JP2011145480A - 表示装置、表示駆動方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 163
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 37
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 15
- 101100153525 Homo sapiens TNFRSF25 gene Proteins 0.000 description 12
- 102100022203 Tumor necrosis factor receptor superfamily member 25 Human genes 0.000 description 12
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 101150013423 dsl-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
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Abstract
【課題】閾値補正動作の破綻を防止し、発光前に適正な閾値補正が行われるようにする。
【解決手段】各画素回路の１発光サイクルの非発光期間に複数回の閾値補正を実行させるときに、最初の閾値補正の直前の所定期間（ＬＴ６）、駆動制御スキャナが駆動トランジスタに駆動電圧の印加を行うことで駆動トランジスタのソース電圧及びゲート電圧を上昇させるプリブートストラップを実行させる。これにより、複数回の閾値補正の休止期間にブートストラップ量が多くなりすぎて、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈより小さくなって閾値補正動作が破綻することを防止する。
【選択図】図８
【解決手段】各画素回路の１発光サイクルの非発光期間に複数回の閾値補正を実行させるときに、最初の閾値補正の直前の所定期間（ＬＴ６）、駆動制御スキャナが駆動トランジスタに駆動電圧の印加を行うことで駆動トランジスタのソース電圧及びゲート電圧を上昇させるプリブートストラップを実行させる。これにより、複数回の閾値補正の休止期間にブートストラップ量が多くなりすぎて、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈより小さくなって閾値補正動作が破綻することを防止する。
【選択図】図８
Description
本発明は、画素回路がマトリクス状に配置された画素アレイを有する表示装置と、その表示駆動方法であって、例えば発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を用いた表示装置に関する。
例えば上記特許文献２，３に見られるように、有機ＥＬ素子を画素に用いた画像表示装置が開発されている。有機ＥＬ素子は自発光素子であることから、例えば液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高く、バックライトが不要であり、応答速度が速いなどの利点を有する。又、各発光素子の輝度レベル（階調）はそれに流れる電流値によって制御可能である（いわゆる電流制御型）。
有機ＥＬディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子（一般には薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）によって制御するものである。
有機ＥＬディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子（一般には薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）によって制御するものである。
ところで有機ＥＬ素子を用いた画素回路構成としては、画素毎の輝度ムラの解消等による表示品質の向上や、パネル大型化、高輝度化、高精細化、ハイフレームレート化（高周波数化）等が強く求められている。
これらの観点より、各種多様な構成が検討されている。例えば上記特許文献１のように、画素毎での駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のバラツキをキャンセルして画素毎の輝度ムラを解消できるようにした画素回路構成や動作は各種提案されている。
本発明では有機ＥＬ素子を用いた表示装置として、高周波数化、倍速駆動などの高速化にも好適な画素回路動作を実現することを目的とする。
これらの観点より、各種多様な構成が検討されている。例えば上記特許文献１のように、画素毎での駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のバラツキをキャンセルして画素毎の輝度ムラを解消できるようにした画素回路構成や動作は各種提案されている。
本発明では有機ＥＬ素子を用いた表示装置として、高周波数化、倍速駆動などの高速化にも好適な画素回路動作を実現することを目的とする。
本発明の表示装置は、発光素子と、ドレイン・ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート・ソース間電圧に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、導通されることで信号線電圧を上記駆動トランジスタのゲートに入力するサンプリングトランジスタと、上記駆動トランジスタのゲート・ソース間に接続され上記駆動トランジスタの閾値電圧と入力された映像信号電圧とを保持する保持容量と、を有する画素回路が、マトリクス状に配置されて成る画素アレイと、上記画素アレイ上で列状に配設される各信号線に、上記信号線電圧として、閾値補正基準電圧及び映像信号電圧を供給する信号セレクタと、上記画素アレイ上で行状に配設される各電源制御線に電源パルスを与え、上記画素回路の上記駆動トランジスタへの駆動電圧の印加を行う駆動制御スキャナと、上記画素アレイ上で行状に配設される各書込制御線に走査パルスを与えて上記画素回路の上記サンプリングトランジスタを制御し、各画素回路への閾値補正基準電圧及び映像信号電圧の入力を実行させる書込スキャナであって、各画素回路の１発光サイクルの非発光期間に複数回の閾値補正を実行させるように、上記信号線電圧が上記閾値補正基準電圧であるときに複数回、上記走査パルスにより上記サンプリングトランジスタを導通させる書込スキャナとを備える。そして、上記複数回の閾値補正における最初の閾値補正の開始の直前の所定期間、上記駆動トランジスタのソース電圧及びゲート電圧を上昇させるプリブートストラップを実行する。
上記プリブートストラップは、上記書込スキャナが上記最初の閾値補正のために上記走査パルスによって上記サンプリングトランジスタを導通させる直前の上記所定期間、上記駆動制御スキャナが上記駆動電圧の印加を行うことで実行される。
上記プリブートストラップは、上記書込スキャナが上記最初の閾値補正のために上記走査パルスによって上記サンプリングトランジスタを導通させる直前の上記所定期間、上記駆動制御スキャナが上記駆動電圧の印加を行うことで実行される。
本発明の表示駆動方法は、上記書込スキャナが、各画素回路の１発光サイクルの非発光期間に複数回の閾値補正を実行させるように、上記信号線電圧が上記閾値補正基準電圧であるときに複数回、上記走査パルスにより上記サンプリングトランジスタを導通させるとともに、上記複数回の閾値補正における最初の閾値補正の開始の直前の所定期間、上記駆動トランジスタのソース電圧及びゲート電圧を上昇させるプリブートストラップを実行する表示駆動方法である。
即ち本発明は、ハイフレームレート化等による高速駆動を行う場合でも閾値補正動作期間を長くとれるように、１発光サイクルにおいて各画素回路で複数回の閾値補正が行われるようにする。このとき画素回路駆動の高速化が進むと、１回の閾値補正期間が短くならざるを得ない。すると、１回目の閾値補正のときに、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が十分縮まらないことが発生する。当該１回目の閾値補正終了時に、ゲート・ソース間電圧が大きいほど、２回目の閾値補正動作に至るまでの休止期間におけるブートストラップのスピードが速くなる。これにより、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が閾値電圧以下になって閾値補正動作が破綻しやすくなり、閾値補正のマージンが低減してしまう。
そこで、１回目の閾値補正動作の開始前にプリブートストラップを実行させる。これにより、ソース電圧を或る程度上昇させ、１回目の閾値補正のときに、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を適度に小さくする。すると、次の休止期間のブートストラップ量を抑えることができ、過大なブートストラップによる閾値補正動作の破綻を防止できる。
そこで、１回目の閾値補正動作の開始前にプリブートストラップを実行させる。これにより、ソース電圧を或る程度上昇させ、１回目の閾値補正のときに、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を適度に小さくする。すると、次の休止期間のブートストラップ量を抑えることができ、過大なブートストラップによる閾値補正動作の破綻を防止できる。
本発明によれば、複数回の閾値補正動作を行う方式において、ブートストラップにより駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が閾値電圧より小さくなって閾値補正動作が破綻することを防止できる。これにより、倍速駆動などの駆動の高速化の場合も、閾値補正のマージンが拡大でき、高速化と、適切な閾値補正動作の実現による画質向上を両立できる。
以下、本発明の実施の形態について次の順序で説明する。
［１．表示装置及び画素回路の構成］
［２．本発明に至る過程で考慮された画素回路動作：分割閾値補正］
［３．実施の形態の画素回路動作］
［１．表示装置及び画素回路の構成］
［２．本発明に至る過程で考慮された画素回路動作：分割閾値補正］
［３．実施の形態の画素回路動作］
［１．表示装置及び画素回路の構成］
図１に実施の形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す。
この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路１０を含むものである。
図示のように、有機ＥＬ表示装置は、多数の画素回路１０が列方向と行方向（ｍ行×ｎ列）にマトリクス状に配列された画素アレイ２０を有する。なお、画素回路１０のそれぞれは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの発光画素となり、各色の画素回路１０が所定規則で配列されてカラー表示装置が構成される。
