DE102010043839A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine Halbleitervorrichtung (100) der vorliegenden Erfindung hat einen Elektrodeneinfügungssockel. Der Sockel hat einen inneren Sockel (4), der aus einem Metallmaterial ausgebildet ist, und einen äußeren Sockel (5), der aus einem Metallmaterial ausgebildet ist und an den inneren Sockel (4) derart gepasst ist, dass eine Innenumfangsfläche des äußeren Sockels (5) mit einer Außenumfangsfläche des inneren Sockels (4) in Kontakt ist. Der innere Sockel (4) hat eine höhere elektrische Leitfähigkeit als der äußere Sockel (5). Der äußere Sockel (5) hat eine geringere Härte als der innere Sockel (4). Wenn der innere Sockel (4) und der äußere Sockel (5) aneinander gepasst sind, ist ein oberer Abschnitt des äußeren Sockels (5) höher angeordnet als ein oberer Abschnitt des inneren Sockels (4).

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung, die ein Isoliersubstrat aufweist und so strukturiert ist, dass Elektroden von einer oberen Seite einer Packung durch Transfergießen frei liegen.
  • Eine Halbleitervorrichtung hat ein Isoliersubstrat mit einer Basisplatte, die aus einem Metall wie zum Beispiel Kupfer oder Aluminium besteht, eine Isolierlage, die an der Basisplatte vorgesehen ist, und ein Schaltungsmuster, das an der Isolierlage vorgesehen ist und aus Kupfer, Aluminium oder dergleichen ausgebildet ist. Ein Halbleiterelement wie zum Beispiel ein IGBT ist an dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats angebracht. Das Halbleiterelement ist mit dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats durch eine Aluminiumverdrahtung verbunden, die durch Ultraschallfügen angeschlossen ist.
  • Dann wird ein Transfergießen unter Verwendung eines durch Wärme härtenden Kunststoffes durchgeführt, wodurch das Halbleiterelement abgedichtet wird.
  • In den letzten Jahren wurde zum Gewährleisten, dass ein Kriechabstand zwischen Elektroden gleich oder größer als ein vorbestimmter Abstand wird, eine Struktur verwendet, bei der Elektroden von einer oberen Seite einer Packung durch Transfergießen frei liegen (zum Beispiel die japanische Patentoffenlegungsschrift JP-2007-184315 A ). Bei einer derartigen Struktur werden die Elektroden durch Metallsockel fixiert, die an dem Schaltungsmuster vorgesehen sind. Um zu verhindern, dass ein Kunststoff bei einem Herstellungsprozess in die Metallsockel hinein strömt, werden Buchsen aus einem thermoplastischen Kunststoff verwendet, um den Kunststoff zu blockieren. Alternativ werden Gummikappen auf die oberen Seiten der Metallsockel gesetzt, um so Deckel auf die Metallsockel zu setzen, und dann wird ein Kunststoff eingespritzt, um dadurch zu verhindern, dass der Kunststoff in die Metallsockel hinein strömt.
  • Wenn die Buchsen auf Kunststoffbasis verwendet werden, um zu verhindern, dass der Kunststoff in die Metallsockel hinein strömt, werden die Buchsen um die Metallsockel herum eingefügt. Falls hierbei diese Teile eine schlechte Maßgenauigkeit haben, so dass die Passung zwischen ihnen verschlechtert wird, oder falls diese Teile aufgrund einer Gießtemperatur während des Gießens verformt werden, wird die Position der Buchse nicht fixiert. Dies kann folglich die Buchse hinunter drücken, so dass direkt der Metallsockel gedrückt wird, wenn die Metallgussform beim Gießschritt geschlossen wird, und im Wesentlichen derselbe Druck wie die Schießkraft der Metallgussform kann über den Metallsockel auf das Isoliersubstrat aufgebracht werden. Somit kann eine Isolierlage eines Isoliersubstrats beschädigt werden. Dementsprechend ist es zum Vermeiden einer Beschädigung des Isoliersubstrats erforderlich, ein Material des Metallsockels so auszuwählen, dass eine Belastung abgeschwächt wird, die durch die Metallgussform aufgebracht wird.
