JP2011182537A - スイッチング制御回路及びスイッチング電源装置 - Google Patents

スイッチング制御回路及びスイッチング電源装置 Download PDF

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Abstract

【課題】端子数の増加を抑えて、小型・低コスト化した、過電流保護機能を有するスイッチング制御回路及びスイッチング電源装置を構成する。
【解決手段】スイッチング制御用IC202は、そのOUT端子から駆動回路11へ矩形波信号を出力する。帰還回路12は出力端子PO(+)−PO(G)間の電圧の分圧値と基準電圧との比較によって帰還信号を発生し、スイッチング制御用IC202のフィードバック端子FBへ入力する。フィードバック端子FBとグランド端子との間にはキャパシタC4及びツェナーダイオードD4が接続されている。ツェナーダイオードD4は選択的に接続され、ツェナーダイオードの有無によってフィードバック端子FBの電圧が変化する。この電圧の検出によって過電流保護動作をラッチ方式とするか、ヒカップ方式とするかを選択する。
【選択図】図1

Description

この発明はスイッチング電源装置に用いられるIC化されたスイッチング制御回路及びそれを備えたスイッチング電源装置に関するものである。
スイッチング電源装置においてスイッチング制御用ICには、出力制御、起動動作、過電流保護動作、過電圧保護動作、待機動作、力率改善動作など、各種機能を実現するための回路を備えている。これら機能が増加することによって、スイッチング制御用ICの高機能化が図られている。例えば、過電流保護(電流制限)機能を有するスイッチング制御用ICは、過電流状態を検出して、スイッチング素子のスイッチング動作を停止状態に保つ(ラッチ方式)か、一旦停止した後に自動的に復帰する(ヒカップ方式)。そのため、スイッチング電源装置の設計に応じて、ラッチ方式のスイッチング制御用ICかヒカップ方式のスイッチング制御用ICの何れかが選択的に利用されている。
また、特許文献1の段落[0014]には、過電流保護回路の方式として、ラッチ方式とヒカップ方式を備えたICについて述べられている。このような両方式に対応したスイッチング制御用ICでは、何れの方式を利用するかを選択するために専用端子を1つ設け、その端子への入力信号や外付け部品/回路等によって両方式の何れかを選択していた。
特開2008−206271号公報
過電流保護機能を有するスイッチング電源装置に利用されるように、ラッチ方式のスイッチング制御用ICとヒカップ方式のスイッチング制御用ICの両方を予め別部品として設計製造すると、スイッチング制御用ICの品種が増え、それにともない製造プロセスだけでなくICの管理が複雑化し、結果としてICのコスト単価が増大するという課題がある。
特許文献1に述べられているような、ラッチ方式とヒカップ方式の両方を備えたスイッチング制御用ICでは、何れの方式を利用するかを選択するために専用端子が必要であり、ICの端子数の増加が、IC小型化の阻害やコストアップの要因となる。すなわち、スイッチング制御用ICのパッケージが大きくなり、ICのコスト単価が増大するという問題がある。
また、スイッチング制御用ICの小型化及びその実装面積の縮小化の要請に応じて、端子数の少ないスイッチング制御用ICも必要となっている。そのため、前記専用端子を設けられない事態も生じる。
この発明の目的は、端子数の増加を抑えて、小型・低コスト化した、過電流保護機能を有するスイッチング制御回路及びスイッチング電源装置を提供することにある。
この発明のスイッチング制御回路は、複数の外部端子を有し、スイッチング電源装置の電力変換回路に設けられてスイッチング素子を制御する半導体集積回路を備え、
前記複数の外部端子には、前記スイッチング制御回路の動作により、前記電力変換回路により発生される帰還信号が入力される帰還信号入力端子を備え、この帰還信号入力端子の信号に基づいて、出力電圧の安定化制御を行う出力電圧安定化制御手段と、前記帰還信号入力端子に接続される、抵抗素子又は半導体素子を少なくとも含む外部回路に誘起される電圧を判定対象信号として検出し、前記判定対象信号に応じて、過電流状態における動作モードを、発振期間と停止期間を繰り返すヒカップモード又は発振が停止するラッチモードの何れかに設定する保護動作モード設定手段と、を備える。
