KR101960194B1 - Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of organic el display device - Google Patents

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가즈히토 가시쿠라
히로시 이시이
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Abstract

A film forming device of the present invention comprises: a substrate holding unit including a support part for supporting a periphery part of a substrate; an electrostatic chuck installed on the upper side of the support part for adsorbing the substrate; a magnet installed on the upper side of the electrostatic chuck for applying magnetic force to a mask to bring the substrate and the mask into close contact with each other; and a control part controlling a voltage applied to the electrostatic chuck. The control part controls a first voltage to be applied to the electrostatic chuck as the voltage when the substrate is adsorbed to the electrostatic chuck; and controls a second voltage lower than the first voltage to be applied to the electrostatic chuck as the voltage before starting a process of separating the substrate from the electrostatic chuck after the substrate is adsorbed on the electrostatic chuck.

Description

성막장치, 성막방법, 및 유기 EL 표시장치의 제조방법{FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC EL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and a manufacturing method of an organic EL display device. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002]

본 발명은 성막장치에 관한 것으로, 특히, 기판을 정전척으로부터 분리하는데 드는 시간을 단축하면서도 성막정밀도를 높일 수 있는 성막장치에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus, and more particularly, to a film forming apparatus capable of shortening the time required for separating a substrate from an electrostatic chuck and improving film forming accuracy.

최근 평판 표시 장치로서 유기 EL 표시 장치가 각광을 받고 있다. 유기 EL 표시장치는 자발광 디스플레이로서, 응답 속도, 시야각, 박형화 등의 특성이 액정 패널 디스플레이보다 우수하여, 모니터, 텔레비전, 스마트폰으로 대표되는 각종 휴대 단말 등에서 기존의 액정 패널 디스플레이를 빠르게 대체하고 있다. 또한, 자동차용 디스플레이 등으로도 그 응용분야를 넓혀가고 있다. Recently, an organic EL display device has been spotlighted as a flat panel display device. The organic EL display device is a self-luminous display, and its characteristics such as response speed, viewing angle, and thinness are superior to those of a liquid crystal panel display, and thus various types of portable terminals represented by monitors, televisions, and smart phones are rapidly replacing existing liquid crystal panel displays . In addition, automotive displays are expanding their applications.

유기 EL 표시장치의 소자는 2개의 마주보는 전극(캐소드 전극, 애노드 전극) 사이에 발광을 일으키는 유기물 층이 형성된 기본 구조를 가진다. 유기 EL 표시 장치 소자의 유기물층 및 전극층은, 성막장치의 진공 챔버의 하부에 설치된 증착원을 가열함으로써 증발된 증착재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 진공 챔버 상부에 놓여진 기판(의 하면)에 증착시킴으로써 형성된다. The element of the organic EL display device has a basic structure in which an organic material layer causing light emission is formed between two opposing electrodes (cathode electrode, anode electrode). The organic material layer and the electrode layer of the organic EL display device are formed by depositing the evaporated evaporation material on the lower surface of the substrate placed on the upper part of the vacuum chamber through the mask having the pixel pattern by heating the evaporation source provided at the lower part of the vacuum chamber .

이러한 상향 증착 방식의 성막장치의 진공챔버내에서 기판은 기판홀더에 의해 보유 및 지지되는데, 기판(의 하면)에 형성된 유기물층/전극층의 손상을 방지하기 위해 기판의 하면의 주연을 기판홀더의 지지부에 의해 지지한다. 이 경우, 기판의 사이즈가 커짐에 따라 기판홀더의 지지부에 의해 지지되지 못한 기판의 중앙부가 기판의 자중에 의해 처지게 되며, 이는 증착정밀도를 떨어뜨리는 요인이 되고 있다. The substrate is held and supported by the substrate holder in the vacuum chamber of the deposition apparatus of the upward deposition type. In order to prevent damage to the organic layer / electrode layer formed on the substrate (lower surface), the periphery of the lower surface of the substrate . In this case, as the size of the substrate increases, the central portion of the substrate, which is not supported by the support portion of the substrate holder, is sagged by the weight of the substrate, which causes a decrease in the deposition accuracy.

기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로써 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판의 상부에 정전척을 설치하고, 기판홀더의 지지부에 의해 지지된 기판의 상면을 정전척에 흡착시켜, 기판의 중앙부가 정전척의 정전인력에 의해 당겨지도록 함으로써 기판의 처짐을 저감할 수 있다. A technique of using an electrostatic chuck as a method for reducing deflection due to the weight of the substrate has been studied. That is, an electrostatic chuck is provided on the upper part of the substrate, the upper surface of the substrate supported by the supporting part of the substrate holder is attracted to the electrostatic chuck, and the central part of the substrate is pulled by the electrostatic attraction of the electrostatic chuck, have.

그러나, 정전척에 흡착전압을 인가하여 기판을 정전척에 흡착한 후 정전척으로부터 기판을 분리하기 위해 정전척에 분리 전압을 인가하더라도, 기판 흡착시 가한 흡착전압에 의해 유도된 전하들이 방전될 때까지 시간이 걸리기 때문에, 정전척에 분리전압을 인가한 시점으로부터 실제로 기판이 정전척으로부터 분리되는 시점까지는 상당한 시간이 걸린다. 이는 공정 시간(Tact)을 증가시키고 생산성을 저하시킨다. However, even when a separation voltage is applied to the electrostatic chuck to separate the substrate from the electrostatic chuck after the substrate is attracted to the electrostatic chuck by applying an adsorption voltage to the electrostatic chuck, when the charges induced by the adsorption voltage applied to the substrate are discharged It takes a considerable amount of time from when the separation voltage is applied to the electrostatic chuck to when the substrate is actually separated from the electrostatic chuck. This increases the process time (Tact) and decreases the productivity.

또한, 성막정밀도를 높이기 위해서는, 마스크에 대해 위치조정된 기판을 성막공정동안 마스크에 편평한 형상으로 밀착시켜야 하는데, 정전척에 의한 기판에의 흡착력이 약할 경우 기판의 평탄도가 나빠지며 마스크와의 밀착도가 떨어진다. 이는 성막정밀도를 저하시키며, 마스크에 의한 기판의 성막면의 손상을 초래할 수 있다. In addition, in order to increase film forming precision, the substrate whose position is adjusted with respect to the mask must be adhered in a flat shape to the mask during the film forming process. If the attraction force to the substrate by the electrostatic chuck is weak, the flatness of the substrate is deteriorated, . This lowers the precision of film formation and may cause damage to the film formation surface of the substrate by the mask.

본 발명은, 정전척에 흡착된 기판을 분리하는데 걸리는 시간을 단축하면서도 성막정밀도를 유지할 수 있고 기판의 성막면에의 손상을 방지할 수 있는 성막장치, 성막방법 및 유기 EL 표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and a manufacturing method of an organic EL display apparatus which can shorten the time taken to separate a substrate attracted to an electrostatic chuck and can maintain film forming accuracy and prevent damage to a film formation surface The main purpose is to provide.

본 발명의 일 양태에 따른 성막장치는, 기판의 주연부를 지지하기 위한 지지부를 포함하는 기판 보유지지 유닛, 상기 지지부의 상방에 설치되며, 기판을 흡착하기 위한 정전척, 상기 정전척의 상방에 설치되며, 마스크에 자력을 인가하여 기판과 마스크를 밀착시키기 위한 마그넷, 및 상기 정전척에 인가되는 전압을 제어하기 위한 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 기판을 상기 정전척에 흡착시킬 때, 상기 전압으로서 제1 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하고, 기판이 상기 정전척에 흡착된 후 기판의 상기 정전척으로부터의 분리공정이 개시되기 전에 미리, 상기 전압으로서 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어한다.A film forming apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate holding unit including a support for supporting a peripheral portion of a substrate, an electrostatic chuck provided above the support for attracting a substrate, A magnet for applying a magnetic force to the mask to bring the substrate and the mask into close contact with each other, and a control unit for controlling a voltage applied to the electrostatic chuck, wherein when the substrate is attracted to the electrostatic chuck, A second voltage lower than the first voltage is applied as the voltage before the substrate is separated from the electrostatic chuck after the substrate is attracted to the electrostatic chuck by controlling the first voltage to be applied to the electrostatic chuck So as to be applied to the electrostatic chuck.

본 발명의 다른 양태에 따른 성막방법은, 기판을 성막장치의 진공챔버내로 반입하는 단계, 반입된 기판을 기판 보유지지 유닛의 지지부상에 올려놓는 단계, 상기 지지부상의 기판을 정전척에 흡착시키는 단계, 상기 정전척에 흡착된 기판을 마스크에 대해 위치조정하는 얼라인먼트 단계, 위치조정된 기판을 마스크상에 재치하는 단계, 마그넷에 의해 마스크와 마스크상의 기판을 밀착시키는 단계, 증착원으로부터 증발된 증착재료를 마스크를 통해 기판상에 성막시키는 단계, 및 기판을 상기 정전척으로부터 분리하는 단계를 포함하며, 기판을 정전척에 흡착시키는 상기 단계는, 상기 정전척에 정전인력을 발생시키기 위해 제1 전압을 인가하는 단계를 포함하며, 기판상에 증착재료를 성막시키는 상기 단계의 개시후에, 상기 정전척에 인가되는 전압을 상기 제1 전압에서 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압으로 낮춘다. A film forming method according to another aspect of the present invention includes the steps of bringing a substrate into a vacuum chamber of a film forming apparatus, placing the loaded substrate on a supporting portion of the substrate holding unit, adsorbing the substrate on the supporting portion to the electrostatic chuck An alignment step of positioning the substrate attracted to the electrostatic chuck with respect to the mask, a step of placing the aligned substrate on the mask, a step of bringing the mask and the substrate on the mask into close contact with each other by the magnet, Comprising the steps of: depositing a material on a substrate through a mask; and separating the substrate from the electrostatic chuck, wherein the step of adsorbing the substrate to an electrostatic chuck comprises: After the start of the step of depositing the evaporation material on the substrate, the voltage applied to the electrostatic chuck It lowers as a second voltage lower than the first voltage from the first voltage group.