  • Andererseits dient der Metallsockel auch zum elektrischen Verbinden des Schaltungsmusters des Isoliersubstrats mit der Elektrode, die an der Außenseite der Halbleitervorrichtung angeschlossen ist. Daher ist es erforderlich, dass ein verwendetes Material eine elektrische Leitfähigkeit hat, die so groß wie möglich ist, um einen elektrischen Widerstand zu reduzieren und dadurch einen Verlust zu reduzieren, der durch den elektrischen Widerstand verursacht wird.
  • Es ist außerdem erforderlich, einen Kontaktwiderstand zwischen Komponententeilen zu reduzieren. Es ist denkbar, eine Ni-Beschichtung oder eine Au- oder Sn-Beschichtung aufzubringen, um eine Zuverlässigkeit beim Fügen/Bonden an einem Kontaktpunkt zu verbessern, aber dieses bringt ein Problem von erhöhten Kosten mit sich.
  • Trotz der vorstehend beschriebenen Probleme sind ein Material, das eine hohe elektrische Leitfähigkeit erfüllt, und ein Material inkompatibel, das die Belastung beim Schließen abschwächt, und es ist schwierig, ein Material auszuwählen, das die vorstehend erwähnten zwei Bedingungen vollständig erfüllt.
  • Falls darüber hinaus ein Faktor wie zum Beispiel Oxidation beim Behindern der Adhäsion an einem Abschnitt vorhanden ist, an dem der Sockel oder die Buchse mit dem Kunststoff in Kontakt ist, wird eine Schnittstelle mit dem Kunststoff beim Transfergießschritt verursacht, was zu einer Verringerung der Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung führt.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung mit einer Sockelstruktur vorzusehen, die eine hohe elektrische Leitfähigkeit hat und eine Belastung abschwächen kann, die durch eine Metallgussform aufgebracht wird.
  • Eine Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung, die einen Elektrodeneinfügungssockel aufweist. Der Sockel hat einen inneren Sockel und einen äußeren Sockel. Der innere Sockel ist aus einem Metallmaterial ausgebildet. Der äußere Sockel ist aus einem Metallmaterial ausgebildet und an dem inneren Sockel derart gepasst, dass eine Innenumfangsfläche des äußeren Sockels mit einer Außenumfangsfläche des inneren Sockels in Kontakt ist. Wenn der innere Sockel und der äußere Sockel aneinander gepasst sind, ist ein oberer Abschnitt des äußeren Sockels höher angeordnet als ein oberer Abschnitt des inneren Sockels.
  • Der innere Sockel dient zum Bereitstellen von elektrischen Charakteristika, die für einen Elektrodensockel erforderlich sind, und der äußere Sockel schwächt eine Belastung beim Schließen ab, die durch eine Metallgussform aufgebracht wird, wodurch eine Sockelstruktur mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit verwirklicht wird, die eine durch die Metallgussform aufgebrachte Belastung abschwächen kann.
  • Diese und andere Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
  • 1 zeigt eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels 1;
  • 2 zeigt einen Transfergießschritt für die Halbleitervorrichtung des bevorzugten Ausführungsbeispiels 1;
  • 3 zeigt eine Ansicht eines Sockels der Halbleitervorrichtung des bevorzugten Ausführungsbeispiels 1;
  • 4 zeigt eine Ansicht eines Sockels einer Halbleitervorrichtung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels 2;
  • 5 zeigt eine Ansicht eines Sockels einer Halbleitervorrichtung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels 3;
  • 6 zeigt eine Ansicht eines Sockels einer Halbleitervorrichtung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels 4;
  • 7 zeigt eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer bisherigen Technik; und
  • 8 zeigt eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer bisherigen Technik.
