontal moving part
180, 470: vision camera 190, 480: deposition source
430: electrostatic chuck 450: electrostatic chuck vertical moving part
460: electrostatic chuck horizontal moving unit

Claims (20)

기판의 양단부를 지지하고, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 지지부;
상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되며, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 클램핑부;
상기 각 기판 지지부와 상기 각 기판 클램핑부 사이에 배치되며 상기 각 기판 클램핑부가 하강 이동시 서로 멀어지도록 수평 이동하여 상기 기판을 인장시키는 복수의 인장 블록; 및
승강 및 하강 이동이 가능하도록 상기 각 인장 블록 내부에 배치되고, 하강 이동에 의해 상기 각 인장 블록들을 서로 멀어지도록 수평 이동시키는 복수의 푸쉬 봉을 포함하되,
상기 각 인장 블록은 상기 푸쉬 봉이 하강하는 공간을 제공하는 이동 제공홀과, 상기 푸쉬 봉이 하강 이동시 경사진 방향으로 가이드 되어 상기 인장 블록을 수평 이동시키기 위한 경사홀을 포함하는 삽입홀을 포함하는 증착 장치.
a plurality of substrate supporters configured to support both ends of the substrate and to move up and down;
a plurality of substrate clamping units disposed above each of the plurality of substrate support units so as to overlap both ends of the substrate and configured to move upward and downward;
a plurality of tension blocks disposed between each of the substrate supporting parts and each of the substrate clamping parts, and horizontally moving away from each other when each of the substrate clamping parts moves downward to tension the substrate; and
Including a plurality of push rods disposed inside each of the tension blocks so as to be able to move up and down and horizontally move each of the tension blocks away from each other by the down movement,
Each of the tensile blocks includes a movement providing hole for providing a space in which the push rod descends, and an insertion hole including an inclined hole for horizontally moving the tensile block by guiding the push rod in an inclined direction when the push rod descends. .
삭제delete 기판의 양단부를 지지하고, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 지지부;
상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되며, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 클램핑부;
상기 각 기판 지지부와 상기 각 기판 클램핑부 사이에 배치되며 상기 각 기판 클램핑부가 하강 이동시 서로 멀어지도록 수평 이동하여 상기 기판을 인장시키는 복수의 인장 블록; 및
승강 및 하강 이동이 가능하도록 상기 각 인장 블록 내부에 배치되고, 하강 이동에 의해 상기 각 인장 블록들을 서로 멀어지도록 수평 이동시키는 복수의 푸쉬 봉을 포함하되,
상기 각 인장 블록과 상기 각 푸쉬 봉은 기판 인장부를 구성하며,
상기 기판 인장부는 상기 각 기판 클램핑부와 상기 각 인장 블록 사이에 배치되어 상기 인장 블록이 수평 이동시 가이드하는 제1 가이드부와, 상기 각 인장 블록과 상기 기판 지지부 사이에 배치되어 상기 각 인장 블록이 미끄러짐을 방지하는 미끌림 방지 패드와, 상기 각 기판 지지부와 상기 미끌림 방지 패드 사이에 배치되어 상기 인장 블록이 수평 이동시 함께 이동되는 이동 홀더와, 상기 이동 홀더와 상기 기판 지지부 사이에 배치되어 상기 이동 홀더가 수평 이동시 상기 이동 홀더를 가이드하는 제2 가이드부를 더 포함하는 증착 장치.
a plurality of substrate supporters configured to support both ends of the substrate and to move up and down;
a plurality of substrate clamping units disposed above each of the plurality of substrate support units so as to overlap both ends of the substrate and configured to move upward and downward;
a plurality of tension blocks disposed between each of the substrate supporting parts and each of the substrate clamping parts, and horizontally moving away from each other when each of the substrate clamping parts moves downward to tension the substrate; and
Including a plurality of push rods disposed inside each of the tension blocks so as to be able to move up and down and horizontally move each of the tension blocks away from each other by the down movement,
Each of the tensile blocks and each of the push rods constitute a substrate tension unit,
The substrate tensioning part includes a first guide part disposed between each substrate clamping part and each tensile block to guide the tensile block during horizontal movement, and a first guide part disposed between each tensile block and the substrate support part so that each tensile block slides. an anti-slip pad for preventing slipping, a movable holder disposed between each substrate supporter and the anti-slip pad and moved together when the tension block moves horizontally, and a movable holder disposed between the movable holder and the substrate supporter so that the movable holder moves horizontally The deposition apparatus further comprising a second guide unit for guiding the movable holder during movement.
