JP2011187287A - 非水電解質二次電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】高容量で、良好な充放電サイクル特性を有する非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の非水電解質二次電池は、正極と、負極と、非水電解質とを含み、前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、前記負極活物質含有層は、ケイ素と、前記ケイ素の結晶中に固溶されたリン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素とを含む負極活物質を含み、前記リン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で1×10-5以上1×10-2以下であることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の非水電解質二次電池は、正極と、負極と、非水電解質とを含み、前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、前記負極活物質含有層は、ケイ素と、前記ケイ素の結晶中に固溶されたリン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素とを含む負極活物質を含み、前記リン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で1×10-5以上1×10-2以下であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、リチウムを吸蔵・放出可能な物質を負極活物質に用いた非水電解質二次電池に係り、特にリチウムと合金化反応することで高い充放電容量が実現可能なケイ素を含む負極活物質を用いた非水電解質二次電池に関する。
近年、高出力、高エネルギー密度の二次電池として、非水溶媒にリチウム塩からなる溶質を溶解させた非水電解液を用いてリチウムイオンを正極と負極との間で移動させて充放電するリチウムイオン二次電池が主流を占めるようになってきた。これらリチウムイオン二次電池の負極活物質には、金属リチウムや、リチウムイオンの吸蔵・放出が可能な黒鉛、コークス、有機物焼成体等の炭素材料が用いられてきた。負極活物質として金属リチウムを用いた場合には、電極電位が最も卑であるため、電池の電位が最も高く、エネルギー密度も高く好ましい。しかし、負極活物質として金属リチウムを用いると、充放電によって負極表面にデンドライトや不働体化合物が生成し、充放電による負極の劣化が大きく、充放電サイクル寿命が短いという問題があった。これに対し、負極活物質に炭素材料を用いた場合には、充放電によって負極界面で非水電解液が分解したり、あるいは炭素材料が負極から脱離して、次第に充放電容量が低下する等の問題があった。また、炭素材料は、結晶層間や格子間隙間にリチウムイオンをインターカレーション又はデインターカレーションするものであるから、原理的に炭素原子6個にリチウムイオンを1個しか吸蔵・放出できないため、エネルギー密度を十分に高めることができない問題もあった。
一方、これらの問題に対して、ゲルマニウム(Ge)、ケイ素(Si)、亜鉛(Zn)、スズ(Sn)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、カドミウム(Cd)等のリチウムと合金化する材料を負極活物質に使用する試みがなされてきた。とりわけ、Siは、地球上に豊富に存在する材料であって、電極電位も低く、単位重量あたりの理論容量は炭素材料に対して1桁以上の向上が見込めるなど、有望な負極材料として注目されている。
例えば、Siを集電体表面に薄膜状に設けて負極とする方法が検討されている(例えば、非特許文献1参照。)。しかし、この方法では、Si等のリチウム(Li)と合金化する材料は、一般的にLiの吸蔵・放出に伴う体積の膨張・収縮(体積変化)が大きく、薄膜状活物質に割れが生じて充放電容量の低下を招くことが知られている。
これを防ぐため、種々の検討がなされているが、例えば、銅箔等の集電体表面に凹凸を形成し、その上にSi薄膜を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。この方法では、充放電時にSi薄膜が柱状に分離された状態になり、このため、Siの体積変化による応力が緩和されて、活物質が集電体表面から離脱するのを抑制することができる。しかし、この方法においても、柱状に分離されたSi活物質が不安定となり、充放電容量が低下する問題を払拭できず、充放電サイクル特性は不十分であった。