  • <Bisherige Technik>
  • Die 7 und 8 zeigen Querschnittsansichten von Halbleitervorrichtungen gemäß bisherigen Techniken der vorliegenden Erfindung. Bei der Halbleitervorrichtung, die in der 7 gezeigt ist, ist ein Halbleiterelement 2 wie zum Beispiel ein MOSFET oder ein IGBT an einem Schaltungsmuster eines Isoliersubstrats 1 angebracht, und das Halbleiterelement 2 ist mit dem Schaltungsmuster über einen Aluminiumdraht 3 verbunden. Ein Transfergießen wird unter Verwendung eines durch Wärme härtenden Kunststoffes 7 so durchgeführt, dass das Halbleiterelement 2 und das Isoliersubstrat 1 abgedichtet werden. Jedoch liegen Elektroden 6 zur Außenseite von einer oberen Seite eines Dichtkunststoffes 7 in der Richtung frei, die senkrecht zu dem Isoliersubstrat 1 ist. Um die Elektroden 6 mit dem Schaltungsmuster elektrisch zu verbinden, werden Metallsockel 10 an dem Schaltungsmuster befestigt, und die Elektroden 6 werden in die Metallsockel 10 durch Presspassen oder dergleichen gepasst.
  • Um zu ermöglichen, dass die Elektroden 6 von einer oberen Seite einer Packung frei liegen, bilden Buchsen 11 eines thermoplastischen Kunststoffes Dämme für den Kunststoff 7, um zu verhindern, dass der Kunststoff 7 in die Metallsockel 10 hinein strömt.
  • Alternativ kann auch denkbar sein, dass Gummikappen 12 an oberen Seiten der Metallsockel 10 gesetzt werden, wie dies in der 8 gezeigt ist, um so Deckel auf die Metallsockel 10 zu setzen, und dann wird das Gießen durchgeführt, um dadurch zu verhindern, dass das Kunststoff in die Metallsockel 10 hinein strömt.
  • Es ist erforderlich, dass der Metallsockel 10, der als eine Einrichtung zum elektrischen Verbinden der Elektrode 6 mit dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats 1 dient, eine hohe elektrische Leitfähigkeit hat und außerdem aus einem Material besteht, das eine Schließkraft der Metallgussform abschwächt, falls die Schließkraft aufgebracht wird. Es ist jedoch schwierig, ein Material auszuwählen, das beide Anforderungen erfüllt. Daher wird eine zuverlässige Halbleitervorrichtung durch eine Sockelstruktur des bevorzugten Ausführungsbeispiels 1 verwirklicht, welches nachfolgend beschrieben wird.
  • (Bevorzugtes Ausführungsbeispiel 1)
  • <Konfiguration>
  • Eine Halbleitervorrichtung von diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel verwendet eine aus Metall geschaffene Doppelsockelstruktur, bei der ein Material mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit für einen Abschnitt ausgewählt wird, der eine Reduzierung der elektrischen Widerstandscharakteristika erfordert, und ein Material mit einer geringen Belastung für einen Abschnitt ausgewählt wird, der eine mechanische Festigkeit erfordert, wodurch eine Halbleitervorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit verwirklicht wird.
  • Die 1 zeigt eine Querschnittsansicht einer inneren Struktur einer Halbleitervorrichtung 100 des bevorzugten Ausführungsbeispiels 1. Die Halbleitervorrichtung 100 hat ein Isoliersubstrat 1 und ein Halbleiterelement 2 wie zum Beispiel ein daran angebrachtes IGBT, und es besteht aus Siliziumcarbid (SiC) als ein Material. Das Isoliersubstrat 1 hat eine Basisplatte, die aus einem Metall wie zum Beispiel Kupfer oder Aluminium besteht, um Wärme des Halbleiterelements 2 zu dissipieren, eine Isolierlage, die an der Basisplatte vorgesehen ist, und ein Schaltungsmuster, das an der Isolierlage vorgesehen ist und durch Ätzen von Kupfer, Aluminium oder dergleichen ausgebildet ist. Das Halbleiterelement 2 und das Schaltungsmuster sind über einen Aluminiumdraht 3 miteinander verbunden.