前記判定対象信号は、例えば前記帰還信号とは異なる電圧範囲の電圧信号であり、前記保護動作モード設定手段は前記判定対象信号の電圧に応じて前記ヒカップモード又は前記ラッチモードの何れかに設定する。
前記スイッチング制御回路は、例えば定電流回路を備え、前記定電流回路からの電流によって前記外部回路に電圧が誘起される。
前記判定対象信号の検出は、例えば前記スイッチング電源装置の電力変換回路の動作が過負荷状態の期間に行われる。
前記判定対象信号の検出は、例えば前記スイッチング電源装置の電力変換回路の動作が停止している期間に行われる。
前記判定対象信号の検出は、例えば前記スイッチング電源装置の電力変換回路の起動直後に行われる。
前記帰還信号入力端子に例えばフォトカプラのフォトトランジスタが接続され、該フォトカプラにより前記帰還信号が入力される。
前記保護動作モード設定手段は、例えば過負荷状態において、前記フォトトランジスタのインピーダンスが増大するとともに前記判定対象信号の電圧が高くなり、前記帰還信号入力端子に接続される、抵抗素子又は半導体素子により、前記判定対象信号の電圧が所定の電圧で制限される場合と制限されない場合とに応じて前記ヒカップモード又は前記ラッチモードの何れかを設定する。
前記保護動作モード設定手段は、
過負荷状態において前記判定対象信号の電圧が所定電圧を超えてから所定の判定期間において、前記所定電圧以上である状態を維持し、前記判定期間の終了後に前記帰還信号入力端子の電圧が0Vとなりスイッチング動作が停止し、さらに所定のタイマー期間の終了後に前記判定対象信号を検出し、
前記判定対象信号の電圧が前記スイッチング制御回路内部の基準電圧よりも高い場合に前記ラッチモードに設定し、基準電圧よりも低い場合に前記ヒカップモードに設定し、
又は、前記判定対象信号の電圧が前記スイッチング制御回路内部の基準電圧よりも高い場合に前記ヒカップモードに設定し、基準電圧よりも低い場合に前記ラッチモードに設定する。
前記半導体素子は、例えばツェナーダイオードである。
前記半導体素子は、例えばトランジスタである。
前記半導体素子は、例えばオペアンプである。
また、この発明のスイッチング電源装置は、以上に述べた何れかのスイッチング制御回路が前記電力変換回路に備えられたものである。
この発明によれば、専用端子を設けることなく、ラッチ方式とヒカップ方式の何れの方式を利用するのかを選択できるため、スイッチング制御用ICの端子数が増大せず、過電流保護機能を備えたスイッチング制御回路を構成できる。
本発明の実施形態に係るスイッチング電源装置301の回路図である。 図1中の帰還回路12の回路図である。 スイッチング制御用ICの出力端子OUT及びフィードバック端子FBの波形図である。 フィードバック端子FBの外部に接続する別の外部回路の例を示す図である。
図1は、本発明の一実施形態に係るスイッチング電源装置301の回路図である。
スイッチング電源装置301は、本発明のスイッチング制御回路に相当するスイッチング制御用IC202を備えている。
このスイッチング電源装置301の入力端子PI(+)−PI(G)間に直流入力電源Viの電圧が入力される。そして、スイッチング電源装置301の出力端子PO(+)−PO(G)間に接続される負荷へ所定の直流電圧が出力される。
入力端子PI(+)−PI(G)間には、キャパシタCr、インダクタLr、トランスTの1次巻線np、第1のスイッチング素子Q1及び電流検出用抵抗R7が直列に接続された第1の直列回路が構成されている。第1のスイッチング素子Q1はFETからなり、ドレイン端子がトランスTの1次巻線npに接続され、ソース端子が電流検出用抵抗R7に接続されている。
第2のスイッチング素子Q2はFETからなり、ドレイン端子が入力端子Vin(+)に接続され、ソース端子が第1のスイッチング素子Q1のドレイン端子に接続されている。
トランスTの2次巻線ns1,ns2には、ダイオードDs,Df及びキャパシタCoからなる第1の整流平滑回路が構成されている。この第1の整流平滑回路は2次巻線ns1,ns2から出力される交流電圧を全波整流し、平滑して、出力端子PO(+)−PO(G)へ出力する。