一方、ホウ素(B)、Al、Ga等のIIIb族元素、あるいはリン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等のVb族元素を、負極活物質に添加することでSiの電子伝導性を高めて、充放電特性の向上を図る試みがなされている(例えば、特許文献2参照。)。しかし、この方法においても、充放電サイクル初期の負荷特性や充放電特性は向上できるものの、その後の充放電サイクル特性においては満足できるものでなかった。
J.Electrochem.Soc.,153,A1246(2006年)
本発明は、上記問題を解決するもので、充放電におけるSiを含む負極活物質(以下、Si活物質ともいう。)の安定化を図ることにより、高容量で、良好な充放電サイクル特性を有する非水電解質二次電池を提供する。
本発明は、正極と、負極と、非水電解質とを含む非水電解質二次電池であって、前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、前記負極活物質含有層は、ケイ素と、前記ケイ素の結晶中に固溶されたリン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素とを含む負極活物質を含み、前記リン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で1×10-5以上1×10-2以下であることを特徴とする。
本発明により、高容量で、良好な充放電サイクル特性を有する非水電解質二次電池を提供できる。
鋭意検討の結果、本発明者等は、充放電におけるSi活物質の安定化を図るには、Si活物質の体積変化による集電体からの離脱の抑制にも増して、Si活物質自体に電子伝導性を付与して、尚かつ充放電サイクル後にもそれを保持することが極めて重要であることを見出した。即ち、Siに電子伝導性を付与する添加元素として、Vb族のドナー元素であるP、As、S
bを用いた場合にのみ、Si活物質のサイクル後の電子伝導性が保持できることが判明し、その結果、充放電サイクル特性が向上できることが分かった。
bを用いた場合にのみ、Si活物質のサイクル後の電子伝導性が保持できることが判明し、その結果、充放電サイクル特性が向上できることが分かった。
一方、特許文献2に記載のように、Siに電子伝導性を付与する添加元素として、IIIb族のアクセプタ元素であるB、Al、Ga、In等を用いると、初期状態での電子伝導性は高められるものの、充放電を繰り返すと徐々に電子伝導性が損なわれることが判明し、この結果、充放電サイクル特性の低下を招くことが分かった。
これは、充放電カーブや電極間のインピーダンスの測定等の実験結果、及び負極活物質の分析結果等から、次のように考えることができる。Si活物質の酸化還元反応は主に下記式(1)で示され、充放電が行われる。下記式(1)において、右方向への移行が充電反応でありその逆方向が放電反応である。
X・Si+Y・Li++Y・e- ⇔ SiXLiY ・・・(1)
ここで、X=5、Y=22が電気化学的に安定な最終形態と考えられている。充電時にはSiがLiイオンを吸蔵してSiLi合金が生成し、放電時にはSiLi合金からLiがイオンとなって溶出すると共にSiが析出する。電子伝導性を付与する添加元素は、充電時にはSiLi合金中に取り込まれ、放電時にはSi中に取り込まれるか、あるいはSi外に吐き出される。この差はSi/SiXLiY間における添加元素の偏析係数によって決まると考えられる。実験の結果、上記IIIb族元素の偏析係数は1より小さく、上記Vb族元素の偏析係数は1より大きいことが分かった。即ち、放電時のSi析出の際、IIIb族元素はSi外に吐き出され、Vb族元素はSi中に取り込まれることになる。従って、充放電を繰り返すことで、IIIb族元素を添加したSiは徐々に電子伝導性が損なわれ、一方Vb族元素を添加したSiは電子伝導性が保持されることになる。これらの結果、IIIb族元素を添加したSiは下記反応が阻害され充放電容量の低下を招き、Vb族元素を添加したSiは充放電容量の低下が生じなく、良好なサイクル特性を維持できることになったと考えられる。
以下、本発明の非水電解質二次電池について説明する。本発明の非水電解質二次電池は、正極と、負極と、非水電解質とを備えている。
