TWI817173B - 電漿處理裝置及其工作方法 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露了一種電漿處理裝置及基片處理方法，此裝置包含：反應腔，其頂部具有開口，其內底部設置基座，基座用於承載待處理基片；安裝基板，坐落於開口內；氣體噴淋頭，位於安裝基板的下方，且與基座相對設置；電極，位於安裝基板與氣體噴淋頭之間；絕緣層，分別位於安裝基板與電極以及氣體噴淋頭與電極之間；直流電源，與電極電連接，以使氣體噴淋頭吸附在安裝基板上。本發明改善了氣體噴淋頭與後續電極的物理接觸，從而更好的對氣體噴淋頭進行溫度控制，並降低了安裝的複雜性。
Description
本發明涉及半導體處理設備技術領域，特別是涉及一種電漿處理裝置及其工作方法。
隨著半導體製造技術越來越精密，積體電路也發生重大的變革，使得電腦的運算性能和儲存容量突飛猛進，並帶動周邊產業迅速發展。而半導體產業也如同摩爾定律所預測的，以每18個月在積體電路上的電晶體數目增加一倍的速度發展著。例如：電晶體的關鍵尺寸也在持續縮減且密度在持續增加。相應的積體電路晶片製造的工序也變得步驟更多且更加複雜，製造過程的每一道工序在穩定性和均勻性上面都受到更為嚴苛的標準。
為了保證製造積體電路晶片的製程過程的持續穩定性，其所採用的半導體處理裝置的本身結構的穩定性就需要有保證，尤其是一些關鍵製程部件的穩定性。
例如：現存常見電容耦合式電漿蝕刻機的電極結構為平行板結構，下電極為靜電吸盤(Electrostatic Chuck，ESC)，待處理基片通常放置在其上面。靜電吸盤一方面與冷卻裝置相連實現蝕刻過程中對待處理基片溫度的控制，一方面與射頻訊號相連。上電極為矽基氣體噴淋頭(Si showerhead)，其透過鋁螺絲等物理連接的方式貼在鋁製的安裝基板(mountain base)上，矽基氣體噴淋
頭的外側為矽基材料的上接地環(upper ground ring)，其透過鋁螺絲固定在一個鋁合金的底盤(baseplate)上，再透過一組鋁螺絲將鋁合金的底盤固定在安裝基板上面，安裝基板坐落在腔體的上表面。
由此可知，單晶矽電極能夠為蝕刻提供一個矽的環境，且保證不帶來其他元素的污染，鋁基底透過一些螺絲為單晶矽電極提供物理製程，並且透過物理接觸以實現溫度的控制。然而，由於鋁基底和單晶矽電極之間存在膨脹係數的差異，維持二者接觸的螺絲隨著時間的增加不可避免地會鬆動，由此導致熱量傳導和直流射頻迴路會受到影響，進而導致基片良率性差的問題。
本發明的目的是提供一種電漿處理裝置及其工作方法，以實現改善氣體噴淋頭與電極的物理接觸，從而實現更好的溫度控制，以達到提高基片良率的目的。
為了實現以上目的，本發明透過以下技術方案實現：一種電漿處理裝置，包含：反應腔，其頂部具有開口，其內底部設置基座，基座用於承載待處理基片；安裝基板，坐落於開口內；氣體噴淋頭，位於安裝基板的下方，且與基座相對設置；電極，位於安裝基板與氣體噴淋頭之間；絕緣層，分別位於安裝基板與電極以及氣體噴淋頭與電極之間；直流電源，與電極電連接，以使氣體噴淋頭吸附在安裝基板上。
較佳地，安裝基板上設有複數個安裝通孔；電極上設有複數個安裝盲孔，安裝通孔與安裝盲孔分別對應；採用第一固定件貫穿安裝通孔並停止於安裝盲孔內，以將安裝基板和電極固定連接。
較佳地，電極為U形結構，安裝基板位於電極內部，採用第二固定件將電極的側壁與安裝基板的側壁進行連接。
較佳地，第二固定件為複數個第一螺釘，各第一螺釘貫穿電極的側壁並停止於安裝基板內。
較佳地，安裝基板具有相對的第一表面和第二表面，安裝基板上間隔設置有貫穿第一表面和第二表面的複數個第一氣孔，各第一氣孔的第一端接入反應氣體的氣源，其第二端與氣體噴淋頭連通。
較佳地，進一步包含：氣體緩衝件，其設置在安裝基板的上方，與第一表面構成密閉的空間，用於緩衝從氣源的氣體管路傳入的反應氣體；加熱器，其環繞氣體緩衝件的外圍設置；加熱器與安裝基板之間設有石墨導熱片，加熱器產生的熱量透過石墨導熱片、安裝基板和電極傳導到氣體噴淋頭上，以對氣體噴淋頭的溫度進行控制。