본 발명의 다른 양태에 따른 유기 EL 표시 장치의 제조방법은, 본 발명의 다른 양태에 따른 성막방법을 사용하여 유기 EL 표시장치를 제조한다. An organic EL display device manufacturing method according to another aspect of the present invention uses the film forming method according to another aspect of the present invention to manufacture an organic EL display device.

본 발명에 의하면, 정전척에 제1 전압(흡착개시전압)을 가하여 기판을 흡착시킨 후 기판을 정전척으로부터 분리하기 위한 분리전압의 인가 이전(기판의 정전척으로부터의 분리공정의 개시 전)에, 정전척에 가하는 전압을 미리 제1 전압보다 낮은 제2 전압(흡착유지전압)으로 낮춤으로써, 기판을 정전척으로부터 분리시키는데 걸리는 시간을 단축시킬 수 있다. 이에 의해 전체적인 공정시간의 증가를 방지하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 정전척에 인가되는 전압을 제2 전압으로 낮추는 시점을 성막공정 개시 이후로 함으로써, 성막공정동안 정전척에 의한 기판의 흡착력을 유지할 수 있도록 하여, 성막정밀도의 저하를 방지하고 기판의 성막면의 손상을 방지할 수 있게 된다.According to the present invention, after a first voltage (adsorption start voltage) is applied to the electrostatic chuck to adsorb the substrate and before the separation voltage is applied to separate the substrate from the electrostatic chuck (before starting the separation process from the electrostatic chuck of the substrate) , It is possible to shorten the time taken to separate the substrate from the electrostatic chuck by lowering the voltage applied to the electrostatic chuck to the second voltage (the adsorption holding voltage) lower than the first voltage in advance. As a result, it is possible to prevent an increase in the entire process time and to improve the productivity. In addition, since the time point at which the voltage applied to the electrostatic chuck is lowered to the second voltage is set after the start of the film forming process, the attraction force of the substrate by the electrostatic chuck can be maintained during the film forming process, It is possible to prevent damage to the semiconductor device.

도 1은 유기 EL 표시장치의 제조라인의 일부의 모식도이다
도 2는 본 발명의 성막장치의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 정전척의 블록도이다.
도 4는 본 발명의 정전척과 기판 보유지지 유닛의 모식도이다.
도 5는 본 발명의 정전척에의 전압 제어방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 성막방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 유기 EL 표시장치의 구조를 나타내는 모식도이다.
1 is a schematic view of a part of a manufacturing line of an organic EL display device
2 is a schematic view of a film forming apparatus of the present invention.
3 is a block diagram of an electrostatic chuck of the present invention.
4 is a schematic view of the electrostatic chuck and the substrate holding unit of the present invention.
5 is a diagram for explaining a voltage control method for the electrostatic chuck of the present invention.
6 is a view for explaining the film forming method of the present invention.
7 is a schematic diagram showing a structure of an organic EL display device.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are merely illustrative of preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In the following description, the hardware configuration, the software configuration, the process flow, the manufacturing conditions, the size, the material, the shape, and the like of the apparatus are intended to limit the scope of the present invention unless otherwise specified no.

본 발명은, 기판의 표면에 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 EL 표시장치, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 유기 EL 표시장치의 제조 장치에 있어서는, 증착재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 EL 표시소자를 형성하고 있기 때문에, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.The present invention can be suitably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum evaporation on the surface of a substrate. As the material of the substrate, any material such as glass, a film of a polymer material, or a metal can be selected, and as the evaporation material, an arbitrary material such as an organic material, a metallic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected. Specifically, the technique of the present invention is applicable to an organic electronic device (for example, an organic EL display, a thin film solar cell), an optical member, and the like. In particular, in an apparatus for manufacturing an organic EL display device, an evaporation material is vaporized and deposited on a substrate through a mask to form an organic EL display device, which is one of preferred applications of the present invention.

<전자 디바이스 제조 라인><Electronic Device Manufacturing Line>

도 1은 전자 디바이스의 제조 라인의 구성의 일부를 모식적으로 도시한 평면도이다. 도 1의 제조 라인은 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면 약 1800 ㎜ × 약 1500 ㎜의 사이즈의 기판에 유기 EL의 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널이 제작된다.1 is a plan view schematically showing a part of the configuration of a manufacturing line of an electronic device. The manufacturing line of Fig. 1 is used, for example, in manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smart phone. In the case of a display panel for a smart phone, for example, organic EL is formed on a substrate having a size of about 1800 mm x about 1500 mm, and then the substrate is cut out to produce a plurality of small-sized panels.

전자 디바이스의 제조 라인은 일반적으로 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막실(11, 12)과 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13) 내에는 기판(10)을 보유 지지하고 반송하는 반송 로봇(14)이 설치되어 있다. 반송 로봇(14)은 예를 들면 다관절 암에, 기판(10)을 보유 지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇으로서, 각 성막실로의 기판(10)의 반입/반출을 수행한다.The manufacturing line of the electronic device generally includes a plurality of film forming chambers 11 and 12 and a transport chamber 13 as shown in Fig. In the transfer chamber 13, a transfer robot 14 for holding and transferring the substrate 10 is provided. The carrying robot 14 is, for example, a robot having a structure in which a robot hand for holding a substrate 10 is mounted on a multi-joint arm, and performs carrying in / out of the substrate 10 into each of the film forming chambers.

각 성막실(11, 12)에는 각각 성막 장치(증착 장치라고도 부름)가 설치되어 있다. 반송 로봇(14)과의 기판(10)의 전달, 기판(10)과 마스크의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크 상으로의 기판(10)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치에 의해 자동적으로 행해진다. Each of the deposition chambers 11 and 12 is provided with a deposition apparatus (also referred to as a deposition apparatus). A series of film formation processes such as the transfer of the substrate 10 to the transfer robot 14, the alignment of the relative position of the substrate 10 and the mask, the fixing of the substrate 10 onto the mask, Is automatically performed by the film forming apparatus.

이하, 성막실의 성막 장치의 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, the structure of the film forming apparatus of the film forming chamber will be described.

<성막 장치>&Lt;

도 2는 성막 장치(2)의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 기판이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정된다고 가정할 때, 기판의 단변에 평행한 방향을 X 방향, 장변에 평행한 방향을 Y 방향으로 한다. 또한, Z 축 주위의 회전각을 θ로 표시한다.2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the film forming apparatus 2. As shown in Fig. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system in which the vertical direction is the Z direction is used. Assuming that the substrate is fixed parallel to the horizontal plane (XY plane) at the time of film formation, the direction parallel to the short side of the substrate is defined as X direction, and the direction parallel to the long side is defined as Y direction. Also, the rotation angle around the Z axis is denoted by?.

성막 장치(2)는 성막공정이 이루어지는 공간을 정의하는 진공 챔버(20)를 구비한다. 진공 챔버(20)의 내부는 진공 분위기이거나 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지된다. The film forming apparatus 2 has a vacuum chamber 20 defining a space in which a film forming process is performed. The inside of the vacuum chamber 20 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas.

성막 장치(2)의 진공챔버(20)내의 상부에는 기판을 보유하여 지지하는 기판 보유지지 유닛(21), 마스크를 보유 지지하는 마스크 대(22), 기판을 정전인력에 의해 흡착시키는 정전척(23), 금속제의 마스크에 자기력을 인가하기 위한 마그넷(24) 등이 설치되며, 성막장치(2)의 진공챔버(20)내의 하부에는 증착재료가 수납되는 증착원(25) 등이 설치된다.A substrate holding unit 21 for holding and holding a substrate, a mask table 22 for holding a mask, an electrostatic chuck (not shown) for attracting the substrate by an electrostatic attracting force are provided in an upper portion of the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus 2 A magnet 24 for applying a magnetic force to a mask made of metal and the like are provided in the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus 2. An evaporation source 25 for accommodating the evaporation material is installed in the lower part of the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus 2,

기판 보유지지 유닛(21)은 반송실(13)의 반송 로봇(14)으로부터 기판(10)을 수취하여, 보유 지지 및 반송한다. 기판 보유지지 유닛(21)은 기판 홀더라고도 부른다. 기판 보유지지 유닛(21)은 기판의 하면의 주연부를 지지하는 지지부(211, 212)를 포함한다. The substrate holding unit 21 receives the substrate 10 from the transfer robot 14 of the transfer chamber 13, holds it, and transfers it. The substrate holding unit 21 is also referred to as a substrate holder. The substrate holding unit 21 includes supports 211 and 212 for supporting the peripheral edge of the lower surface of the substrate.

지지부(211,212)는 기판의 대향하는 두 변(예컨대, 장변) 중 한 쪽을 지지할 수 있도록 배치되는 복수의 제1 지지부재(211) 및 대향하는 두 변 중 다른 쪽을 지지할 수 있도록 배치되는 복수의 제2 지지부재(212)를 포함한다. The support portions 211 and 212 are disposed so as to support a plurality of first support members 211 arranged to support one of two opposing sides of the substrate (for example, long sides) And includes a plurality of second support members 212.