先ず、本発明に係る負極について説明する。本発明に係る負極は、負極集電体と、上記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを備えている。
上記負極活物質含有層は、Siと、上記Siの結晶中に固溶されたリン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素とを含む負極活物質を含み、上記P、As及びSbからなる群から選択される少なくとも1種の元素の上記負極活物質中での含有量は、上記Siに対して原子比で1×10-5以上1×10-2以下である。
上記P、As及びSbを上記Siの結晶中に固溶させることで、負極活物質含有層に電子伝導性を付与できる。上記固溶元素の上記負極活物質中での含有量が、上記Siに対して原子比で1×10-5未満では負極活物質含有層での電子伝導性の付与の効果が小さくなる。また、上記負極活物質中での上記固溶元素の含有量が増加すると、負極活物質含有層の電子伝導性も向上するが、上記Siに対して原子比で1×10-2を超えると、上記固溶元素のSi中での固溶限界を超えるため、上記元素がSi格子間に析出して無駄になるだけでなく、Si格子間に析出した元素による散乱現象によって、かえって電子伝導性の低下(電子移動度の低下)を招くおそれがある。また、上記固溶元素は、Liの吸蔵・放出に殆ど寄与しないものであるから、この観点からは、上記固溶元素の含有量は少ない方がよい。
Siの結晶中へ固溶させる元素としては、P、As及びSbからなる群から選択される少なくとも1種の元素であればよいが、Si中での固溶限界(溶解度の上限)は、Asが最も大きく、次にPが大きく、SbはAsやPに比べて1桁以上小さい。従って、より多くの固溶が可能で、高い電子伝導性を付与できるため、固溶元素としてはAs及びPが好ましく、Asが最も好ましい。
なお、本発明には含まれないが、Vb族の窒素(N)はドナーとして殆ど機能しないので本発明の固溶元素としては適さない。
上記負極活物質含有層は、Siと、上記Siの結晶中に固溶されたリン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素とから形成されていることが好ましい。Siは原子1個あたり、Liイオンを4.4個吸蔵する能力があり、Si及び上記固溶元素以外の成分を含まない単一結晶層で上記負極活物質含有層を形成した方が単位重量あたりの充放電容量を最も大きくできるからである。上記負極活物質含有層としての上記単一結晶層は、上記負極集電体の上に、成分元素をスパッタリング法、真空蒸着法等の物理的気相成長(PVD)法、又は化学的気相成長(CVD)法等の方法により積層させて薄膜状の形態で形成できるが、他の方法により形成してもよい。
また、Si中での電子伝導性は、Si結晶格子上のSi元素が上記元素に置き換わった状態、即ち置換型で固溶した状態で初めて発現されるものであるから、Siの結晶形態は、単結晶又は多結晶であることが望ましい。しかし、Siが初期状態で非晶質であっても、Li放出時に析出するSiは電気化学エネルギーを得て結晶化するので、初期状態で非晶質であっても充放電を繰り返すことにより、単結晶又は多結晶の場合と同様に電子伝導性を付与することは可能である。
また、上記負極活物質含有層は、微粉化された上記負極活物質と、さらにバインダとを含む形態であってもよい。この形態では、充放電時のSiの体積変化に伴う応力緩和の効果があり、充放電サイクル特性のさらなる向上が図れる。また、本形態では、前述のPVD法又はCVD法により負極活物質含有層を形成する場合に比べて、簡易な設備で実施可能なため、大量生産に適しており、製造コストの低減化も可能である。上記微粉化された負極活物質の間の電子伝導性を補助するために、上記負極活物質含有層は、さらに電子伝導助剤を含んでいてもよい。本形態の負極活物質含有層は、上記負極活物質と上記バインダと上記電子伝導助剤と溶剤とを混合した負極活物質含有スラリーを上記負極集電体の上に塗布する塗布法により形成できる。
さらに、上記負極活物質は、酸素を構成元素としてさらに含み、上記酸素の上記負極活物質中での含有量は、上記Siに対して原子比で0.5以上1.5以下とすることもできる。上記Siと酸素とを含む負極活物質で負極活物質含有層を形成すると、Si及び固溶元素以外の成分を含まない単一結晶層で上記負極活物質層を形成した場合に比べて、充放電容量は低下するが、充放電サイクル特性を向上させる効果がある。
