JP2011176328A5 - 静電ウェハクランプ装置のためのプラテンならびにその製造方法 - Google Patents
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- Ａｌ 2 Ｏ 3 を含む誘電材料で焼結されたプラテン体と、
プラテン体の体積当たり２．５〜１５．０％の量で前記誘電材料の中に拡散したＴｉＣ粒子とを含み、
前記プラテン体は、均一な厚みを有して形成されて、上部の表面が半導体ウエハを支持する平面で、下部の表面が電極が接合される平面となっており、
前記プラテン体の内部では、多結晶化したＡｌ 2 Ｏ 3 の粒界にＴｉＣの粒子が拡散していることを特徴とする静電ウェハクランプ装置のためのプラテン。 - 前記プラテン体の厚みが０．１〜０．３ｍｍである請求項１記載の静電ウェハクランプ装置のためのプラテン。
- プラテン体の厚みが０．１ｍｍのとき、４００Ｖの印加クランプ電圧で２０ｇ／ｃｍ 2 のクランプ力が達成される請求項２に記載の静電ウェハクランプ装置のためのプラテン。
- 印加クランプ電圧が解除された後、プラテン上の残留電圧は、プラテンからウェハを解除するのに５ｇ／ｃｍ 2 未満の力を生じるようにプラテン体の厚みが選択された請求項２に記載の静電ウェハクランプ装置のためのプラテン。
- 印加クランプ電圧の解除から１秒以内のウェハクランプ力が５ｇ／ｃｍ 2 未満であるように、プラテン体の厚みが選択された請求項２に記載の静電ウェハクランプ装置のためのプラテン。
- ａ）アルミナセラミック粉末を含む誘電セラミック材料と、２．５〜１５．０体積％の量の炭化チタンのセラミック粉末とを溶媒中で混合し、
ｂ）前記ａ）で混合された生成混合物を乾燥し、
ｃ）生成混合物を均一な厚みで上部の表面が平面で下部の表面が平面であるプラテンの形状に成形し、
ｄ）ホットプレスによって成形品を焼結して、多結晶化したＡｌ 2 Ｏ 3 の粒界にＴｉＣの粒子を拡散させる
ことを特徴とする静電ウェハクランプ装置のためのプラテンの製造方法。 - 焼結されたプラテンの厚みを０．１〜０．３ｍｍに形成する請求項６記載の静電ウェハクランプ装置のためのプラテンの製造方法。
- 溶媒がエタノールである請求項６または７に記載の静電ウェハクランプ装置のためのプラテンの製造方法。
- 焼結を１６００℃の温度で行う請求項６ないし８のいずれかに記載の静電ウェハクランプ装置のためのプラテンの製造方法。
- 焼結後の生成品を研削および研磨することをさらに含む請求項６ないし９のいずれかに記載の静電ウェハクランプ装置のためのプラテンの製造方法。
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