제3 항에 있어서,
상기 기판 인장부는 상기 각 기판 지지부의 측부와 상기 이동 홀더의 측부 사이에 배치되는 탄성체를 더 포함하는 증착 장치.
According to claim 3,
The deposition apparatus of claim 1 , wherein the substrate extension part further includes an elastic body disposed between a side part of each substrate support part and a side part of the movable holder.
기판의 양단부를 지지하고, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 지지부;
상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되며, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 클램핑부;
상기 각 기판 지지부와 상기 각 기판 클램핑부 사이에 배치되며 상기 각 기판 클램핑부가 하강 이동시 서로 멀어지도록 수평 이동하여 상기 기판을 인장시키는 복수의 인장 블록; 및
승강 및 하강 이동이 가능하도록 상기 각 인장 블록 내부에 배치되고, 하강 이동에 의해 상기 각 인장 블록들을 서로 멀어지도록 수평 이동시키는 복수의 푸쉬 봉을 포함하되,
상기 각 인장 블록과 상기 각 푸쉬 봉은 기판 인장부를 구성하며,
상기 기판 인장부는 상기 각 기판 클램핑부와 상기 각 인장 블록 사이에 배치되어 상기 인장 블록이 수평 이동시 가이드하는 제1 가이드부와, 상기 각 인장 블록과 상기 기판 지지부 사이에 배치되어 상기 인장 블록의 수평 이동시 상기 인장 블록을 미끌리게 하는 미끌림 패드를 더 포함하는 증착 장치.
a plurality of substrate supporters configured to support both ends of the substrate and to move up and down;
a plurality of substrate clamping units disposed above each of the plurality of substrate support units so as to overlap both ends of the substrate and configured to move upward and downward;
a plurality of tension blocks disposed between each of the substrate supporting parts and each of the substrate clamping parts, and horizontally moving away from each other when each of the substrate clamping parts moves downward to tension the substrate; and
Including a plurality of push rods disposed inside each of the tension blocks so as to be able to move up and down and horizontally move each of the tension blocks away from each other by the down movement,
Each of the tensile blocks and each of the push rods constitute a substrate tension unit,
The substrate tension unit includes a first guide unit disposed between each substrate clamping unit and each tension block to guide the tension block during horizontal movement, and a first guide unit disposed between each tension block and the substrate support unit during horizontal movement of the tension block. The deposition apparatus further comprises a sliding pad for sliding the tensile block.
기판의 양단부를 지지하고, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 지지부;
상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되며, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 클램핑부;
상기 각 기판 지지부와 상기 각 기판 클램핑부 사이에 배치되며 상기 각 기판 클램핑부가 하강 이동시 서로 멀어지도록 수평 이동하여 상기 기판을 인장시키는 복수의 인장 블록; 및
승강 및 하강 이동이 가능하도록 상기 각 인장 블록 내부에 배치되고, 하강 이동에 의해 상기 각 인장 블록들을 서로 멀어지도록 수평 이동시키는 복수의 푸쉬 봉을 포함하되,
상기 각 인장 블록은 상기 각 기판 지지부에 삽입되게 배치되어 상기 각 푸쉬 봉과 함께 기판 인장부를 구성하며,
상기 기판 인장부는 상기 각 기판 클램핑부와 상기 각 인장 블록 사이에 배치되어 상기 인장 블록이 수평 이동시 가이드하는 제1 가이드부와, 제1 가이드부와 상기 기판 클램핑부 사이에 배치되어 상기 제1 가이드부의 수평 이동에 의해 이동하는 상기 기판의 미끌림을 방지하는 미끌림 방지 패드와, 상기 각 기판 클램핑부와 상기 미끌림 방지 패드 사이에 배치되어 상기 기판을 미끌리게 하는 미끌림 패드를 더 포함하는 증착 장치.