較佳地，電極具有相對的第三表面和第四表面，安裝基板的第二表面與第三表面相接觸，電極上間隔設置有貫穿第三表面和第四表面的複數個第二氣孔，第一氣孔與第二氣孔分別對應設置，各第二氣孔的一端與第一氣孔的第二端連通，其另一端與氣體噴淋頭連通。
較佳地，進一步包含：上接地環，上接地環的內邊緣設有環形臺階，氣體噴淋頭位於上接地環的內部，其邊緣搭載在環形臺階上，透過將上接地環固定於電極上，以固定氣體噴淋頭。
較佳地，電極的邊緣上間隔設有複數個第一通孔，上接地環的外邊緣上間隔設置有複數個盲孔，第一通孔與盲孔分別對應設置。
較佳地，進一步包含：複數個第二螺釘，各第二螺釘貫穿第一通孔並停止於盲孔內。
較佳地，上接地環進一步包含凸出部，凸出部位於環形臺階上，氣體噴淋頭上設有凹陷部，凸出部與凹陷部相匹配以實現兩者之間的對準。
較佳地，進一步包含：複數個墊片，各墊片位於第二螺釘與安裝基板之間，且分別與第二螺釘和安裝基板的第二表面接觸。
較佳地，安裝基板的表面中除了與墊片接觸而成的接觸面的表面上不塗佈陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層外，其餘的表面上均塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層；所有第一氣孔的孔壁內塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層。
較佳地，電極表面上以及所有第二氣孔的孔壁上均塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層；陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層為上述絕緣層。
較佳地，上接地環的環形臺階的表面上塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層。
較佳地，進一步包含：電極接頭和法蘭，電極接頭設置在電極的一側，法蘭設置在反應腔的側壁上；電極接頭透過法蘭與設置在反應腔外部的直流電源連接。
較佳地，氣體噴淋頭的厚度範圍為1mm~2mm。
較佳地，安裝基板和電極的材料包含：鋁合金。
較佳地，絕緣層位於氣體噴淋頭與安裝基板之間，電極埋設於絕緣層內。
另一方面，本發明進一步提供一種電漿處理裝置的工作方法，包含：透過直流電源提供預設範圍的電壓至電極，在電極和安裝基板之間以及電極與氣體噴淋頭之間聚集電荷以產生吸附力，使得安裝基板、電極和氣體噴淋頭之間進行貼附固定。
較佳地，在採用直流電源向電極通電之前，進一步包含：將待處理基片移入反應腔；在反應腔內通入氬氣，並將氬氣解離為氬氣電漿，形成一個包含安裝基板、上接地環、氬氣電漿、氣體噴淋頭及電極的直流迴路。
較佳地，在透過直流電源提供預設範圍的電壓至電極之後，進一步包含：向反應腔內輸送製程氣體，並將製程氣體解離為電漿；採用電漿對待處理基片進行處理。
本發明與現有技術相比，至少具有以下優點之一：在本發明提供的一種電漿處理裝置中，透過直流電源向電極輸送直流電流，能夠在安裝基板與電極之間以及電極與氣體噴淋頭之間的表面上都聚集有電荷以產生強烈的靜電吸附力，使得安裝基板與電極之間以及電極與氣體噴淋頭之間進行貼合，這種吸附力較均勻，其使得安裝基板與電極之間以及電極與氣體噴淋頭之間貼附地很牢靠。透過控制外接的直流電源的電壓值，可以保證這三者之間有足夠的靜電吸附力，從而使安裝基板、電極與氣體噴淋頭之間均能夠緊密貼合，使其三者之間的熱傳導較好，從而能夠實現對氣體噴淋頭較好的溫度控制。
進一步地，由於安裝基板與電極同為鋁合金，二者之間不會產生形變差。
由於本發明提供的氣體噴淋頭與電極之間採用靜電吸附的方式進行連接，不需要在安裝基板和氣體噴淋頭之間採用螺釘進行固定，即氣體噴淋頭不需要額外的加工構成的機械固定結構，由此，氣體噴淋頭可以採用較薄的矽基材料片製成，具體來說，其厚度範圍為1mm~2mm，由此可知本發明所提供的氣體噴淋頭具有更好的柔韌性。即使安裝基板與電極在變溫過程中發生形變的情況下，也可以在靜電吸附力的作用下緊貼電極以保證熱傳導的穩定性。
由於氣體噴淋頭採用較薄的矽基材料片，可以進一步提高矽基材料的利用率，降低上電極的製備成本。