각각의 지지부재는 기판의 하면의 주연부를 지지하는 기판지지면부(213)와 기판지지면부(213)를 탄성적으로 지지하는 탄성체부(214)를 포함한다. 기판지지면부(213)상에는 기판의 손상을 방지하기 위해 불소 코팅된 패드(미도시)가 설치된다. 지지부재의 탄성체부(214)는 코일스프링, 판스프링이나 실리콘 고무와 같은 탄성체를 포함하며, 기판을 정전척에 흡착시킬 때 정전척으로부터의 가압력에 의해 탄성변위 함으로써 기판이 정전척과 지지부재 사이에서 파손되는 것을 방지한다. Each support member includes a substrate supporting surface portion 213 for supporting the periphery of the lower surface of the substrate and an elastic body portion 214 for elastically supporting the substrate supporting surface portion 213. A fluorine-coated pad (not shown) is provided on the substrate supporting surface portion 213 to prevent damage to the substrate. The elastic body 214 of the supporting member includes an elastic body such as a coil spring, a leaf spring, or a silicone rubber. When the substrate is attracted to the electrostatic chuck, the elastic body is elastically displaced by a pressing force from the electrostatic chuck, Thereby preventing breakage.

제1 지지부재(211)의 기판지지면부(213)는 기판을 정전척에 전체적으로 편평하게 부착하기 위해 제2 지지부재(212)의 기판지지면부(213)보다 높이가 높도록 설치될 수 있다. 또한, 제1 지지부재(211)의 탄성체부(214)의 탄성계수를 제2 지지부재(212)의 탄성체부(214)의 탄성계수보다 크게 하거나 탄성체부(214)의 길이를 길게 하여 제1 지지부재(211)가 기판을 지지하는 지지력을 제2 지지부재(212)가 기판을 지지하는 지지력보다 크게 할 수 있다.The substrate supporting surface portion 213 of the first supporting member 211 may be installed so as to be higher than the substrate supporting surface portion 213 of the second supporting member 212 so as to entirely flatly adhere the substrate to the electrostatic chuck. The elastic modulus of the elastic body 214 of the first supporting member 211 is made larger than the elastic modulus of the elastic body 214 of the second supporting member 212 or the length of the elastic body 214 is made longer, The supporting force by which the supporting member 211 supports the substrate can be made larger than the supporting force by which the second supporting member 212 supports the substrate.

기판 보유지지 유닛(21)의 아래에는 틀 형상의 마스크 대(22)가 설치되며, 마스크 대(22)에는 기판(10) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 갖는 마스크(221)가 놓여진다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)라고도 부른다.A mask 221 having a frame shape is provided under the substrate holding unit 21 and a mask 221 having an opening pattern corresponding to the thin film pattern to be formed on the substrate 10 . Particularly, a mask used for manufacturing an organic EL device for a smart phone is also called a fine metal mask (FMM) as a metal mask having a fine opening pattern.

기판 보유지지 유닛(21)의 지지부(211, 212)의 상방에는 기판을 정전인력에 의해 흡착하여 고정시키기 위한 정전척(23)이 설치된다. 정전척은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는다. 금속전극에 플러스(+) 및 마이너스(-)의 전압이 인가되면, 유전체 매트릭스를 통해 기판에 금속 전극과 반대극성의 분극전하가 유도되며, 이들간의 정전기적 인력에 의해 기판이 정전척(23)에 흡착 고정될 수 있다. 정전척(23)은 하나의 플레이트로 형성될 수도 있고, 복수의 서브플레이트를 가지도록 형성될 수도 있다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부의 전기회로를 복수 포함하여, 하나의 플레이트내에서 위치에 따라 정전인력을 다르게 제어할 수 있다. An electrostatic chuck 23 is provided above the supporting portions 211 and 212 of the substrate holding unit 21 for attracting and fixing the substrate by electrostatic attraction. The electrostatic chuck has a structure in which an electric circuit such as a metal electrode is buried in a dielectric (e.g., a ceramic material) matrix. When positive (+) and negative (-) voltages are applied to the metal electrode, a polarized charge having a polarity opposite to that of the metal electrode is induced on the substrate through the dielectric matrix, and the electrostatic chuck 23, As shown in Fig. The electrostatic chuck 23 may be formed of a single plate or a plurality of sub-plates. Further, even in the case of a single plate, the electrostatic attraction can be controlled differently in one plate by including a plurality of electric circuits therein.

본 발명에서는 후술하는 바와 같이, 정전척(23)이 기판을 흡착하고 있는 동안 정전척에 계속 동일한 전압을 인가하는 것이 아니라, 성막 공정의 개시 이후는, 흡착개시시에 인가된 전압보다 낮은 전압을 인가하여, 기판 분리시에 걸리는 시간을 단축한다. In the present invention, as described later, the same voltage is not continuously applied to the electrostatic chuck while the electrostatic chuck 23 is adsorbing the substrate, but a voltage lower than the voltage applied at the start of adsorption Thereby shortening the time required for separating the substrate.

정전척(23)의 상부에는 금속제 마스크(221)에 자기력을 인가하여 마스크의 처짐을 방지하고 마스크(221)와 기판(10)을 밀착시키기 위한 마그넷(24)이 설치된다. 마그넷(24)은 영구자석 또는 전자석으로 이루어질 수 있으며, 복수의 모듈로 구획될 수 있다. A magnet 24 for applying a magnetic force to the metal mask 221 to prevent sagging of the mask and to closely contact the mask 221 and the substrate 10 is provided on the electrostatic chuck 23. The magnet 24 may be made of a permanent magnet or an electromagnet, and may be divided into a plurality of modules.

도 2에는 도시하지 않았으나, 정전척(23)과 마그넷(24)의 사이에는 기판을 냉각시키기 위한 냉각판이 설치된다. 냉각판은 정전척(23) 또는 마그넷(24)과 일체로 형성될 수도 있다. Although not shown in FIG. 2, a cooling plate for cooling the substrate is provided between the electrostatic chuck 23 and the magnet 24. The cooling plate may be integrally formed with the electrostatic chuck 23 or the magnet 24.

증착원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증착원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증착원(25)은 점(point) 증착원, 선형(linear) 증착원, 리볼버 증착원 등 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. The evaporation source 25 includes a crucible (not shown) in which an evaporation material to be formed on the substrate is housed, a heater (not shown) for heating the crucible, and evaporation materials scattered to the substrate until the evaporation rate from the evaporation source becomes constant. And a shutter (not shown) for blocking the shutter. The evaporation source 25 may have various configurations depending on the application such as a point evaporation source, a linear evaporation source, and a revolver evaporation source.

도 2에 도시되지 않았으나, 성막장치(2)는 기판에 증착된 막두께를 측정하기 위한 막두께 모니터(미도시) 및 막두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. Although not shown in FIG. 2, the film forming apparatus 2 includes a film thickness monitor (not shown) and a film thickness calculating unit (not shown) for measuring the film thickness deposited on the substrate.

성막장치(2)의 진공챔버(20)의 외부 상면에는 기판 보유지지 유닛(21), 정전척(23), 마그넷(24) 등을 연직방향(Z방향)으로 이동시키기 위한 구동기구 및 기판과 마스크의 얼라인먼트를 위해 수평면에 평행하게(X방향, Y방향, Θ방향으로) 정전척(23)이나 기판 보유지지 유닛(21) 등을 이동시키기 위한 구동기구 등이 설치된다. 또한, 마스크와 기판의 얼라인먼트를 위해 진공챔버(20)에 설치된 창을 통해 기판 및 마스크에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하는 얼라인먼트용 카메라(미도시)도 설치된다.A driving mechanism for moving the substrate holding unit 21, the electrostatic chuck 23, the magnet 24, and the like in the vertical direction (Z direction) is formed on the outer upper surface of the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus 2, And a driving mechanism for moving the electrostatic chuck 23, the substrate holding unit 21, and the like in parallel to the horizontal plane (X direction, Y direction, and? Direction) for alignment of the mask. An alignment camera (not shown) is also provided for taking an alignment mark formed on the substrate and the mask through a window provided in the vacuum chamber 20 for aligning the mask and the substrate.

성막 장치는 제어부(26)를 구비한다. 제어부(26)는 기판(10)의 반송 및 얼라인먼트, 증착원의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. 제어부(26)는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부(26)의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable logic controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부(27)의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부(26)가 설치되어 있어도 되고, 하나의 제어부(26)가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 하여도 된다.The film forming apparatus is provided with a control section (26). The control unit 26 has functions such as conveyance and alignment of the substrate 10, control of an evaporation source, and control of film formation. The control unit 26 can be configured by a computer having a processor, memory, storage, I / O, and the like. In this case, the function of the control section 26 is realized by the processor executing the program stored in the memory or storage. As the computer, a general-purpose personal computer may be used, or an embedded type computer or a PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, some or all of the functions of the control unit 27 may be configured by a circuit such as an ASIC or an FPGA. Further, the control unit 26 may be provided for each deposition apparatus, or one control unit 26 may control a plurality of deposition apparatuses.

<정전척의 전압 제어><Voltage Control of Electrostatic Chuck>

이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 정전척(23)의 구성, 기판의 흡착 및 탈착 공정에서 정전척에 인가되는 전압의 제어에 대하여 설명한다.Hereinafter, the control of the voltage applied to the electrostatic chuck in the configuration of the electrostatic chuck 23 of the present invention and the adsorption and desorption process of the substrate will be described with reference to Figs. 3 to 5. Fig.