図１に実施の形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す。
この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路１０を含むものである。
図示のように、有機ＥＬ表示装置は、多数の画素回路１０が列方向と行方向（ｍ行×ｎ列）にマトリクス状に配列された画素アレイ２０を有する。なお、画素回路１０のそれぞれは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの発光画素となり、各色の画素回路１０が所定規則で配列されてカラー表示装置が構成される。
各画素回路１０を発光駆動するための構成として、水平セレクタ１１、ドライブスキャナ１２、ライトスキャナ１３を備える。
また水平セレクタ１１により選択され、表示データとしての輝度信号の信号値（階調値）に応じた電圧を画素回路１０に供給する信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・ＤＴＬ（ｎ）が、画素アレイ上で列方向に配されている。信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・ＤＴＬ（ｎ）は、画素アレイ２０においてマトリクス配置された画素回路１０の列数分（ｎ列）だけ配される。
また水平セレクタ１１により選択され、表示データとしての輝度信号の信号値（階調値）に応じた電圧を画素回路１０に供給する信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・ＤＴＬ（ｎ）が、画素アレイ上で列方向に配されている。信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・ＤＴＬ（ｎ）は、画素アレイ２０においてマトリクス配置された画素回路１０の列数分（ｎ列）だけ配される。
また画素アレイ２０上において、行方向に書込制御線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・ＷＳＬ（ｍ）、電源制御線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・ＤＳＬ（ｍ）が配されている。これらの書込制御線ＷＳＬ及び電源制御線ＤＳＬは、それぞれ、画素アレイ２０においてマトリクス配置された画素回路１０の行数分（ｍ行）だけ配される。
書込制御線ＷＳＬ（ＷＳＬ１〜ＷＳＬ（ｍ））はライトスキャナ１３により駆動される。
ライトスキャナ１３は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線ＷＳＬ１〜ＷＳＬ（ｍ）に順次、走査パルスＷＳ（ＷＳ１，ＷＳ２・・・ＷＳ（ｍ））を供給して、画素回路１０を行単位で線順次走査する。
ライトスキャナ１３は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線ＷＳＬ１〜ＷＳＬ（ｍ）に順次、走査パルスＷＳ（ＷＳ１，ＷＳ２・・・ＷＳ（ｍ））を供給して、画素回路１０を行単位で線順次走査する。
電源制御線ＤＳＬ（ＤＳＬ１〜ＤＳＬ（ｍ））はドライブスキャナ１２により駆動される。ドライブスキャナ１２は、ライトスキャナ１３による線順次走査に合わせて、行状に配設された各電源制御線ＤＳＬ１〜ＤＳＬ（ｍ）に電源パルスＤＳ（ＤＳ１，ＤＳ２・・・ＤＳ（ｍ））を供給する。電源パルスＤＳ（ＤＳ１，ＤＳ２・・・ＤＳ（ｍ））は駆動電圧Ｖｃｃと初期電圧Ｖｉｎｉの２値に切り替わるパルス電圧とされる。
なおドライブスキャナ１２，ライトスキャナ１３は、クロックｃｋ及びスタートパルスｓｐに基づいて、走査パルスＷＳ、電源パルスＤＳのタイミングを設定する。
なおドライブスキャナ１２，ライトスキャナ１３は、クロックｃｋ及びスタートパルスｓｐに基づいて、走査パルスＷＳ、電源パルスＤＳのタイミングを設定する。
水平セレクタ１１は、ライトスキャナ１３による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・に対して、画素回路１０に対する入力信号としての信号線電圧を供給する。
本実施の形態では、水平セレクタ１１は、各信号線に対し、信号線電圧として、閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓと映像信号電圧Ｖｓｉｇを供給する。
本実施の形態では、水平セレクタ１１は、各信号線に対し、信号線電圧として、閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓと映像信号電圧Ｖｓｉｇを供給する。
なお、この実施の形態の表示装置においては、本発明請求項でいう信号セレクタの例が水平セレクタ１１であり、駆動制御スキャナの例がドライブスキャナであり、書込スキャナの例がライトスキャナ１３となる。
図２に画素回路１０の構成例を示している。この画素回路１０が、図１の構成における画素回路１０のようにマトリクス配置される。
なお、図２では簡略化のため、信号線ＤＴＬと、書込制御線ＷＳＬ及び電源制御線ＤＳＬが交差する部分に配される１つの画素回路１０のみを示している。
なお、図２では簡略化のため、信号線ＤＴＬと、書込制御線ＷＳＬ及び電源制御線ＤＳＬが交差する部分に配される１つの画素回路１０のみを示している。
この画素回路１０は、発光素子である有機ＥＬ素子１と、保持容量Ｃｓと、サンプリングトランジスタＴｓ、駆動トランジスタＴｄとしてのｎチャネルの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とで構成されている。なお容量Ｃｏｌｅｄは有機ＥＬ素子１の寄生容量である。
保持容量Ｃｓは、一方の端子が駆動トランジスタＴｄのソース（ノードＮＤ２）に接続され、他方の端子が同じく駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）に接続されている。
画素回路１０の発光素子は例えばダイオード構造の有機ＥＬ素子１とされ、アノードとカソードを備えている。有機ＥＬ素子１のアノードは駆動トランジスタＴｄのソースに接続され、カソードは所定の配線（カソード電位Ｖｃａｔ）に接続されている。
画素回路１０の発光素子は例えばダイオード構造の有機ＥＬ素子１とされ、アノードとカソードを備えている。有機ＥＬ素子１のアノードは駆動トランジスタＴｄのソースに接続され、カソードは所定の配線（カソード電位Ｖｃａｔ）に接続されている。
サンプリングトランジスタＴｓは、そのドレインとソースの一端が信号線ＤＴＬに接続され、他端が駆動トランジスタＴｄのゲートに接続される。
またサンプリングトランジスタＴｓのゲートは書込制御線ＷＳＬに接続されている。
駆動トランジスタＴｄのドレインは電源制御線ＤＳＬに接続されている。
またサンプリングトランジスタＴｓのゲートは書込制御線ＷＳＬに接続されている。
駆動トランジスタＴｄのドレインは電源制御線ＤＳＬに接続されている。
有機ＥＬ素子１の発光駆動は、基本的には次のようになる。
信号線ＤＴＬに映像信号電圧Ｖｓｉｇが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタＴｓが、書込制御線ＷＳＬによってライトスキャナ１３から与えられる走査パルスＷＳによって導通される。これにより信号線ＤＴＬからの映像信号電圧Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる。
信号線ＤＴＬに映像信号電圧Ｖｓｉｇが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタＴｓが、書込制御線ＷＳＬによってライトスキャナ１３から与えられる走査パルスＷＳによって導通される。これにより信号線ＤＴＬからの映像信号電圧Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる。
駆動トランジスタＴｄは、ドライブスキャナ１２によって駆動電位Ｖｃｃが与えられている電源制御線ＤＳＬからの電流供給により電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子１に流し、有機ＥＬ素子１を発光させる。
このとき電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値（保持容量Ｃｓに保持された電圧に応じた値）となり、有機ＥＬ素子１はその電流値に応じた輝度で発光する。
つまりこの画素回路１０の場合、保持容量Ｃｓに信号線ＤＴＬからの映像信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むことによって、駆動トランジスタＴｄのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機ＥＬ素子１に流れる電流値をコントロールして発光の階調を得る。
このとき電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値（保持容量Ｃｓに保持された電圧に応じた値）となり、有機ＥＬ素子１はその電流値に応じた輝度で発光する。
つまりこの画素回路１０の場合、保持容量Ｃｓに信号線ＤＴＬからの映像信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むことによって、駆動トランジスタＴｄのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機ＥＬ素子１に流れる電流値をコントロールして発光の階調を得る。
駆動トランジスタＴｄは、常に飽和領域で動作するように設計されているので、駆動トランジスタＴｄは次の式１に示した値を持つ定電流源となる。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ・（Ｗ／Ｌ）・Ｃｏｘ・（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2・・・（式１）
但し、Ｉｄｓは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘはゲート容量、Ｖｔｈは駆動トランジスタＴｄの閾値電圧を表している。
この式１から明らかな様に、飽和領域ではドレイン電流Ｉｄｓはゲート・ソース間電圧Ｖｇｓによって制御される。駆動トランジスタＴｄは、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機ＥＬ素子１を一定の輝度で発光させることができる。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ・（Ｗ／Ｌ）・Ｃｏｘ・（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2・・・（式１）