トランスTの第1の駆動巻線nbには、ダイオードD3及びキャパシタC3による整流平滑回路が接続されている。この整流平滑回路によって得られる直流電圧がスイッチング制御用IC202のGND端子及びVCC端子間に電源電圧として供給される。
このスイッチング電源装置301のうち、スイッチング制御用IC202以外の回路が電力変換回路である。
スイッチング制御用IC202は、そのOUT端子から駆動回路11へ矩形波信号を出力する。駆動回路11は第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2を交互にオン・オフ制御する。但し、Q1,Q2が同時オンしないようにデッドタイム期間を設ける。
スイッチング制御用IC202の電流検出端子ISには、電流検出用抵抗R7の降下電圧が入力されるように、抵抗R8が接続されている。
出力端子PO(+),PO(G)及びスイッチング制御用IC202の間には帰還回路12が設けられている。この帰還回路12は出力端子PO(+)−PO(G)間の電圧の分圧値と基準電圧との比較によって帰還信号を発生し、絶縁状態でスイッチング制御用IC202のフィードバック端子FBへフィードバック電圧を入力する回路である。
フィードバック端子FBとグランド端子との間にはキャパシタC4及びツェナーダイオードD4が接続される。ツェナーダイオードD4は選択的に接続される外部回路である。
図2は前記帰還回路12の回路図である。出力端子PO(+)−PO(G)間には、シャントレギュレータSR、抵抗Rs及びフォトカプラPCの発光素子による直列回路と、抵抗Ro1,Ro2による分圧回路とが接続されている。また、スイッチング制御用IC202のフィードバック端子FBとグランド端子GNDとの間にフォトカプラPCの受光素子であるフォトトランジスタが接続されている。スイッチング制御用IC202の内部で、フィードバック端子FBには定電流回路が接続されている。
帰還回路12は、出力端子PO(+),PO(G)への出力電圧が設定電圧より高くなる程、フィードバック端子FBの電圧が低くなる関係で作用する。
図3はスイッチング制御用ICの出力端子OUT及びフィードバック端子FBの波形図である。図1中のスイッチング制御用IC202内部の構成と作用を、図1・図3を参照して説明する。
駆動信号生成回路22は、駆動回路11を介して第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2を所定のスイッチング周波数でオン/オフする。これにより、スイッチング電源装置301は電流共振コンバータとして動作する。
過電流動作時でない通常動作時には、前記帰還回路12からフィードバックされる電圧はツェナーダイオードD4のツェナー電圧を超えない。そのため、通常操作時には、駆動信号生成回路22はフィードバック端子FBの入力信号によって出力電圧を検知し、この電圧が一定となるように出力端子OUTへ出力する矩形波信号の周波数を制御する。これにより、スイッチング電源装置301の出力電圧を安定化する。
過電流検出回路23は、所定の時間を超えてフィードバック端子FBの電圧が所定の電圧を超えると、過電流動作状態(過負荷状態)と見なす。本実施形態では、その時間を800ms、その電圧を3.3Vに設定した。なお、以下の説明における3200ms、50μs、5Vも、本実施形態において設定した値である。過電流動作状態になると、図2で示したフォトトランジスタのインピーダンスは増大している。前記800msの経過後、遅延回路24はスイッチ制御IC202内部のスイッチSWをオンして、フィードバック端子FBの電圧を0Vにする。これにより駆動信号生成回路22はスイッチング素子Q1,Q2のスイッチングを停止する。
このように、フィードバック端子FBの電圧の検出が、スイッチング電源装置の電力変換回路の動作が過負荷状態の期間と、スイッチング電源装置の電力変換回路の動作が停止している期間に行われる。
その後、3200msが経過すれば、遅延回路24はスイッチSWをオフし、フィードバック端子FBの電圧を0Vクランプから開放する。定電流回路25が抵抗Rcを介してフィードバック端子FBに接続されているので、フィードバック端子FBにツェナーダイオードD4が接続されていない場合、外部のキャパシタC4が電源電圧端子VCCの電圧5.3Vまで上昇し、フィードバック端子FBの電圧は5Vを超えることになる。一方、フィードバック端子FBに、例えばツェナー電圧3.9VのツェナーダイオードD4が接続されていれば、フィードバック端子FBの電圧がツェナー電圧3.9Vを超えない。
