JP2011176926A - 電源制御用半導体集積回路および絶縁型直流電源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トランスの一次側巻線に流す電流を制御する電源制御用ICに、二次側からの検出電圧がフォトカプラを介してフィードバックされる外部端子と、入力電圧に応じてトランスの一次側巻線に流す電流を制御するスイッチング素子の制御信号を生成し出力する制御回路と、入力電圧に基づいて内部基準電圧を発生する電圧生成回路と、前記外部端子に接続され該端子を前記内部基準電圧にプルアップして該端子に外付けされるフォトカプラの受光素子にバイアス電圧を付与可能なプルアップ手段と、外部端子の電圧と所定の参照電圧とを比較する電圧比較回路とを設け制御回路は電圧比較回路の出力に基づいて異常検出時に制御信号の出力を停止するように構成した。
【選択図】図2
Description
電圧変換用のトランスを有する絶縁型直流電源装置の前記トランスの一次側巻線に流す電流を制御する電源制御用半導体集積回路であって、
前記トランスの二次側からの検出電圧がフォトカプラを介してフィードバックされる第1の外部端子と、
前記第1の外部端子の電圧および前記トランスの一次側巻線の端子に印加される入力電圧に応じて前記トランスの一次側巻線に流す電流を制御するスイッチング素子の制御信号を生成し出力する制御回路と、
前記トランスの一次側巻線の端子に印加される入力電圧に基づいて内部基準電圧を発生する電圧生成回路と、を備え、
前記第1の外部端子に接続され該第1の外部端子を前記内部基準電圧にプルアップして前記第1の外部端子に外付けされるフォトカプラの受光素子にバイアス電圧を付与可能なプルアップ手段と、
前記第1の外部端子に一方の入力端子が接続され、他方の入力端子に第1の参照電圧が印加された第1の電圧比較回路と、を備え、
前記制御回路は、前記第1の電圧比較回路の出力に基づいて、前記第1の外部端子の電圧が前記第1の参照電圧よりも低いまたは高い場合に、前記制御信号の出力を停止するように構成した(請求項1)。
交流電圧を整流し直流電圧に変換するダイオード・ブリッジ回路と、
該ダイオード・ブリッジ回路により整流された電圧が一次側巻線に入力される電圧変換用のトランスと、
該トランスの一次側巻線の電流を制御する請求項1のような構成を有する電源制御用半導体集積回路と、
前記トランスの二次側巻線の端子間に接続された平滑コンデンサと、
前記トランスの二次側巻線に誘起された交流を直流に変換して平滑コンデンサを充電可能な整流手段と、
前記トランスの二次側に接続された負荷に流れる電流を検出し、検出した電流に応じた信号を出力する出力電流検出回路と、
該出力電流検出回路の出力に応じて点灯駆動される発光素子および該発光素子の光を受光し光量に応じた電流を流す受光素子を有するフォトカプラと、を備え、
前記フォトカプラの受光素子が前記電源制御用半導体集積回路の前記第1の外部端子と接地点との間に接続され、前記プルアップ手段を介して前記受光素子にバイアス電圧が付与されるように構成した。
上記のように、本実施形態のAC−DCコンバータによれば、1つのフォトカプラを設けるだけで、種々の異常を検出することができ、部品点数を減らし装置の小型化が可能となる。
12 ダイオード・ブリッジ回路(整流回路)
13 電源制御回路(制御用IC)
14 二次側検出回路(検出用IC)
15 フォトカプラ
31 バッファアンプ
32 乗算回路
34,35 コンパレータ
36 リスタートタイマ
37 内部電源回路
38 低電圧検出回路
39 レベルシフト回路
41 誤差アンプ
42 コンパレータ
CMP1〜CMP4 コンパレータ
Claims (7)
- 電圧変換用のトランスを有する絶縁型直流電源装置の前記トランスの一次側巻線に流す電流を制御する電源制御用半導体集積回路であって、
前記トランスの二次側からの検出電圧がフォトカプラを介してフィードバックされる第1の外部端子と、
前記第1の外部端子の電圧および前記トランスの一次側巻線の端子に印加される入力電圧に応じて前記トランスの一次側巻線に流す電流を制御するスイッチング素子の制御信号を生成し出力する制御回路と、
前記トランスの一次側巻線の端子に印加される入力電圧に基づいて内部基準電圧を発生する電圧生成回路と、を備え、
前記第1の外部端子に接続され該第1の外部端子を前記内部基準電圧にプルアップして前記第1の外部端子に外付けされるフォトカプラの受光素子にバイアス電圧を付与可能なプルアップ手段と、
前記第1の外部端子に一方の入力端子が接続され、他方の入力端子に第1の参照電圧が印加された第1の電圧比較回路と、
を備え、
