JP2011155235A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマエッチング装置は、内部にてウエハWをプラズマ処理する処理容器100と、処理容器100の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極105及び下部電極110と、上部電極105及び下部電極110の少なくともいずれかに接続され、処理容器100の内部に高周波電力を出力する高周波電源150と、を有する。上部電極105及び下部電極110の少なくともいずれかは、板状の誘電体からなる基材105aと、開口部を有し、基材105aを覆う導電性カバー105bと、基材105aとプラズマとの間に設けられた金属の第1の抵抗体105dと、を含む。
【選択図】図6
Description
〔1〕プラズマ処理装置の全体構成
〔2〕抵抗体と電界強度分布との関係
〔2−1〕誘電体及び抵抗体がない場合
〔2−2〕抵抗体がない場合
〔2−3〕抵抗体が低抵抗の場合
〔2−4〕抵抗体が中抵抗の場合
〔2−5〕抵抗体が高抵抗の場合
〔3〕抵抗体の形状や組合せと電界強度分布との関係
〔3−1〕第1の抵抗体(パターン化された抵抗体)の場合
〔3−2〕第1の抵抗体と第2の抵抗体(一体型抵抗体)の場合
〔3−3〕第1の抵抗体と第3の抵抗体(継ぎ目抵抗体)の場合
〔3−3−1〕周波数を変化させた場合の電界強度分布
〔3−3−2〕厚み違い抵抗体(第1及び第3の抵抗体)の電界強度分布
〔3−4〕中央が開口された第1の抵抗体の場合
〔4〕変形例
まず、本発明の一実施形態に係る電極を有するプラズマ処理装置の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る電極を上部電極に用いたRIEプラズマエッチング装置(平行平板型プラズマ処理装置)を示す。RIEプラズマエッチング装置10は、高周波のエネルギーによりプラズマを生成し、ウエハWをプラズマ処理するプラズマ処理装置に相当する。
次に、上部電極105に設けられた誘電体の基材105a及び第1の抵抗体105dの機能について説明する前に誘電体及び抵抗体を用いた電界強度の制御について、図4、図5A,図5B及び図5Cを参照しながら説明する。図5Aでは、誘電体305bが、金属の基材305aに埋め込まれている。金属のシート状の抵抗体305dは、誘電体305bのプラズマ側の面の近傍にて誘電体カバー305cに埋設されている。このとき、抵抗体305dは、上部電極105の下部の電界強度分布に次のような影響を及ぼす。これを証明するために発明者が行ったシミュレーションの結果を図4に示す。なお、シミュレーション条件としては、全てのシミュレーションに対してプラズマの抵抗ρを1.5Ωmに設定した。また、特に言及がない限り、供給される高周波電力の周波数を100MHzに設定した。また、以下において抵抗体のシート抵抗は、シート状の抵抗体の単位面積当たりの抵抗値(Ω/□)にて表わされる。
誘電体305b及び抵抗体305dが存在しない電極の場合(図17A)の電界強度分布について説明する。以下では、各条件での電界強度の最大値をEmaxとしたときの電界強度分布をE/Emaxで示す。図4のAグループに属する誘電体なし/抵抗体なしの場合のシミュレーション結果からも明らかなように、上部電極900の端部側から中心側に流れる高周波の電流に対して上部電極の下部の電界強度分布E/Emaxは、中心部で強くなる。
誘電体915のみが設けられ、抵抗体が存在しない電極の場合(図17B)、誘電体なし/抵抗体なしの場合に比べて上部電極900の中央部の電界強度分布E/Emaxが低くなった。これによれば、高周波の電流が上部電極900の金属表面を流れる際、上部電極900の中心部に設けられた誘電体915の容積に応じたキャパシタンス成分とシースのキャパシタンス成分とにより分圧が生じ、誘電体下部にて高周波の電界強度に分散が生じたためである。
抵抗体305dが低抵抗(0.002Ω/□、2Ω/□)の場合、図4のシミュレーション結果では、誘電体及び抵抗体がない場合と同じAグループの結果となった。この場合、図5Aに示したように、高周波の電流Iは、上部電極105の基材305aの金属表面を端部から中心部に向かって流れる。これと同時に、高周波の電流Iは、抵抗体305dの金属表面を端部から中心部に向かって流れる。
δ=(2/ωσμ)1/2
ただし、ω=2πf(f:周波数)、σ:導電率、μ:透磁率
一方、抵抗体305dが中抵抗(200Ω/□)の場合、図4のシミュレーション結果では、テーパ状の誘電体が存在する場合(図17C)と同じBグループの結果となった。この場合、図5Bに示したように、高周波の電流Iは、上部電極105の基材305aの金属表面を端部から中心部に向かって流れる。これと同時に、高周波の電流Iは、抵抗体305dの金属表面を端部から中心部に向かって流れる。
抵抗体305dが高抵抗(20,000Ω/□)の場合、図4のシミュレーション結果では、誘電体あって抵抗体が存在しない場合(図17B)と同じCグループの結果となった。この場合、図5Cに示したように、高周波の電流Iは、上部電極105の基材305aの金属表面を端部から中心部に向かって流れる。しかし、抵抗体305dが高抵抗であるため、抵抗体305dは絶縁物と同様に作用し、高周波の電流Iは、抵抗体305dの金属表面を流れない。この結果、プラズマ側からは、図17Bの誘電体のみが存在する場合と同様に誘電体305bのキャパシタンス成分Cだけが見え、電界強度分布E/Emaxは電極中央にて低くなり、誘電体端部にて不均一になる。
次に、発明者は、抵抗体の形状や組合せの適正化を図るために、抵抗体の形状や組合せが電界強度分布にどのように影響を与えるかのシミュレーションを実行した。