但し、Ｉｄｓは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘはゲート容量、Ｖｔｈは駆動トランジスタＴｄの閾値電圧を表している。
この式１から明らかな様に、飽和領域ではドレイン電流Ｉｄｓはゲート・ソース間電圧Ｖｇｓによって制御される。駆動トランジスタＴｄは、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機ＥＬ素子１を一定の輝度で発光させることができる。
このように基本的には、各フレーム期間において、画素回路１０に映像信号値（階調値）Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる動作が行われ、これにより表示すべき階調に応じて駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが決まる。
そして駆動トランジスタＴｄは飽和領域で動作することで有機ＥＬ素子１に対して定電流源として機能し、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流を有機ＥＬ素子１に流すことで、各フレーム期間に有機ＥＬ素子１では映像信号の階調値に応じた輝度の発光が行われる。
そして駆動トランジスタＴｄは飽和領域で動作することで有機ＥＬ素子１に対して定電流源として機能し、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流を有機ＥＬ素子１に流すことで、各フレーム期間に有機ＥＬ素子１では映像信号の階調値に応じた輝度の発光が行われる。
［２．本発明に至る過程で考慮された画素回路動作：分割閾値補正］
ここで、本発明の理解のため、本発明に至る過程で考慮された画素回路動作について説明する。これは、各画素回路１０の駆動トランジスタＴｄの閾値、移動度のばらつきによるユニフォミティ劣化を補償するための閾値補正動作、移動度補正動作を含む回路動作である。特に閾値補正動作としては１発光サイクルの期間内に分割して複数回行う分割閾値補正を行う例としている。
ここで、本発明の理解のため、本発明に至る過程で考慮された画素回路動作について説明する。これは、各画素回路１０の駆動トランジスタＴｄの閾値、移動度のばらつきによるユニフォミティ劣化を補償するための閾値補正動作、移動度補正動作を含む回路動作である。特に閾値補正動作としては１発光サイクルの期間内に分割して複数回行う分割閾値補正を行う例としている。
なお画素回路動作においては、閾値補正動作、移動度補正動作自体は、従来より行われているが、この必要性について簡単に説明しておく。
例えばポリシリコンＴＦＴ等を用いた画素回路では、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタＴｄのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μが経時的に変化することがある。また製造プロセスのバラツキによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μのトランジスタ特性が画素毎に異なったりする。
駆動トランジスタＴｄの閾値電圧や移動度が画素毎に異なると、画素毎に駆動トランジスタＴｄに流れる電流値にばらつきが生じる。このため仮に全画素回路１０に同一の映像信号値（映像信号電圧Ｖｓｉｇ）を与えたとしても、有機ＥＬ素子１の発光輝度に画素毎のバラツキが生じ、その結果、画面のユニフォミティ（一様性）が損なわれる。
このことから、画素回路動作においては、閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を持たせるようにしている。
例えばポリシリコンＴＦＴ等を用いた画素回路では、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタＴｄのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μが経時的に変化することがある。また製造プロセスのバラツキによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μのトランジスタ特性が画素毎に異なったりする。
駆動トランジスタＴｄの閾値電圧や移動度が画素毎に異なると、画素毎に駆動トランジスタＴｄに流れる電流値にばらつきが生じる。このため仮に全画素回路１０に同一の映像信号値（映像信号電圧Ｖｓｉｇ）を与えたとしても、有機ＥＬ素子１の発光輝度に画素毎のバラツキが生じ、その結果、画面のユニフォミティ（一様性）が損なわれる。
このことから、画素回路動作においては、閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を持たせるようにしている。
図３に画素回路１０の１発光サイクル（１フレーム期間）の動作のタイミングチャートを示す。
図３では、水平セレクタ１１が信号線ＤＴＬに与える信号線電圧を示している。この動作例の場合、水平セレクタ１１は信号線電圧として、１水平期間（１Ｈ）に、閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓ及び映像信号電圧Ｖｓｉｇとしてのパルス電圧を信号線ＤＴＬに与える。
また図３には、電源制御線ＤＳＬを介してドライブスキャナ１２から供給される電源パルスＤＳを示している。電源パルスＤＳとしては駆動電圧Ｖｃｃ又は初期電圧Ｖｉｎｉが与えられる。
また図３には、書込制御線ＷＳＬを介してライトスキャナ１３によってサンプリングトランジスタＴｓのゲートに与えられる走査パルスＷＳを示している。ｎチャネルのサンプリングトランジスタＴｓは、走査パルスＷＳがＨレベルとされることで導通され、走査パルスＷＳがＬレベルとされることで非導通となる。
また図３には、図２に示したノードＮＤ１、ＮＤ２の電圧として、駆動トランジスタＴｄのゲート電圧Ｖｇとソース電圧Ｖｓの変化を示している。
図３では、水平セレクタ１１が信号線ＤＴＬに与える信号線電圧を示している。この動作例の場合、水平セレクタ１１は信号線電圧として、１水平期間（１Ｈ）に、閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓ及び映像信号電圧Ｖｓｉｇとしてのパルス電圧を信号線ＤＴＬに与える。
また図３には、電源制御線ＤＳＬを介してドライブスキャナ１２から供給される電源パルスＤＳを示している。電源パルスＤＳとしては駆動電圧Ｖｃｃ又は初期電圧Ｖｉｎｉが与えられる。
また図３には、書込制御線ＷＳＬを介してライトスキャナ１３によってサンプリングトランジスタＴｓのゲートに与えられる走査パルスＷＳを示している。ｎチャネルのサンプリングトランジスタＴｓは、走査パルスＷＳがＨレベルとされることで導通され、走査パルスＷＳがＬレベルとされることで非導通となる。
また図３には、図２に示したノードＮＤ１、ＮＤ２の電圧として、駆動トランジスタＴｄのゲート電圧Ｖｇとソース電圧Ｖｓの変化を示している。
図３のタイミングチャートにおける時点ｔｓは、発光素子である有機ＥＬ素子１が発光駆動される１サイクル、例えば画像表示の１フレーム期間の開始タイミングとなる。
この時点ｔｓに至る前（期間ＬＴ０）は、前フレームの発光が行われている。期間ＬＴ０の等価回路を図５（ａ）に示す。
即ち、有機ＥＬ素子１の発光状態は、電源パルスＤＳが駆動電圧Ｖｃｃであり、サンプリングトランジスタＴｓがオフした状態である。この時、駆動トランジスタＴｄは飽和領域で動作するように設定されているため、有機ＥＬ素子１に流れる電流Ｉｄｓ’は駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じて、上述した式１に示される値となる。
この時点ｔｓに至る前（期間ＬＴ０）は、前フレームの発光が行われている。期間ＬＴ０の等価回路を図５（ａ）に示す。
即ち、有機ＥＬ素子１の発光状態は、電源パルスＤＳが駆動電圧Ｖｃｃであり、サンプリングトランジスタＴｓがオフした状態である。この時、駆動トランジスタＴｄは飽和領域で動作するように設定されているため、有機ＥＬ素子１に流れる電流Ｉｄｓ’は駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じて、上述した式１に示される値となる。
時点ｔｓで今回のフレームの発光のための動作が開始される。
まず電源パルスＤＳ＝初期電位Ｖｉｎｉとされる。図５（ｂ）に期間ＬＴ１の等価回路を示す。
このとき、初期電位Ｖｉｎｉが有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和よりも小さい、つまりＶｉｎｉ ≦Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔであることで、有機ＥＬ素子１は消光し、非発光期間が開始される。このとき電源制御線ＤＳＬが駆動トランジスタＴｄのソースとなる。また有機ＥＬ素子１のアノード（ノードＮＤ２）は初期電位Ｖｉｎｉに充電される。
まず電源パルスＤＳ＝初期電位Ｖｉｎｉとされる。図５（ｂ）に期間ＬＴ１の等価回路を示す。
このとき、初期電位Ｖｉｎｉが有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和よりも小さい、つまりＶｉｎｉ ≦Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔであることで、有機ＥＬ素子１は消光し、非発光期間が開始される。このとき電源制御線ＤＳＬが駆動トランジスタＴｄのソースとなる。また有機ＥＬ素子１のアノード（ノードＮＤ２）は初期電位Ｖｉｎｉに充電される。
一定期間後、閾値補正のための準備が行われる（期間ＬＴ２ａ，ＬＴ２ｂ）。等価回路は図６（ａ）に示される。
即ち期間ＬＴ２ａ，ＬＴ２ｂでは、信号線ＤＴＬの電位が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなった時に、走査パルスＷＳがＨレベルとされ、サンプリングトランジスタＴｓがオンとされる。このため駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなる。
駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。
このＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと閾値補正動作を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈとなるように、初期電位Ｖｉｎｉ、基準電圧Ｖｏｆｓが設定されている。
即ち閾値補正の準備として、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が、その閾値電圧Ｖｔｈよりも十分広げられることになる。