  • Die Halbleitervorrichtung 100 hat außerdem innere Sockel 4, äußere Sockel 5, Elektroden 6 und einen durch Wärme härtenden Kunststoff 7. Der innere Sockel 4 besteht aus einem Metall, und er ist an dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats 1 durch Löten gefügt. Der äußere Sockel 5 besteht aus einem Metall, und er deckt einen Umfang des inneren Sockels 4 ab. Die Elektrode 6 ist innerhalb des inneren Sockels 4 durch Presspassen oder dergleichen eingepasst und mit der Außenseite der Halbleitervorrichtung 100 verbunden. Der durch Wärme härtenden Kunststoff 7 dichtet die vorstehend genannten Komponententeile der Halbleitervorrichtung 100 ab. Der innere Sockel 4 und der äußere Sockel 5 sind durch intermetallisches Fügen aufgrund der Passung aneinander gefügt.
  • Auch wenn eine Verbindung zwischen dem äußeren Sockel 5 und dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats 1 nicht speziell erforderlich ist, können sie gleichzeitig miteinander verbunden werden, wenn der innere Sockel 4 mit dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats 1 verbunden wird.
  • Die 2 zeigt eine Ansicht eines Transfergießschritts, der ein Teil eines Herstellungsprozesses der Halbleitervorrichtung 100 ist. Das Halbleiterelement 2 und der innere Sockel 4 werden an dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats 1 befestigt, und der äußere Sockel 4 wird an den inneren Sockel 4 gepasst. Dabei wird ein Schließen einer oberen Metallgussform 8 und einer unteren Metallgussform 9 durchgeführt, wie dies in der 2 gezeigt ist. In diesem Zustand wird der durch Wärme härtende Kunststoff 7 in die Metallgussformen eingespritzt, und eine Wärmebehandlung wird durchgeführt, um den durch Wärme härtenden Kunststoff 7 zu härten, wodurch das Halbleiterelement 2 abgedichtet wird. Wenn der äußere Sockel 5 und die obere Metallgussform 8 ohne dazwischen liegenden Spalt beim Schließschritt in Kontakt sind, tritt der durch Wärme härtende Kunststoff 7 nicht in das Innere des äußeren Sockels 5 ein. Daher ist es vorzuziehen, dass der innere Sockel 4 mit der oberen Metallgussform 8 nicht in Kontakt ist, und es ist wünschenswert, dass die Höhe H2 des äußeren Sockels 5 gleich oder größer als die Höhe H1 des inneren Sockels 4 ist, wie dies in der 3 gezeigt ist.
  • Da der äußere Sockel 5 mit der oberen Metallgussform 8 bei dem Schließschritt in Kontakt ist, wird eine Schließbelastung durch den äußeren Sockel 5 auf das Isoliersubstrat 1 übertragen, so dass die Isolierlage beschädigt werden könnte. Unter dem Standpunkt einer Abschwächung der Belastung ist es wünschenswert, dass die Dicke t2 des äußeren Sockels 5 so klein wie möglich ist. Andererseits ist es wünschenswert, dass der elektrische Widerstand des inneren Sockels 4 so klein wie möglich ist, da der innere Sockel 4 mit der Außenseite der Halbleitervorrichtung 100 über die Elektrode 6 verbunden wird. Dementsprechend ist es wünschenswert, dass die Dicke t2 des äußeren Sockels 5 gleich oder kleiner als die Dicke t1 des inneren Sockels 4 ist, wenn der innere Sockel 4 und der äußere Sockel 5 aus demselben Material ausgebildet werden.
