JP2011155268A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、誘電体膜を下部電極と上部電極とで挟んでなるキャパシタ(200,300,400)を形成する第1の工程と、O3とTEOSを原料としたCVD法により、キャパシタ(200,300,400)を覆う酸化膜(122,125,128)を形成する第2の工程と、ALD法により、酸化膜(122,125,128)上に保護膜としてのAl2O3(123,126,129)膜を形成する第3の工程とを備える。
【選択図】図1
Description
図1の(a)〜(c)は、本第1の実施形態に係わるFeRAMの製造プロセスを示す断面図である。本第1の実施形態では、キャパシタ下に位置するプラグ材にタングステンを用いたCOP型FeRAMセルについて述べる。
図2は、本第2の実施形態に係わるFeRAMの製造プロセスを示す断面図である。図2において図1の(a)〜(c)と同一な部分には同符号を付してある。
この半導体基板の上方に設けられた、誘電体膜を下部電極と上部電極とで挟んでなるキャパシタと、
このキャパシタを覆うよう形成された厚さ5nm以上50nm以下の酸化膜と、
この酸化膜の上側にALD法により形成された保護膜と、
を備えた半導体装置。
この半導体基板の上方に設けられた、誘電体膜を下部電極と上部電極とで挟んでなるキャパシタと、
前記上部電極の上方に形成された第1の酸化膜と、
前記第1の酸化膜の上側にALD法により形成された第1の保護膜と、
この第1の保護膜、前記第1の酸化膜、及び前記キャパシタを覆うよう形成された第2の酸化膜と、
この第2の酸化膜の上側にALD法により形成された第2の保護膜と、
を備えた半導体装置。
このキャパシタを覆うよう厚さ5nm以上50nm以下の酸化膜を形成し、
この酸化膜の上側にALD法により保護膜を形成する半導体装置の製造方法。
Claims (5)
- 半導体基板の上方に、誘電体膜を下部電極と上部電極とで挟んでなるキャパシタを形成する第1の工程と、O3とTEOSを原料としたCVD法により、前記キャパシタを覆う酸化膜を形成する第2の工程と、ALD法により、前記酸化膜上に保護膜としてのAl2O3膜を形成する第3の工程とを具備する半導体装置の製造方法。
- 前記第1の工程後、前記第2の工程前に、スパッタ法により、前記酸化膜の下地となる密着層としてのAl2O3膜を形成する第4の工程をさらに具備する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化膜は、厚さ5nm以上50nm以下で形成される請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2及び第3の工程は、複数回繰り返して実行されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2、第3及び第4の工程は、複数回繰り返して実行されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005132761A Division JP2006310637A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011155268A true JP2011155268A (ja) | 2011-08-11 |
JP5487140B2 JP5487140B2 (ja) | 2014-05-07 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5487140B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9917092B2 (en) | 2015-01-20 | 2018-03-13 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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JP7057445B2 (ja) | 2018-01-17 | 2022-04-19 | ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド | キャパシタ、キャパシタの製造方法、及び半導体装置 |
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