即ち期間ＬＴ２ａ，ＬＴ２ｂでは、信号線ＤＴＬの電位が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなった時に、走査パルスＷＳがＨレベルとされ、サンプリングトランジスタＴｓがオンとされる。このため駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなる。
駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。
このＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと閾値補正動作を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈとなるように、初期電位Ｖｉｎｉ、基準電圧Ｖｏｆｓが設定されている。
即ち閾値補正の準備として、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が、その閾値電圧Ｖｔｈよりも十分広げられることになる。
続いて閾値補正（Ｖｔｈ補正）が行われる。ここでは期間ＬＴ３ａ〜ＬＴ３ｄとして４回の閾値補正が行われる例としている。
まず期間ＬＴ３ａとして１回目の閾値補正（Ｖｔｈ補正）が行われる。
この場合、信号線電圧が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなっているタイミングで、ライトスキャナ１３が走査パルスＷＳをＨレベルとし、またドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳを駆動電圧Ｖｃｃとする。等価回路を図６（ｂ）に示すが、この場合、有機ＥＬ素子１のアノード（ノードＮＤ２）が駆動トランジスタＴｄのソースとなり電流が流れる。このため、駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに固定されたまま、ソースノードが上昇する。
有機ＥＬ素子１のアノード電位（ノードＮＤ２の電位）が、Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子１の閾値電圧）以下である限り、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｏｌｅｄを充電するために使われる。有機ＥＬ素子１のアノード電位がＶｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ以下である限りとは、有機ＥＬ素子１のリーク電流が駆動トランジスタＴｄに流れる電流よりもかなり小さいという意味である。
このためノードＮＤ２の電位（駆動トランジスタＴｄのソース電位）は、時間と共に上昇してゆく。
まず期間ＬＴ３ａとして１回目の閾値補正（Ｖｔｈ補正）が行われる。
この場合、信号線電圧が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなっているタイミングで、ライトスキャナ１３が走査パルスＷＳをＨレベルとし、またドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳを駆動電圧Ｖｃｃとする。等価回路を図６（ｂ）に示すが、この場合、有機ＥＬ素子１のアノード（ノードＮＤ２）が駆動トランジスタＴｄのソースとなり電流が流れる。このため、駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに固定されたまま、ソースノードが上昇する。
有機ＥＬ素子１のアノード電位（ノードＮＤ２の電位）が、Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子１の閾値電圧）以下である限り、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｏｌｅｄを充電するために使われる。有機ＥＬ素子１のアノード電位がＶｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ以下である限りとは、有機ＥＬ素子１のリーク電流が駆動トランジスタＴｄに流れる電流よりもかなり小さいという意味である。
このためノードＮＤ２の電位（駆動トランジスタＴｄのソース電位）は、時間と共に上昇してゆく。
この閾値補正は、基本的には、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Ｖｔｈとする動作と言える。従って駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなるまで、駆動トランジスタＴｄのソース電位が上昇されればよい。
しかし、ゲートノードを閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに固定できるのは、信号線電圧＝Ｖｏｆｓの期間のみである。するとフレームレート等によっては１回の閾値補正動作によっては、ゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈに至るまでソース電位が上昇するための十分な時間がとれない。そこで複数回に分割して閾値補正を行うようにしている。
しかし、ゲートノードを閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに固定できるのは、信号線電圧＝Ｖｏｆｓの期間のみである。するとフレームレート等によっては１回の閾値補正動作によっては、ゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈに至るまでソース電位が上昇するための十分な時間がとれない。そこで複数回に分割して閾値補正を行うようにしている。
このため、信号線電圧＝映像信号電圧Ｖｓｉｇとなる前に、期間ＬＴ３ａとしての閾値補正を終了させる。即ち、ライトスキャナ１３が一旦、走査パルスＷＳをＬレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓをオフする。
このとき、ゲート・ソースともフローティングである為、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じてドレイン・ソース間に電流が流れブートストラップする。即ち図示のようにゲート電位、ソース電位は上昇する。
このとき、ゲート・ソースともフローティングである為、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じてドレイン・ソース間に電流が流れブートストラップする。即ち図示のようにゲート電位、ソース電位は上昇する。
次に期間ＬＴ３ｂとして、２回目の閾値補正を行う。即ち信号線電圧＝閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓのときに、再びライトスキャナ１３が走査パルスＷＳをＨレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓをオンとする。これにより、駆動トランジスタＴｄのゲート電圧＝閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとされ、またソース電位が上昇される。
さらに閾値補正動作を休止する。なお、２回目の閾値補正で駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧は、より閾値電圧Ｖｔｈに近づいているため、２回目の休止期間のブートストラップ量は１回目の休止期間より小さくなる。
また期間ＬＴ３ｃで３回目の閾値補正を行い、さらに休止を経て、期間ＬＴ３ｄで４回目の閾値補正を行う。
そして最終的に駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなる。
この時、ソース電位（ノードＮＤ２：有機ＥＬ素子１のアノード電位）＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。（Ｖｃａｔはカソード電位、Ｖｔｈｅｌは有機ＥＬ素子１の閾値電圧）
この図３の場合では、４回目の閾値補正の期間ＬＴ３ｄの後、走査パルスＷＳをＬレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓがオフとなって閾値補正動作が完了する。
さらに閾値補正動作を休止する。なお、２回目の閾値補正で駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧は、より閾値電圧Ｖｔｈに近づいているため、２回目の休止期間のブートストラップ量は１回目の休止期間より小さくなる。
また期間ＬＴ３ｃで３回目の閾値補正を行い、さらに休止を経て、期間ＬＴ３ｄで４回目の閾値補正を行う。
そして最終的に駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなる。
この時、ソース電位（ノードＮＤ２：有機ＥＬ素子１のアノード電位）＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。（Ｖｃａｔはカソード電位、Ｖｔｈｅｌは有機ＥＬ素子１の閾値電圧）
この図３の場合では、４回目の閾値補正の期間ＬＴ３ｄの後、走査パルスＷＳをＬレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓがオフとなって閾値補正動作が完了する。
なお、ここでは４回の閾値補正を行う例としたが、閾値補正動作を何回に分割して行うかは表示装置の構成や動作に応じて適切に決められるものであり、例えば２回、３回、５回以上という例もある。
その後、信号線電圧が映像信号電圧Ｖｓｉｇとなっている期間ＬＴ４に、ライトスキャナ１３が走査パルスＷＳがＨレベルとし、映像信号電圧Ｖｓｉｇの書込及び移動度補正が行われる。即ち駆動トランジスタＴｄのゲートに映像信号電圧Ｖｓｉｇが入力される。このときの等価回路を図７（ａ）に示す。
駆動トランジスタＴｄのゲート電位は映像信号電圧Ｖｓｉｇの電位となるが、電源制御線ＤＳＬが駆動電圧Ｖｃｃとなっていることで電流が流れ、ソース電位は時間とともに上昇してゆく。
このとき、駆動トランジスタＴｄのソース電圧が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を越えなければ、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｏｌｅｄを充電するのに使用される。つまり有機ＥＬ素子１のリーク電流が駆動トランジスタＴｄに流れる電流よりもかなり小さければという条件である。
そしてこのときは、駆動トランジスタＴｄの閾値補正動作は完了しているため、駆動トランジスタＴｄが流す電流は移動度μを反映したものとなる。