また、上記Siと酸素とを含む負極活物質は、SiOx(0.5≦x≦1.5)と表現でき、少なくとも充電前の初期状態(リチウム吸蔵前)においては、非晶質のSiO2のマトリックス中にSi微結晶が点在した形態を成し、上記Si微結晶中に上記P、As及びSbからなる群から選択される少なくとも1種の元素が固溶している構成としてもよい。
また、上記負極活物質含有層は、上記Siと酸素とを含む負極活物質を微粉化した活物質と、さらにバインダと、電子伝導助剤とを含む形態とすることもできる。この形態では、充放電時のSiの体積変化に伴う応力緩和の効果があると共に、微粉化した負極活物質粒子間の電子伝導性を上記電子伝導助剤が向上させる機能を果たすので、充放電サイクル特性をさらに高めることができる。本形態の負極活物質は、上記負極活物質と上記バインダと上記電子伝導助剤と溶剤とを混合した負極活物質含有スラリーを上記負極集電体の上に塗布する塗布法により形成できる。
上記バインダとしては、例えば、でんぷん、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース(CMC)、ヒドロキシプロピルセルロース、再生セルロース、ジアセチルセルロース等の多糖類及びそれらの変成体;ポリビニルクロリド、ポリビニルピロリドン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミドイミド、ポリアミド等の熱可塑性樹脂及びそれらの変成体;ポリイミド;エチレン−プロピレン−ジエンターポリマー(EPDM)、スルホン化EPDM、スチレンブタジエンゴム(SBR)、ブタジエンゴム、ポリブタジエン、フッ素ゴム、ポリエチレンオキシド等のゴム状弾性を有するポリマー及びそれらの変成体;等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。
上記電子伝導助剤としては、非水電解質二次電池内において化学変化を起こさないものであれば特に限定されず、例えば、天然黒鉛(鱗状黒鉛、鱗片状黒鉛、土状黒鉛等)、人造黒鉛、カーボンブラック(サーマルブラック、ファーネスブラック、チャンネルブラック、ケッチェンブラック、アセチレンブラック等)、炭素繊維、金属粉(銅粉、ニッケル粉、アルミニウム粉、銀粉等)、金属繊維、ポリフェニレン誘導体(特開昭59−20971号公報に記載のもの)等の材料を、1種又は2種以上用いることができる。これらの中でも、カーボンブラックを用いることが好ましく、ケッチェンブラックやアセチレンブラックがより好ましい。
上記負極活物質含有スラリーに用いる溶剤については特に限定されず、例えば、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)等の有機溶剤が使用できる。
上記微粉化された負極活物質の粒子径は特に限定されず、例えば0.1〜10μmの粒子径の微粒子を用いればよい。上記微粒子の粒子径は、レーザー散乱粒度分布計を用いて測定できる。
上記負極集電体としては、銅又は銅合金からなる箔等を用いることができる。上記負極集電体の厚さは特に限定されないが、強度と体積効率を考慮して5〜30μmの範囲で設定される。また、上記負極集電体の表面には、深さが1μm以下程度の凹凸があってもよく、その材質には、Cu/Ni/Cu等のクラッド材を使用してもよい。
上記負極活物質含有層の厚さは、負極活物質含有層の組成や形成方法により異なり、特に限定されないが、例えば、スパッタリング法では0.1〜10μm、塗布法では1〜100μmとすればよい。
次に、本発明に係る正極について説明する。本発明に係る正極は、正極集電体と、上記正極集電体の上に形成された正極活物質含有層とを備えている。
上記正極は、正極活物質と電子伝導助剤とバインダと溶剤とを混合した正極活物質含有スラリーを上記正極集電体の上に塗布する塗布法により形成できるが、他の方法で形成してもよい。
上記正極活物質としては、例えば、リチウム含有マンガン酸化物、リチウム含有コバルト酸化物、リチウム含有バナジウム酸化物、リチウム含有ニッケル酸化物、リチウム含有鉄酸化物、リチウム含有クロム酸化物、リチウム含有チタン酸化物等のリチウム含有遷移金属酸化物、あるいはこれらの混合物を用いることができる。
上記電子伝導助剤、上記バインダ及び上記溶剤は、負極で用いる電子伝導助剤、バインダ及び溶剤と同様のものを使用できる。
上記正極集電体としては、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる箔等を用いることができる。上記正極集電体の厚さは特に限定されないが、強度と体積効率を考慮して5〜30μmの範囲で設定される。