  • Vorzugsweise besteht der innere Sockel 4 aus einem Material mit einer guten elektrischen Leitfähigkeit, zum Beispiel mit einer elektrischen Leitfähigkeit von 60 IACS-% oder mehr, und der äußere Sockel 5 besteht aus einem Material mit einer geringen Härte, um so eine reduzierte Belastung zu bewirken, zum Beispiel mit einer Vickershärte von 100 oder weniger. Auf diese Weise ist es wünschenswert, unterschiedliche Materialien für den inneren bzw. äußeren Sockel auszuwählen.
  • Falls eine Metallbeschichtung aus Ni, Ag, Au, Sn oder dergleichen zumindest auf die Innenseite des inneren Sockels 4 aufgebracht wird, kann ein Kontaktwiderstand reduziert werden, der durch die Passung mit der Elektrode 6 verursacht wird.
  • <Wirkung>
  • Die Halbleitervorrichtung von diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat die folgenden Wirkungen. Die Halbleitervorrichtung von diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat einen Elektrodeneinfügungssockel. Der Sockel hat den inneren Sockel 4, der aus einem Metallmaterial ausgebildet ist, und den äußeren Sockel 5, der aus einem Metallmaterial ausgebildet ist und an den inneren Sockel 4 derart gepasst ist, dass eine Innenumfangsfläche des äußeren Sockels 5 mit einer Außenumfangsfläche des inneren Sockels 4 in Kontakt ist. Der innere Sockel 4 hat eine höhere elektrische Leitfähigkeit als der äußere Sockel 5. Der äußere Sockel 5 hat eine geringere Härte als der innere Sockel 4. Wenn der innere Sockel 4 und der äußere Sockel 5 aneinander gepasst sind, ist ein oberer Abschnitt des äußeren Sockels 5 höher angeordnet als ein oberer Abschnitt des inneren Sockels 4. Der innere Sockel 4 dient zum Bereitstellen von elektrischen Charakteristika, die für einen Elektrodensockel erforderlich sind, und der äußere Sockel 5 schwächt eine Schließbelastung ab, die durch die Metallgussform aufgebracht wird, wodurch eine Sockelstruktur mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit verwirklicht wird, die die durch die Metallgussform aufgebrachte Belastung abschwächen kann.
  • Die Halbleitervorrichtung von diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat des Weiteren das Isoliersubstrat 1 mit dem daran ausgebildeten Schaltungsmuster. Der Sockel ist senkrecht an dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats 1 vorgesehen. Die Halbleitervorrichtung von diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat des Weiteren den Wärme härtenden Kunststoff 7 (Dichtungskunststoff), der das Isoliersubstrat 1 und die Sockel 4, 5 abdichtet. Bei einer Halbleitervorrichtung, die so strukturiert ist, dass Elektroden von einer oberen Seite einer Packung frei liegen, kann daher eine Sockelstruktur mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit verwirklicht werden, die eine Belastung abschwächen kann, die durch eine Metallgussform aufgebracht wird.
  • Falls der innere Sockel 4 eine höhere elektrische Leitfähigkeit hat als der äußere Sockel 5, kann der elektrische Widerstand reduziert werden.
  • Die Metallbeschichtung wird zumindest auf die Innenseite des inneren Sockels 4 aufgebracht. Dies kann den Kontaktwiderstand reduzieren, der durch die Passung mit der Elektrode 6 verursacht wird.
  • Der äußere Sockel 5 hat eine geringere Härte als der innere Sockel 4. Dies kann die Belastung abschwächen, die durch die Metallgussform beim Schließschritt aufgebracht wird, und eine Beschädigung des Isoliersubstrats 1 kann verhindert werden.
  • Der äußere Sockel 5 hat eine kleinere Dicke als der innere Sockel 4. Indem die Dicke des äußeren Sockels 5 so klein wie möglich geschaffen wird, kann die Belastung abgeschwächt werden, die durch die Metallgussform beim Schließschritt aufgebracht wird, und eine Beschädigung des Isoliersubstrats 1 kann verhindert werden.