前記制御回路は、前記第1の電圧比較回路の出力に基づいて、前記第1の外部端子の電圧が前記第1の参照電圧よりも低いまたは高い場合に、前記制御信号の出力を停止するように構成されていることを特徴とする電源制御用半導体集積回路。 - 前記第1の外部端子に一方の入力端子が接続され、他方の入力端子に前記第1の参照電圧よりも電位の高い第2の参照電圧が印加された第2の電圧比較回路を備え、
前記制御回路は、前記第1の電圧比較回路および前記第2の電圧比較回路の出力に基づいて、前記第1の外部端子の電圧が前記第1の参照電圧よりも低い場合または前記第1の外部端子の電圧が前記第2の参照電圧よりも高い場合に、前記制御信号の出力を停止するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電源制御用半導体集積回路。 - 前記第2の電圧比較回路の出力を遅延する遅延回路を備え、
前記制御回路は、前記第2の電圧比較回路によって前記第1の外部端子の電圧が前記第2の参照電圧よりも高いと判定された場合に、前記遅延回路からの信号に応じて出力の停止制御を遅延させるように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の電源制御用半導体集積回路。 - 前記入力電圧に比例した電圧が入力される第2の外部端子と、
前記トランスの一次側巻線に流れる電流に応じた電圧が入力される第3の外部端子と、
前記第2の外部端子の電圧に反比例した電圧を出力するレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力電圧と前記第3の外部端子の電圧とを比較して入力の過電力状態を検出する第3の電圧比較回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第3の電圧比較回路の出力に基づいて、前記第3の外部端子の電圧が前記レベルシフト回路の出力電圧よりも高い場合に、前記制御信号の出力を停止するように構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電源制御用半導体集積回路。 - 交流電圧を整流し直流電圧に変換するダイオード・ブリッジ回路と、
該ダイオード・ブリッジ回路により整流された電圧が一次側巻線に入力される電圧変換用のトランスと、
該トランスの一次側巻線の電流を制御する請求項1に記載の電源制御用半導体集積回路と、
前記トランスの二次側巻線の端子間に接続された平滑コンデンサと、
前記トランスの二次側巻線に誘起された交流を直流に変換して平滑コンデンサを充電可能な整流手段と、
前記トランスの二次側に接続された負荷に流れる電流を検出し、検出した電流に応じた信号を出力する出力電流検出回路と、
該出力電流検出回路の出力に応じて点灯駆動される発光素子および該発光素子の光を受光し光量に応じた電流を流す受光素子を有するフォトカプラと、
を備え、
前記フォトカプラの受光素子が前記電源制御用半導体集積回路の前記第1の外部端子と接地点との間に接続され、前記プルアップ手段を介して前記受光素子にバイアス電圧が付与されるように構成されていることを特徴とする絶縁型直流電源装置。 - 交流電圧を整流し直流電圧に変換するダイオード・ブリッジ回路と、
該ダイオード・ブリッジ回路により整流された電圧が一次側巻線に入力される電圧変換用のトランスと、
該トランスの一次側巻線の電流を制御する請求項2〜4のいずれかに記載の電源制御用半導体集積回路と、
前記トランスの二次側巻線の端子間に接続された平滑コンデンサと、
前記トランスの二次側巻線に誘起された交流を直流に変換して平滑コンデンサを充電可能な整流手段と、
前記トランスの二次側に接続された負荷に流れる電流を検出し、検出した電流に応じた信号を出力する出力電流検出回路と、
前記平滑コンデンサの充電電圧が所定の電圧よりも高いか否かを検出する出力電圧検出回路と、
前記出力電流検出回路の出力および出力電圧検出回路の出力に応じて点灯駆動される発光素子および該発光素子の光を受光し光量に応じた電流を流す受光素子を有するフォトカプラと、
を備え、
前記フォトカプラの受光素子が前記電源制御用半導体集積回路の前記第1の外部端子と接地点との間に接続され、前記プルアップ手段を介して前記受光素子にバイアス電圧が付与されるように構成されていることを特徴とする絶縁型直流電源装置。 - 前記出力電流検出回路は、生成する電圧を変更可能な参照電圧を生成する電圧生成手段と、第1の入力端子に出力電流を抵抗により変換した電圧が印加され、第2の入力端子に前記参照電圧が印加された誤差増幅回路を備え、前記電圧生成手段により生成される参照電圧が変化されることで出力電流が可変に構成されていることを特徴とする請求項5または6に記載の絶縁型直流電源装置。
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