具体的にいうと、移動度が大きいものはこの時の電流量が大きく、ソースの上昇も早い。逆に移動度が小さいものは電流量が小さく、ソースの上昇は遅くなる。
これによって、走査パルスＷＳがＨレベルとなる期間ＬＴ４として、サンプリングトランジスタＴｓがオンしてから、駆動トランジスタＴｄのソース電圧Ｖｓは上昇し、サンプリングトランジスタＴｓがオフしたときには、ソース電圧Ｖｓは移動度μを反映した電圧Ｖｓ０となる。駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは移動度を反映して小さくなり（Ｖｇｓ＝Ｖｓｉｇ−Ｖｓ０）、一定時間経過後に完全に移動度を補正する電圧となる。
このとき、駆動トランジスタＴｄのソース電圧が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を越えなければ、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｏｌｅｄを充電するのに使用される。つまり有機ＥＬ素子１のリーク電流が駆動トランジスタＴｄに流れる電流よりもかなり小さければという条件である。
そしてこのときは、駆動トランジスタＴｄの閾値補正動作は完了しているため、駆動トランジスタＴｄが流す電流は移動度μを反映したものとなる。
具体的にいうと、移動度が大きいものはこの時の電流量が大きく、ソースの上昇も早い。逆に移動度が小さいものは電流量が小さく、ソースの上昇は遅くなる。
これによって、走査パルスＷＳがＨレベルとなる期間ＬＴ４として、サンプリングトランジスタＴｓがオンしてから、駆動トランジスタＴｄのソース電圧Ｖｓは上昇し、サンプリングトランジスタＴｓがオフしたときには、ソース電圧Ｖｓは移動度μを反映した電圧Ｖｓ０となる。駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは移動度を反映して小さくなり（Ｖｇｓ＝Ｖｓｉｇ−Ｖｓ０）、一定時間経過後に完全に移動度を補正する電圧となる。
このように映像信号電圧Ｖｓｉｇ書込及び移動度補正を行った後、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを確定させ、ブートストラップ、発光状態（期間ＬＴ５）へと移行する。図７（ｂ）に等価回路を示す。
即ち走査パルスＷＳをＬレベルとしてサンプリングトランジスタＴｓをオフして書き込みが終了し、有機ＥＬ素子１を発光させる。この場合、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流Ｉｄｓが流れ、ノードＮＤ２の電位は、有機ＥＬ素子１にその電流が流れる電圧ＶELまで上昇し、有機ＥＬ素子１は発光する。このときサンプリングトランジスタＴｓがオフであり、ノードＮＤ２の電位の上昇と同時に駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）も同様に上昇するため、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定に保たれたままである。(ブートストラップ動作)
即ち走査パルスＷＳをＬレベルとしてサンプリングトランジスタＴｓをオフして書き込みが終了し、有機ＥＬ素子１を発光させる。この場合、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流Ｉｄｓが流れ、ノードＮＤ２の電位は、有機ＥＬ素子１にその電流が流れる電圧ＶELまで上昇し、有機ＥＬ素子１は発光する。このときサンプリングトランジスタＴｓがオフであり、ノードＮＤ２の電位の上昇と同時に駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）も同様に上昇するため、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定に保たれたままである。(ブートストラップ動作)
このように画素回路１０は１フレーム期間における１サイクルの発光駆動動作として、閾値補正動作及び移動度補正動作を含んで、有機ＥＬ素子１の発光のための動作が行われる。
閾値補正動作によって、各画素回路１０での駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキや、経時変動による閾値電圧Ｖｔｈ変動などに関わらず、信号電位Ｖｓｉｇに応じた電流を有機ＥＬ素子１に与えることができる。つまり製造上或いは経時変化による閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルして、画面上に輝度ムラ等を発生させずに高画質を維持できる。
また、駆動トランジスタＴｄの移動度によってもドレイン電流は変動するため、画素回路１０毎の駆動トランジスタＴｄの移動度のバラツキにより画質が低下するが、移動度補正により、駆動トランジスタＴｄの移動度の大小に応じてソース電位Ｖｓが得られる。結果として各画素回路１０の駆動トランジスタＴｄの移動度のバラツキを吸収するようなゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに調整されるため、移動度のバラツキによる画質低下も解消される。
閾値補正動作によって、各画素回路１０での駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキや、経時変動による閾値電圧Ｖｔｈ変動などに関わらず、信号電位Ｖｓｉｇに応じた電流を有機ＥＬ素子１に与えることができる。つまり製造上或いは経時変化による閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルして、画面上に輝度ムラ等を発生させずに高画質を維持できる。
また、駆動トランジスタＴｄの移動度によってもドレイン電流は変動するため、画素回路１０毎の駆動トランジスタＴｄの移動度のバラツキにより画質が低下するが、移動度補正により、駆動トランジスタＴｄの移動度の大小に応じてソース電位Ｖｓが得られる。結果として各画素回路１０の駆動トランジスタＴｄの移動度のバラツキを吸収するようなゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに調整されるため、移動度のバラツキによる画質低下も解消される。
また１サイクルの画素回路動作として、閾値補正動作を分割して複数回行うのは、表示装置の高速化（高周波数化）の要請による。
高フレームレート化が進むことで、画素回路の動作時間が相対的に短くなっていくため、連続的な閾値補正期間（信号線電圧＝閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓの期間）を確保することが難しくなる。そこで上記のように時分割的に閾値補正動作を行うことで閾値補正期間として必要な期間を確保して、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Ｖｔｈに収束させるものである。
高フレームレート化が進むことで、画素回路の動作時間が相対的に短くなっていくため、連続的な閾値補正期間（信号線電圧＝閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓの期間）を確保することが難しくなる。そこで上記のように時分割的に閾値補正動作を行うことで閾値補正期間として必要な期間を確保して、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Ｖｔｈに収束させるものである。
ところが、高速化が進むと、分割閾値補正動作における１回の閾値補正期間の短期間化が進む。すると、特に初回（１回目）の閾値補正動作期間（ＬＴ３ａ）の短期間化に伴って、閾値補正動作が破綻しやすくなることがある。
図４で説明する。
図４に示す１回目の閾値補正期間ＬＴ３ａは、その期間長が短いため、ソース電圧Ｖｓの上昇が比較的少なかったとする。
すると、期間ＬＴ３ａの終了時点で、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、まだ比較的大きな状態となる。
ここで、閾値補正動作の休止期間に入るが、このときのブートストラップ量は、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ及び移動度μによるものとなる。つまり、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが高いほど、また移動度μが大きいほど、ブートストラップの速度が速くなり、休止期間のブートストラップ量（つまりソース電圧Ｖｓ及びゲート電圧Ｖｇの上昇）は大きくなる。
図４に示す１回目の閾値補正期間ＬＴ３ａは、その期間長が短いため、ソース電圧Ｖｓの上昇が比較的少なかったとする。
すると、期間ＬＴ３ａの終了時点で、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、まだ比較的大きな状態となる。
ここで、閾値補正動作の休止期間に入るが、このときのブートストラップ量は、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ及び移動度μによるものとなる。つまり、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが高いほど、また移動度μが大きいほど、ブートストラップの速度が速くなり、休止期間のブートストラップ量（つまりソース電圧Ｖｓ及びゲート電圧Ｖｇの上昇）は大きくなる。
図４は、期間ＬＴ３ａの直後の休止期間でブートストラップ量が過大になった状態を示している。
そして休止期間を終え、期間ＬＴ３ｂで２回目の閾値補正が開始されるとき、ゲート電圧Ｖｇは閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに戻される。しかし直前の休止期間のブートストラップによるソース電圧Ｖｓ上昇が過大であると、図のように、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈ以下となってしまうことがある。過大な上昇とは、２回目以降の閾値補正動作時に、ソース電圧ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈより高くなってしまうような上昇となる場合である。
閾値補正は、上述のように、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Ｖｔｈとする動作である。従って閾値補正動作が完了する前に、ゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈ以下となってしまうと、正常に閾値補正ができなくなり、閾値補正が破綻する。その結果、図４のように、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈとはなっていない状態で、信号書込、移動度補正、発光の各動作に移っていくが、閾値補正されないまま発光することになる。このため画質の低下を招く。