復帰/ラッチ判別回路26は、スイッチSWのオフから50μs後にフィードバック端子FBの電圧を検知して、その電圧が判別の基準電圧である5Vよりも高い場合には駆動信号生成回路22を停止させる。すなわちスイッチング動作を停止させたままラッチする。一方、判別の基準電圧である5Vよりも低い場合は、駆動信号生成回路22が作動して、スイッチング動作状態に自己復帰する。
上記の動作により、フィードバック端子FBにツェナーダイオードD4が接続されない場合はラッチ動作となり、フィードバック端子FBにツェナーダイオードD4が接続されている場合は自己復帰動作モードとなる。
例えば、フィードバック端子FBの電圧を検出して、以下のように動作するように設定すれば、自己復帰方式とラッチ方式を切り替えることができる。
0.4V以上3.3V未満: 帰還電圧による制御動作の範囲
3.3V以上5.0V未満: 過電流保護動作の範囲(ヒカップ(自己復帰)方式)
5.0V以上 : 過電流保護動作の範囲(ラッチ方式)
このようにして、スイッチング電源装置301の過電流保護機能として、ラッチ方式と自己復帰方式の二つの方式のスイッチング制御用ICを備える必要がない。そのため、在庫数が低減し、部品の標準化を推進でき、コスト低減を図ることができる。
また、ラッチ方式と自己復帰方式を切り替える専用のIC端子を持つ必要がないために、ICの小型化を図ることができる。また、IC端子を有効に利用することにより、ICの高機能化を図ることができる。
また、ICの端子に周辺回路としてツェナーダイオードを接続するのみで、ラッチ方式と自己復帰方式を切り替えることができる。ICの通常動作に影響を与える悪影響が発生しない。
さらに、ICの端子に関わる機能を複合化することにより機能を隠すことができ、ICの模倣を防止することができる。
以上に示した例では、帰還信号入力端子に接続される外部回路が、ツェナーダイオードによる電圧クランプ回路であった。帰還信号入力端子に接続される外部回路としては、ツェナーダイオード以外に抵抗、トランジスタ、オペアンプの何れかであってもよい。
図4は、フィードバック端子FBの外部に接続する別の外部回路の例を示す図である。図4の例では、オペアンプOP1、基準電圧発生回路Vr、抵抗R13、コンデンサC13、トランジスタQ3による外部回路がフィードバック端子FBに接続されている。このオペアンプOP1、基準電圧発生回路Vr及びトランジスタQ3によって定電圧回路として動作する。抵抗R13及びコンデンサC13はフィードバック端子FBの電圧に重畳されるノイズ成分による誤動作を防止するためのフィルタ回路として作用する。
このように、オペアンプやトランジスタのような能動素子を外部回路に備えていてもよい。
またスイッチング素子Q1,Q2のスイッチングを停止した後だけでなく、スイッチング制御回路の起動直後にフィードバック端子FBの電圧を検出し、自動復帰方式とラッチ方式の切り替えを選択することもできる。
また、フィードバック端子FBの電圧が基準電圧よりも高い場合にヒカップモードに設定し、基準電圧よりも低い場合にラッチモードに設定するようにしてもよい。
なお、過電流動作時だけでなく、過電圧状態で、自動復帰方式とラッチ方式の切り替えを選択する場合にも同様に適用できる。
また、本発明のスイッチング電源装置のコンバータ方式は、共振型コンバータに限らず矩形波コンバータであってもよい。また、絶縁型コンバータに限らず非絶縁型コンバータであってもよい。また、ハーフブリッジ型に限らず、フォワード型、フライバック型、フルブリッジ型等に適用することもできる。
D4…ツェナーダイオード
FB…フィードバック端子
GND…グランド端子
IS…電流検出端子
Lr…インダクタ
nb…駆動巻線
np…1次巻線
ns1,ns2…2次巻線
OUT…出力端子
PC…フォトカプラ
PI…入力端子
PO…出力端子
Q1,Q2…スイッチング素子
R7…電流検出用抵抗
SR…シャントレギュレータ
SW…スイッチ
T…トランス
