JP2010199586A - 熱処理中に半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パイロメータによって検出される測定スポットの一部は前記半導体ウェハ上であり、該測定スポットの一部は該半導体ウェハの外側であって前記回転サセプタ上であるように前記パイロメータを方向決めし、前記半導体ウェハの不適正な位置とは、前記回転サセプタのポケット内の偏心位置である方法。
【選択図】図4
Description
a)半導体ウェハごとに順次得られる振幅(ひいては、帰納的には半導体ウェハの位置)が大きく変化すると、このことの原因はたとえば、半導体ウェハがサセプタ上に位置する場合に熱衝撃が発生して該半導体ウェハの位置が変化したことである可能性がある。さらに、サセプタと半導体ウェハとの間の気体クッション上に浮遊していること、または、下方にピンが設けられている場合には該ピンによって発生した振動であることも原因である可能性がある。この場合、該当する半導体ウェハをマーキングして分離するか、場合によっては、この半導体ウェハにさらに付加的な品質検査チェックを行うことができる。
2 サセプタ
3 ポケット
4 リッジ部
5 サセプタ2の縁部
Claims (6)
- 近赤外線放射源によって加熱され近赤外線に対して透過性である処理チャンバ内で熱処理を行う間に半導体ウェハ(1)の不適正な位置を識別する方法であって、
前記半導体ウェハ(1)は回転サセプタ(2)の円形のポケット(3)内に設けられ、前記近赤外線放射源および制御システムを使用して所定の温度に維持され、
熱放射を前記パイロメータ(7)によって測定し、該パイロメータ(7)によって得られた測定信号のゆらぎの振幅を求め、該振幅が所定の最大値を超えた場合には、前記半導体ウェハ(1)の位置が不適正であると推定する方法において、
前記パイロメータ(7)によって検出される測定スポット(6)の一部が前記半導体ウェハ(1)上に存在し、該測定スポット(6)の一部が該半導体ウェハ(1)の外側であって前記サセプタ(2)上に存在するように、該パイロメータ(7)を方向づけし、
前記半導体ウェハ(1)の不適正な位置は、前記サセプタ(2)のポケット(3)内の偏心位置であることを特徴とする方法。 - 前記半導体ウェハ(1)の位置が前記サセプタ(2)のポケット内の中心にあると仮定した場合、前記測定スポット(6)の直径の10〜90%が該半導体ウェハ(1)上にある、請求項1記載の方法。
- 前記振幅の最大値を、前記測定信号の平均値の1〜4%の範囲内で定義する、請求項1または2記載の方法。
- 前記熱処理は、前記半導体ウェハ上にエピタキシャル層を成層するために使用される熱処理である、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 位置が不適正であると検出された前記半導体ウェハにそれぞれ、処理に欠陥があることを示すマーキングを前記熱処理後に付する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 前記パイロメータの測定信号の他に付加的に、回転中の前記サセプタの現在位置を表す信号を時間に依存して記録し、
位置が不適正であると検出された場合にはこれらのデータを使用して、前記半導体ウェハを前記処理チャンバ内へ輸送するために使用される自動輸送装置の動きをどのように補正すれば次の半導体ウェハの位置が不適正になることを回避できるかを決定する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
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