CN110913604B - 半导体装置、半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置、半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种半导体装置、半导体装置的制造方法，确保端子引脚与用于插入端子引脚的连接构件的密合性。半导体装置(1)具备：绝缘电路基板(2)，其是在绝缘基板(20)的一个面上形成金属层(21)而成的；筒状的连接构件(5)，其借助接合材料(50)来与金属层接合；端子引脚(4)，其被插入到连接构件；以及筒状的增强构件(6)，其配置在连接构件的外周。增强构件由比连接构件硬的材料形成。

Description

半导体装置、半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体装置、半导体装置的制造方法。
背景技术
以往以来，作为将端子引脚与基板、外部端子连接的方法，提出了如下方法(例如参照专利文献1至专利文献4)。
在专利文献1中，公开了一种将从电路基板引出的端子与汇流条连接的构造。在汇流条上通过铆接而连接有筒状的连接辅助端子，将从电路基板突出的圆形引脚端子插入到连接辅助端子。在连接辅助端子上切割有螺纹并且切割有槽，通过用螺母从连接辅助端子的外侧拧紧，来强化圆形引脚端子与连接辅助端子的连接。
在专利文献2中，公开了将长的棒状的连接端子固定于印刷电路板的通孔的构造。连接端子具有比通孔的内径小的外径，且一部分向径向突出以用于定位。在将连接端子插入于通孔的状态下用焊料填埋通孔的间隙，由此将连接端子与印刷电路板固定。
在专利文献3、4中，公开了将用于外部连接的连接引脚配置于绝缘电路基板的半导体装置。将在端部形成有凸缘的连接筒体焊接于绝缘电路基板的表面，并将连接引脚压入到连接筒体，来将连接引脚与绝缘电路基板固定。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-251726号公报
专利文献2：日本特开2011-114158号公报
专利文献3：日本特开2015-179646号公报
专利文献4：美国专利申请公开第2009/0194884号说明书
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1中，在连接圆形引脚端子的连接辅助端子上形成槽，因此当例如要加工φ2mm以下的管材时，加工变得复杂从而成本增加，不仅如此，还可能成为连接辅助端子本身的强度下降的原因。另外，在如专利文献3、4那样将连接引脚压入连接筒体的情况下，存在以下担忧：当为了确保导通性而使连接筒体的材质为纯金属时，无法确保连接筒体的刚性，从而损害连接引脚的密合性。
本发明是鉴于所述问题而完成的，目的之一在于提供一种能够确保端子引脚与用于插入端子引脚的连接构件的密合性的半导体装置、半导体装置的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式的半导体装置的特征在于，具备：绝缘电路基板，其是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；筒状的连接构件，其借助接合材料来与所述金属层接合；端子引脚，其被插入到所述连接构件；以及筒状的增强构件，其配置在所述连接构件的外周，其中，所述增强构件由比所述连接构件硬的材料形成。
本发明的一个方式的半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：准备绝缘电路基板，该绝缘电路基板是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；准备端子引脚；准备筒状的连接构件；准备筒状的增强构件，该增强构件由比所述连接构件硬的材料形成；增强构件配置工序，将所述增强构件嵌到所述连接构件的外周；连接构件配置工序，将嵌有所述增强构件的所述连接构件隔着接合材料配置在所述金属层上；接合工序，将所述接合材料加热熔融，之后进行冷却固化，来将所述连接构件与所述金属层接合；以及端子引脚压入工序，将所述端子引脚压入到固定于所述金属层的所述连接构件中。
本发明的其它方式的半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：准备绝缘电路基板，该绝缘电路基板是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；准备端子引脚；准备筒状的连接构件；准备筒状的增强构件，该增强构件由比所述连接构件硬的材料形成；连接构件配置工序，将所述连接构件隔着接合材料配置在所述金属层上；接合工序，将所述接合材料加热熔融，之后进行冷却固化，来将所述连接构件与所述金属层接合；端子引脚配置工序，将所述端子引脚插入到固定于所述金属层的所述连接构件中；以及增强构件压入工序，将所述增强构件压入到插入有所述端子引脚的所述连接构件的外周。
