JP2011166518A - 電流制限回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる電流制限回路は、高電位側電源11から負荷12に流れる電流を制御する出力トランジスタMN0と、出力トランジスタMN0に流れる電流に応じた電流が流れるトランジスタMN1と、トランジスタMN1に直列に接続されたセンス抵抗18と、センス抵抗18に流れる電流とセンス抵抗18の抵抗成分とによってセンス抵抗18の両端に生じた電位差を検出する電位差検出部と、電位差検出部に対して定電流を供給する定電流源と、電位差と定電流とによって生成された制御電圧に基づいて出力トランジスタMN0の導通状態を制御する制御部と、を備え、センス抵抗18は、電位差検出部を囲むように配設される。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明の実施の形態にかかる電流制限回路100を示す。図1に示す電流制限回路100は、出力トランジスタ(以下、単にトランジスタと称す)MN0と、トランジスタ(電流センストランジスタ)MN1と、昇圧回路15と、センス抵抗18と、判定回路30と、を備える。なお、本実施の形態では、トランジスタMN0とトランジスタMN1とが、NチャネルMOSトランジスタである場合を例に説明する。
L・k/q・(T+273)・ln(M・I/X/Is)−L・k/q・(T+273)・ln(N・I/Y/Is)=Ia・R・{1+tc・(T−25)} −−−−−式(1)
ただし、kはボルツマン定数、qは電子運動エネルギー、Tは摂氏温度、Isはダイオードの飽和電流、tcはセンス抵抗18を構成する金属の温度係数である。
Ia=L・k/q・(T+273)・ln(M・Y/N/X)/R/{1+tc・(T−25)} −−−−−式(2)
実施の形態1に示す電流制限回路100は、高電位側電源端子VCCと出力端子OUTとの間に設けられたダイオード群21,22によって、温度特性の改善を行っている。しかし、実施の形態1に示す電流制限回路100では、特にダイオードを縦積みする場合、高電位側電源11の電圧レベルが低い状態での動作が困難となる。そこで、本実施の形態にかかる電流制限回路101は、ダイオード群21,22を用いない回路構成を採用している。
12 負荷
15 昇圧回路
17 ワイヤ
18 センス抵抗
21,22 ダイオード群
23 増幅器
30,31 判定回路
50 ダイパッド
51 半導体チップ
52 リード
53 放熱用フィン
100,101 電流制限回路
I1、I2 電流源
MN0 出力トランジスタ
MN1,MN3,MN4,MN5 トランジスタ
MP4,MP5 トランジスタ
Claims (9)
- 電源から負荷に流れる電流を制御する出力トランジスタと、
前記出力トランジスタに流れる電流に応じた電流が流れる電流センストランジスタと、
前記電流センストランジスタに直列に接続されたセンス抵抗と、
前記センス抵抗に流れる電流と前記センス抵抗の抵抗成分とによって当該センス抵抗の両端に生じた電位差を検出する電位差検出部と、
前記電位差検出部に対して定電流を供給する定電流生成部と、
前記電位差と前記定電流とによって生成された制御電圧に基づいて前記出力トランジスタの導通状態を制御する制御部と、を備え、
前記センス抵抗は、前記電位差検出部を囲むように配設された電流制限回路。 - 前記センス抵抗は、
アルミニウム、銅およびこれらの少なくとも1つを主成分とする合金のいずれかによって構成されることを特徴とする請求項1に記載の電流制限回路。 - 前記センス抵抗は、
前記電位差検出部に対する近接部と離間部とを繰り返すようにジグザグ状に形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の電流制限回路。 - 前記センス抵抗は、
放熱用フィンと一体に形成されたことを特徴とする請求項1〜3にいずれか一項に記載の電流制限回路。 - 前記センス抵抗及び前記電位差検出部は、
出力トランジスタに近接配置されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電流制限回路。 - 前記定電流生成部は、
第1及び第2の電流源を備え、
前記電位差検出部は、
前記第1の電流源と前記センス抵抗の一端との間に設けられた第1のダイオード群と、
前記第2の電流源と前記センス抵抗の他端との間に設けられた第2のダイオード群と、を備えた請求項1〜5のいずれか一項に記載の電流制限回路。 - 前記制御部は、
前記制御電圧を生成する増幅器と、
前記出力トランジスタのゲート−ソース間に設けられ、前記制御電圧に基づいて導通状態が制御される制御用トランジスタと、を備えた請求項6に記載の電流制限回路。 - 前記定電流生成部は、
第1及び第2の定電流トランジスタを備え、
前記電位差検出部は、
前記第1の定電流トランジスタと前記センス抵抗の一端との間に設けられた第1の電位差検出用トランジスタと、
前記第2の定電流トランジスタと前記センス抵抗の他端との間に設けられ、前記第1の電位差検出用トランジスタにカレントミラー接続された第2の電位差検出用トランジスタと、を備えた請求項1〜5のいずれか一項に記載の電流制限回路。 - 前記制御部は、
前記出力トランジスタのゲート−ソース間に設けられ、前記第2の電位差検出用トランジスタのドレイン電圧に基づいて導通状態が制御される制御用トランジスタを備えた請求項8に記載の電流制限回路。
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