본 발명의 정전척(23)은 도 3에 도시된 바와 같이, 유전체부(30), 전극부(31), 전압제어부(32), 전원부(33)를 포함한다. 전원부(33)는 정전척(23)의 전극부(31)에 플러스(+) 전압 및 마이너스(-) 전압을 인가한다. 전압제어부(32)는 성막장치(2)의 성막 공정의 진행에 따라 전원부(33)로부터 전극부(31)에 가해지는 전압의 크기 등을 제어한다. 전압제어부(32)는 성막장치(2)의 제어부(26)에 통합되어, 성막장치(2)의 제어부(26)에 의해 정전척(23)의 전압제어가 이루어질 수도 있다.The electrostatic chuck 23 of the present invention includes a dielectric portion 30, an electrode portion 31, a voltage control portion 32, and a power source portion 33, as shown in FIG. The power supply unit 33 applies positive (+) voltage and negative (-) voltage to the electrode unit 31 of the electrostatic chuck 23. The voltage control unit 32 controls the magnitude of the voltage applied to the electrode unit 31 from the power supply unit 33 in accordance with the progress of the film forming process of the film forming apparatus 2. [ The voltage control unit 32 may be incorporated in the control unit 26 of the film forming apparatus 2 and the voltage control of the electrostatic chuck 23 may be performed by the control unit 26 of the film forming apparatus 2. [

전극부(31)는 복수의 서브전극부를 포함할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 전극부(31)는 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극부(311) 및 제2 서브전극부(312)로 나누어져 설치될 수 있다. 제1 서브전극부(311)와 제2 서브전극부(312)는, 정전척(23)의 단변 중앙을 기준으로 대향하는 두 장변측에 설치될 수 있다. 예컨대, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극부(311)는 기판 보유지지 유닛(21)의 제1 지지부재(211)측에 대응하도록 설치되며, 제2 서브전극부(312)는 기판 보유지지 유닛(21)의 제2 지지부재(212)측에 대응하도록 설치된다. The electrode unit 31 may include a plurality of sub-electrode units. For example, the electrode unit 31 of the present invention may be divided into a first sub-electrode unit 311 and a second sub-electrode unit 312, as shown in FIG. 4 (a). The first sub-electrode portion 311 and the second sub-electrode portion 312 may be provided on the two long sides opposite to each other with respect to the short-side center of the electrostatic chuck 23. 4 (b), the first sub-electrode portion 311 is provided so as to correspond to the first support member 211 side of the substrate holding unit 21, and the second sub-electrode portion 311 312 are provided so as to correspond to the second support member 212 side of the substrate holding unit 21.

이하 도 5를 참조하여, 정전척(23)에 기판(10)을 흡착하는 공정에서의 전압제어에 대하여 설명한다.5, the voltage control in the step of attracting the substrate 10 to the electrostatic chuck 23 will be described.

성막장치(2)의 진공챔버(20)내로 기판이 반입되어 기판 보유지지 유닛(21)의 지지부(211, 212)에 재치된다(도 5(a) 참조).The substrate is carried into the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus 2 and placed on the supporting portions 211 and 212 of the substrate holding unit 21 (see Fig. 5 (a)).

이어서, 정전척(23)이 하강하여 기판 보유지지 유닛(21)의 지지부(211, 212)상에 재치된 기판에 근접하게 이동한다. 정전척(23)이 기판(10)에 충분히 근접 내지 접촉하게 되면, 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 정전척(23)의 전원부(33)에 의해 전극부(31)에 제1 전압(V1)이 인가된다. 제1 전압(V1)은 기판(10)을 정전척(23)에 확실히 흡착시키기 위해 충분한 크기의 전압으로 설정된다. 정전척에 제1 전압(V1)이 가해지는 시점을 t1이라 한다. Subsequently, the electrostatic chuck 23 descends to move close to the substrate placed on the supports 211 and 212 of the substrate holding unit 21. The electrostatic chuck 23 is brought into contact with the substrate 10 sufficiently close to or brought into contact with the substrate 10 by the power supply unit 33 of the electrostatic chuck 23 as shown in Fig. (V1) is applied. The first voltage V1 is set to a voltage of a sufficient magnitude to firmly attract the substrate 10 to the electrostatic chuck 23. The time when the first voltage V1 is applied to the electrostatic chuck is referred to as t1.

정전척(23)의 전극부(31)에 가해진 제1 전압(V1)에 의해 기판의 상면에는 제1 전압(V1)의 크기에 비례하는 반대극성의 분극전하가 유도된다. 이러한 기판에 유도된 분극전하와 정전척(23)의 전극부(31)간의 정전인력에 의해 기판은 정전척에 편평하게 흡착된다. 본 실시형태에서는 정전척(23)이 기판(10)에 충분히 근접 내지 접촉한 상태에서 제1 전압(V1)을 가하는 것으로 설명하였으나, 정전척(23)이 기판을 향해 하강을 개시하기 전에, 또는 하강하는 도중에 제1 전압(V1)을 인가하여도 된다.A polarized electric charge of an opposite polarity proportional to the magnitude of the first voltage V1 is induced on the upper surface of the substrate by the first voltage V1 applied to the electrode portion 31 of the electrostatic chuck 23. The substrate is flatly adsorbed on the electrostatic chuck by the electrostatic attraction between the polarized charge induced on the substrate and the electrode portion 31 of the electrostatic chuck 23. [ In the present embodiment, the first voltage V1 is applied in a state in which the electrostatic chuck 23 is in close proximity to or in contact with the substrate 10. However, before the electrostatic chuck 23 starts to fall toward the substrate, The first voltage V1 may be applied during the descent.

그 후의 소정의 시점(t=t2)에서, 정전척(23)의 전압제어부(32)는 정전척(23)의 전극부(31)에 인가되는 전압을 제1 전압(V1)으로부터 제1 전압보다 크기가 작은 제2 전압(V2)으로 낮춘다. 제2 전압(V2)은 일단 정전척(23)에 흡착된 기판(10)을 정전척(23)에 흡착된 상태로 유지하기 위한 흡착유지전압으로서, 기판(10)을 정전척(23)에 흡착시킬 때의 제1 전압(V1)보다 낮은 크기의 전압이다. 정전척(23)에 인가되는 전압이 제2 전압(V2)으로 낮아지면, 이에 대응하여 기판(10)에 유도되는 분극전하량도 도 5(c) 에 도시한 바와 같이, 제1 전압(V1)이 가해진 경우에 비해 감소하나, 기판(10)이 일단 제1 전압(V1)에 의해 정전척(23)에 흡착된 이후에는 제1 전압(V1)보다 낮은 제2 전압(V2)을 가하더라도 기판의 흡착상태를 유지할 수 있다. The voltage control unit 32 of the electrostatic chuck 23 changes the voltage applied to the electrode unit 31 of the electrostatic chuck 23 from the first voltage V1 to the first voltage V1 at a predetermined time t2 To a second voltage (V2) of a smaller size. The second voltage V2 is a suction holding voltage for holding the substrate 10 once adsorbed on the electrostatic chuck 23 in the state of being attracted to the electrostatic chuck 23 and the substrate 10 is held on the electrostatic chuck 23 Is a voltage having a magnitude lower than the first voltage (V1) at the time of adsorption. When the voltage applied to the electrostatic chuck 23 is lowered to the second voltage V2, the amount of the polarization charge induced in the substrate 10 corresponding to the second voltage V2 also becomes equal to the first voltage V1, However, even if the substrate 10 is once attracted to the electrostatic chuck 23 by the first voltage V1, even if a second voltage V2 lower than the first voltage V1 is applied to the substrate 10, Can be maintained.

제2 전압(V2)은 제1 전압(V1)의 크기를 고려하여 정하는 것이 바람직하며, 기판을 탈착시키는데 걸리는 시간을 고려하여 제로(0) 전압 또는 역극성의 전압으로 할 수도 있다. 즉, 제1 전압(V1)이 충분히 크면, 제2 전압을 제로 전압 또는 역극성의 전압으로 하더라도 기판에 유도된 분극전하가 방전되는데 시간이 걸리기 때문에, 해당 시간동안 정전척(23)에 기판(10)을 흡착시킨 상태를 유지할 수 있다.The second voltage V2 is preferably determined in consideration of the magnitude of the first voltage V1 and may be a zero voltage or a reverse polarity voltage in consideration of the time taken to detach the substrate. That is, if the first voltage V1 is sufficiently large, it takes time to discharge the polarized electric charge induced in the substrate even if the second voltage is a zero voltage or a reverse polarity voltage. Therefore, 10) can be kept adsorbed.