发明的效果
根据本发明，能够确保端子与用于插入端子的连接构件的密合性。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的半导体装置的一例的截面示意图。
图2是表示本实施方式所涉及的端子引脚的连接构造的局部立体图和分解立体图。
图3是表示本实施的一个方式所涉及的半导体装置的制造方法的示意图。
图4是表示本实施的其它方式所涉及的半导体装置的制造方法的示意图。
图5是表示第一变形例所涉及的端子引脚的连接构造的示意图。
图6是表示第二变形例所涉及的端子引脚的连接构造的示意图。
图7是表示第三变形例所涉及的端子引脚的连接构造的示意图。
附图标记说明
1：半导体装置；2：绝缘电路基板；3：半导体芯片；4：端子引脚；5：连接构件；6：增强构件；7：密封材料；20：绝缘基板；21：金属层；22：金属层；30：接合材料；40：圆柱部；41：第一缩径部；42：扩径部；43：第二缩径部；50：接合材料；51：筒状部；52：凸缘部；80：增强构件；81：增强构件；82：止挡部；83：增强构件；84：凸部；85：凹部；C：中心；L1：非插入区域；L2：插入区域。
具体实施方式
下面，说明能够应用本发明的半导体装置。图1是表示本实施方式所涉及的半导体装置的一例的截面示意图。图1的(A)表示半导体装置整体的示意图，图1的(B)是将图1的(A)所示的端子引脚的周边结构具体化并放大的示意图。此外，以下所示的半导体装置不过是一例，并不限定于此，能够适当变更。
如图1的(A)所示，半导体装置1构成为包括绝缘电路基板2、半导体芯片3以及端子引脚4。绝缘电路基板2是将金属层与绝缘层层叠来构成的。具体地说，绝缘电路基板2具有绝缘基板20、在绝缘基板20的上表面(一个面)上形成的金属层21(电路层)以及在绝缘基板20的下表面(另一个面)上形成的金属层22(散热层)。通过金属层21来形成电路图案。
利用例如硅(Si)、碳化硅(SiC)等的半导体基板来形成俯视时为方形的半导体芯片3，例如设置有2个半导体芯片3。在各半导体芯片3的上表面形成有电极(未图示)。半导体芯片3分别借助焊料等接合材料30来配置在金属层21上。
此外，作为半导体芯片3，使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等开关元件、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)等二极管。另外，作为半导体芯片3，也可以使用将IGBT与FWD一体化而成的RC(ReverseConducting：逆导)-IGBT、对反向偏压具有充分的耐压的RB(Reverse Blocking：逆阻)-IGBT等。
端子引脚4是将外部电极(未图示)与金属层21电连接的端子(也可以称为外部端子)，例如由铜合金等金属材料形成为棒状。端子引脚4借助连接构件5(也可以称为套筒)来与金属层21连接。
连接构件5形成为筒状，端子引脚4的前端被插入或被压入到连接构件5。连接构件5是由铜等金属材料形成的导电体，借助焊料等接合材料50来与金属层21接合。连接构件5的材料除了采用纯铜(无氧铜)以外，也能够采用含铜金属等。连接构件5由与后述的增强构件6相比导电率高的材料形成。另外，连接构件5的详细形状在后面叙述。
在连接构件5的外周嵌有筒状的增强构件6。增强构件6用于对端子引脚4与连接构件5的密合性(紧贴性)进行增强，详情在后面叙述。增强构件6是由铜等金属材料形成的导电体，关于其材料，例如由比连接构件5硬的含铜金属形成。具体地说，作为增强构件6，采用与连接构件5相比维氏硬度高的材料，除了含铜金属以外，也能够采用钨及其合金等。此外，增强构件6由与连接构件5相比导电率低的材料形成，不限于导电体，也可以由陶瓷等绝缘体形成。
具备这些结构的半导体装置1整体被环氧树脂等密封材料7密封，端子引脚4的另一端(上端)突出到密封材料7的外侧。
另外，在借助如上述的套筒那样的连接构件来将端子引脚与绝缘电路基板连接的情况下，优选的是，套筒由导电率比较高的材料形成。作为导电率高的材料，例如能够考虑使用无氧铜那样的纯铜，但是纯铜不具有杂质因此比较软。因此，无法确保在压入端子引脚的情况下的套筒的刚性，能够设想到无法充分地得到端子引脚与套筒的密合性的情况。因而，以往，为了确保该密合性，采用被认为比较硬的铜合金来作为套筒的材料。然而，由于铜合金含有杂质，因此与纯铜相比导电率低，存在对端子引脚的导电性造成影响的担忧。即，以往难以同时实现确保密合性和确保导电性。