本發明提供的電極的側壁與安裝基板的側壁採用第二固定件進行固定連接，即電極呈U型，透過側壁的螺絲孔位置的安排，保證安裝基板與電極設有的氣孔對準的唯一性。
本發明提供的上接地環進一步包含凸出部，凸出部位於環形臺階上，氣體噴淋頭上設有凹陷部，凸出部與凹陷部相匹配。藉此配置，實現了對氣體噴淋頭的定位，確保氣體噴淋頭的氣孔與電極上的第二氣孔進行對準。
100:基座
101:待處理基片
200:反應腔
300:氣體噴淋頭
400:上接地環
4001:盲孔
4002:凸出部
4003:環形臺階
501:安裝基板
502:電極
503:第一氣孔
504:第二氣孔
511:第一絕緣層
512:第二絕緣層
521:絕緣層
522:電極
601:第一密封結構
602:第二密封結構
701:第一螺釘
702:第二螺釘
703:墊片
711:第一固定件
721:螺絲桿
800:氣體緩衝件
900:法蘭
910:加熱器
920:導熱片
930:電極接頭
940:直流電源
S1,S2,S3:步驟
圖1為本發明一實施例提供的一種電漿處理裝置的結構示意圖；圖2為本發明一實施例提供的一種電漿處理裝置的上接地環俯視結構示意圖；圖3為本發明一實施例提供的一種電漿處理裝置的上接地環在凸出部位置的剖面結構示意圖；圖4為本發明一實施例提供的一種電漿處理裝置的上接地環的在沒有設凸出部位置的剖面結構示意圖；圖5為本發明另一實施例提供的一種電漿處理裝置的結構示意圖；圖6為本發明又另一實施例提供的一種電漿處理裝置的電極的結構示意圖；圖7為本發明一實施例提供的一種電漿處理裝置工作方法的流程圖。
以下結合圖1至圖7和具體實施方式對本發明提出的一種電漿處理裝置及其工作方法作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特徵將更清楚。需要說明的是，附圖採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施方式的目的。為了使本發明的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域具有通常知識者瞭解與閱讀，並非用以限定本發明實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容能涵蓋的範圍內。
圖1為本發明一實施例提供的一種電漿處理裝置的結構示意圖。
請參考圖1，電漿處理裝置包含：反應腔200，其頂部具有開口，其內底部設置基座100，基座100用於承載待處理基片101；安裝基板501，坐落於開口內；安裝基板501與開口之間設有第一密封結構601，用於密封反應腔200。電極502，位於安裝基板501的下方；氣體噴淋頭300，位於電極502的下方，且與基座100相對設置；第一絕緣層511，位於安裝基板501與電極502之間；第二絕緣層512，位於電極502與氣體噴淋頭300之間；直流電源940，與電極502電連接，以在安裝基板501與電極502之間以及電極502與氣體噴淋頭300之間聚集電荷，進而產生吸附力。
氣體緩衝件800，其設置在安裝基板501的上方，氣體緩衝件800與安裝基板501之間設有第二密封結構602，使得氣體緩衝件800與安裝基板501的第一表面構成密閉的空間，用於緩衝從氣源的氣體管路傳入的反應氣體；加熱器910，其環繞氣體緩衝件800的外圍設置；加熱器910與安裝基板501之間設
有導熱片920，加熱器910產生的熱量透過導熱片920、安裝基板501和電極502傳導到氣體噴淋頭300上，以對氣體噴淋頭300的溫度進行控制。
在本實施例中，電極502為U形結構，具體來說，電極502包含第二底部平板和由第二底部平板邊緣向上延伸的側壁平板，安裝基板501包含：第一底部平板和由第一底部平板邊緣向外延伸的承載平板，承載平板承載於開口周圍的反應腔200的頂部上，安裝基板501位於電極502內部，電極502的側壁與安裝基板501的側壁採用第二固定件進行固定連接。較佳地，第二固定件為複數個第一螺釘701，各第一螺釘701貫穿電極502的側壁並停止於安裝基板501內，即透過第一螺釘701實現側壁平板與第一底部平板之間的固定與安裝。安裝基板501進一步設有與第一表面相對設置的第二表面，安裝基板501上間隔設置有貫穿第一表面和第二表面的複數個第一氣孔503，各第一氣孔503的第一端接入反應氣體的氣源(即接入氣體緩衝件800與第一表面構成密閉的空間內)，其第二端與氣體噴淋頭300連通。