정전척(23)에 인가되는 전압을 제1 전압(V1)으로부터 제2 전압(V2)으로 낮추는 시기는, 정전척(23)으로부터 기판(10)을 분리하기 위한 분리전압인 제3 전압(V3)을 인가하는 시점(t=t3) 이전(즉, 정전척으로부터 기판의 분리공정의 개시 시점 이전)인 것이 바람직하다. 이는 정전척(23)으로부터 기판(10)을 분리할 수 있을 정도로 기판과 정전척간의 정전인력이 낮아지는데 걸리는 시간을 확보하기 위해서이다. 즉, 정전척(23)으로부터 기판(10)을 분리하고자 할 때, 정전척(23)의 전극부(31)에 가해지는 전압을 제3 전압(예컨대, 제로(0) 또는 역극성)으로 하여도, 바로 정전척(23)과 기판(10) 사이의 정전인력이 없어지는 것이 아니라 정전척(23)과 기판(10)의 계면에 유도된 전하가 없어지는데 상당한 시간(때에 따라서는 수 분 정도)이 걸린다. 특히, 정전척(23)에 기판(10)을 흡착시킬 때는 통상 그 흡착을 확실히 하기 위해 정전척(23)에 기판을 흡착시키는데 필요한 최소 정전인력(Fth)보다 충분히 큰 정전인력이 작용하도록 제1 전압을 설정하는데 (도5(f)참조), 이러한 제1 전압으로부터 기판의 분리가 가능한 상태가 되는데 까지는 상당한 시간이 걸린다. The timing for lowering the voltage applied to the electrostatic chuck 23 from the first voltage V1 to the second voltage V2 is a period for lowering the voltage applied to the electrostatic chuck 23 from the third voltage V3 ) (T = t3) (i.e., before the start of the substrate separation process from the electrostatic chuck). This is for securing a time for electrostatic attraction between the substrate and the electrostatic chuck to be low enough to separate the substrate 10 from the electrostatic chuck 23. That is, when the substrate 10 is to be separated from the electrostatic chuck 23, the voltage applied to the electrode portion 31 of the electrostatic chuck 23 is set to a third voltage (for example, zero or reverse polarity) The electrostatic attraction between the electrostatic chuck 23 and the substrate 10 does not disappear but the electric charge induced at the interface between the electrostatic chuck 23 and the substrate 10 is lost for a considerable time ). Particularly, when the substrate 10 is attracted to the electrostatic chuck 23, the electrostatic chuck 23 is normally attracted to the electrostatic chuck 23 so that the electrostatic attraction force, which is sufficiently larger than the minimum electrostatic attraction force Fth necessary to attract the substrate to the electrostatic chuck 23, (See Fig. 5 (f)), it takes a considerable time until the substrate can be separated from the first voltage.

본 발명에서는 이러한 정전척(23)으로부터의 기판(10) 분리·탈착에 걸리는 시간으로 인해 전체적인 공정시간(Tact)가 늘어나는 것을 방지하기 위해, 정전척(23)에 분리전압인 제3전압(V3)을 인가하기 전에 정전척(23)에 인가되는 전압을 미리 제2 전압으로 낮춘다. In the present invention, in order to prevent the overall process time Tact from increasing due to the time taken to detach and detach the substrate 10 from the electrostatic chuck 23, the electrostatic chuck 23 is supplied with the third voltage V3 The voltage applied to the electrostatic chuck 23 is lowered to the second voltage in advance.

특히, 기판과 정전척(23)간의 정전인력의 크기가 제1 전압으로 인한 정전인력으로부터 기판과 정전척(23)간의 흡착을 유지하기 위한 최소한의 정전인력(Fth)으로 감소하는 시간과, 제2 전압으로 인한 정전인력으로부터 기판과 정전척을 분리할 수 있을 정도로 정전인력이 감소하는 시간의 밸런스를 고려하여(도5(e) 및 도 5(f)참조), 안정적으로 기판의 흡착상태를 유지하면서도 기판 탈착에 필요한 시간을 충분히 확보할 수 있는 시점에서 정전척(23)의 전압을 제2 전압으로 낮추는 것이 바람직하다. Particularly, the time required for the magnitude of the electrostatic attractive force between the substrate and the electrostatic chuck 23 to decrease from the electrostatic attraction due to the first voltage to the minimum electrostatic attraction Fth for maintaining the attraction between the substrate and the electrostatic chuck 23, (Refer to FIG. 5 (e) and FIG. 5 (f)) in consideration of the balance of the time during which the electrostatic attraction is reduced to such an extent that the electrostatic chuck can be separated from the electrostatic attraction due to the two voltages It is preferable to lower the voltage of the electrostatic chuck 23 to the second voltage at a time when the time required for substrate removal can be sufficiently secured.

정전척(23)에 인가하는 전압을 제2 전압(V2)으로 낮추는 구체적인 시점에 대해서는, 도 6을 참조하여 후술한다.A specific point in time for lowering the voltage applied to the electrostatic chuck 23 to the second voltage V2 will be described later with reference to Fig.

본 발명의 다른 실시형태에서는 정전척(23)의 전극부(31)를 제1 서브전극부(311)와 제2 서브전극부(312)를 포함하도록 형성하고, 각 서브전극부에 가하는 전압을 제1 전압에서 제2 전압으로 낮추는 시점을 서로 달리하거나 제2 전압의 크기를 서로 달리한다.The electrode unit 31 of the electrostatic chuck 23 is formed so as to include the first sub-electrode unit 311 and the second sub-electrode unit 312, and the voltage applied to each sub-electrode unit is The time point of lowering the voltage from the first voltage to the second voltage may be different from each other or the magnitudes of the second voltages may be different from each other.

예컨대, 도 4(b), 4(c)에 도시한 바와 같이, 기판지지면이 높은 제1 지지부재(211)에 의해 기판이 지지되는 측에 형성된 제1 서브전극부(311)에 가하는 전압을 제1 전압에서 제2 전압으로 낮춘 후에 제2 서브전극부(312)에 가해지는 전압을 제1 전압에서 제2 전압으로 낮춘다. 제1 지지부재(211)에 의해 지지되는 기판의 주연부는 정전척(23)에 먼저 흡착되기 때문에 유도되는 분극전하량이 제2 지지부재(212)에 의해 지지되는 기판의 주연부측보다 많고, 이에 따라 기판 분리에 소요되는 시간(분극전하의 방전에 소요되는 시간)이 더 길게 된다. 상대적으로 기판 분리에 소요되는 시간이 긴, 제1 지지부재(211)에 의해 지지되는 기판 주연부측이 흡착된 제1 서브전극부(311)의 전압을 먼저 제2 전압으로 낮추어 기판 분리에 소요되는 시간을 충분히 확보할 수 있다.For example, as shown in Figs. 4 (b) and 4 (c), the voltage applied to the first sub-electrode portion 311 formed on the side where the substrate is supported by the first support member 211, Electrode unit 312 from the first voltage to the second voltage after lowering the first sub-electrode unit 312 from the first voltage to the second voltage. Since the peripheral portion of the substrate supported by the first supporting member 211 is first attracted to the electrostatic chuck 23, the amount of the induced polarization charge is larger than the peripheral portion of the substrate supported by the second supporting member 212, The time required for the substrate separation (the time required for discharge of the polarized electric charge) becomes longer. The voltage of the first sub-electrode unit 311, which is held on the periphery of the substrate supported by the first support member 211, is first lowered to the second voltage, Sufficient time can be ensured.

제1 지지부재(211)에 의해 지지되는 기판 주연부측의 전하방전시간을 줄이기 위해 제1 서브전극부(311)에 가하는 제2 전압을 제2 서브전극부(312)에 가하는 제2 전압보다 더 낮게 할 수도 있다. 즉, 상대적으로 많은 분극전하가 유도된 제1 서브전극부(311)측에 가하는 제2 전압을 더 낮춤으로써, 제2 서브전극부(312)측보다 보다 많은 유도전하를 미리 방전시켜 제2 서브전극부(312)측의 기판상에 유도된 분극전하의 방전시간과의 균형을 맞춤으로써 최종적으로 기판 탈착에 필요한 시간의 균형을 맞출 수 있게 된다.The second voltage applied to the first sub-electrode portion 311 is set to be greater than the second voltage applied to the second sub-electrode portion 312 in order to reduce the charge discharge time on the periphery of the substrate supported by the first support member 211 You can also lower it. That is, by lowering the second voltage applied to the side of the first sub-electrode unit 311 in which a relatively large amount of polarization charge is induced, more induced charges are discharged in advance than the side of the second sub-electrode unit 312, It is possible to balance the time necessary for finally removing the substrate by balancing the discharge time of the polarized electric charges induced on the substrate on the electrode 312 side.

제1 서브전극부(311) 및 제2 서브전극부(312)에 가하는 전압을 제1 전압으로부터 제2 전압으로 낮추는 시점 및 제2 전압의 크기는 양 서브전극부에 인접한 기판상에 유도되는 전하를 방전시키는데 필요한 시간의 균형을 고려하여 다양한 조합을 선택할 수 있다.The time point at which the voltage applied to the first sub-electrode portion 311 and the second sub-electrode portion 312 is lowered from the first voltage to the second voltage and the magnitude of the second voltage are the charges In consideration of the balance of time required for discharging the discharge gas.

<성막프로세스><Film formation process>

이하 본 발명의 정전척 전압 제어를 채용한 성막방법에 대하여 도 6을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a film forming method employing the electrostatic chuck voltage control of the present invention will be described with reference to FIG.

진공챔버(20)내의 마스크 대(22)에 마스크(221)가 재치된 상태에서, 반송실(13)의 반송로봇(14)에 의해 성막장치(2)의 진공챔버(20)내로 기판이 반입된다(도 6(a)). The substrate is brought into the vacuum chamber 20 of the film forming apparatus 2 by the transfer robot 14 of the transfer chamber 13 in a state in which the mask 221 is placed on the mask table 22 in the vacuum chamber 20 (Fig. 6 (a)).

진공챔버(20)내로 진입한 반송로봇(14)의 핸드가 하강하면서 기판(10)을 기판 보유지지 유닛(21)의 지지부(211, 212)상에 재치한다(도 6(b)). The substrate 10 is placed on the support portions 211 and 212 of the substrate holding unit 21 while the hand of the transfer robot 14 that has entered the vacuum chamber 20 is lowered (FIG. 6 (b)).

