JP2011150833A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置100は、電極差込用のソケットを備える。ソケットは、金属材で形成された内側ソケット4と、内周面が内側ソケット4の外周面と接するように内側ソケット4と嵌合する金属材で形成された外側ソケット5と、を備え、内側ソケット4は外側ソケット5より電気伝導度が高く、外側ソケット5は内側ソケット4より硬度が低く、嵌合時に頭部高さが高いことを特徴とする半導体装置。
【選択図】図1
Description
図7、8に本発明の前提技術となる半導体装置の断面図を示す。図7に示す半導体装置では、絶縁基板1の回路パターン上にMOSFETやIGBT等の半導体素子2が実装され、半導体素子2はアルミワイヤ3により回路パターンと接続されている。熱硬化性の樹脂7を用いてトランスファーモールド成形が行われ、半導体素子2や絶縁基板1は封止されている。しかし、電極6は絶縁基板1に対して垂直な方向に、封止樹脂7の上面から外部へ露出する。電極6を回路パターンと電気的に接続するため、金属ソケット10が回路パターン上に固定され、電極6は金属ソケット10にプレスフィット等で嵌合される。
<構成>
本実施の形態の半導体装置では、金属性の2重ソケット構造とすることにより、電気抵抗特性が必要な箇所では高電気伝導度の材料を選定し、機械的強度が必要な箇所では低応力の材料を選定し、信頼性の高い半導体装置を得ることを可能にする。
本実施の形態の半導体装置によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本実施の形態の半導体装置は、電極差込用のソケットを備え、当該ソケットは、金属材で形成された内側ソケット4と、内周面が内側ソケット4の外周面と接するように内側ソケット4と嵌合する金属材で形成された外側ソケット5と、を備え、内側ソケット4は外側ソケット5より電気伝導度が高く、外側ソケット5は内側ソケット4より硬度が低く、嵌合時に頭部高さが高いことを特徴とする。電極のソケットに求められる電気特性を内側ソケット4に担わせ、金型から加わる型締め応力を外側ソケット5が緩和することにより、高い電気伝導度をもち金型からの応力を緩和することのできるソケット構造となる。
図4は、実施の形態2の半導体装置における内側ソケット4と外側ソケット5をパッケージ上面から見た図である。外側ソケット5は図示されるように、外周面に凹凸加工を施されている。これにより、熱硬化性樹脂7との接触面積が増え、アンカー効果によって熱硬化性樹脂7との接着性が向上する。
本実施の形態の半導体装置によれば、既に述べたとおり以下の効果を奏する。すなわち、実施の形態2の半導体装置において外側ソケット5は、その外周面に凹凸加工が施されている。これにより、熱硬化性樹脂7との接触面積が増え、アンカー効果によって熱硬化性樹脂7との接着性が向上する。
図5は、実施の形態3の半導体装置における内側ソケット4と外側ソケット5の断面図である。内側ソケット4と外側ソケット5は円筒形状であり、外側ソケット5は上面の口が広がった形状とする。すなわち、外側ソケット5の上部内径をD2(top)、底部内径をD2(bottom)とした場合に、図に示すようにD2(top)>D2(bottom)とする。このような形状にすることによって、トランスファーモールド工程で金型型締め時の応力を緩和することができる。さらに、内側ソケット4と接合する箇所では内側へと力が加わるため、外側ソケット5と内側ソケット4の接合強度が向上する。
本実施の形態の半導体装置によれば、既に述べたとおり以下の効果を奏する。すなわち、実施の形態3の半導体装置において、内側ソケット4及び外側ソケット5は円筒形状であり、外側ソケット5の上部の内径は下部の内径よりも大きいことを特徴とする。これにより、金型からの応力を緩和すると共に、内側ソケット4と外側ソケット5の接合強度を緩和することができる。
図6は、実施の形態4の半導体装置の内側ソケット4及び外側ソケット5の断面図である。図に示すように、内側ソケット4の底面は、外側ソケット5の底面より高くする。内側ソケット4は絶縁基板1の回路パターンに半田で接合されるが、内側ソケット4と外側ソケット5の底面を図3のような位置関係にすることによって、内側ソケット4の底面の半田が外側ソケット5からはみ出さないようにすることが出来る。さらに、底面高さのずれを調整すれば、半田の量をコントロールすることが出来る。
本実施の形態の半導体装置によれば、内側ソケット4の底面を外側ソケット5の底面よりも高くする。これにより、内側ソケット4と絶縁基板1の回路パターンとの接合に用いられる半田を、外側ソケット5の外側にはみ出さないようにすることが出来る。
Claims (9)
- 電極差込用のソケットを備えた半導体装置であって、
前記ソケットは、金属材で形成された内側ソケットと、
内周面が前記内側ソケットの外周面と接するように前記内側ソケットと嵌合する金属材で形成された外側ソケットと、を備え、
前記外側ソケットは前記内側ソケットより嵌合時に頭部高さが高いことを特徴とする、半導体装置。 - 回路パターンが形成された絶縁基板をさらに備え、
前記ソケットは前記絶縁基板の回路パターン上に垂直に設けられ、
前記絶縁基板および前記ソケットを封止する封止樹脂をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記内側ソケットは前記外側ソケットより電気伝導度が高いことを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記内側ソケットは少なくとも内側に金属メッキが施されていることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記外側ソケットは前記内側ソケットより硬度が低いことを特徴とする、請求項2〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記外側ソケットは前記内側ソケットよりも肉厚が薄いことを特徴とする、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記外側ソケットはその外周面に凹凸加工が施されていることを特徴とする、請求項2〜6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記内側ソケット及び前記外側ソケットは円筒形状であり、
前記外側ソケットの上部の内径は下部の内径よりも大きいことを特徴とする、請求項2〜7のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記内側ソケットは前記外側ソケットより嵌合時に底面高さが高いことを特徴とする、請求項2〜8のいずれかに記載の半導体装置。
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