因此，本案发明人着眼于端子引脚的导电性以及端子引脚与套筒的密合性而想到了本发明。具体地说，在本实施方式中为以下结构：在供端子引脚4插入的连接构件5(套筒)的外周配置比连接构件5硬的筒状的增强构件6。根据该结构，用更加坚固的增强构件6来对连接构件5的外周进行增强，因此能够以导电率优先于硬度的方式选择连接构件5的材料。如上所述，作为连接构件5，使用导电率高的纯铜等材料，由此能够降低连接构件5的电阻，能够抑制通电时产生焦耳热。另外，使增强构件6为比连接构件5硬的材料，由此能够用增强构件6来抑制在将端子引脚4插入(压入)到连接构件5时的连接构件5的变形。这样，能够同时实现确保端子引脚4与连接构件5的密合性以及确保导电性。
接着，参照图1和图2来详细说明本实施方式所涉及的端子引脚的连接构造。图2是表示本实施方式所涉及的端子引脚的连接构造的局部立体图和分解立体图。
如图1的(B)和图2所示，端子引脚4形成为具有规定半径的圆形截面的棒状，沿铅垂方向延伸。具体地说，端子引脚4构成为在圆柱部40的前端从基端侧起按顺序形成第一缩径部41、扩径部42、第二缩径部43。第一缩径部41、扩径部42、第二缩径部43是预先对圆柱部40的前端实施冲压等加工来形成的。
圆柱部40具有比后述的连接构件5(筒状部51)的内径大的外径。第一缩径部41大体上具有矩形截面，其最大外径比圆柱部40的外径和连接构件5的内径小。扩径部42大体上具有矩形截面，其最大外径比连接构件5的内径大。另外，扩径部42的轴向上的长度比连接构件5的长度短。第二缩径部43大体上具有矩形截面，其最大外径比连接构件5的内径小。优选的是，第一缩径部41、扩径部42以及第二缩径部43的整体在轴向上的长度比连接构件5的长度短。这样，端子引脚4也可以至少具有宽度比连接构件5的最小的内径大的部分(扩径部42)。此外，端子引脚4的前端形状并不限定于上述的结构，能够适当变更。例如，也可以仅由一样的圆形截面的圆柱部40来形成端子引脚4。另外，扩径部42的截面形状也可以形成为矩形以外的多边形、圆形。第一缩径部41、第二缩径部43也同样。即，端子引脚4只要是能够插入或者压入到连接构件5的形状即可，可以任意地形成。
连接构件5构成为包括沿铅垂方向延伸的筒状部51以及设置在筒状部51的下端的凸缘部52。筒状部51具有能够插入或压入上述的端子引脚4的内径，具体地说，也可以具有比扩径部42小的内径。凸缘部52设置在筒状部51的与金属层21连接的一侧的端部，具体地说，具有相对于筒状部51而言直径扩大的环形。凸缘部52借助接合材料50来与金属层21接合，由此连接构件5与金属层21电接合。
增强构件6由与连接构件5大致相同长度的筒状体形成，被配置为覆盖连接构件5的外周。增强构件6构成为能够相对于连接构件5插入或者压入。具体地说，增强构件6也可以具有比筒状部51的外径小的内径。在本实施方式中，示出了增强构件6的内径整体比连接构件5的外径小的情况，但是不限于此，也可以是增强构件6的至少一部分比连接构件5的外径小。而且，更期望的是，增强构件6的材料与连接构件5的材料相比弹性模量低且拉伸强度高。
如图1的(B)所示，对于连接构件5，端子引脚4被压入到连接构件5的内周，增强构件6被压入到连接构件5的外周。具体地说，端子引脚4的前端相对于连接构件5插入(压入)规定量。在此，在连接构件5的轴向上，从金属层21侧起按顺序将不插入端子引脚4的区域称为非插入区域L1，将供端子引脚4插入的区域称为插入区域L2。更具体地说，将从连接构件5(凸缘部52)的下端起到被插入到连接构件5的内部的端子引脚4(第二缩径部43)的下端为止的范围设为非插入区域L1，将从端子引脚4的下端起到连接构件5的上端为止的范围设为插入区域L2。在插入区域L2，能够利用增强构件6来抑制端子引脚4(扩径部42)被压入到连接构件5的情况下的连接构件5的变形。因此，能够确保端子引脚4与连接构件5的密合性。在非插入区域L1，连接构件5与增强构件6密合，由此导电性提高。关于压入的操作，可以进行将端子引脚4压入到连接构件5的内周的操作以及将增强构件6压入到连接构件5的外周的操作中的至少任一方，或者也可以进行两方的操作。
另外，优选的是，连接构件5的外周面和/或增强构件6的内周面被施有镍、锡等镀层。例如在镀锡的情况下，在加热时镀层部分熔融，连接构件5的外周面与增强构件6的内周面化学性地结合，密合性提高。其结果，不仅是连接构件5、在增强构件6上也易于流通电流，能够降低电阻从而进一步降低焦耳热。此外，关于镀层，既可以对连接构件5和增强构件6这两方施有镀层，也可以仅对任一方施有镀层。另外，优选的是，镀层的厚度是能够利用熔融时的镀层来填埋压入时的连接构件5与增强构件6之间的微小间隙的程度的厚度。由此，能够进一步提高连接构件5与增强构件6的化学密合性。