電極502設有相對的第三表面和第四表面，安裝基板501的第二表面與第三表面相接觸，電極502上間隔設置有貫穿第三表面和第四表面的複數個第二氣孔504，第一氣孔503與第二氣孔504分別對應設置，各第二氣孔504的一端與第一氣孔503的第二端連通，其另一端與氣體噴淋頭300連通。由此可知，本實施例提供的電極502呈U型，透過側壁(側壁平板)的螺絲孔位置的安排，以保證安裝基板501與電極502設有的氣孔對準的唯一性。
請接續參考圖2至圖4，本實施例進一步包含：上接地環400，上接地環400的內邊緣設有環形臺階4003，氣體噴淋頭300位於上接地環400內部，其邊緣搭載在環形臺階4003上，透過將上接地環400固定於電極502上，以固定氣體噴淋頭300。
上接地環400進一步包含凸出部4002，凸出部4002位於環形臺階4003上，氣體噴淋頭300上設有凹陷部，凸出部4002與凹陷部相匹配，以實現兩者之間的對準。
電極502的邊緣上間隔設有複數個第一通孔，上接地環400的外邊緣上間隔設置有複數個盲孔4001，第一通孔與盲孔4001分別對應設置。本實施例進一步包含：複數個第二螺釘702，各第二螺釘702貫穿第一通孔並停止於盲孔4001內。
復請參考圖1，其進一步包含：複數個墊片703，各墊片703位於第二螺釘702與安裝基板501之間，且分別與第二螺釘702和安裝基板501的第二表面接觸，以在後續電漿處理裝置工作時形成直流迴路。
請接續參考圖1，其進一步包含：電極接頭930和法蘭900，電極接頭930設置在電極502的一側，法蘭900設置在反應腔200的側壁上；電極接頭930透過法蘭900與設置在反應腔200外部的直流電源940連接。
安裝基板501和電極502的材料包含但不限定於鋁合金。
安裝基板501的表面中除了與墊片703接觸而成的接觸面的表面上不塗佈陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層外，其餘的表面上均塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層；以及所有第一氣孔503的孔壁內塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層。電極502表面上以及所有第二氣孔504的孔壁上均塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層。上接地環400的環形臺階4003的表面上塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層，由此形成了第一絕緣層511和第二絕緣層512。氣體噴淋頭300的厚度範圍為1mm~2mm。製備氣體噴淋頭300的矽基材料進行雙面拋光。
由此可知，本實施例透過控制外接的直流電源的電壓值，可以保證這三者之間有足夠的靜電吸附力，從而可以保證上電極的熱傳導一直處於一
個穩定的狀態。從而使安裝基板、電極與氣體噴淋頭之間均能夠緊密貼合，使其三者之間的熱傳導較好，從而能夠實現對氣體噴淋頭較好的溫度控制。
其次，在本實施例中，由於安裝基板與電極同為鋁合金，其二者之間不會產生形變差。對於氣體噴淋頭而言，其不需要額外的加工構成的機械固定結構，而氣體噴淋頭的厚度範圍為1mm~2mm，即氣體噴淋頭採用較薄的矽基材料片，其具有更好的柔韌性。即使安裝基板與電極在變溫過程中發生形變的情況下，也可以在靜電吸附力的作用下緊貼電極保證熱傳導的穩定性。由於氣體噴淋頭採用較薄的矽基材料片可以進一步提高矽基材料的利用率，降低上電極的製備成本。
本實施例提供的電極的側壁與安裝基板的側壁採用第二固定件進行固定連接，即電極呈U型，透過側壁的螺絲孔位置的安排，以保證安裝基板與電極設有的氣孔對準的唯一性。
本實施例提供的上接地環進一步包含凸出部，凸出部位於環形臺階上，氣體噴淋頭上設有凹陷部，凸出部與凹陷部相匹配。藉由由此配置，實現了對氣體噴淋頭的定位，確保氣體噴淋頭的氣孔與電極上的第二氣孔進行對準。