そして休止期間を終え、期間ＬＴ３ｂで２回目の閾値補正が開始されるとき、ゲート電圧Ｖｇは閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに戻される。しかし直前の休止期間のブートストラップによるソース電圧Ｖｓ上昇が過大であると、図のように、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈ以下となってしまうことがある。過大な上昇とは、２回目以降の閾値補正動作時に、ソース電圧ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈより高くなってしまうような上昇となる場合である。
閾値補正は、上述のように、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Ｖｔｈとする動作である。従って閾値補正動作が完了する前に、ゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈ以下となってしまうと、正常に閾値補正ができなくなり、閾値補正が破綻する。その結果、図４のように、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈとはなっていない状態で、信号書込、移動度補正、発光の各動作に移っていくが、閾値補正されないまま発光することになる。このため画質の低下を招く。
［３．実施の形態の画素回路動作］
本実施の形態では、このような閾値補正の破綻を防止するため、図８のような駆動タイミングで画素回路１０を動作させる。
これは、分割閾値補正における最初の閾値補正の開始の直前の所定期間（期間ＬＴ５）、駆動トランジスタＴｄのソース電圧Ｖｓ及びゲート電圧Ｖｇを上昇させるプリブートストラップ（以下、「プリブート」という）を実行するものである。
本実施の形態では、このような閾値補正の破綻を防止するため、図８のような駆動タイミングで画素回路１０を動作させる。
これは、分割閾値補正における最初の閾値補正の開始の直前の所定期間（期間ＬＴ５）、駆動トランジスタＴｄのソース電圧Ｖｓ及びゲート電圧Ｖｇを上昇させるプリブートストラップ（以下、「プリブート」という）を実行するものである。
図８では上記図３と同様に画素回路１０の１発光サイクル（１フレーム期間）の動作のタイミングチャートを示している。図３と同様、信号線電圧、電源パルス、走査パルスＷＳ、ノードＮＤ１（駆動トランジスタＴｄのゲート電圧Ｖｇ）、ＮＤ２（駆動トランジスタＴｄのソース電圧Ｖｓ）を示している。
なお、水平セレクタ１１による信号線ＤＴＬの駆動（信号線電圧）、及びライトスキャナ１３による走査パルスＷＳは、図３と同様である。
この図８の場合、ドライブスキャナ１２よる電源パルスＤＳが駆動電圧Ｖｃｃとされるタイミングが図３と異なる。
なお、水平セレクタ１１による信号線ＤＴＬの駆動（信号線電圧）、及びライトスキャナ１３による走査パルスＷＳは、図３と同様である。
この図８の場合、ドライブスキャナ１２よる電源パルスＤＳが駆動電圧Ｖｃｃとされるタイミングが図３と異なる。
図８の動作を説明する。図８のタイミングチャートにおける時点ｔｓは、発光素子である有機ＥＬ素子１が発光駆動される１サイクル、例えば画像表示の１フレーム期間の開始タイミングとなる。
この時点ｔｓに至る前（期間ＬＴ０）は、前フレームの発光が行われている（図３の場合と同様：等価回路は図５（ａ））。
この時点ｔｓに至る前（期間ＬＴ０）は、前フレームの発光が行われている（図３の場合と同様：等価回路は図５（ａ））。
時点ｔｓで今回のフレームの発光のための動作が開始される。
まず電源パルスＤＳ＝初期電位Ｖｉｎｉとされる。このとき、初期電位Ｖｉｎｉが有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和よりも小さい、つまりＶｉｎｉ ≦Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔであることで、有機ＥＬ素子１は消光し、非発光期間が開始される。このとき電源制御線ＤＳＬが駆動トランジスタＴｄのソースとなる。また有機ＥＬ素子１のアノード（ノードＮＤ２）は初期電位Ｖｉｎｉに充電される。等価回路は図５（ｂ）となる。
まず電源パルスＤＳ＝初期電位Ｖｉｎｉとされる。このとき、初期電位Ｖｉｎｉが有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和よりも小さい、つまりＶｉｎｉ ≦Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔであることで、有機ＥＬ素子１は消光し、非発光期間が開始される。このとき電源制御線ＤＳＬが駆動トランジスタＴｄのソースとなる。また有機ＥＬ素子１のアノード（ノードＮＤ２）は初期電位Ｖｉｎｉに充電される。等価回路は図５（ｂ）となる。
一定期間後、閾値補正のための準備が行われる（期間ＬＴ２ａ，ＬＴ２ｂ）。
即ち期間ＬＴ２ａ，ＬＴ２ｂでは、信号線ＤＴＬの電位が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなった時に、走査パルスＷＳがＨレベルとされ、サンプリングトランジスタＴｓがオンとされる。このため駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなる。従って駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる（図６（ａ）参照）。
このＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと閾値補正動作を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈとなるように、初期電位Ｖｉｎｉ、基準電圧Ｖｏｆｓが設定されている。
即ち閾値補正の準備として、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が、その閾値電圧Ｖｔｈよりも十分広げられることになる。
即ち期間ＬＴ２ａ，ＬＴ２ｂでは、信号線ＤＴＬの電位が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなった時に、走査パルスＷＳがＨレベルとされ、サンプリングトランジスタＴｓがオンとされる。このため駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなる。従って駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる（図６（ａ）参照）。
このＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと閾値補正動作を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈとなるように、初期電位Ｖｉｎｉ、基準電圧Ｖｏｆｓが設定されている。
即ち閾値補正の準備として、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が、その閾値電圧Ｖｔｈよりも十分広げられることになる。
続いて閾値補正（Ｖｔｈ補正）が開始される直前に、期間ＬＴ６としてプリブートが行われる。
即ち、走査パルスＷＳが立ち上げられる前に、ドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳを駆動電圧Ｖｃｃとする。等価回路を図９に示す。このとき、ノードＮＤ２側が駆動トランジスタＴｄのソースとなる。そしてゲート・ソースともフローティングである為、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じてドレイン・ソース間に電流が流れブートストラップする。即ち図８に示すようにゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓは上昇する。
即ち、走査パルスＷＳが立ち上げられる前に、ドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳを駆動電圧Ｖｃｃとする。等価回路を図９に示す。このとき、ノードＮＤ２側が駆動トランジスタＴｄのソースとなる。そしてゲート・ソースともフローティングである為、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じてドレイン・ソース間に電流が流れブートストラップする。即ち図８に示すようにゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓは上昇する。
このようにプリブートを行った後、閾値補正を行うようにする。ここでは期間ＬＴ３ａ〜ＬＴ３ｄとして４回の閾値補正が行われる例としている。
まず期間ＬＴ３ａとして１回目の閾値補正（Ｖｔｈ補正）が行われる。
この場合、すでにドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳを駆動電圧Ｖｃｃとしているため、信号線電圧が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなっているタイミングで、ライトスキャナ１３が走査パルスＷＳをＨレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓをオンすることで、閾値補正が開始される。（等価回路は図６（ｂ）参照）
そして引き続き駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じてドレイン・ソース間に電流が流れる。
このため、駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに固定されたまま、ソースノードが上昇する。
有機ＥＬ素子１のアノード電位（ノードＮＤ２の電位）が、Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子１の閾値電圧）以下である限り、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｏｌｅｄを充電するために使われる。このためノードＮＤ２の電位（駆動トランジスタＴｄのソース電位）は、時間と共に上昇してゆく。
まず期間ＬＴ３ａとして１回目の閾値補正（Ｖｔｈ補正）が行われる。