接着，参照图3来说明本实施的一个方式所涉及的半导体装置的制造方法。图3是表示本实施的一个方式所涉及的半导体装置的制造方法的示意图。图3的(A)～(D)示出了将端子引脚4插入到连接构件5为止的转变图。此外，以下所示的半导体装置的制造方法不过是一个例子，并不限定于该结构，能够适当变更。
如图3所示，本实施的一个方式所涉及的半导体装置的制造方法由以下工序构成：准备绝缘电路基板2；准备端子引脚4；准备连接构件5；准备增强构件6；增强构件配置工序，将增强构件6嵌到连接构件5的外周；连接构件配置工序，将连接构件5配置在金属层21上；接合工序，将连接构件5与金属层接合；以及端子引脚压入工序，压入端子引脚4。
首先，预先准备绝缘电路基板2、端子引脚4、连接构件5以及增强构件6。然后，实施增强构件配置工序。在增强构件配置工序中，如图3的(A)所示，将增强构件6嵌到连接构件5(筒状部51)的外周。具体地说，压入增强构件6，直到增强构件6的一个端部(下端部)与凸缘部52的上表面抵接为止。由于增强构件6的内径比连接构件5的外径小、且与增强构件6相比连接构件5比较软，因此连接构件5被向径向内侧压缩。
接着，实施连接构件配置工序。在连接构件配置工序中，如图3的(B)所示，将嵌有增强构件6的连接构件5配置在金属层21上。具体地说，将凸缘部52隔着接合材料50载置在金属层21上。接合材料50以沿着凸缘部52的外径的方式配置为圆形。通过凸缘部52，确保了经由接合材料50来与金属层21接触的接触面积，因此连接构件5的姿势稳定，并且能够确保与金属层21的密合性。
接着，实施接合工序。在接合工序中，将接合材料50加热熔融，之后进行冷却固化来将连接构件5与金属层21接合。例如，在图3的(B)所示的状态下将绝缘电路基板2投入到炉中，加热至接合材料50的熔融温度。接合材料50熔融后在凸缘部52与金属层21之间形成焊脚(fillet)(参照图3的(C))，之后冷却固化，由此连接构件5与金属层21电连接。
接着，实施端子引脚压入工序。在端子引脚压入工序中，如图3的(C)所示，将端子引脚4压入到固定于金属层21的连接构件5。如图3的(D)所示，端子引脚4的前端从筒状部51的开口端被按入，并被插入到规定深度为止。此时，扩径部42一边与筒状部51的内表面接触一边被按入到筒状部51。其结果，端子引脚4与连接构件5电连接。由于筒状部51的外周被增强构件6覆盖，因此筒状部51的变形被极力地抑制。经过以上的工序，端子引脚4与绝缘电路基板2电连接。
接着，参照图4来说明本实施的其它方式所涉及的半导体装置的制造方法。图4是表示本实施的其它方式所涉及的半导体装置的制造方法的示意图。图4的(A)～(D)示出了将端子引脚4插入到连接构件5为止的转变图。此外，以下所示的半导体装置的制造方法的一部分工序的顺序与图3不同，结构部件是与图3相同的。因此，适当省略共通的内容。
如图4所示，本实施方式所涉及的布线基板的制造方法由以下工序构成：准备绝缘电路基板2；准备端子引脚4；准备连接构件5；准备增强构件6；连接构件配置工序，将连接构件5配置在金属层21上；接合工序，将连接构件5与金属层21接合；端子引脚配置工序，将端子引脚4插入到连接构件5；以及增强构件压入工序，压入增强构件6。
首先，预先准备绝缘电路基板2、端子引脚4、连接构件5以及增强构件6。然后，实施连接构件配置工序。在连接构件配置工序中，如图4的(A)所示，将连接构件5配置在金属层21上。具体地说，将凸缘部52隔着接合材料50载置在金属层21上。
接着，实施接合工序。在接合工序中，将接合材料50加热熔融，之后进行冷却固化来将连接构件5与金属层21接合。例如，在图4的(A)所示的状态下将绝缘电路基板2投入到炉中，加热至接合材料50的熔融温度。接合材料50熔融后在凸缘部52与金属层21之间形成焊脚(参照图4的(B))，之后冷却固化，由此连接构件5与金属层21电连接。
接着，实施端子引脚配置工序。在端子引脚配置工序中，如图4的(B)所示，将端子引脚4插入到固定于金属层21的连接构件5。端子引脚4的前端从筒状部51的开口端被按入，并被插入到规定深度为止。此时，扩径部42一边与筒状部51的内表面接触一边被按入到筒状部51。其结果，端子引脚4与连接构件5电连接。