初めに、発明者は、第1の抵抗体105dを図6(a)及び図7(a)に示したようにパターン化した。図6(a)の1−1断面は、図7(a)の右半分を示す。第1の抵抗体105dは、リング状に3分割されている。外側のリング状部材105d1の直径φは240mmであり、中央のリング状部材105d2の直径φは160mmであり、内側の円形部材105d3の直径φは80mmである。各部材は、所定の間隔だけ等間隔に離隔されている。所定の間隔は、該間隔のインピーダンス1/Cωが第1の抵抗体105dの抵抗Rより大きくなるように設定される。
次に、発明者は、図8(a)に示したように、リング状に三分割した第1の抵抗体105dに加え、基材105aとプラズマの間に一体型(シート状)の第2の抵抗体105fを設けた。図8(a)では、第2の抵抗体105fは、第1の抵抗体105dの下方にて誘電体カバー105cに埋設されているが、第1の抵抗体105dの上方にて誘電体カバー105cに埋設されていてもよい。第2の抵抗体105fは、誘電体カバー105cから露出した状態で誘電体カバー105cのプラズマ側の面に密着して設けられていてもよい。
〔3−3−1〕周波数を変化させた場合の電界強度分布
つぎに、第1の抵抗体と第3の抵抗体(継ぎ目抵抗体)との組合せ電極において周波数を変化させた場合の電界強度分布E/Emaxの変化について説明する。発明者は、図9(a)に示したように、リング状に三分割した第1の抵抗体105dに加え、三分割された第1の抵抗体105dのギャップに第3の抵抗体105gを嵌入した。つまり、第3の抵抗体105gは、第1の抵抗体105dの継ぎ目に設けられ、隣接する第1の抵抗体105d同士を連結する。
次に、発明者は、図10(a)に示したように、リング状に三分割した第1の抵抗体105dの幅L(ギャップ)を変化させるとともに、第3の抵抗体105gの厚さD2を変化させてシミュレーションを行った。このときの条件としては、第1の抵抗体105dは、幅D1=200μm、直径φ=160,240mmのリング状及び直径φ=80の円形状であって、その抵抗値を0.5Ω/□に設定した。高周波電力の周波数は、100MHzである。第3の抵抗体105gの厚さは、0.1mm、0.05mm、0.01mmと可変に設定した。
次に、発明者は、図15(a)に示したように、第1の抵抗体105dを中央にて開口した1つのリング状部材とした場合についてシミュレーションを行った。このときの条件としては、最初に、第1の抵抗体105dの中央開口をφ=160mmに設定し、その抵抗値を0.002Ω/□、2Ω/□、200Ω/□、20,000Ω/□に設定した。また、高周波電力の周波数を100MHzに設定した。その結果を、図15(b)に示す。これによれば、第1の抵抗体105dの開口径に応じて開口した部分近傍の上部電極の電界強度分布E/Emaxが低下した。
本発明の変形例にかかるRIEプラズマエッチング装置について簡単に説明する。図19は、本発明の変形例にかかるRIEプラズマエッチング装置10を示した断面図である。上部電極105は、上部基材105a、及び上部基材105aの直上にて上部基材105aとともにシャワーヘッドを形成するガス拡散部(導電体のベースプレート)300を有している。つまり、変形例にかかるRIEプラズマエッチング装置10では、上部電極105は、ガス拡散部300を介して処理容器100の天井面に固定されている。ガスは、ガス供給源115から供給され、ガス拡散部300にて拡散された後、ガス拡散部300に形成された複数のガス通路から上部基材105aの複数のガス穴105eに通され、処理容器100の内部に導入される。
以下の説明では、図19に示した変形例にかかるRIEプラズマエッチング装置10の構造を前提に、導電性カバー105b、第1の抵抗体105d及び第2の抵抗体105fの製造方法について説明した後、上部電極105の取り付け方法について説明する。
(1) 厚さが10mmの石英(アルミナセラミックスでもよい)からなる基材105aの下面中央以外の表面全体にアルミニウム(Al)を溶射する。溶射されたアルミニウム(Al)は導電性カバー105b及び第1の抵抗体105dとして機能する。例えば、基材105aの下面中央には、直径φが75mmの開口が設けられる。
(2) (1)の溶射後、基材105aの表面を耐プラズマ性の高いイットリアにより溶射し、表面溶射層105hを形成する。表面溶射層105hの厚さは100〜200μm程度である。
(1) 厚さが10mmの石英(アルミナセラミックスでもよい)からなる基材105aの下面中央及び上面(外周を除く)以外の表面全体に、導電性カバー105b及び第1の抵抗体105dとしてのアルミニウム(Al)を溶射する。基材105aの下面中央には、例えば直径φが75mmの開口が設けられる。基材105aの上面の外周には、10mmの幅にてアルミニウム(Al)が溶射される。基材105aの上面中央にはアルミニウム(Al)の溶射は存在しない。
(2) (1)の溶射後、基材105aの下面全体にチッタニア・イットリア(TiO2・Y2O3)を溶射する。溶射されたチッタニア・イットリア(TiO2・Y2O3)は第2の抵抗体105fとして機能する。例えば、チッタニア・イットリア(TiO2・Y2O3)の厚さは、100μm程度である。
(3) (2)の溶射後、基材105aの表面をイットリアにより溶射し、表面溶射層105hを形成する。表面溶射層105hの厚さは100〜200μm程度である。基材105aの上面中央のアルミニウム(Al)の溶射が存在しない部分には、イットリアの溶射も存在しない。なお、図20(b)の上部電極205は、図20(a)の上部電極205の変形例である。
