JP2011192687A - 半導体基板の加工装置、半導体基板の製造方法、及び半導体基板 - Google Patents
半導体基板の加工装置、半導体基板の製造方法、及び半導体基板 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体基板16を支持して回転させる支持体19と、前記半導体基板16の周縁に対向して、加圧又は大気圧下でプラズマを生成させるための電極15と、前記電極15及び前記半導体基板16の円弧状の周縁間のギャップの距離を測定するための位置センサ21と、前記ギャップが一定となるように、前記半導体基板16に対する前記電極15の位置を制御するための制御装置20とを備える半導体基板の加工装置である。
【選択図】図1
Description
(1)バルク体を外筒研削にて狙いの直径をもつ円筒状に加工した後、内周刃加工機、ワイヤーソーなどを用いて切断してウェハー状にする。
(2)ウェハーにべべリング加工やエッジポリッシュ加工を施し、エッジの面取りを行う。
(3)ウェハー表面を研磨し、平滑な面を形成する。
また、電極を固定した例では、プラズマエッチング加工中に、電極及びウェハー間のギャップ長を一定に制御することは出来ない。したがって、エッチングが進行し、電極及びウェハー間の最近接距離が離れるにつれて、面取り加工のエッチングレートが低下する方に変化してしまい、ギャップ長の変化がはなはだしい場合には加工中にプラズマが消失してしまう可能性はある。
半導体基板を支持して回転させるための支持体と、
前記半導体基板の周縁に対向して、加圧又は大気圧下でプラズマを生成させるための電極と、
前記電極及び前記半導体基板の円弧状の周縁間のギャップの距離を測定するための位置センサと、
前記ギャップが一定となるように、前記半導体基板に対する前記電極の位置を制御するための制御装置とを備えることを特徴とする。
半導体基板の周縁に少なくとも1つの電極を対向して配置させる工程と、
前記電極及び前記半導体基板の間において、加圧又は大気圧下で、不活性ガス及び反応ガスの混合雰囲気をプラズマ化させる工程と
前記半導体基板を回転させる工程と、
前記電極及び前記半導体基板の円弧状の周縁間の距離を一定に制御する工程と、
前記プラズマによって前記半導体基板の周縁を面取り加工する工程を含むことを特徴とする。
雰囲気の圧力:1.01×105Pa
高周波電圧:周波数13.56MHz,電力10W
ウェハーの回転数:10rpm
電極及びウェハー間のギャップ:500μm
処理時間:1min
11 入側配管
12 出側配管
13 チャンバー
14 支持部
15 電極
15b,15c,15d 電極
16 ウェハー
16b,16c,16d ウェハー
16n ノッチ
17 高周波電源
18 マッチング回路
19 ウェハー台
20 電極位置制御装置
20b 電極位置制御装置
21 位置センサ
22 位置センサ
23 電気力線
36,36c,36d ウェハー
Claims (10)
- 半導体基板を支持して回転させるための支持体と、
前記半導体基板の周縁に対向して、加圧又は大気圧下でプラズマを生成させるための電極と、
前記電極及び前記半導体基板の円弧状の周縁間のギャップの距離を測定するための位置センサと、
前記ギャップが一定となるように、前記半導体基板に対する前記電極の位置を制御するための制御装置とを備えることを特徴とする半導体基板の加工装置。 - 前記電極は、半導体基板の裏面と対向する側にテーパーを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の加工装置。
- 前記電極は、半導体基板の側面と対向する側の中央に突出部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の加工装置。
- 前記位置センサと前記電極は、ウェハーの回転方向で位相差がπ/2、π、或いは3π/2のいずれかとなるように、ずれた箇所に配置されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体基板の加工装置。
- 半導体基板の周縁に少なくとも1つの電極を対向して配置させる工程と、
前記電極及び前記半導体基板の間において、加圧又は大気圧下で、不活性ガス及び反応ガスの混合雰囲気をプラズマ化させる工程と
前記半導体基板を回転させる工程と、
前記電極及び前記半導体基板の円弧状の周縁間の距離を一定に制御する工程と、
前記プラズマによって前記半導体基板の周縁を面取り加工する工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 面取り加工後に裏面を研削又は研磨して、ウェハーの厚さを薄くする工程を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記電極として、半導体基板の裏面と対向する側にテーパーを有する電極を用いることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記電極として、半導体基板の側面と対向する側の中央に突出部を有する電極を用いることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記制御する工程において、ウェハーの回転方向で位相差がπ/2、π、或いは3π/2のいずれかとなるように前記電極からずれた位置で、前記半導体基板の円弧状の周縁にレーザを照射して距離を測定する工程を含むことを特徴とする請求項5乃至8のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 請求項5乃至9のいずれかに記載の半導体基板の製造方法によって作製されることを特徴とする半導体基板。
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