接着，实施增强构件配置工序。在增强构件配置工序中，如图4的(C)所示，将增强构件6压入到插入有端子引脚4的连接构件5(筒状部51)的外周。具体地说，压入增强构件6，直到增强构件6的一个端部(下端部)与凸缘部52的上表面抵接为止(参照图4的(D))。由于增强构件6的内径比连接构件5的外径小，且与增强构件6相比连接构件5比较软，因此连接构件5被向径向内侧压缩。由此，端子引脚4与连接构件5的密合性提高。经过以上的工序，端子引脚4与绝缘电路基板2电连接。
这样，虽然图3和图4中的将增强构件6配置到连接构件5的外周的顺序不同，但是无论在哪个情况下都能够通过比较硬的增强构件6来强化端子引脚4与连接构件5的密合性。
接着，参照图5至图7来说明变形例。图5是表示第一变形例所涉及的端子引脚的连接构造的示意图。图6是表示第二变形例所涉及的端子引脚的连接构造的示意图。图7是表示第三变形例所涉及的端子引脚的连接构造的示意图。
在上述实施方式中，说明了增强构件6具有与连接构件5的长度对应的长度的情况，但是并不限定于该结构。也能够是图5所示的结构。在图5中，特征在于，增强构件80的轴向上的长度是在插入区域L2覆盖连接构件5的外周的长度。更具体地说，与扩径部42的长度对应地设置增强构件80。根据该结构，能够确保端子引脚4与连接构件5的密合性，并且能够缩短增强构件80的长度，能够削减构件成本。
另外，在图5中，用图3所示的方法来将端子引脚4压入到连接构件5的插入区域L2，在连接构件5(筒状部51)中，非插入区域L1的内径小于插入区域L2的最大的内径。根据该结构，通过将端子引脚4压入到连接构件5，能够使端子引脚4与连接构件5的电连接和机械连接(密合性)牢固。
此外，在图5中，能够设想到难以调整增强构件80的插入量的情况。因此，在图6中，特征在于，增强构件81具有用于限制向连接构件5插入的插入深度的止挡部82。具体地说，在筒状的增强构件81的上端侧利用向径向内侧突出的环状的凸缘来构成止挡部82。在增强构件81向连接构件5插入(压入)时止挡部82与筒状部51的上端抵接，由此限制增强构件81的插入深度。其结果，能够将增强构件81配置到插入区域L2内。
另外，在图6中，用图4所示的方法来将端子引脚4插入到连接构件5之后将增强构件81压入到连接构件5，在连接构件5中，非插入区域L1的内径大于插入区域L2的最小的内径。根据该结构，通过将增强构件81压入到插入区域L2的外周，能够使端子引脚4与连接构件5的电连接和机械连接(密合性)牢固。
另外，在上述实施方式中，说明了增强构件6、80、81具有一样的圆环状截面的情况，但是并不限定于该结构。例如，也能够是图7所示的结构。图7是从轴向观察增强构件83的俯视图。增强构件83构成为：内周不是圆形，而是将4个凸部84和4个凹部85交替地配置，其中，凸部84相对于连接构件5的外周而言向径向内侧鼓起，凹部85相对于连接构件5的外周而言向径向外侧凹下。隔着增强构件83的中心C地相向的一对凸部84的间隔小于连接构件5的外径，因此能够相对于连接构件5压入增强构件83。此外，在该情况下，也可以在压入后将增强构件83的外周向径向内侧凿紧来进一步提高端子引脚4与连接构件5的密合性。此外，凸部84和凹部85的个数不限于各为4个，能够适当变更。
另外，在上述实施方式中，设为在绝缘电路基板2上连接1个端子引脚4的结构，但是并不限定于该结构。也可以配置2个以上的端子引脚4。
另外，在上述实施方式中，作为表示硬度的指标，例示了维氏硬度来进行了说明，但是并不限定于此。例如，能够采用洛氏硬度、布氏硬度、肖氏硬度等各种表示材料的硬度的指标。另外，弹性模量和拉伸强度能够通过对拉伸试验片时的位移量和拉伸力进行测定来获取。例如，能够遵循JIS Z2241“金属材料拉伸试验方法”、或ISO 6892“Metallicmaterials-Tensile testing(金属材料拉伸试验)”来测定拉伸强度。关于测定弹性模量和拉伸强度的温度，在半导体装置的最高使用温度下进行。弹性模量(静态杨氏模量)相当于纵轴取应力、横轴取应变的应力-应变曲线的直线部的斜率。具体地说，能够基于JIS Z2280(金属材料的杨氏模量)的静态杨氏模量试验方法中的、高温杨氏模量的测定方法来测定。
另外，说明了本实施方式及变形例，但是作为其它实施方式，也可以将上述实施方式及变形例整体地或者部分地进行组合。
另外，本实施方式并不限定于上述的实施方式及变形例，也可以在不脱离技术思想的主旨的范围内进行各种各样的变更、置换、变形。并且，如果通过技术的进步或者派生的其它技术而能够用其它方法实现技术思想，则也可以使用该方法来实施。因而，权利要求书覆盖技术思想的范围内能够包含的所有实施方式。
在下述内容中整理上述实施方式中的特征点。