이어서, 정전척(23)이 기판(10)을 향해 하강하여 기판(10)에 충분히 근접하거나 접촉한 후에, 정전척(23)에 제1 전압(V1)을 인가하여 기판(10)을 흡착시킨다(도 6(c)). Subsequently, after the electrostatic chuck 23 descends toward the substrate 10 and comes close enough to or contacts the substrate 10, a first voltage V1 is applied to the electrostatic chuck 23 to adsorb the substrate 10 (Fig. 6 (c)).

정전척(23)에 기판(10)이 흡착된 상태에서, 기판의 마스크에 대한 상대적인 위치어긋남을 계측하기 위해 기판(10)을 마스크(221)를 향해 하강시킨다(도 6(d)). The substrate 10 is lowered toward the mask 221 in order to measure the relative positional displacement of the substrate with respect to the mask while the substrate 10 is attracted to the electrostatic chuck 23 (Fig. 6 (d)).

기판(10)이 계측위치까지 하강하면, 얼라인먼트용 카메라로 기판(10)과 마스크(221)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하여 기판과 마스크의 상대적인 위치 어긋남을 계측한다(도 6(e) 참조). When the substrate 10 is lowered to the measurement position, alignment marks formed on the substrate 10 and the mask 221 are photographed with an alignment camera, and the relative positional displacement between the substrate and the mask is measured (see Fig. 6 (e)).

계측결과, 기판의 마스크에 대한 상대적 위치 어긋남이 임계치를 넘는 것으로 판명되면, 정전척(23)에 흡착된 상태의 기판(10)을 수평방향(XYθ 방향)으로 이동시켜, 기판을 마스크에 대해 위치조정(얼라인먼트)한다(도 6(f) 참조). When the relative positional deviation of the substrate with respect to the mask is found to exceed the threshold value as a result of the measurement, the substrate 10 in the state of being attracted to the electrostatic chuck 23 is moved in the horizontal direction (XY &amp;thetas; (Refer to Fig. 6 (f)).

이러한 얼라인먼트 공정 후에, 정전척(23)에 흡착된 기판(10)을 마스크(221)상에 재치하고 마그넷(24)을 하강시켜 마그넷(24)의 마스크에 대한 자력에 의해 기판과 마스크를 밀착시킨다(도 6(g)). After the alignment process, the substrate 10 attracted to the electrostatic chuck 23 is placed on the mask 221, the magnet 24 is lowered, and the substrate and the mask are closely contacted by the magnetic force of the magnet 24 on the mask (Fig. 6 (g)).

이어서, 증착원(25)의 셔터를 열고 증착재료를 마스크를 통해 기판(10)에 증착시킨다(도 6(h)). Then, the shutter of the evaporation source 25 is opened, and the evaporation material is deposited on the substrate 10 through the mask (Fig. 6 (h)).

본 발명의 일 실시형태에 있어서는, 이러한 성막 공정이 개시된 후에 정전척(23)에 인가되는 전압을 제1 전압으로부터 이보다 낮은 제2 전압으로 낮춘다. 이를 통해, 정전척(23)으로부터 기판(10)을 분리시키는데 소요되는 시간을 충분히 확보하면서도, 성막공정동안 정전척(23)에 의한 기판에의 흡착력의 상당 부분을 유지할 수 있게 된다. 즉, 정전척(23)에 가해지는 전압을 성막공정 직후에 제1 전압으로부터 제2 전압으로 낮추더라도, 도 5(f)에 도시한 바와 같이, 정전척(23)의 흡착력이 낮아지는데 시간이 걸리므로, 성막공정동안 충분한 흡착력을 유지할 수 있다. 이에 의해, 기판의 평탄도가 좋은 상태에서 마스크와의 밀착도를 유지할 수 있어 성막정밀도를 유지할 수 있게 된다.In one embodiment of the present invention, the voltage applied to the electrostatic chuck 23 is lowered from the first voltage to a second voltage lower than the first voltage after the film forming process is started. This makes it possible to maintain a substantial portion of the attraction force on the substrate by the electrostatic chuck 23 during the film forming process, while securing sufficient time for separating the substrate 10 from the electrostatic chuck 23. That is, even if the voltage applied to the electrostatic chuck 23 is lowered from the first voltage to the second voltage immediately after the film forming process, as shown in Fig. 5 (f), the attraction force of the electrostatic chuck 23 is lowered So that sufficient attraction force can be maintained during the film forming process. As a result, the degree of adhesion with the mask can be maintained in a state where the flatness of the substrate is good, and the deposition precision can be maintained.

기판상에 원하는 두께의 막이 성막되면, 증착원(25)의 셔터를 닫고, 성막공정을 종료한다. When a film having a desired thickness is formed on the substrate, the shutter of the evaporation source 25 is closed, and the film formation process is terminated.

본 발명의 다른 실시형태에서는, 성막공정이 종료된 후에, 정전척(23)에 인가되는 전압을 제1 전압(V1)으로부터 제2 전압(V2)으로 낮춘다. 이를 통해, 성막공정 동안 보다 확실하게 기판을 정전척(23)에 흡착시킬 수 있으므로, 성막정밀도의 저하를 더욱 방지할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the voltage applied to the electrostatic chuck 23 is lowered from the first voltage (V1) to the second voltage (V2) after the film forming process is completed. This makes it possible to more reliably attract the substrate to the electrostatic chuck 23 during the film forming process, thereby further preventing the film forming precision from being lowered.

성막공정이 종료되면, 마그넷(24)이 상승하여, 마스크와 기판의 밀착이 해제된다(도 6(i)). 본 발명의 다른 실시형태에서는, 마그넷(24)이 상승하여 마스크와 기판간의 밀착이 해제된 후에, 정전척(23)에 인가되는 전압을 제1 전압(V1)으로부터 제2 전압(V2)으로 낮춘다. 이를 통해, 기판의 성막면이 마스크에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다. 즉, 마그넷(24)에 의해 마스크가 기판의 성막면에 밀착된 상태에서 정전척(23)에 의한 흡착력이 약해지면, 기판과 마스크간에 약간의 간극이 생기게 되는데, 이때 성막장치의 진동 등에 의해 기판과 마스크가 상대적으로 어긋나면, 기판의 성막면이 손상을 받을 수 있게 된다. 따라서, 마그넷(24)이 상승하여 기판과 마스크간의 밀착상태가 해제될 때까지는 정전척(23)에 인가되는 전압을 제1 전압(V1)으로 유지하여 기판과 마스크의 상대적 어긋남을 방지하고, 기판과 마스크간의 밀착상태가 해제된 이후에 정전척(23)에 인가되는 전압을 제2 전압(V2)으로 낮춘다.When the film forming process is completed, the magnet 24 rises and the close contact between the mask and the substrate is released (Fig. 6 (i)). The voltage applied to the electrostatic chuck 23 is lowered from the first voltage V1 to the second voltage V2 after the magnet 24 rises and the adhesion between the mask and the substrate is released . This makes it possible to prevent the film formation surface of the substrate from being damaged by the mask. That is, when the attracting force of the electrostatic chuck 23 is weakened while the mask is in close contact with the film formation surface of the substrate by the magnet 24, a slight gap is formed between the substrate and the mask. And the mask is relatively shifted, the film formation surface of the substrate can be damaged. Accordingly, the voltage applied to the electrostatic chuck 23 is maintained at the first voltage V1 until the magnet 24 is lifted to release the adhesion between the substrate and the mask, thereby preventing relative displacement between the substrate and the mask, The voltage applied to the electrostatic chuck 23 is lowered to the second voltage V2 after the adhesion between the mask and the mask is released.

이어서, 정전척(23)과 기판 보유지지 유닛(21)의 상승에 의해 기판이 마스크로부터 분리되어 상승한다(도 6(j)).Subsequently, the substrate is separated from the mask and raised by the rise of the electrostatic chuck 23 and the substrate holding unit 21 (Fig. 6 (j)).

본 발명의 다른 실시형태에서는, 기판(10)이 마스크로부터 분리된 이후에 정전척(23)에 인가되는 전압을 제1 전압으로부터 제2 전압으로 낮춘다. 이처럼 기판이 마스크로부터 분리된 이후에 정전척(23)의 흡착력을 낮추기 때문에, 성막장치의 진동과 같은 외란이 발생해도 기판의 성막면이 손상을 받지 않게 된다.In another embodiment of the present invention, the voltage applied to the electrostatic chuck 23 after the substrate 10 is separated from the mask is lowered from the first voltage to the second voltage. Since the attraction force of the electrostatic chuck 23 is lowered after the substrate is separated from the mask, the deposition surface of the substrate is not damaged even if disturbance such as vibration of the deposition apparatus occurs.

이어서, 반송로봇의 핸드가 성막장치의 진공챔버 내로 들어오고 정전척(23)에는 분리전압인 제3 전압(제로(0) 또는 역극성의 전압)이 인가되며(t=t3), 정전척(23)의 흡착력이 충분히 약해진 이후에 정전척(23)이 기판으로부터 분리되어 상승한다(도 6(k)). 이후, 증착이 완료된 기판을 반출한다.Subsequently, a hand of the carrying robot enters the vacuum chamber of the film forming apparatus and a third voltage (zero (0) or reverse polarity voltage) as a separation voltage is applied to the electrostatic chuck 23 (t = t3) 23 is sufficiently weakened, the electrostatic chuck 23 separates from the substrate and rises (Fig. 6 (k)). Thereafter, the substrate on which the deposition is completed is taken out.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 있어서는, 정전척(23)에 인가되는 전압을 제1 전압에서 제2 전압으로 낮추는 시점을, 기판을 정전척으로부터 분리하는 공정(도 6(k))의 개시 전(제3 전압의 인가 전)으로 하되, 필요에 따라, 성막공정의 개시후, 성막공정의 완료 후, 마그넷(24)의 상승에 의한 기판과 마스크의 밀착 해제후, 기판의 상승에 의한 기판과 마스크의 분리 후 등으로 할 수 있다.As described above, in the present invention, the time point at which the voltage applied to the electrostatic chuck 23 is lowered from the first voltage to the second voltage is set before the start of the step of separating the substrate from the electrostatic chuck (Fig. 6 (k) (Before the application of the third voltage), if necessary, after the start of the film forming step, after completion of the film forming step, the substrate is brought into close contact with the mask due to the rise of the magnet 24, After the mask is removed, it can be done.