この場合、すでにドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳを駆動電圧Ｖｃｃとしているため、信号線電圧が閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓとなっているタイミングで、ライトスキャナ１３が走査パルスＷＳをＨレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓをオンすることで、閾値補正が開始される。（等価回路は図６（ｂ）参照）
そして引き続き駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じてドレイン・ソース間に電流が流れる。
このため、駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）は閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに固定されたまま、ソースノードが上昇する。
有機ＥＬ素子１のアノード電位（ノードＮＤ２の電位）が、Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子１の閾値電圧）以下である限り、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｏｌｅｄを充電するために使われる。このためノードＮＤ２の電位（駆動トランジスタＴｄのソース電位）は、時間と共に上昇してゆく。
期間ＬＴ３ａとしての閾値補正は、信号線電圧＝映像信号電圧Ｖｓｉｇとなる前に、ライトスキャナ１３が一旦、走査パルスＷＳをＬレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓをオフすることで終了される。
そして続く休止期間では、ゲート・ソースともフローティングである為、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じてドレイン・ソース間に電流が流れブートストラップする。即ち図示のようにゲート電位、ソース電位は上昇する。
但し、１回目の閾値補正の終了時は、その直前プリブートによりソース電圧Ｖｓが或る程度上昇された後に行われているため、期間ＬＴ３ａとしての閾値補正期間長が短くても、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、閾値電圧Ｖｔｈ以上において適度に小さくなる。
このため１回目の閾値補正後の休止期間ではブートストラップ量は比較的抑えられる。
そして続く休止期間では、ゲート・ソースともフローティングである為、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じてドレイン・ソース間に電流が流れブートストラップする。即ち図示のようにゲート電位、ソース電位は上昇する。
但し、１回目の閾値補正の終了時は、その直前プリブートによりソース電圧Ｖｓが或る程度上昇された後に行われているため、期間ＬＴ３ａとしての閾値補正期間長が短くても、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、閾値電圧Ｖｔｈ以上において適度に小さくなる。
このため１回目の閾値補正後の休止期間ではブートストラップ量は比較的抑えられる。
次に期間ＬＴ３ｂとして、２回目の閾値補正を行う。即ち信号線電圧＝閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓのときに、再びライトスキャナ１３が走査パルスＷＳをＨレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓをオンとする。
さらに閾値補正動作を休止する。なお、２回目の閾値補正で駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧は、より閾値電圧Ｖｔｈに近づいているため、２回目の休止期間のブートストラップ量は１回目の休止期間よりさらに小さくなる。
また期間ＬＴ３ｃで３回目の閾値補正を行い、さらに休止を経て、期間ＬＴ３ｄで４回目の閾値補正を行う。
さらに閾値補正動作を休止する。なお、２回目の閾値補正で駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧は、より閾値電圧Ｖｔｈに近づいているため、２回目の休止期間のブートストラップ量は１回目の休止期間よりさらに小さくなる。
また期間ＬＴ３ｃで３回目の閾値補正を行い、さらに休止を経て、期間ＬＴ３ｄで４回目の閾値補正を行う。
４回目の閾値補正の期間ＬＴ３ｄの後、走査パルスＷＳをＬレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓがオフとなって閾値補正動作が完了する。
そして４回の閾値補正によって最終的に駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなる。つまり、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに達するように４回の総合的な閾値補正時間が設定されている。
そして４回の閾値補正によって最終的に駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなる。つまり、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに達するように４回の総合的な閾値補正時間が設定されている。
その後、信号線電圧が映像信号電圧Ｖｓｉｇとなっている期間ＬＴ４に、ライトスキャナ１３が走査パルスＷＳがＨレベルとし、映像信号電圧Ｖｓｉｇの書込及び移動度補正が行われる。即ち駆動トランジスタＴｄのゲートに映像信号電圧Ｖｓｉｇが入力される。（等価回路は図７（ａ）参照）
駆動トランジスタＴｄのゲート電位は映像信号電圧Ｖｓｉｇの電位となるが、電源制御線ＤＳＬが駆動電圧Ｖｃｃとなっていることで電流が流れ、ソース電位は時間とともに上昇してゆく。
このとき、駆動トランジスタＴｄのソース電圧が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を越えなければ、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｏｌｅｄを充電するのに使用される。そして駆動トランジスタＴｄが流す電流は移動度μを反映したものとなる。
即ち、移動度が大きいものはこの時の電流量が大きく、ソースの上昇も早い。逆に移動度が小さいものは電流量が小さく、ソースの上昇は遅くなる。これによって、走査パルスＷＳがＨレベルとなる期間ＬＴ４として、サンプリングトランジスタＴｓがオンしてから、駆動トランジスタＴｄのソース電圧Ｖｓは上昇し、サンプリングトランジスタＴｓがオフしたときには、ソース電圧Ｖｓは移動度μを反映した電圧Ｖｓ０となる。駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは移動度μを反映して小さくなり（Ｖｇｓ＝Ｖｓｉｇ−Ｖｓ０）、一定時間経過後に完全に移動度μを補正する電圧となる。
駆動トランジスタＴｄのゲート電位は映像信号電圧Ｖｓｉｇの電位となるが、電源制御線ＤＳＬが駆動電圧Ｖｃｃとなっていることで電流が流れ、ソース電位は時間とともに上昇してゆく。
このとき、駆動トランジスタＴｄのソース電圧が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を越えなければ、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｏｌｅｄを充電するのに使用される。そして駆動トランジスタＴｄが流す電流は移動度μを反映したものとなる。
即ち、移動度が大きいものはこの時の電流量が大きく、ソースの上昇も早い。逆に移動度が小さいものは電流量が小さく、ソースの上昇は遅くなる。これによって、走査パルスＷＳがＨレベルとなる期間ＬＴ４として、サンプリングトランジスタＴｓがオンしてから、駆動トランジスタＴｄのソース電圧Ｖｓは上昇し、サンプリングトランジスタＴｓがオフしたときには、ソース電圧Ｖｓは移動度μを反映した電圧Ｖｓ０となる。駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは移動度μを反映して小さくなり（Ｖｇｓ＝Ｖｓｉｇ−Ｖｓ０）、一定時間経過後に完全に移動度μを補正する電圧となる。
このように映像信号電圧Ｖｓｉｇ書込及び移動度補正を行った後、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを確定させ、ブートストラップ、発光状態（期間ＬＴ５）へと移行する。
即ち走査パルスＷＳをＬレベルとしてサンプリングトランジスタＴｓをオフして書き込みが終了し、有機ＥＬ素子１を発光させる。（等価回路は図７（ｂ）参照）
この場合、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流Ｉｄｓが流れ、ノードＮＤ２の電位は、有機ＥＬ素子１にその電流が流れる電圧ＶELまで上昇し、有機ＥＬ素子１は発光する。このときサンプリングトランジスタＴｓがオフであり、ノードＮＤ２の電位の上昇と同時に駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）も同様に上昇するため、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定に保たれたままである。(ブートストラップ動作)
即ち走査パルスＷＳをＬレベルとしてサンプリングトランジスタＴｓをオフして書き込みが終了し、有機ＥＬ素子１を発光させる。（等価回路は図７（ｂ）参照）
この場合、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流Ｉｄｓが流れ、ノードＮＤ２の電位は、有機ＥＬ素子１にその電流が流れる電圧ＶELまで上昇し、有機ＥＬ素子１は発光する。このときサンプリングトランジスタＴｓがオフであり、ノードＮＤ２の電位の上昇と同時に駆動トランジスタＴｄのゲート（ノードＮＤ１）も同様に上昇するため、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定に保たれたままである。(ブートストラップ動作)
このように画素回路１０は１フレーム期間における１サイクルの発光駆動動作として、閾値補正動作及び移動度補正動作を含んで、有機ＥＬ素子１の発光のための動作が行われる。
以上のように本実施の形態の場合、期間ＬＴ３ａで最初の閾値補正を行う直前に期間ＬＴ６でプリブートを行うことを特徴としている。
プリブートは、走査パルスＷＳによってサンプリングトランジスタＴｓをオンする前に、ドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳ＝駆動電圧Ｖｃｃとすることで行われる。
プリブートは、走査パルスＷＳによってサンプリングトランジスタＴｓをオンする前に、ドライブスキャナ１２が電源パルスＤＳ＝駆動電圧Ｖｃｃとすることで行われる。