上述实施方式所记载的半导体装置的特征在于，具备：绝缘电路基板，其是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；筒状的连接构件，其借助接合材料来与所述金属层接合；端子引脚，其被插入到所述连接构件；以及筒状的增强构件，其配置在所述连接构件的外周，其中，所述增强构件由比所述连接构件硬的材料形成。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述增强构件的材料与所述连接构件的材料相比维氏硬度高。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述增强构件的材料与所述连接构件的材料相比弹性模量低且拉伸强度高。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述连接构件的材料由铜或者含铜金属构成。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述端子引脚具有宽度比所述连接构件的最小的内径大的部分。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述增强构件的内径包括比所述连接构件的外径小的部分。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述连接构件与所述增强构件相比导电率高。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述连接构件在与所述金属层接合的一侧的端部具有凸缘部。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述连接构件从所述金属层侧起按顺序具有不插入所述端子引脚的非插入区域和供所述端子引脚插入的插入区域，所述增强构件具有覆盖所述插入区域的长度。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述增强构件具有用于限制向所述连接构件插入的插入深度的止挡部。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述端子引脚被压入到所述连接构件的所述插入区域，在所述连接构件中，所述非插入区域的内径小于所述插入区域的最大的内径。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述增强构件被压入到所述连接构件的外周，在所述连接构件中，所述非插入区域的内径大于所述插入区域的最小的内径。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述连接构件的外周面和/或所述增强构件的内周面被施有镀层。
另外，在上述实施方式所涉及的半导体装置中，特征在于，所述镀层的厚度是填埋连接构件与增强构件之间的间隙的厚度。
另外，上述实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：准备绝缘电路基板，该绝缘电路基板是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；准备端子引脚；准备筒状的连接构件；准备筒状的增强构件，该增强构件由比所述连接构件硬的材料形成；增强构件配置工序，将所述增强构件嵌到所述连接构件的外周；连接构件配置工序，将嵌有所述增强构件的所述连接构件隔着接合材料配置在所述金属层上；接合工序，将所述接合材料加热熔融，之后进行冷却固化，来将所述连接构件与所述金属层接合；以及端子引脚压入工序，将所述端子引脚压入到固定于所述金属层的所述连接构件。
另外，上述实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：准备绝缘电路基板，该绝缘电路基板是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；准备端子引脚；准备筒状的连接构件；准备筒状的增强构件，该增强构件由比所述连接构件硬的材料形成；连接构件配置工序，将所述连接构件隔着接合材料配置在所述金属层上；接合工序，将所述接合材料加热熔融，之后进行冷却固化，来将所述连接构件与所述金属层接合；端子引脚配置工序，将所述端子引脚插入到固定于所述金属层的所述连接构件；以及增强构件压入工序，将所述增强构件压入到插入有所述端子引脚的所述连接构件的外周。
产业上的可利用性
如以上所说明的那样，本发明具有能够确保端子引脚与用于插入端子引脚的连接构件的密合性这样的效果，特别是对半导体装置、半导体装置的制造方法而言有用。

Claims (16)

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