綜上所述，在圖1所述的實施例中，整個上電極的安裝過程包含：首先將薄的氣體噴淋頭與上接地環上的凸出部進行對準，並將氣體噴淋頭放置在上接地環之中，然後將上接地環透過第二螺絲固定在電極上面，最後將上接地環的第二螺絲上面放上墊片並將安裝基板透過側壁的第一螺絲吊裝在電極上面，並將安裝基板的直流電源的接頭與法蘭上的電極接頭相連。整個過程每一步都有對準，這提升了安裝的精度並保證了最終氣孔的對準。另一方面，所有的安裝面都在安裝基板的一側，且採用薄的氣體噴淋頭，與傳統氣體噴淋頭相比不需要機械吊裝相應的機械加工，其安裝難度降低了很多。
圖5為本發明另一實施例提供的一種電漿處理裝置的結構示意圖。
請參考圖5，在本實施例中，電極502為平板狀結構，安裝基板501上設有複數個安裝通孔；電極502上設有複數個安裝盲孔，安裝通孔與安裝盲孔分別對應；採用第一固定件711貫穿安裝通孔並停止於安裝盲孔內，以將安裝基板501和電極502固定連接。第一固定件711可以為螺釘，但不限定於此。
圖6為本發明又另一實施例提供的一種電漿處理裝置的電極的結構示意圖。
請參考圖6，在本實施例中，絕緣層521位於安裝基板501與氣體噴淋頭300之間，電極522埋設於絕緣層521內。
電極522埋設在絕緣層521內，在這種實施例中，絕緣層521的厚度較薄，使得安裝基板501能夠更好的將熱量傳遞給氣體噴淋頭300。絕緣層521進一步包含螺絲桿721，螺絲桿721旋入安裝基板501內，以將電極522固定於安裝基板501上。而上接地環與絕緣層521的安裝方式與圖1的實施例中的上接地環400與電極502的安裝方式相同，在此不再贅述。
相應地，如圖7所示，本發明進一步提供一種電漿處理裝置的工作方法，此方法在如上所述的電漿處理裝置內進行，此方法包含如下步驟：步驟S1，將待處理基片移入反應腔；在反應腔內通入氬氣，並將氬氣解離為氬氣電漿，形成一個包含安裝基板、上接地環、氬氣電漿、氣體噴淋頭及電極的直流迴路；步驟S2，透過直流電源提供預設範圍的電壓至電極，在電極和安裝基板之間以及電極與氣體噴淋頭之間聚集電荷以產生吸附力，使得安裝基板、電極和氣體噴淋頭之間進行貼附固定；步驟S3，向反應腔內輸送製程氣體，並將製程氣體解離為電漿；並且，採用電漿對待處理基片進行處理。
綜上所述，本實施例提供的一種電漿處理裝置透過安裝基板與電極之間以及電極與氣體噴淋頭之間的表面上都聚集有電荷以產生強烈的靜電吸附力，使得安裝基板與電極之間以及電極與氣體噴淋頭之間進行固定，這種吸附力更均勻，其使得安裝基板、電極和氣體噴淋頭之間貼附地很牢靠。透過控制外接的直流電源的電壓值，可以保證這三者之間有足夠的靜電吸附力，從而可以保證上電極的熱傳導一直處於一個穩定的狀態。藉由此配置，可以實現改善氣體噴淋頭與後續電極之間的物理接觸，進而實現更好的溫度控制。採用靜電吸附方式以實現安裝基板與電極之間以及電極與氣體噴淋頭之間的固定可以降低安裝的複雜性。
需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語「包括」、「包含」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包含一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包含那些要素，而且進一步包含沒有明確列出的其他要素，或者是進一步包含為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句「包含一個......」所限定的要素，並不排除在包含要素的過程、方法、物品或者設備中進一步存在另外的相同要素。
在本發明的說明中，可以理解的是，術語「中心」、「高度」、「厚度」、「上」、「下」、「豎直」、「水平」、「頂」、「底」、「內」、「外」、「軸向」、「徑向」、「周向」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於說明本發明和簡化說明，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位或者以特定的方位構造和操作，因