このプリブートにより、１回目の閾値補正は、ソース電圧Ｖｓが或る程度上昇された状態で、ゲート電圧Ｖｇが閾値補正基準電圧Ｖｏｆｓに固定されて開始される。つまり、１回目の閾値補正の開始時点で、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが既に適度に小さくされた状態となっている。
このため、閾値補正期間ＬＴ３ａが時間的に短いものであっても、１回目の閾値補正の終了時点で、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは適度に小さくなっている。これにより、仮に駆動トランジスタＴｄが移動度μが高いものであったとしても、１回目の閾値補正後の休止期間のブートストラップ量が抑えられることになる。
結果として、ブートストラップ量が過大で、ソース電圧Ｖｓの上昇が過大となり、２回目以降の閾値補正を行う際に、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈ以下となってしまうことを防止できる。
このため、閾値補正期間ＬＴ３ａが時間的に短いものであっても、１回目の閾値補正の終了時点で、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは適度に小さくなっている。これにより、仮に駆動トランジスタＴｄが移動度μが高いものであったとしても、１回目の閾値補正後の休止期間のブートストラップ量が抑えられることになる。
結果として、ブートストラップ量が過大で、ソース電圧Ｖｓの上昇が過大となり、２回目以降の閾値補正を行う際に、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈ以下となってしまうことを防止できる。
特に言えば、移動度μが高く、ブートストラップのスピードが速い画素回路ほど、プリブート時のソース電圧Ｖｓの上昇も大きい。従って、その後の休止期間でのブートストラップ量が大きくなる画素回路ほど、１回目の閾値補正の終了時でのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓも小さくなり、結果として休止期間のブートストラップ量が小さくなる。換言すれば、画素回路１０毎に、ブートストラップのスピードに応じてあらかじめ負帰還がかけられることになる。
このことから、閾値補正動作が破綻する可能性のある画素回路１０ほど、休止期間のブートストラップ量を抑えることができることとなり、閾値補正動作の破綻を防止することができる。
このことから、閾値補正動作が破綻する可能性のある画素回路１０ほど、休止期間のブートストラップ量を抑えることができることとなり、閾値補正動作の破綻を防止することができる。
以上のように本実施の形態では、複数回の閾値補正動作を行う方式において、ブートストラップにより駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が閾値電圧より小さくなって閾値補正動作が破綻することを防止できる。これにより、倍速駆動などの駆動の高速化の場合も、閾値補正のマージンが拡大でき、高速化と、適切な閾値補正動作の実現による画質向上を両立できる。
以上、実施の形態について説明したが、本発明は上記例に限定されるものではない。
上記例では１発光サイクル内に４回の閾値補正を行う例としたが、閾値補正動作を何回に分割して行うかは表示装置の構成や動作に応じて適切に決められるものであり、例えば２回、３回、５回以上という例もある。
また、プリブート期間ＬＴ６としての所定期間長は、閾値補正回数や各電圧設定に応じて、閾値補正動作が破綻しない範囲で決定されればよい。プリブート期間が長すぎれば、逆にソース電圧ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ以上となって閾値補正動作の破綻が生ずることがあるため、そのような長すぎる期間長とならないようにプリブートの期間長を設定すべきことは言うまでもない。
上記例では１発光サイクル内に４回の閾値補正を行う例としたが、閾値補正動作を何回に分割して行うかは表示装置の構成や動作に応じて適切に決められるものであり、例えば２回、３回、５回以上という例もある。
また、プリブート期間ＬＴ６としての所定期間長は、閾値補正回数や各電圧設定に応じて、閾値補正動作が破綻しない範囲で決定されればよい。プリブート期間が長すぎれば、逆にソース電圧ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ以上となって閾値補正動作の破綻が生ずることがあるため、そのような長すぎる期間長とならないようにプリブートの期間長を設定すべきことは言うまでもない。
１ 有機ＥＬ素子、１０ 画素回路、１１ 水平セレクタ、１２ ドライブスキャナ、１３ ライトスキャナ、２０ 画素アレイ部、Ｃｓ 保持容量、Ｔｓ サンプリングトランジスタ、Ｔｄ 駆動トランジスタ
Claims (3)
- 発光素子と、ドレイン・ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート・ソース間電圧に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、導通されることで信号線電圧を上記駆動トランジスタのゲートに入力するサンプリングトランジスタと、上記駆動トランジスタのゲート・ソース間に接続され上記駆動トランジスタの閾値電圧と入力された映像信号電圧とを保持する保持容量と、を有する画素回路が、マトリクス状に配置されて成る画素アレイと、
上記画素アレイ上で列状に配設される各信号線に、上記信号線電圧として、閾値補正基準電圧及び映像信号電圧を供給する信号セレクタと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各電源制御線に電源パルスを与え、上記画素回路の上記駆動トランジスタへの駆動電圧の印加を行う駆動制御スキャナと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各書込制御線に走査パルスを与えて上記画素回路の上記サンプリングトランジスタを制御し、各画素回路への閾値補正基準電圧及び映像信号電圧の入力を実行させる書込スキャナであって、各画素回路の１発光サイクルの非発光期間に複数回の閾値補正を実行させるように、上記信号線電圧が上記閾値補正基準電圧であるときに複数回、上記走査パルスにより上記サンプリングトランジスタを導通させる書込スキャナと、
を備え、
上記複数回の閾値補正における最初の閾値補正の開始の直前の所定期間、上記駆動トランジスタのソース電圧及びゲート電圧を上昇させるプリブートストラップを実行する表示装置。 - 上記プリブートストラップは、上記書込スキャナが上記最初の閾値補正のために上記走査パルスによって上記サンプリングトランジスタを導通させる直前の上記所定期間、上記駆動制御スキャナが上記駆動電圧の印加を行うことで実行される請求項１に記載の表示装置。
- 発光素子と、ドレイン・ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート・ソース間電圧に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、導通されることで信号線電圧を上記駆動トランジスタのゲートに入力するサンプリングトランジスタと、上記駆動トランジスタのゲート・ソース間に接続され上記駆動トランジスタの閾値電圧と入力された映像信号電圧とを保持する保持容量と、を有する画素回路が、マトリクス状に配置されて成る画素アレイと、
上記画素アレイ上で列状に配設される各信号線に、上記信号線電圧として、閾値補正基準電圧及び映像信号電圧を供給する信号セレクタと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各電源制御線に電源パルスを与え、上記画素回路の上記駆動トランジスタへの駆動電圧の印加を行う駆動制御スキャナと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各書込制御線に走査パルスを与えて上記画素回路の上記サンプリングトランジスタを制御し、各画素回路への閾値補正基準電圧及び映像信号電圧の入力を実行させる書込スキャナとを備えた表示装置の表示駆動方法として、
上記書込スキャナが、各画素回路の１発光サイクルの非発光期間に複数回の閾値補正を実行させるように、上記信号線電圧が上記閾値補正基準電圧であるときに複数回、上記走査パルスにより上記サンプリングトランジスタを導通させるとともに、
上記複数回の閾値補正における最初の閾値補正の開始の直前の所定期間、上記駆動トランジスタのソース電圧及びゲート電圧を上昇させるプリブートストラップを実行する表示駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US12/985,386 US8654042B2 (en) | 2010-01-14 | 2011-01-06 | Display apparatus and display driving method |
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| JP2011145480A5 JP2011145480A5 (ja) | 2013-01-17 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
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|---|---|
| US8654042B2 (en) | 2014-02-18 |
| CN102129835B (zh) | 2013-11-06 |
| JP5477004B2 (ja) | 2014-04-23 |
| US20110169804A1 (en) | 2011-07-14 |
| CN102129835A (zh) | 2011-07-20 |
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| JP2011118084A (ja) | 表示装置、表示駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110609 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121127 |
|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130814 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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