<전자디바이스의 제조방법>&Lt; Method of manufacturing electronic device &

다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.Next, an example of a method of manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of the present embodiment will be described. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of the organic EL display device will be exemplified as an example of the electronic device.

우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 7(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 7(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다. First, an organic EL display device to be manufactured will be described. Fig. 7 (a) is an overall view of the organic EL display device 60, and Fig. 7 (b) shows a cross-sectional structure of one pixel.

도 7(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.As shown in Fig. 7 (a), in the display area 61 of the organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 each having a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix form. Each of the light emitting devices has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. The term &quot; pixel &quot; as used herein refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the display region 61. [ In the case of the organic EL display device according to the present embodiment, the pixel 62 is constituted by a combination of the first light emitting element 62R, the second light emitting element 62G, and the third light emitting element 62B, . The pixel 62 is often formed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element, and a white light emitting element. no.

도 7(b)는 도 6(a)의 A-B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 제1 전극(양극)(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 제2 전극(음극)(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 제2 전극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 제1 전극(64)과 제2 전극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 제1 전극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.Fig. 7 (b) is a partial sectional schematic view taken along the line A-B in Fig. 6 (a). The pixel 62 includes a first electrode (anode) 64, a hole transport layer 65, light emitting layers 66R, 66G and 66B, an electron transport layer 67, a second electrode (cathode) 68 The organic EL device according to claim 1, Of these, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G, and 66B, and the electron transport layer 67 correspond to organic layers. In the present embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer emitting red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer emitting green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer emitting blue. The light emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to the light emitting elements (sometimes referred to as organic EL elements) emitting red, green, and blue, respectively. The first electrode 64 is formed separately for each light emitting device. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67 and the second electrode 68 may be formed in common with the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed separately for each light emitting element. An insulating layer 69 is provided between the first electrodes 64 to prevent the first electrode 64 and the second electrode 68 from being short-circuited by foreign matter. Further, since the organic EL layer is deteriorated by moisture or oxygen, a protective layer 70 for protecting the organic EL element from moisture or oxygen is provided.

도 7(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 제1 전극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 제1 전극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 제2 전극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.Although the hole transport layer 65 and the electron transport layer 67 are shown as one layer in FIG. 7B, the hole transport layer 65 and the electron transport layer 67 may be formed of a plurality of layers including a hole blocking layer and an electron blocking layer, It is possible. A hole injection layer having an energy band structure capable of smoothly injecting holes from the first electrode 64 into the hole transport layer 65 is formed between the first electrode 64 and the hole transport layer 65 . Similarly, an electron injection layer may be formed between the second electrode 68 and the electron transport layer 67 as well.

다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example of a manufacturing method of the organic EL display device will be described in detail.

우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 제1 전극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.First, a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and a substrate 63 on which the first electrode 64 is formed are prepared.

제1 전극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 제1 전극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.An acrylic resin is formed on the substrate 63 on which the first electrode 64 is formed by spin coating and the acrylic resin is patterned by lithography so as to form an opening in a portion where the first electrode 64 is formed, . This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light.

절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 기판 보유지지 유닛 및 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 제1 전극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.The substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is brought into the first organic material film forming apparatus to hold the substrate by the substrate holding unit and the electrostatic chuck and the hole transport layer 65 is transported to the first electrode 64 As a common layer. The hole transport layer 65 is formed by vacuum evaporation. In practice, since the hole transport layer 65 is formed in a size larger than the display area 61, a high-precision mask is not required.

다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 기판 보유지지 유닛 및 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 기판을 마스크 상에 재치하여, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다. Next, the substrate 63 formed up to the hole transporting layer 65 is brought into the second organic film forming apparatus, and held by the substrate holding unit and the electrostatic chuck. Alignment of the substrate and the mask is performed and the substrate is placed on the mask to form a light emitting layer 66R that emits red light on the portion where the red emitting element of the substrate 63 is disposed.

발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.The light emitting layer 66G that emits green light is formed by the third organic film forming apparatus similarly to the film formation of the light emitting layer 66R and further the light emitting layer 66B that emits blue light by the fourth organic film forming apparatus is formed. After the film formation of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed on the entire display region 61 by the fifth organic material film forming apparatus. The electron transporting layer 67 is formed as a common layer to the three color light emitting layers 66R, 66G, and 66B.

전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 제2 전극(68)을 성막한다. The substrate formed up to the electron transporting layer 67 is moved to the metallic deposition material film forming apparatus to form the second electrode 68. [

본 발명에 따르면, 유기 EL 표시 소자의 제조를 위해, 다양한 유기재료 및 금속성 재료를 기판상에 증착함에 있어서, 기판을 정전척(23)에 흡착 시킨 후 소정의 시점에서(예컨대, 성막공정 개시 후에) 정전척(23)에 가하는 전압을 미리 낮추어 둠으로써, 정전척(23)에 의한 기판의 흡착을 안정적으로 유지하여 기판의 성막면의 손상 등을 방지하면서도 기판을 정전척(23)으로부터 분리하는데 걸리는 시간을 단축시킬 수 있으며, 공정시간을 단축시킬 수 있게 된다. According to the present invention, in depositing various organic materials and metallic materials on a substrate for the production of an organic EL display device, after the substrate is adsorbed on the electrostatic chuck 23 at a predetermined time (for example, By lowering the voltage applied to the electrostatic chuck 23 in advance, the substrate can be stably held by the electrostatic chuck 23, thereby preventing the substrate from being damaged and preventing the substrate from separating from the electrostatic chuck 23 It is possible to shorten the time taken and shorten the process time.

그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.Thereafter, the protective layer 70 is formed by moving to a plasma CVD apparatus to complete the organic EL display device 60.

절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.When the substrate 63 having the insulating layer 69 is exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen from the time when the substrate 63 having been patterned is transferred to the film forming apparatus to the completion of film formation of the protective layer 70, There is a possibility of deterioration due to moisture or oxygen. Therefore, in this example, the carrying-in and carrying-out of the substrate between the film forming apparatuses is performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다. The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, but may be appropriately modified within the scope of the technical idea.

21: 기판 보유지지 유닛
22: 마스크 대
23: 정전척
24: 마그넷
30: 유전체부
31: 전극부
32: 전압제어부
33: 전원부
211: 제1 지지부재
212: 제2 지지부재
311: 제1 서브전극부
312: 제2 서브전극부
21: substrate holding unit
22: Mask band
23: Electrostatic Chuck
24: Magnet
30:
31:
32:
33:
211: first supporting member
212: second supporting member
311: a first sub-
312: second sub-electrode portion

Claims (20)