此不能理解為對本發明的限制。在本發明的說明中，除非另有說明，「多個」的含義是兩個或兩個以上。
在本發明的說明中，除非另有明確的規定和限定，術語「安裝」、「相連」、「連接」、「固定」應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以透過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域具有通常知識者而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵之「上」或之「下」可以包含第一特徵和第二特徵直接接觸，也可以包含第一特徵和第二特徵不是直接接觸而是透過其之間的另外的特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵「之上」、「上方」和「上面」包含第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵的水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵「之下」、「下方」和「下面」包含第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵的水平高度小於第二特徵。
儘管本發明的內容已經透過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的說明不應被認為是對本發明的限制。在本領域具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
100:基座
101:待處理基片
200:反應腔
300:氣體噴淋頭
400:上接地環
501:安裝基板
502:電極
503:第一氣孔
504:第二氣孔
511:第一絕緣層
512:第二絕緣層
601:第一密封結構
602:第二密封結構
701:第一螺釘
702:第二螺釘
703:墊片
800:氣體緩衝件
900:法蘭
910:加熱器
920:導熱片
930:電極接頭
940:直流電源
Claims (22)
- 一種電漿處理裝置，包含：一反應腔，其頂部具有一開口，其內底部設置一基座，該基座用於承載一待處理基片；一安裝基板，坐落於該開口內；一氣體噴淋頭，位於該安裝基板的下方，且與該基座相對設置；一電極，位於該安裝基板與該氣體噴淋頭之間；一絕緣層，分別位於該安裝基板與該電極以及該氣體噴淋頭與該電極之間；一直流電源，與該電極電連接，能夠在該安裝基板與該電極之間以及該電極與該氣體噴淋頭之間的表面上都聚集有電荷以產生靜電吸附力，以使該氣體噴淋頭吸附在該安裝基板上。
- 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該安裝基板上設有複數個安裝通孔；該電極上設有複數個安裝盲孔，該安裝通孔與該安裝盲孔分別對應；採用一第一固定件貫穿該安裝通孔並停止於該安裝盲孔內，以將該安裝基板和該電極固定連接。
- 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該電極為U形結構，該安裝基板位於該電極內部，採用一第二固定件將該電極的側壁與該安裝基板的側壁進行連接。
- 如請求項3所述之電漿處理裝置，其中該第二固定件為複數個第一螺釘，各該第一螺釘貫穿該電極的側壁並停止於該安裝基板內。
- 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該安裝基板具有相對的一第一表面和一第二表面，該安裝基板上間隔設置有貫穿該第一表面和該第二表面的複數個第一氣孔，各該第一氣孔的第一端接入反應氣體的一氣源，其第二端與該氣體噴淋頭連通。
- 如請求項5所述之電漿處理裝置，其進一步包含：一氣體緩衝件，其設置在該安裝基板的上方，與該第一表面構成密閉的空間，用於緩衝從該氣源的氣體管路傳入的反應氣體；一加熱器，其環繞該氣體緩衝件的外圍設置；該加熱器與該安裝基板之間設有一石墨導熱片，該加熱器產生的熱量透過該石墨導熱片、該安裝基板和該電極傳導到該氣體噴淋頭上，以對該氣體噴淋頭的溫度進行控制。