上記正極活物質含有層の厚さは、正極活物質含有層の組成や形成方法により異なり、特に限定されないが、例えば、塗布法では1〜100μmとすればよい。
次に、本発明に係る非水電解質について説明する。本発明に係る非水電解質としては、下記の溶媒中に下記の無機イオン塩を溶解させることにより調製した電解液が使用できる。
溶媒としては、例えば、エチレンカーボネート(EC)、プロピレンカーボネート(PC)、ブチレンカーボネート(BC)、ジメチルカーボネート(DMC)、ジエチルカーボネート(DEC)、メチルエチルカーボネート(MEC)、γ−ブチロラクトン、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、1,3−ジオキソラン、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジオキソラン、アセトニトリル、ニトロメタン、蟻酸メチル、酢酸メチル、燐酸トリエステル、トリメトキシメタン、ジオキソラン誘導体、スルホラン、3−メチル−2−オキサゾリジノン、プロピレンカーボネート誘導体、テトラヒドロフラン誘導体、ジエチルエーテル、1,3−プロパンサルトン等の非プロトン性有機溶媒を、1種又は2種以上用いることができる。
無機イオン塩としては、Li塩、例えば、LiClO4、LiBF4、LiPF6、LiCF3SO3、LiCF3CO2、LiAsF6、LiSbF6、LiB10Cl10、低級脂肪族カルボン酸Li、LiAlCl4、LiCl、LiBr、LiI、クロロボランLi、四フェニルホウ酸Li等を、1種又は2種以上用いることができる。
本発明の非水電解質二次電池は、上記負極、上記正極及び上記非水電解質等を備えていればよく、その他の構成要素や構造等については制限されない。例えば、セパレータとしては、強度が十分で、かつ電解液を多く保持できるものがよく、そのような観点から、厚さが10〜50μmで開口率が30〜70%の、ポリエチレン、ポリプロピレン、又はエチレン−プロピレン共重合体を含む微多孔フィルムや不織布等が好ましい。
また、本発明の非水電解質二次電池では、その形状等についても特に制限はない。例えば、コイン形、ボタン形、シート形、積層形、円筒形、偏平形、角形、電気自動車等に用いる大型のものなど、何れであってもよい。
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
負極は次のように作製した。先ず、Siに対してAsを原子比で2×10-4の割合で固溶添加したSi結晶基板(抵抗率5mΩcm)を用意した。このSi結晶基板をターゲット材として用いて、厚み10μmの銅箔からなる集電体の両面に通常のスパッタリング法によって厚み5μmのSi薄膜を形成した。形成したSi薄膜はナノサイズ結晶からなる多結晶体であり、交流インピーダンス法で測定したその抵抗率は約15mΩcmであった。このSi薄膜中のAsの含有量は、Siに対して原子比で2×10-4である。その後、このSi薄膜付き集電体を幅37mmに裁断して短冊状の負極を得た。
負極は次のように作製した。先ず、Siに対してAsを原子比で2×10-4の割合で固溶添加したSi結晶基板(抵抗率5mΩcm)を用意した。このSi結晶基板をターゲット材として用いて、厚み10μmの銅箔からなる集電体の両面に通常のスパッタリング法によって厚み5μmのSi薄膜を形成した。形成したSi薄膜はナノサイズ結晶からなる多結晶体であり、交流インピーダンス法で測定したその抵抗率は約15mΩcmであった。このSi薄膜中のAsの含有量は、Siに対して原子比で2×10-4である。その後、このSi薄膜付き集電体を幅37mmに裁断して短冊状の負極を得た。
一方、正極は次のようにして作製した。先ず、正極活物質としてLi1.0Ni0.94Mn0.03Mg0.03O2を96質量%(固形分全量中の含有量。以下同じ。)と、電子伝導助剤としてケッチェンブラック(平均粒径0.05μm)2質量%と、バインダとしてPVDF2質量%と、溶媒としての脱水NMPとを混合して得た正極活物質含有スラリーを、厚みが15μmのアルミニウム箔からなる集電体の両面に塗布し、乾燥後プレスして、片面あたりの厚みが70μmの正極活物質含有層を形成した。その後、この正極活物質含有層付き集電体を幅36mmに裁断して短冊状の正極を得た。