上部電極105の取り付け方法について、図21を参照しながら説明する。図21は、上部電極105の外周面側から上部電極105を固定するクランプ600と、その周辺を示した断面図である。
105 上部電極
105a,110a 基材
105b 導電性カバー
105c 誘電体カバー
105d 第1の抵抗体
105f 第2の抵抗体
105g 第3の抵抗体
110 下部電極
150 第1の高周波電源
165 第2の高周波電源
300 ガス拡散部
W ウエハ
Claims (20)
- 内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器と、前記処理容器の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極の少なくともいずれかに接続され、前記処理容器内に高周波電力を出力する高周波電源と、を備えるプラズマ処理装置であって、
前記第1及び第2の電極の少なくともいずれかは、
板状の誘電体からなる基材と、
前記基材とプラズマとの間に設けられた金属の第1の抵抗体と、を含むプラズマ処理装置。 - 開口部を有し、前記基材を覆う導電性カバーを更に備える請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の抵抗体は、パターン化されている請求項1又は2に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記基材のプラズマ側の面にて前記基材を覆う誘電体カバーをさらに備え、
前記第1の抵抗体は、前記誘電体カバーに埋設されている請求項1〜3のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。 - 前記誘電体カバーは、溶射、テープ又はシート状部材の貼り付け、イオンプレーティング、メッキのいずれかにより形成される請求項4に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の抵抗体は、所定の間隔に離隔された複数のリング状の部材又は所定の間隔に離隔された複数の島状の部材を有する請求項1〜5のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記所定の間隔は、該間隔のインピーダンス1/Cωが前記第1の抵抗体の抵抗Rより大きくなるように設定される請求項6に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記基材とプラズマとの間に金属の第2の抵抗体をさらに備える請求項1〜7のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の抵抗体と前記第2の抵抗体とのシート抵抗値の総和は、20Ω/□〜2000Ω/□の範囲の値である請求項8に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記離隔された第1の抵抗体の間には、前記第1の抵抗体の厚さより薄い第3の抵抗体が嵌入されている請求項6〜9のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1及び第2の電極のいずれかに13MHz〜100MHzの範囲内のプラズマ生成用の高周波電力を供給する請求項1〜10のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の抵抗体を有する電極は、上部電極であり、
前記第1の抵抗体の離隔された部分にガス供給管を通す請求項6〜9のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。 - 前記第1の抵抗体は溶射により形成される請求項1〜12のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第2の抵抗体は溶射により形成される請求項8〜13のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第2の抵抗体の溶射は、酸化チタンを含有した複合抵抗体を用いて行われる請求項14に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の抵抗体の溶射は、前記基材の少なくともプラズマ空間側の面に対向する面を一部残して行われる請求項13〜15のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記基材は、前記基材の外周面側から前記基材を支持し、前記基材を前記処理容器に固定する導電体のクランプに電気的に接続されている請求項13〜16のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の抵抗体のシート抵抗値は、20Ω/□〜2000Ω/□の範囲の値である請求項8、10〜17のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の抵抗体のシート抵抗値は、2×10−4Ω/□〜20Ω/□の範囲の値である請求項13〜18のいずれか一項に記載されたプラズマ処理装置。
- 印加された高周波電力によりガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置用の電極であって、
前記電極は、互いに対向し、その間にプラズマ処理空間を形成する第1及び第2の電極のうちの少なくともいずれかであり、
板状の誘電体からなる基材と、
開口部を有し、前記基材を覆う導電性カバーと、
前記基材とプラズマとの間に設けられた金属の第1の抵抗体と、を含むプラズマ処理装置用の電極。
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