  • (Bevorzugtes Ausführungsbeispiel 2)
  • Die 4 zeigt einen inneren Sockel 4 und einen äußeren Sockel 5 einer Halbleitervorrichtung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels 2 bei Betrachtung von einer oberen Seite einer Packung. Wie dies in der 4 gezeigt ist, ist eine Außenumfangsfläche des äußeren Sockels 5 uneben beschaffen. Dies vergrößert eine Kontaktfläche für einen Kontakt mit dem durch Wärme härtenden Kunststoff 7, um eine Haftung mit dem durch Wärme härtenden Kunststoff 7 aufgrund eines Verankerungseffektes zu verbessern.
  • Die anderen Teile der Struktur sind gleich wie bei der Halbleitervorrichtung des bevorzugten Ausführungsbeispiels 1, und daher wird deren Beschreibung weggelassen.
  • <Wirkung>
  • Die Halbleitervorrichtung von diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat die folgenden Wirkungen, wie sie bereits beschrieben sind. Bei der Halbleitervorrichtung des bevorzugten Ausführungsbeispiels 2 ist die Außenumfangsfläche des äußeren Sockels 5 uneben beschaffen. Dies vergrößert die Kontaktfläche für einen Kontakt mit dem durch Wärme härtenden Kunststoff 7, um die Haftung mit dem durch Wärme härtenden Kunststoff 7 aufgrund der Verankerungswirkung zu verbessern.
  • (Bevorzugtes Ausführungsbeispiel 3)
  • Die 5 zeigt eine Querschnittsansicht eines inneren Sockels 4 und eines äußeren Sockels 5 einer Halbleitervorrichtung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels 3. Der innere Sockel 4 und der äußere Sockel 5 haben jeweils eine zylindrische Form, und der äußere Sockel 5 ist so geformt, dass eine Öffnung an seiner oberen Seite aufgeweitet ist. Anders gesagt, wenn der Innendurchmesser eines oberen Abschnitts des äußeren Sockels 5 als D2(oben) definiert wird und der Innendurchmesser eines unteren Abschnitts des äußeren Sockels 5 als D2(unten) definiert wird, ist die Beziehung D2(oben) > D2(unten) erfüllt, wie dies in der 5 gezeigt ist. Eine derartige Form kann die Belastung abschwächen, die dann aufgebracht wird, wenn die Metallgussform bei dem Transfergießschritt geschlossen wird. Außerdem wird bei einem Abschnitt, der an dem inneren Sockel 4 gefügt ist, eine nach innen gerichtete Kraft aufgebracht, und daher wird eine Fügefestigkeit zwischen dem äußeren Sockel 5 und dem inneren Sockel 4 verbessert.
  • Die anderen Teile der Struktur sind gleich wie bei der Halbleitervorrichtung des bevorzugten Ausführungsbeispiels 1, und daher wird deren Beschreibung weggelassen.
  • <Wirkung>
  • Die Halbleitervorrichtung von diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat die folgenden Wirkungen, wie sie bereits beschrieben sind. Bei der Halbleitervorrichtung des bevorzugten Ausführungsbeispiels 3 haben der innere Sockel 4 und der äußere Sockel 5 jeweils eine zylindrische Form, und der Innendurchmesser des oberen Abschnitts des äußeren Sockels 5 ist größer als der Innendurchmesser des unteren Abschnittes des äußeren Sockels 5. Dies kann die Belastung abschwächen, die durch die Metallgussform aufgebracht wird, und zusätzlich kann die Fügefestigkeit zwischen dem inneren Sockel 4 und dem äußeren Sockel 5 verbessert werden.