次に、上記負極と上記正極とを、微孔性ポリエチレンフィルム製のセパレータ(厚み18μm、開口率50%)を介して重ね合わせてロール状に巻回した後、正極及び負極にそれぞれ端子を溶接し、厚み4mm、幅34mm、高さ43mmのアルミニウム製電池缶に挿入し、蓋を溶接して取り付けた。その後、蓋の注液口よりEC:DEC=3:7(体積比)の溶媒にLiPF6を1mol/Lの濃度で溶解させて調製した電解液(非水電解質)2.5gを上記電池缶内に注入し、上記注液口を封口して、本実施例の角形非水電解質二次電池を得た。
(比較例1)
Siに対してBを原子比で2×10-4の割合で固溶添加したSi結晶基板を用いた以外は、実施例1と同様にして負極を作製し、その負極を用いた以外は実施例1と同様にして本比較例の角形非水電解質二次電池を作製した。
Siに対してBを原子比で2×10-4の割合で固溶添加したSi結晶基板を用いた以外は、実施例1と同様にして負極を作製し、その負極を用いた以外は実施例1と同様にして本比較例の角形非水電解質二次電池を作製した。
次に、実施例1と比較例1の電池を用いて充放電サイクル試験を行った。充放電条件は次のとおりとした。即ち、充電は、電流を500mAとして定電流で行い、充電電圧が4.2Vに達した後、電流が1/10となるまで定電圧で行った。また、放電は、電流を500mAとして定電流で行い、放電終止電圧は2.5Vとした。上記の充電と放電の一連の操作を1サイクルとした。上記充放電を繰り返し、各サイクルでの放電容量を測定した。図1に実施例1と比較例1の電池のサイクル数と放電容量との関係を示す。図1の放電容量は、1サイクル目の放電容量を1.00とした場合の相対放電容量で表示した。
図1から、Asを固溶添加したSi負極を用いた実施例1の電池では、数サイクルで放電容量が僅かに上昇し、その後はほぼ一定の放電容量を保持する良好な充放電サイクル特性を示した。また、各サイクルにおける充電電気量に対する放電電気量の割合(充放電効率)も95%以上の高率を維持できた。一方、Bを固溶添加したSi負極を用いた比較例1の電池は、数サイクルで大幅に放電容量が低下し、その後は徐々に放電容量の低下を示し、実施例1の電池とはとは相反する結果であった。
上記原因を探るため、対極を金属Liとした負極評価用電池1及び2を試作し、電池電極間のインピーダンスの変化を調べた。負極評価用電池1は、実施例1の負極を直径12mmの大きさに打ち抜いた電極を負極として用い、直径20mm、厚さ200μmの金属Liを正極として用いた以外は、実施例1の電池と同様の構成とした。また、負極評価用電池2は、比較例1の負極を直径12mmの大きさに打ち抜いた電極を負極として用い、直径20mm、厚さ200μmの金属Liを正極として用いた以外は、比較例1の電池と同様の構成とした。作製した負極評価用電池1及び2を、前述の充放電条件と同じ条件で充放電サイクル試験を行い、各サイクルの放電後における電池電極間のインピーダンスを交流インピーダンス法によって測定した。図2に、負極評価用電池1と2のサイクル数とインピーダンスとの関係を示す。図2のインピーダンスは、充放電サイクル試験前のインピーダンスを1とした場合の相対インピーダンスで表示した。
図2から、Asを固溶添加したSi負極を用いた負極評価用電池1では、初回の充放電でインピーダンス(抵抗値)が減少し、その後はほぼ一定の抵抗値を保持していることが分かった。一方、Bを固溶添加したSi負極を用いた負極評価用電池2は、数サイクルで大幅に抵抗値が増加し、その後も徐々に抵抗値が増加することが分かった。この結果は、上記充放電サイクル特性と強い相関を持つことから、Bを固溶添加したSi負極における充放電サイクル特性の劣化は、電解液/Si界面を含むSi負極の直列抵抗成分の増加、即ち、Si活物質の電子伝導性の低下が原因と考えられる。より具体的には、上記結果は、下記のように充放電におけるSi活物質中のAsとBの挙動の違いに起因すると考えられる。
即ち、充電時にはSiがLiイオンを吸蔵してSiLi合金が生成し、放電時にはSiLi合金からLiがイオンとなって溶出すると共にSiが析出する。Siの析出過程においてAsは、SiLi合金からSi中に取り込まれて再固溶すると考えられる。一方、Bは、Si外に吐き出されてSi電極の表面、あるいはその表面に形成される非水電解質膜中に取り込まれると考えられる。従って、放電後のSi活物質中でのAs濃度は低下せず、B濃度は低下する。この結果、Bを固溶添加したSi負極は電子伝導性が低下し、SiLi合金化反応が阻害されて放電容量の低下を招くと考えられる。一方、Asを固溶添加したSi負極は電子伝導性が保持されて放電容量の低下が生じないと考えられる。