a plurality of substrate supporters configured to support both ends of the substrate and to move up and down;
a plurality of substrate clamping units disposed above each of the plurality of substrate support units so as to overlap both ends of the substrate and configured to move upward and downward;
a plurality of tension blocks disposed between each of the substrate supporting parts and each of the substrate clamping parts, and horizontally moving away from each other when each of the substrate clamping parts moves downward to tension the substrate; and
Including a plurality of push rods disposed inside each of the tension blocks so as to be able to move up and down and horizontally move each of the tension blocks away from each other by the down movement,
Each of the tensile blocks is disposed to be inserted into each of the substrate support parts and constitutes a substrate tension unit together with each of the push rods,
The substrate tensioning part includes a first guide part disposed between each substrate clamping part and each tensile block to guide the tensile block during horizontal movement, and a first guide part disposed between the first guide part and the substrate clamping part to guide the tensile block when the tensile block moves horizontally. The deposition apparatus further includes an anti-slip pad to prevent the substrate moving by horizontal movement from slipping, and a slip pad disposed between each substrate clamping part and the anti-slip pad to allow the substrate to slide.
제6 항에 있어서,
상기 미끌림 방지 패드는 고무 재질로 형성되며, 상기 미끌림 패드는 테프론으로 형성되는 증착 장치.
According to claim 6,
The non-slip pad is formed of a rubber material, and the slip pad is formed of Teflon.
제1 항에 있어서,
상기 기판 클램핑부들 사이에 배치되는 정전척; 및
상기 정전척의 하부에 배치되며, 마스크를 지지하고 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 마스크 스테이지를 더 포함하며,
상기 정전척은
상기 마스크를 정전력에 의해 상기 정전척에 척킹시키도록 구성된 제1 전극부를 포함하고,
상기 제1 전극부와 절연되며, 상기 기판을 정전력에 의해 상기 정전척에 척킹시키도록 구성된 제2 전극부를 포함하는 증착 장치.
According to claim 1,
an electrostatic chuck disposed between the substrate clamping portions; and
A mask stage disposed below the electrostatic chuck and configured to support a mask and move up and down;
The electrostatic chuck
a first electrode portion configured to chuck the mask to the electrostatic chuck by electrostatic force;
and a second electrode portion that is insulated from the first electrode portion and configured to chuck the substrate to the electrostatic chuck by electrostatic force.
제8 항에 있어서,
상기 정전척은 상기 제1 전극부 상에 배치되는 냉각층을 더 포함하는 증착 장치.
According to claim 8,
The electrostatic chuck further includes a cooling layer disposed on the first electrode part.
제8 항에 있어서,
상기 정전척은 상기 제2 전극부 상에 배치되는 유전체층과, 상기 유전체층 상에 배치되는 엠보싱부를 더 포함하는 증착 장치.
According to claim 8,
The electrostatic chuck further includes a dielectric layer disposed on the second electrode unit, and an embossing unit disposed on the dielectric layer.
기판의 양단부를 지지하고 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 복수의 기판 지지부;
상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되며, 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성되는 복수의 기판 클램핑부;
상기 기판 클램핑부들 사이에 배치되는 정전척; 및
상기 정전척의 하부에 배치되며, 마스크를 지지하고 승강 및 하강 이동이 가능하도록 구성된 마스크 스테이지를 포함하며,
상기 정전척은
상기 마스크를 정전력에 의해 상기 정전척에 척킹시키도록 구성된 제1 전극부를 포함하고,
상기 제1 전극부와 절연되며, 상기 기판을 정전력에 의해 상기 정전척에 척킹시키도록 구성된 제2 전극부를 포함하되,
상기 제1 전극부는 연결부와 상기 연결부로부터 분기된 복수의 가지부를 포함하고,
상기 제2 전극부는 서로 절연되게 배치되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은 제1 연결부와 상기 제1 연결부로부터 분기된 복수의 제1 가지부를 포함하고, 상기 제2 전극은 제2 연결부와 상기 제2 연결부로부터 분기된 복수의 제2 가지부를 포함하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 가지부와 상기 제2 가지부는 일 방향을 따라 교대로 배치되는 증착 장치.
a plurality of substrate supporters configured to support both ends of the substrate and to move up and down;
a plurality of substrate clamping units disposed above each of the plurality of substrate support units so as to overlap both ends of the substrate and configured to move up and down;
an electrostatic chuck disposed between the substrate clamping portions; and
a mask stage disposed below the electrostatic chuck and configured to support a mask and to move up and down;
The electrostatic chuck
a first electrode portion configured to chuck the mask to the electrostatic chuck by electrostatic force;
A second electrode portion insulated from the first electrode portion and configured to chuck the substrate to the electrostatic chuck by electrostatic force;
The first electrode part includes a connection part and a plurality of branch parts branched from the connection part,
The second electrode part includes a first electrode and a second electrode disposed to be insulated from each other, the first electrode includes a first connection part and a plurality of first branch parts branched from the first connection part, and the second electrode A deposition apparatus comprising a second electrode including a second connection portion and a plurality of second branch portions branched off from the second connection portion, wherein the first branch portion and the second branch portion are alternately disposed along one direction.