  • (Bevorzugtes Ausführungsbeispiel 4)
  • Die 6 zeigt eine Querschnittsansicht eines inneren Sockels 4 und eines äußeren Sockels 5 einer Halbleitervorrichtung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels 4. Wie dies in der 6 gezeigt ist, ist eine untere Seite des inneren Sockels 4 höher angeordnet als eine untere Seite des äußeren Sockels 5. Der innere Sockel 4 ist an dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats 1 durch Löten gefügt. Falls die unteren Seiten des inneren Sockels 4 und des äußeren Sockels 5 die Positionsbeziehung haben, wie sie in der 6 gezeigt ist, kann verhindert werden, dass ein Lötmittel an der unteren Seite des inneren Sockels 4 von dem äußeren Sockel 5 hervorsteht. Durch Einstellen einer Größe der versetzten Ausrichtung der Höhen der unteren Seiten kann außerdem die Lötmittelmenge gesteuert werden.
  • Die anderen Teile der Struktur sind gleich wie bei der Halbleitervorrichtung des bevorzugten Ausführungsbeispiels 1, und daher wird deren Beschreibung weggelassen.
  • <Wirkung>
  • Bei der Halbleitervorrichtung von diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die untere Seite des inneren Sockels 4 höher angeordnet als die untere Seite des äußeren Sockels 5. Dies kann verhindern, dass das Lötmittel, das zum Fügen des inneren Sockels 4 an das Schaltungsmuster des Isoliersubstrats 1 verwendet wird, von dem äußeren Sockel 5 hervorsteht.
  • Während die Erfindung in ihren Einzelheiten gezeigt und beschrieben ist, ist die vorstehende Beschreibung in allen Aspekten darstellend und nicht einschränkend. Es ist daher offensichtlich, dass vielfältige Abwandlungen und Änderungen geschaffen werden können, ohne dass der Umfang der Erfindung verlassen wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2007-184315 A [0004]

Claims (9)

  1. Halbleitervorrichtung mit einem Elektrodeneinfügungssockel, wobei der Sockel Folgendes aufweist: einen inneren Sockel (4), der aus einem Metallmaterial ausgebildet ist; und einen äußeren Sockel (5), der aus einem Metallmaterial ausgebildet ist und an den inneren Sockel (4) derart gepasst ist, dass eine Innenumfangsfläche des äußeren Sockels (5) mit einer Außenumfangsfläche des inneren Sockels (4) in Kontakt ist, wenn der innere Sockel (4) und der äußere Sockel (5) aneinander gepasst sind, ist ein oberer Abschnitt des äußeren Sockels (5) höher angeordnet als ein oberer Abschnitt des inneren Sockels (4).
  2. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, des Weiteren mit einem Isoliersubstrat (1), das ein daran ausgebildetes Schaltungsmuster hat, wobei der Sockel senkrecht an dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats (1) vorgesehen ist, die Halbleitervorrichtung des Weiteren einen Dichtungskunststoff (7) aufweist, der das Isoliersubstrat (1) und den Sockel abdichtet.
  3. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei der innere Sockel (4) eine höhere elektrische Leitfähigkeit als der äußere Sockel (5) hat.
  4. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei eine Metallbeschichtung zumindest an einer Innenseite des inneren Sockels (4) aufgebracht ist.
  5. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei der äußere Sockel (5) eine geringere Härte als der innere Sockel (4) hat.
  6. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei der äußere Sockel (5) eine kleinere Dicke als der innere Sockel (4) hat.
  7. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei eine Außenumfangsfläche des äußeren Sockels (5) uneben beschaffen ist.
  8. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei der innere Sockel (4) und der äußere Sockel (5) jeweils eine zylindrische Form haben, ein Innendurchmesser eines oberen Abschnitts des äußeren Sockels (5) größer ist als ein Innendurchmesser eines unteren Abschnitts des äußeren Sockels (5).
  9. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei, wenn der innere Sockel (4) und der äußere Sockel (5) aneinander gepasst sind, eine untere Seite des inneren Sockels (4) höher angeordnet ist als eine untere Seite des äußeren Sockels (5).
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