JP2011158325A - 光ファイバの断線検知装置及びレーザ加熱装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】温度ヒューズ42を断線検知線41に設けて、光ファイバ22の断線部から外部に漏れ出すレーザ光の熱によって断線検知線41が溶断しない程度にレーザ光の出力が低い場合であっても、温度ヒューズ42において電流が遮断されるようにする。
【選択図】図5
Description
被処理体を加熱処理するためにレーザ光を伝送する光ファイバと、
この光ファイバの長さ方向に沿って配線され、当該光ファイバの断線を検知するために通電される断線検知線と、
この断線検知線に設けられ、前記光ファイバの断線時の昇温により開路する温度ヒューズと、
前記断線検知線の通電の遮断を検知する断線検知部と、を備えたことを特徴とする。
前記温度ヒューズは、前記光ファイバの長さ方向において前記保護管が配置された部位に設けられていることが好ましい。
また、本発明の光ファイバの断線検知装置は、
被処理体を加熱処理するためにレーザ光を伝送する光ファイバと、
この光ファイバの周囲に設けられ、前記光ファイバの断線を検知するために当該光ファイバの温度を検知する熱電対と、
前記熱電対の検知温度により前記光ファイバの断線を検知する検知部と、を備えたことを特徴とする。
既述の光ファイバの断線検知装置と、
被処理体がその内部に配置され、当該被処理体に対してレーザ光の照射により加熱処理を行うための処理容器と、
この処理容器の外部に設けられ、前記光ファイバの基端側に設けられたレーザ発振器と、を備えたことを特徴とする。
前記光ファイバを囲むように当該光ファイバの長さ方向において局所的に配置され、前記光ファイバの屈曲を抑制する保護管を備え、
前記温度ヒューズが前記光ファイバの長さ方向において前記保護管が配置された部位に設けられている場合には、前記レーザ加熱装置は、前記光ファイバの先端部を保持する保持部を備え、
前記保護管は、前記光ファイバの先端部と、前記光ファイバが前記処理容器の壁部を貫通する部位とに設けられていることが好ましく、更に前記保持部は、レーザ光の照射位置及び照射角度の少なくとも一方を変えるための光ファイバ移動部の一部であることが好ましい。
このポリマー除去装置は、ウエハWを内部に収納して付着物の除去処理を行うための処理容器1と、この処理容器1内に設けられ、ウエハWの中央部を裏面側から吸着支持すると共に当該ウエハWを鉛直軸回りに回転させる載置台であるスピンチャック2と、このスピンチャック2上のウエハWの例えば側端面から裏面周縁部に亘ってレーザ光を照射して当該ウエハWに付着した付着物を加熱除去するレーザ照射装置3と、を備えている。図1中4はゲートバルブGにより気密に開閉されるウエハWの搬送口、5は処理容器1の上方側に設けられ、当該処理容器1内に外部の雰囲気を取り込むための吸気装置、6は吸気装置5により吸引した外部の雰囲気中のパーティクルを除去するためのフィルタ部であり、処理容器1の底面の排気口7から伸びる排気管8に接続された排気装置9と吸気装置5とにより、処理容器1内にダウンフローが形成されるように構成されている。尚、処理容器1の天井面におけるフィルタ部6の下方位置には、吸気装置5により取り込まれる外部の雰囲気を当該処理容器1内に通流させるための開口部1aが形成されている。
レンズ部23に近接する部位における光ファイバ22は、固定バンド27によってベース板25に固定されている。
1 処理容器
2 スピンチャック
2a 駆動部
3 レーザ照射装置
21 レーザ発振器
22 光ファイバ
23 レンズ部
26 移動部
30 保護管
41 断線検知線
42 温度ヒューズ
43 モニタリングユニット
P 付着物
Claims (6)
- 被処理体を加熱処理するためにレーザ光を伝送する光ファイバと、
この光ファイバの長さ方向に沿って配線され、当該光ファイバの断線を検知するために通電される断線検知線と、
この断線検知線に設けられ、前記光ファイバの断線時の昇温により開路する温度ヒューズと、
前記断線検知線の通電の遮断を検知する断線検知部と、を備えたことを特徴とする光ファイバの断線検知装置。 - 前記光ファイバを囲むように当該光ファイバの長さ方向において局所的に配置され、前記光ファイバの屈曲を抑制する保護管を備え、
前記温度ヒューズは、前記光ファイバの長さ方向において前記保護管が配置された部位に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光ファイバの断線検知装置。 - 被処理体を加熱処理するためにレーザ光を伝送する光ファイバと、
この光ファイバの周囲に設けられ、前記光ファイバの断線を検知するために当該光ファイバの温度を検知する熱電対と、
前記熱電対の検知温度により前記光ファイバの断線を検知する検知部と、を備えたことを特徴とする光ファイバの断線検知装置。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の光ファイバの断線検知装置と、
被処理体がその内部に配置され、当該被処理体に対してレーザ光の照射により加熱処理を行うための処理容器と、
この処理容器の外部に設けられ、前記光ファイバの基端側に設けられたレーザ発振器と、を備えたことを特徴とするレーザ加熱装置。 - 前記断線検知部は、請求項2に記載された構成が用いられ、
前記光ファイバの先端部を保持する保持部を備え、
前記保護管は、前記光ファイバの先端部と、前記光ファイバが前記処理容器の壁部を貫通する部位とに設けられたことを特徴とする請求項4に記載のレーザ加熱装置。 - 前記保持部は、レーザ光の照射位置及び照射角度の少なくとも一方を変えるための光ファイバ移動部の一部であることを特徴とする請求項5に記載のレーザ加熱装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102354020A (zh) * | 2011-11-21 | 2012-02-15 | 苏州吉矽精密科技有限公司 | 一种大功率激光传输光纤装置 |