마스크를 통해 기판에 성막을 행하기 위한 성막장치로서,
기판의 주연부를 지지하기 위한 지지부를 포함하는 기판 보유지지 유닛,
상기 지지부의 상방에 설치되며, 기판을 흡착하기 위한 정전척, 상기 정전척의 상방에 설치되며, 마스크에 자력을 인가하여 기판과 마스크를 밀착시키기 위한 마그넷, 및
상기 정전척에 인가되는 전압을 제어하기 위한 제어부를 포함하며,
상기 제어부는, 기판을 상기 정전척에 흡착시킬 때, 상기 전압으로서 제1 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하고, 기판이 상기 정전척에 흡착된 후 기판의 상기 정전척으로부터의 분리공정이 개시되기 전에 미리, 상기 전압으로서 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 성막장치.
A film forming apparatus for forming a film on a substrate through a mask,
A substrate holding unit including a support for supporting a periphery of the substrate,
A magnet disposed above the electrostatic chuck for applying a magnetic force to the mask to closely contact the substrate and the mask,
And a control unit for controlling a voltage applied to the electrostatic chuck,
Wherein the control unit controls the first voltage to be applied to the electrostatic chuck when the substrate is attracted to the electrostatic chuck, and the process of separating the substrate from the electrostatic chuck after the substrate is attracted to the electrostatic chuck is started The second voltage lower than the first voltage is applied to the electrostatic chuck in advance as the voltage.
제1항에 있어서, 상기 제어부는 마스크를 통해 기판상에 증착재료를 증착하는 성막공정의 개시 후에 상기 제2 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 성막장치.The film forming apparatus according to claim 1, wherein the controller controls the second voltage to be applied to the electrostatic chuck after the start of a film forming process for depositing an evaporation material on a substrate through a mask. 제1항에 있어서, 상기 제어부는 마스크를 통해 기판상에 증착재료를 증착하는 성막공정의 완료 후에, 상기 제2 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 성막장치. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the controller controls the second voltage to be applied to the electrostatic chuck after completion of a film forming process for depositing an evaporation material on a substrate through a mask. 제1항에 있어서,
상기 제어부는 상기 마그넷에 의한 기판과 마스크의 밀착이 해제된 후에 상기 제2 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 성막장치.
The method according to claim 1,
Wherein the controller controls the second voltage to be applied to the electrostatic chuck after the adhesion of the substrate to the mask by the magnet is released.
제1항에 있어서, 상기 제어부는 상기 정전척에 흡착된 기판이 마스크로부터 분리된 후에 상기 제2 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 성막장치.The film forming apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the second voltage to be applied to the electrostatic chuck after the substrate attracted to the electrostatic chuck is separated from the mask. 제1항에 있어서, 상기 제어부는 상기 분리공정이 개시되는 시점에서 제로(0) 전압 또는 역극성의 전압인 제3 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 성막장치.The apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the third voltage to be applied to the electrostatic chuck at a time when the separation process is started. 제1항에 있어서, 상기 제2 전압은 제로(0) 전압 또는 역극성의 전압인 성막장치.The film forming apparatus according to claim 1, wherein the second voltage is a zero voltage or a reverse polarity voltage. 제1항에 있어서, 상기 정전척은 복수의 서브전극부를 포함하는 전극부를 구비하며, 상기 제어부는 상기 복수의 서브전극부 각각에 인가되는 상기 제2 전압의 크기가 서로 다르도록 제어하는 성막장치.The apparatus according to claim 1, wherein the electrostatic chuck has an electrode section including a plurality of sub-electrode sections, and the control section controls the magnitudes of the second voltages applied to the plurality of sub-electrode sections to be different from each other. 제8항에 있어서, 상기 지지부는 상기 기판의 대향하는 두 변 중 한 쪽측의 주연부를 지지하도록 배치되는 제1 지지부재, 및 상기 기판의 상기 대향하는 두 변 중 다른 쪽측의 주연부를 지지하도록 배치되는 제2 지지부재를 포함하고,
상기 제1 지지부재의 기판지지면은 상기 제2 지지부재의 기판지지면보다 높이가 높으며,
상기 복수의 서브전극부 중 상기 제1 지지부재에 대응하는 위치에 설치된 서브전극부에 인가되는 제2 전압이 상기 제2 지지부재에 대응하는 위치에 설치된 서브전극부에 인가되는 제2 전압보다 낮은 성막장치.
The substrate holder according to claim 8, wherein the support portion includes a first support member arranged to support a peripheral edge of one of two opposing sides of the substrate, and a second support member arranged to support a peripheral edge of the other of the two opposite sides of the substrate And a second support member,
Wherein the substrate support surface of the first support member is higher than the substrate support surface of the second support member,
A second voltage applied to a sub-electrode portion provided at a position corresponding to the first support member among the plurality of sub-electrode portions is lower than a second voltage applied to a sub-electrode portion provided at a position corresponding to the second support member Film deposition apparatus.
제1항에 있어서, 상기 정전척은 복수의 서브전극부를 포함하는 전극부를 구비하며,
상기 제어부는 상기 복수의 서브전극부 각각에 상기 제2 전압이 인가되는 시점이 다르도록 제어하는 성막장치.
The electrostatic chuck according to claim 1, wherein the electrostatic chuck has an electrode portion including a plurality of sub-electrode portions,
Wherein the control unit controls each of the plurality of sub-electrode units so that a time point at which the second voltage is applied is different.
제10항에 있어서, 상기 지지부는 상기 기판의 대향하는 두 변 중 한 쪽측의 주연부를 지지하도록 배치되는 제1 지지부재, 및 상기 기판의 상기 대향하는 두 변 중 다른 쪽측의 주연부를 지지하도록 배치되는 제2 지지부재를 포함하고, 상기 제1 지지부재의 기판지지면은 상기 제2 지지부재의 기판지지면보다 높이가 높으며,
상기 복수의 서브전극부 중 상기 제1 지지부재에 대응하는 위치에 설치된 서브전극부에 상기 제2 전압이 인가되는 시점이 상기 제2 지지부재에 대응하는 위치에 설치된 서브전극부에 상기 제2 전압이 인가되는 시점보다 빠른 성막장치.
11. The apparatus according to claim 10, wherein the support portion includes a first support member arranged to support a peripheral edge of one of two opposite sides of the substrate, and a second support member arranged to support a peripheral edge of the other of the two opposite sides of the substrate Wherein the substrate support surface of the first support member is higher than the substrate support surface of the second support member,
Wherein a time point at which the second voltage is applied to a sub-electrode portion provided at a position corresponding to the first support member among the plurality of sub-electrode portions is set to a sub-electrode portion provided at a position corresponding to the second support member, Film deposition apparatus.
마스크를 통하여 기판에 성막을 행하는 성막방법으로서,
기판을 성막장치의 진공챔버내로 반입하는 단계,
반입된 기판을 기판 보유지지 유닛의 지지부상에 올려놓는 단계,
상기 지지부상의 기판을 정전척에 흡착시키는 단계,
상기 정전척에 흡착된 기판을 마스크에 대해 위치조정하는 얼라인먼트 단계,
위치조정된 기판을 마스크상에 재치하는 단계,
마그넷에 의해 마스크와 마스크상의 기판을 밀착시키는 단계,
증착원으로부터 증발된 증착재료를 마스크를 통해 기판상에 성막시키는 단계, 및
기판을 상기 정전척으로부터 분리하는 단계를 포함하며,
기판을 정전척에 흡착시키는 상기 단계는, 상기 정전척에 정전인력을 발생시키기 위해 제1 전압을 인가하는 단계를 포함하며,
기판상에 증착재료를 성막시키는 상기 단계의 개시후에, 상기 정전척에 인가되는 전압을 상기 제1 전압에서 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압으로 낮추는 성막방법.
A film forming method for forming a film on a substrate through a mask,
Bringing the substrate into a vacuum chamber of a film forming apparatus,
Placing the loaded substrate on the support of the substrate holding unit,
Adsorbing the substrate on the support to an electrostatic chuck,
An alignment step of adjusting the position of the substrate attracted to the electrostatic chuck with respect to the mask,
Placing the positioned substrate on a mask,
Adhering the mask and the substrate on the mask by a magnet,
Depositing an evaporated material evaporated from an evaporation source on a substrate through a mask, and
Separating the substrate from the electrostatic chuck,
Wherein said step of adsorbing a substrate to an electrostatic chuck comprises the step of applying a first voltage to generate an electrostatic attraction on said electrostatic chuck,
Wherein the voltage applied to the electrostatic chuck is lowered from the first voltage to a second voltage lower than the first voltage after the start of the step of forming the evaporation material on the substrate.
제12항에 있어서, 상기 성막시키는 단계의 완료 후에 상기 정전척에 인가되는 전압을 상기 제2 전압으로 낮추는 성막방법. The film forming method according to claim 12, wherein the voltage applied to the electrostatic chuck after the completion of the film forming step is lowered to the second voltage. 제12항에 있어서, 상기 성막시키는 단계와 상기 분리하는 단계 사이에, 상기 마그넷에 의한 마스크와 기판간의 밀착 상태를 해제하는 단계를 포함하며,
상기 밀착 상태를 해제하는 단계 후에 상기 정전척에 인가되는 전압을 상기 제2 전압으로 낮추는 성막방법.
13. The method according to claim 12, further comprising the step of releasing an adhesion state between the mask and the substrate by the magnet between the step of forming the film and the step of separating,
Wherein the voltage applied to the electrostatic chuck is lowered to the second voltage after the step of releasing the contact state.
제12항에 있어서, 상기 성막시키는 단계와 상기 분리하는 단계 사이에,
상기 마그넷에 의한 마스크와 기판간의 밀착 상태를 해제하는 단계 및,
밀착상태가 해제된 상기 기판을 마스크로부터 이격시키는 단계를 포함하며,
상기 이격시키는 단계 후에 상기 정전척에 인가되는 전압을 상기 제2 전압으로 낮추는 성막방법.
The method according to claim 12, further comprising, between the step of forming a film and the step of separating,
Releasing the adhesion state between the mask and the substrate by the magnet,
And separating the substrate from which the adhered state is released from the mask,
Wherein the voltage applied to the electrostatic chuck is lowered to the second voltage after the step of separating.
제12항에 있어서,
상기 정전척에 상기 제2 전압이 인가된 후, 상기 기판을 분리하는 단계에서, 상기 정전척에 제로(0) 전압 또는 역극성의 전압인 제3 전압을 인가하는 성막방법.
13. The method of claim 12,
Wherein a zero voltage or a third voltage which is a reverse polarity voltage is applied to the electrostatic chuck in the step of separating the substrate after the second voltage is applied to the electrostatic chuck.
제12항에 있어서, 상기 제2 전압은 제로(0) 전압 또는 역극성의 전압인 성막방법.13. The method of claim 12, wherein the second voltage is a zero voltage or a reverse polarity voltage. 제12항에 있어서, 상기 정전척에 포함되는 복수의 서브전극부 각각에 인가되는 제2 전압의 크기가 서로 달리하는 성막방법. The method according to claim 12, wherein a magnitude of a second voltage applied to each of a plurality of sub-electrode portions included in the electrostatic chuck are different from each other. 제12항에 있어서, 상기 정전척에 포함되는 복수의 서브전극부 각각에 제2 전압이 인가되는 시점을 서로 달리하는 성막방법.The method according to claim 12, wherein a time point at which the second voltage is applied to each of the plurality of sub-electrode portions included in the electrostatic chuck is different from each other. 유기 EL 표시 장치의 제조방법으로서,
제12항 내지 제19항 중 어느 한 항의 성막방법을 사용하여 유기 EL 표시장치를 제조하는 제조방법.
A manufacturing method of an organic EL display device,
A manufacturing method for manufacturing an organic EL display device using the film forming method according to any one of claims 12 to 19.
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