삭제delete 제11 항에 있어서,
상기 정전척은 상기 제1 전극부 상에 배치되는 냉각층을 더 포함하는 증착 장치.
According to claim 11,
The electrostatic chuck further includes a cooling layer disposed on the first electrode part.
제11 항에 있어서,
상기 정전척은 상기 제2 전극부 상에 배치되는 유전체층과, 상기 유전체층 상에 배치되는 엠보싱부를 더 포함하는 증착 장치.
According to claim 11,
The electrostatic chuck further includes a dielectric layer disposed on the second electrode unit, and an embossing unit disposed on the dielectric layer.
기판의 양단부가 지지되도록 서로 이격되게 배치된 복수의 기판 지지부 상에 상기 기판을 안착시키는 단계;
상기 기판의 양단부와 중첩하도록 상기 복수의 기판 지지부 각각의 상부에 배치되는 복수의 기판 클램핑부를 하강 이동시키고, 상기 각 기판 지지부와 상기 각 기판 클램핑부 사이에 배치되는 복수의 인장 블록을 서로 멀어지도록 수평 이동시키도록 상기 각 인장 블록의 내부에 삽입된 푸쉬 봉을 하강 이동 시켜 상기 기판을 인장시키는 단계; 및
상기 복수의 기판 지지부를 하강시켜 상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치된 마스크와 상기 기판을 정렬하는 단계를 포함하되,
상기 각 인장 블록은 상기 푸쉬 봉이 하강하는 공간을 제공하는 이동 제공홀과, 상기 푸쉬 봉이 하강 이동시 경사진 방향으로 가이드 되어 상기 인장 블록을 수평 이동시키기 위한 경사홀을 포함하는 삽입홀을 포함하는 증착 방법.
seating the substrate on a plurality of substrate support units spaced apart from each other so that both ends of the substrate are supported;
The plurality of substrate clamping units disposed on each of the plurality of substrate support units are lowered and moved so as to overlap both ends of the substrate, and the plurality of tension blocks disposed between each substrate support unit and each substrate clamping unit are horizontally moved away from each other. tensioning the substrate by moving a push rod inserted into each tensile block downward to move the substrate; and
Lowering the plurality of substrate supports to align the substrate with a mask disposed under the plurality of substrate supports,
Each of the tensile blocks includes a movement providing hole providing a space for the push rod to descend, and an insertion hole including an inclined hole for horizontally moving the tensile block by guiding the push rod in an inclined direction when the push rod descends. .
제15 항에 있어서,
상기 마스크와 상기 기판을 정렬하는 단계 이후,
상기 복수의 기판 클램핑부들 사이에 배치되는 쿨 플레이트를 하강시켜 상기 기판에 밀착시키는 단계;
상기 쿨 플레이트의 상부에 배치되는 마그넷 어셈블리를 하강시켜 상기 기판과 상기 마스크를 밀착시키는 단계; 및
상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치되는 증착원을 이용하여 상기 기판측으로 증착 물질을 분사하여 상기 기판에 증착시키는 단계를 더 포함하는 증착 방법.
According to claim 15,
After aligning the mask and the substrate,
lowering a cool plate disposed between the plurality of substrate clamping portions to bring it into close contact with the substrate;
lowering a magnet assembly disposed on the cool plate to bring the substrate and the mask into close contact with each other; and
The deposition method further comprising spraying a deposition material toward the substrate using a deposition source disposed below the plurality of substrate supporters and depositing the deposition material on the substrate.
제15 항에 있어서,
상기 마스크와 상기 기판을 정렬하는 단계 이후,
상기 복수의 기판 클램핑부들 사이에 배치되는 정전척을 하강시키고 정전력을 이용하여 상기 기판을 상기 정전척에 척킹시키는 단계;
상기 정전척에 정전력을 이용하여 상기 마스크를 척킹시켜 상기 기판과 상기 마스크를 밀착시키는 단계; 및
상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치되는 증착원을 이용하여 상기 기판측으로 증착 물질을 분사하여 상기 기판에 증착시키는 단계를 더 포함하는 증착 방법.