VCC…電源電圧端子
Vi…直流入力電源
11…駆動回路
12…帰還回路
22…駆動信号生成回路
23…過電流検出回路
24…遅延回路
25…定電流回路
26…復帰/ラッチ判別回路
202…スイッチング制御用IC
301…スイッチング電源装置

Claims (13)

  1. 複数の外部端子を有し、スイッチング電源装置の電力変換回路に設けられてスイッチング素子を制御する半導体集積回路を備えたスイッチング制御回路であって、
    前記複数の外部端子には、前記スイッチング制御回路の動作により、前記電力変換回路により発生される帰還信号が入力される帰還信号入力端子を備え、
    前記帰還信号入力端子の信号に基づいて、出力電圧の安定化制御を行う出力電圧安定化制御手段と、
    前記帰還信号入力端子に接続される、抵抗素子又は半導体素子を少なくとも含む外部回路に誘起される電圧を判定対象信号として検出し、前記判定対象信号に応じて、過負荷状態又は過電圧出力状態における動作モードを、発振期間と停止期間を繰り返すヒカップモード又は発振が停止するラッチモードの何れかに設定する保護動作モード設定手段と、
    を備えた、スイッチング制御回路。
  2. 前記判定対象信号は前記帰還信号とは異なる電圧範囲の電圧信号であり、前記保護動作モード設定手段は前記判定対象信号の電圧に応じて前記ヒカップモード又は前記ラッチモードの何れかに設定する、請求項1に記載のスイッチング制御回路。
  3. 前記スイッチング制御回路は定電流回路を備え、前記定電流回路からの電流によって前記外部回路に電圧が誘起される、請求項1又は2に記載のスイッチング制御回路。
  4. 前記判定対象信号の検出は、前記スイッチング電源装置の電力変換回路の動作が過負荷状態の期間に行われる、請求項1〜3のいずれかに記載のスイッチング制御回路。
  5. 前記判定対象信号の検出は、前記スイッチング電源装置の電力変換回路の動作が停止している期間に行われる、請求項1〜3のいずれかに記載のスイッチング制御回路。
  6. 前記判定対象信号の検出は、前記スイッチング電源装置の電力変換回路の起動直後に行われる、請求項1〜3のいずれかに記載のスイッチング制御回路。
  7. 前記帰還信号入力端子にフォトカプラのフォトトランジスタが接続され、該フォトカプラにより前記帰還信号が入力される、請求項1〜6のいずれかに記載のスイッチング制御回路。
  8. 前記保護動作モード設定手段は、過負荷状態において、前記フォトトランジスタのインピーダンスが増大するとともに前記判定対象信号の電圧が高くなり、前記帰還信号入力端子に接続される、抵抗素子又は半導体素子により、前記判定対象信号の電圧が所定の電圧で制限される場合と制限されない場合とに応じて前記ヒカップモード又は前記ラッチモードの何れかを設定する、請求項7に記載のスイッチング制御回路。
  9. 前記保護動作モード設定手段は、
    過負荷状態において前記判定対象信号の電圧が所定電圧を超えてから所定の判定期間において、前記所定電圧以上である状態を維持し、前記判定期間の終了後に前記帰還信号入力端子の電圧が0Vとなりスイッチング動作が停止し、さらに所定のタイマー期間の終了後に前記判定対象信号を検出し、
    前記判定対象信号の電圧が前記スイッチング制御回路内部の基準電圧よりも高い場合に前記ラッチモードに設定し、基準電圧よりも低い場合に前記ヒカップモードに設定し、
    又は、前記判定対象信号の電圧が前記スイッチング制御回路内部の基準電圧よりも高い場合に前記ヒカップモードに設定し、基準電圧よりも低い場合に前記ラッチモードに設定する、請求項1〜8のいずれかに記載のスイッチング制御回路。
  10. 前記半導体素子はツェナーダイオードである、請求項1〜9のいずれかに記載のスイッチング制御回路。
  11. 前記半導体素子はトランジスタである、請求項1〜9のいずれかに記載のスイッチング制御回路。
  12. 前記半導体素子はオペアンプである、請求項1〜9のいずれかに記載のスイッチング制御回路。
  13. 請求項1〜12のいずれかに記載のスイッチング制御回路が前記電力変換回路に備えられたスイッチング電源装置。
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