Si活物質中のAsとBとの上記挙動の差は、換言すればSi/SiXLiY間におけるAsとBとの偏析係数の違いによるものと考えられる。即ち、Asの上記偏析係数は1より大きく、Bの上記偏析係数は1以下であるため、AsはSi中に固溶しやすく、逆にBはSi中に固溶しにくいと考えられる。
上記考えの基にAs又はBと同族の他の元素を調べた。n型ドーパントとなるAsと同族(Vb族)のP、Sb、及びp型ドーパントとなるBと同族(IIIb族)のAl、Gaを添加したSi負極を作り、上記と同様な角型非水電解質二次電池を作製した。
この結果、Asと同族であるP、Sbは、推測通り充放電による容量低下がなく、良好な充放電サイクル特性を示すことが確かめられた。一方、Bと同族であるAl、Gaでは、充放電サイクル特性の劣化が認められた。即ち、Siに電子伝導性を付与する添加元素としては、P、As、Sb等のVb族元素の場合に限って本発明の効果を奏することができることが分かった。また、P、As、Sbの内、2種以上の複合添加においても、単独添加と同様の効果を確認できた。
次に、Si薄膜中のAsの含有量を変化させた以外は、実施例1と同様にして負極を作製し、その負極を用いた以外は実施例1と同様にして角形非水電解質二次電池を作製した。続いて、各電池について実施例1と同様にして充放電サイクル試験を行い、1サイクル目と10サイクル目の放電容量を測定した。また、容量維持率を下記式により算出した。
容量維持率(%)=(10サイクル目の放電容量/1サイクル目の放電容量)×100
図3に、Siに対するAsの原子比と、1サイクル目の放電容量(初回放電容量)及び容量維持率との関係を示す。図3では、Siに対するAsの原子比が1×10-2のときの初回放電容量を1.00とし、そのときの10サイクル目の容量維持率を100(%)とした場合の相対初回放電容量と相対容量維持率とで表示した。図3から、Siに対するAsの原子比が1×10-5を下回ると負極の電子伝導性が低下するためか容量維持率が低下する一方、上記原子比が1×10-2を上回ってもAsのSiに対する固溶限界を超え、Si格子間に析出した元素による散乱現象により電子伝導性が向上しないためか容量維持率は大きくは向上しないことが分かる。また、Siに対するAsの原子比が1×10-2を上回ると放電反応に関与しない成分が増えるためか初回放電容量が低下することが分かる。この結果より、Siに対するAsの原子比は、1×10-5以上1×10-2以下であることが必要であり、1×10-4以上1×10-2以下であることがより好ましい。また、As以外のP及びSbについても上記と同様の傾向を示した。以上より、Siに対するAs、P及びSbの原子比は、1×10-5以上1×10-2以下であることが必要であり、1×10-4以上1×10-2以下であることがより好ましい。
(実施例2)
負極は以下のように作製した。先ず、Siに対してPを原子比で1×10-3の割合で添加したSi結晶基板(抵抗率1.6mΩcm)を用意した。このSi結晶基板の抵抗率1.6mΩcmは、黒鉛の抵抗率と同等である。このSi結晶基板をボールミルで粉砕し、フィルターで濾過することで、粒子径が5μm以下の結晶Si微粉体を作製した。
負極は以下のように作製した。先ず、Siに対してPを原子比で1×10-3の割合で添加したSi結晶基板(抵抗率1.6mΩcm)を用意した。このSi結晶基板の抵抗率1.6mΩcmは、黒鉛の抵抗率と同等である。このSi結晶基板をボールミルで粉砕し、フィルターで濾過することで、粒子径が5μm以下の結晶Si微粉体を作製した。
次に、この結晶Si微粉体を95質量%(固形分全量中の含有量。以下同じ。)と、バインダとしてポリアミドイミド5質量%と、溶媒としての脱水NMPとを混合して負極活物質含有スラリーを調製した。続いて、ブレードコーターを用いて、この負極活物質含有スラリーを厚みが10μmの銅箔からなる集電体の両面に塗布し、100℃で乾燥した後ローラープレス機により圧縮成形して、片面あたりの厚みが7μmの負極活物質含有層を形成した。その後、この負極活物質含有層付き集電体を真空中、100℃で15時間乾燥させた後、さらに遠赤外線ヒーターを用いて160℃で15時間熱処理を施した。この負極活物質含有層中のPの含有量は、Siに対して原子比で1×10-3である。その後、この負極活物質含有層付き集電体を幅37mmに裁断して短冊状の負極を得た。
上記負極を用いた以外は、実施例1と同様にして本実施例の角形非水電解質二次電池を作製した。
(比較例2)
Siに対して一切他の元素を添加していないSi結晶基板を用いた以外は、実施例2と同様にして負極を作製し、その負極を用いた以外は実施例2と同様にして本比較例の角形非水電解質二次電池を作製した。
