JP2011166058A - 研削方法、電子デバイスの製造方法、及び研削装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材21上に樹脂層23を形成する工程と、樹脂層23に紫外光11を照射しながら、若しくは樹脂層23に紫外光11を照射した後に、砥石又は研磨紙により樹脂層23を研削する工程とを有する研削方法による。
【選択図】図2
Description
図1は、本実施形態で使用される研削装置の構成図である。
本実施形態では、第1実施形態で説明した紫外光の照射に加え、以下のようにして酸化性のある水溶液を併用することで、樹脂の変質を促す。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
本実施形態では、第1実施形態で説明した研削方法を、半導体チップの再配線層下の絶縁膜に適用する。
本実施形態では、電子デバイスとして半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージに第1実施形態や第2実施形態で説明した研削方法を適用する。
Claims (7)
- 基材の上方に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層に紫外光を照射しながら、若しくは前記樹脂層に前記紫外光を照射した後に、前記樹脂層を研削する工程と、
を有することを特徴とする研削方法。 - 前記研削する工程は、砥石又は研磨紙により前記樹脂層を研削することを特徴とする請求項1に記載の研削方法。
- 前記樹脂層を研削する工程において、酸化性のある水溶液に前記樹脂層を曝しながら、前記樹脂層に前記紫外光を照射しつつ、該樹脂層を研削することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研削方法。
- 前記水溶液は、過酸化水素水又はオゾン水であることを特徴とする請求項3に記載の研削方法。
- 前記樹脂層を研削する工程において、前記水溶液により前記樹脂層を冷却しながら、前記樹脂層を研削することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の研削方法。
- 基材の上方に凸状導電層を形成する工程と、
前記基材の上方に樹脂層を形成して、該樹脂層により前記凸状導電層を埋め込む工程と、
前記凸状導電層が表出するまで前記樹脂層を研削する工程とを有し、
前記研削を、前記樹脂層に紫外光を照射しながら、若しくは前記樹脂層に前記紫外光を照射した後に行うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - ワークを保持するテーブルと、
前記ワークを研削する砥石又は研磨紙が取り付けられたホイールと、
前記ワークに紫外光を照射する光源と、
を有することを特徴とする研削装置。
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