According to claim 15,
After aligning the mask and the substrate,
lowering an electrostatic chuck disposed between the plurality of substrate clamping parts and chucking the substrate to the electrostatic chuck using electrostatic force;
chucking the mask using electrostatic force to the electrostatic chuck to bring the substrate and the mask into close contact with each other; and
The deposition method further comprising spraying a deposition material toward the substrate using a deposition source disposed below the plurality of substrate supporters and depositing the deposition material on the substrate.
기판의 양단부가 지지되도록 서로 이격되게 배치된 복수의 기판 지지부 상에 기판을 안착시키는 단계;
상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치된 마스크측으로 상기 복수의 기판 지지부를 하강시키는 단계;
제1 전극부와, 상기 제1 전극부와 절연되게 배치된 제2 전극부를 포함하며, 상기 복수의 기판 지지부 사이에 배치된 정전척을 하강시키고, 상기 제2 전극부를 이용한 정전력에 의해 상기 기판을 상기 정전척에 척킹시키는 단계;
상기 정전척에 척킹된 상기 기판과 상기 마스크를 정렬하는 단계; 및
상기 제1 전극부를 이용한 정전력에 의해 상기 마스크를 상기 정전척에 척킹시키는 단계를 포함하는 증착 단계를 포함하되,
상기 제2 전극부는 서로 절연된 제1 전극과 제2 전극을 포함하며,
상기 기판을 상기 정전척에 척킹시키는 단계는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각에 서로 다른 전압이 인가시키고, 상기 제1 전극부에 인가되는 전압을 차단하는 것을 포함하는 증착 방법.
seating the substrate on a plurality of substrate supporters spaced apart from each other so that both ends of the substrate are supported;
lowering the plurality of substrate supports toward a mask disposed below the plurality of substrate supports;
It includes a first electrode part and a second electrode part disposed to be insulated from the first electrode part, and lowers an electrostatic chuck disposed between the plurality of substrate support parts, and lowers the substrate by electrostatic force using the second electrode part. chucking to the electrostatic chuck;
aligning the mask and the substrate chucked by the electrostatic chuck; and
A deposition step including chucking the mask to the electrostatic chuck by electrostatic force using the first electrode part,
The second electrode unit includes a first electrode and a second electrode insulated from each other,
The step of chucking the substrate with the electrostatic chuck includes applying different voltages to the first electrode and the second electrode, respectively, and blocking the voltage applied to the first electrode part.
삭제delete 기판의 양단부가 지지되도록 서로 이격되게 배치된 복수의 기판 지지부 상에 기판을 안착시키는 단계;
상기 복수의 기판 지지부의 하부에 배치된 마스크측으로 상기 복수의 기판 지지부를 하강시키는 단계;
제1 전극부와, 상기 제1 전극부와 절연되게 배치된 제2 전극부를 포함하며, 상기 복수의 기판 지지부 사이에 배치된 정전척을 하강시키고, 상기 제2 전극부를 이용한 정전력에 의해 상기 기판을 상기 정전척에 척킹시키는 단계;
상기 정전척에 척킹된 상기 기판과 상기 마스크를 정렬하는 단계; 및
상기 제1 전극부를 이용한 정전력에 의해 상기 마스크를 상기 정전척에 척킹시키는 단계를 포함하는 증착 단계를 포함하되,
상기 마스크를 상기 정전척에 척킹시키는 단계는 상기 제1 전극부에 상기 마스크와 상기 정전척 사이에 전위차를 줄수 있는 전압을 인가하고, 상기 제2 전극부에 인가되는 전압을 차단하는 것을 포함하는 증착 방법.
seating the substrate on a plurality of substrate supporters spaced apart from each other so that both ends of the substrate are supported;
lowering the plurality of substrate supports toward a mask disposed below the plurality of substrate supports;
It includes a first electrode part and a second electrode part disposed to be insulated from the first electrode part, and lowers an electrostatic chuck disposed between the plurality of substrate support parts, and lowers the substrate by electrostatic force using the second electrode part. chucking to the electrostatic chuck;
aligning the mask and the substrate chucked by the electrostatic chuck; and
A deposition step including chucking the mask to the electrostatic chuck by electrostatic force using the first electrode part,
The step of chucking the mask to the electrostatic chuck may include applying a voltage to the first electrode to generate a potential difference between the mask and the electrostatic chuck, and blocking the voltage applied to the second electrode. Way.
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