Siに対して一切他の元素を添加していないSi結晶基板を用いた以外は、実施例2と同様にして負極を作製し、その負極を用いた以外は実施例2と同様にして本比較例の角形非水電解質二次電池を作製した。
次に、実施例2と比較例2の電池を用いて、前述の実施例1と比較例1と同様にして充放電サイクル試験を行った。その結果、実施例2の電池は、前述の実施例1と同様に良好な充放電サイクル特性を示した。一方、比較例2の電池は、前述の比較例1と同様に充放電サイクル特性の低下を示した。
(実施例3)
負極は以下のように作製した。先ず、Siに対してPを原子比で5×10-4の割合で添加したSi結晶基板とSiO2基板とを用意した。これらの基板をターゲット材として用いて、2源同時スパッタリング法より、SiとOの原子比が約1:1のSiO膜を作製した。これを一旦薄膜片として回収し、約1000℃の熱処理を施こしてSiO片とした。このSiO片をボールミルで粉砕し、フィルターで濾過することで、粒子径10μm以下のSiO微粉体を作製した。
負極は以下のように作製した。先ず、Siに対してPを原子比で5×10-4の割合で添加したSi結晶基板とSiO2基板とを用意した。これらの基板をターゲット材として用いて、2源同時スパッタリング法より、SiとOの原子比が約1:1のSiO膜を作製した。これを一旦薄膜片として回収し、約1000℃の熱処理を施こしてSiO片とした。このSiO片をボールミルで粉砕し、フィルターで濾過することで、粒子径10μm以下のSiO微粉体を作製した。
次に、このSiO微粉体を90質量%(固形分全量中の含有量。以下同じ。)と、バインダとしてポリアミドイミド8質量%と、電子伝導助剤としてケッチェンブラック(平均粒径0.05μm)2質量%と、溶媒としての脱水NMPとを混合して負極活物質含有スラリーを調製した。続いて、ブレードコーターを用いて、この負極活物質含有スラリーを厚みが10μmの銅箔からなる集電体の両面に塗布し、100℃で乾燥した後ローラープレス機により圧縮成形して、片面あたりの厚みが15μmの負極活物質含有層を形成した。その後、この負極活物質含有層付き集電体を真空中、100℃で15時間乾燥させた後、さらに遠赤外線ヒーターを用いて160℃で15時間熱処理を施した。その後、この負極活物質含有層付き集電体を幅37mmに裁断して短冊状の負極を得た。
上記負極を用いた以外は、実施例1と同様にして本実施例の角形非水電解質二次電池を作製した。
次に、実施例3の電池を用いて、前述の実施例1と同様にして充放電サイクル試験を行った。その結果、実施例3の電池は、前述の実施例1と同様に良好な充放電サイクル特性を示した。
以上のように本発明は、高容量で、良好な充放電サイクル特性を有する非水電解質二次電池を提供でき、かかる非水電解質二次電池は、さまざまな電源として利用できる。
Claims (5)
- 正極と、負極と、非水電解質とを含む非水電解質二次電池であって、
前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、
前記負極活物質含有層は、ケイ素と、前記ケイ素の結晶中に固溶されたリン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素とを含む負極活物質を含み、
前記リン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で1×10-5以上1×10-2以下であることを特徴とする非水電解質二次電池。 - 前記負極活物質含有層が、ケイ素と、前記ケイ素の結晶中に固溶されたリン、砒素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の元素とから形成されている請求項1に記載の非水電解質二次電池。
- 前記負極活物質含有層が、微粉化された前記負極活物質と、さらにバインダとを含む請求項1に記載の非水電解質二次電池。
- 前記負極活物質が、酸素を構成元素としてさらに含み、前記酸素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で0.5以上1.5以下である請求項1に記載の非水電解質二次電池。
- 前記負極活物質含有層が、微粉化された前記負極活物質と、さらにバインダと、電子伝導助剤とを含む請求項4に記載の非水電解質二次電池。
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