JP2014224898A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 三菱電線工業株式会社 | レーザ光伝送用光ファイバケーブル |
CN104708203A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 南京众海电池电子有限公司 | 用于制造tco的设备和方法 |
JP2015194414A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ウシオ電機株式会社 | 光ファイバ装置 |
CN106803665A (zh) * | 2015-11-26 | 2017-06-06 | 光越科技(深圳)有限公司 | 一种高功率激光系统保护电路 |
CN106803667A (zh) * | 2015-11-26 | 2017-06-06 | 光越科技(深圳)有限公司 | 一种双电源高功率准直器保护电路 |
CN110957628A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-04-03 | 昂纳信息技术(深圳)有限公司 | 一种光纤熔断的检测装置、系统及方法 |
CN113366711A (zh) * | 2019-02-27 | 2021-09-07 | 株式会社藤仓 | 激光装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6285433A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 研摩装置 |
JP2003014579A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | レーザガイド装置 |
JP2003279444A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバ損傷検知装置及びこれを備えたレーザ伝送装置 |
JP2006233275A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Japan Science & Technology Agency | 薄膜形成装置 |
JP2007184393A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 基材外周処理装置及び方法 |
JP2008103556A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6285433A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 研摩装置 |
JP2003014579A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | レーザガイド装置 |
JP2003279444A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバ損傷検知装置及びこれを備えたレーザ伝送装置 |
JP2006233275A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Japan Science & Technology Agency | 薄膜形成装置 |
JP2007184393A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 基材外周処理装置及び方法 |
JP2008103556A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102354020A (zh) * | 2011-11-21 | 2012-02-15 | 苏州吉矽精密科技有限公司 | 一种大功率激光传输光纤装置 |
JP2014224898A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 三菱電線工業株式会社 | レーザ光伝送用光ファイバケーブル |
CN104708203A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 南京众海电池电子有限公司 | 用于制造tco的设备和方法 |
JP2015194414A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ウシオ電機株式会社 | 光ファイバ装置 |
CN106803665A (zh) * | 2015-11-26 | 2017-06-06 | 光越科技(深圳)有限公司 | 一种高功率激光系统保护电路 |
CN106803667A (zh) * | 2015-11-26 | 2017-06-06 | 光越科技(深圳)有限公司 | 一种双电源高功率准直器保护电路 |
CN106803665B (zh) * | 2015-11-26 | 2019-03-19 | 光越科技(深圳)有限公司 | 一种高功率激光系统保护电路 |
CN113366711A (zh) * | 2019-02-27 | 2021-09-07 | 株式会社藤仓 | 激光装置 |
CN113366711B (zh) * | 2019-02-27 | 2024-05-24 | 株式会社藤仓 | 激光装置 |
CN110957628A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-04-03 | 昂纳信息技术(深圳)有限公司 | 一种光纤熔断的检测装置、系统及方法 |
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