绝缘电路基板，其是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；
筒状的连接构件，其借助接合材料来与所述金属层接合；
端子引脚，其被插入到所述连接构件；以及
筒状的增强构件，其配置在所述连接构件的供所述端子引脚插入的插入区域的外周，
其中，所述增强构件由比所述连接构件硬的材料形成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述增强构件的材料与所述连接构件的材料相比维氏硬度高。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述增强构件的材料与所述连接构件的材料相比弹性模量低且拉伸强度高。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接构件的材料由铜或者含铜金属构成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述端子引脚具有宽度比所述连接构件的最小的内径大的部分。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述增强构件的内径包括比所述连接构件的外径小的部分。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接构件与所述增强构件相比导电率高。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接构件在与所述金属层接合的一侧的端部具有凸缘部。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接构件从所述金属层侧起按顺序具有不插入所述端子引脚的非插入区域和所述插入区域，
所述增强构件具有覆盖所述插入区域的长度。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述增强构件具有用于限制向所述连接构件插入的插入深度的止挡部。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述端子引脚被压入到所述连接构件的所述插入区域，
在所述连接构件中，所述非插入区域的内径小于所述插入区域的最大的内径。
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述增强构件被压入到所述连接构件的外周，
在所述连接构件中，所述非插入区域的内径大于所述插入区域的最小的内径。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接构件的外周面和/或所述增强构件的内周面被施有镀层。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
所述镀层的厚度是填埋连接构件与增强构件之间的间隙的厚度。
15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
准备绝缘电路基板，该绝缘电路基板是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；
准备端子引脚；
准备筒状的连接构件；
准备筒状的增强构件，该增强构件由比所述连接构件硬的材料形成；
增强构件配置工序，将所述增强构件嵌到所述连接构件的供所述端子引脚插入的插入区域的外周；
连接构件配置工序，将嵌有所述增强构件的所述连接构件隔着接合材料配置在所述金属层上；
接合工序，将所述接合材料加热熔融，之后进行冷却固化，来将所述连接构件与所述金属层接合；以及
端子引脚压入工序，将所述端子引脚压入到固定于所述金属层的所述连接构件的所述插入区域。
16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
准备绝缘电路基板，该绝缘电路基板是在绝缘基板的一个面上形成金属层而成的；
准备端子引脚；
准备筒状的连接构件；
准备筒状的增强构件，该增强构件由比所述连接构件硬的材料形成；
连接构件配置工序，将所述连接构件隔着接合材料配置在所述金属层上；
接合工序，将所述接合材料加热熔融，之后进行冷却固化，来将所述连接构件与所述金属层接合；
端子引脚配置工序，将所述端子引脚插入到固定于所述金属层的所述连接构件的供所述端子引脚插入的插入区域；以及
增强构件压入工序，将所述增强构件压入到插入有所述端子引脚的所述连接构件的所述插入区域的外周。
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