- 如請求項5所述之電漿處理裝置，其中該電極具有相對的一第三表面和一第四表面，該第二表面與該第三表面相接觸，該電極上間隔設置有貫穿該第三表面和該第四表面的複數個第二氣孔，該複數個第一氣孔與該複數個第二氣孔分別對應設置，各該第二氣孔的一端與該第一氣孔的第二端連通，其另一端與該氣體噴淋頭連通。
- 如請求項7所述之電漿處理裝置，其進一步包含：一上接地環，該上接地環的內邊緣設有一環形臺階，該氣體噴淋頭位於該上接地環的內部，其邊緣搭載在該環形臺階上，透過將該上接地環固定於該電極上，以固定該氣體噴淋頭。
- 如請求項8所述之電漿處理裝置，其中該電極的邊緣上間隔設有複數個第一通孔，該上接地環的外邊緣上間隔設置有複數個盲孔，該複數個第一通孔與該複數個盲孔分別對應設置。
- 如請求項9所述之電漿處理裝置，其進一步包含：複數個第二螺 釘，各該第二螺釘貫穿該第一通孔並停止於該盲孔內。
- 如請求項10所述之電漿處理裝置，其中該上接地環進一步包含一凸出部，該凸出部位於該環形臺階上，該氣體噴淋頭上設有一凹陷部，該凸出部與該凹陷部相匹配以實現兩者之間的對準。
- 如請求項11所述之電漿處理裝置，其進一步包含：複數個墊片，各該墊片位於該第二螺釘與該安裝基板之間，且分別與該第二螺釘和該安裝基板的該第二表面接觸。
- 如請求項12所述之電漿處理裝置，其中該安裝基板的表面中除了與該墊片接觸而形成的接觸面的表面上不塗佈陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層外，其餘的表面上均塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層；所有該第一氣孔的孔壁內塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層。
- 如請求項13所述之電漿處理裝置，其中該電極表面上以及所有該第二氣孔的孔壁上均塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層；陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層為該絕緣層。
- 如請求項14所述之電漿處理裝置，其中該上接地環的該環形臺階的表面上塗佈有陽極氧化塗層及/或氧化釔塗層。
- 如請求項1所述之電漿處理裝置，其進一步包含：一電極接頭和一法蘭，該電極接頭設置在該電極的一側，該法蘭設置在該反應腔的側壁上；該電極接頭透過該法蘭與設置在該反應腔外部的該直流電源連接。
- 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該氣體噴淋頭的厚度範圍為1mm~2mm。
- 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該安裝基板和該電極的材 料包含：鋁合金。
- 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中該絕緣層位於該氣體噴淋頭與該安裝基板之間，該電極埋設於該絕緣層內。
- 一種電漿處理裝置的工作方法，包含：透過一直流電源提供預設範圍的電壓至一電極，該電極位於一安裝基板與一氣體噴淋頭之間；在該電極和該安裝基板之間以及該電極與該氣體噴淋頭之間聚集電荷以產生吸附力，使得該安裝基板、該電極和該氣體噴淋頭之間進行貼附固定。
- 如請求項20所述之電漿處理裝置的工作方法，其中在採用該直流電源向該電極通電之前，進一步包含：將一待處理基片移入一反應腔內，並置於一基座上；在該反應腔內通入一氬氣，並將該氬氣解離為一氬氣電漿，形成一個包含該安裝基板、一上接地環、該氬氣電漿、該氣體噴淋頭及該電極的直流迴路。
- 如請求項20所述之電漿處理裝置的工作方法，其中透過該直流電源提供預設範圍的電壓至該電極之後，進一步包含：向一反應腔內輸送一製程氣體，並將該製程氣體解離為電漿；採用電漿對一待處理基片進行處理。
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