JP2011145263A - 検査装置および検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】擬似欠陥を低減する一方で、転写後に欠陥を生じさせるおそれのあるパターンを予め拾い出して検査する検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成されたマスクの光学画像データを得る。設計パターンデータから光学画像に対応する参照画像データを作成する。設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する。領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、領域画像データが示す領域内の光学画像データと参照画像データとを比較して画素毎に欠陥判定する。設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦが所定値以上の箇所の画像データを作成する。
【選択図】図６

Description

本発明は、検査装置および検査方法に関し、より詳しくは、マスクなどの検査対象に形成されたパターンの欠陥検出に用いられる検査装置および検査方法に関する。

近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化および大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅は益々狭くなっている。半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（マスクまたはレチクルを指す。以下では、マスクと総称する。）を用い、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。こうした微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細パターンを描画可能な電子ビーム描画装置が用いられる。また、レーザビームを用いて描画するレーザビーム描画装置の開発も試みられている。尚、電子ビーム描画装置は、ウェハに直接パターン回路を描画する場合にも用いられる。

ところで、多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。しかし、１ギガビット級のＤＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）に代表されるように、ＬＳＩを構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになろうとしている。歩留まりを低下させる大きな要因の１つとして、マスクのパターン欠陥が挙げられる。そして、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。そのため、ＬＳＩ製造に使用される転写用マスクの欠陥を検出する検査装置には、高い検査精度が必要とされる。

欠陥検出をする手法として、ダイ−トゥ−ダイ（Ｄｉｅ ｔｏ Ｄｉｅ）検査方式とダイ−トゥ−データベース（Ｄｉｅ ｔｏ Ｄａｔａｂａｓｅ）検査方式が挙げられる。ダイ−トゥ−ダイ検査方式は、同一のマスク内であって、その一部分または全体に同一のパターン構成を有する複数のチップが配置されている場合に、マスクの異なるチップ転写領域における同一のパターンを比較する検査方法である。この方式によれば、マスクのパターンを直接比較するので精度の高い検査が行える。一方、ダイ−トゥ−データベース検査方式は、レイアウトデータまたはレイアウトデータから擬似的に生成されるデータと、マスク上の実際のパターンとを比較する検査方法である。主に１つのマスクに１つのチップ転写領域しかない場合に、この方法を採用することが多い。

ダイ−トゥ−データベース検査では、光源から出射された光が光学系を介して検査対象であるマスクに照射される。マスクはテーブル上に載置されており、テーブルが移動することによって照射された光がマスク上を走査する。マスクを透過または反射した光はレンズを介して画像センサ上に結像し、画像センサで撮像された光学画像は測定データとして比較部へ送られる。比較部では、測定データと参照データとが適当なアルゴリズムにしたがって比較される。そして、これらのデータが一致しない場合には欠陥ありと判定される（例えば、特許文献１参照。）。

ところで、一枚のマスクに形成されるパターンは、必ずしもその全てが高精度である必要はない。例えば、所定面積あたりのパターン密度が極端に疎になる箇所では、配線に関係のないダミー図形が挿入されることがあり、このダミー図形にある程度のホール欠陥やエッジラフネス誤差が存在していても問題はない。

一方、クロック信号が流れるパターンや複数層を貫通するコンタクトホールが配置されている箇所では、そのクロック線のインピーダンスやホールの位置精度、ホール径などに高い精度が求められる。

そこで、各パターンの重要度を設計パターンデータに加えてパターン重要度情報として明示し、パターンデータとパターン重要度情報を検査装置に入力する方法が提案されている。例えば、特許文献２には、所定の領域に配置された多数のポリゴンを含むリソグラフィックデザインをシミュレートする方法が開示されている。具体的には、図４を用いて、ポリゴンデザインデータベースのビットマップイメージを使用して空間イメージを生成し（ボックス１２６）、これを使用することでレジストモデリングまたはシミュレーション（ボックス１２８）が実行されることが記載されている。

また、特許文献３には、マスク検査システムにおいては、リソグラフィ処理工程において、特定の条件下で所与の欠陥が下のフォトレジストに転写されるか否かの判断を下すことが重要であり、マスク欠陥がプリントされないか、または、リソグラフィ処理に影響を与えないならば、欠陥のあるマスクを使ってウェハの製造を行うことができ、欠陥が転写されないマスクを補修したり、交換したりすることによる費用と時間の無駄を避けられる旨が記載されている。そして、マスクの一部分の画像を含む欠陥区域画像を受け取って模擬画像を生成する検査装置が開示されている。この模擬画像には、ウェハに転写されるシミュレーション画像が含まれる。

特開２００８−１１２１７８号公報 特開２００９−１０５４３０号公報 特表２００１−５１６８９８号公報

このように、従来技術においては、予め、パターンに重要度の大小を付けたり、ウェハへの影響度をシミュレートしたりすることによって擬似欠陥を低減し、検査や修復工程における費用や時間の節約を図っている。

しかしながら、光学画像と参照画像を適当なアルゴリズムにしたがって比較した際、誤差が所定の値を超えないパターンであっても、パターンの種類によっては、ウェハへの転写後に欠陥が拡大されてしまう場合がある。

本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、擬似欠陥を低減する一方で、従来の検査判定処理では欠陥と判断されないにもかかわらず、ウェハへの転写後に欠陥を生じさせるおそれのあるパターンを予め拾い出して検査する検査装置および検査方法を提供することにある。

本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。

本発明の第１の態様は、所定のパターンが形成されたマスクの光学画像データを得る光学画像データ取得部と、
パターンを形成する際の基になる設計パターンデータから光学画像に対応する参照画像データを作成する参照画像データ作成部と、
設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する領域画像データ作成部と、
領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、領域画像データが示す領域内の光学画像データと参照画像データとを比較して画素毎に欠陥判定する比較部と、
設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）が所定値以上である箇所の画像データを作成するＭＥＥＦ領域画像データ作成部とを有することを特徴とする検査装置に関する。

上記第１の態様の検査装置は、比較により欠陥と判断した箇所の光学画像データと、この光学画像データに対応する参照画像データと、ＭＥＥＦが所定値以上である箇所の画像データとをリソグラフィ・シミュレータに出力するインターフェース部を有することが好ましい。

本発明の第２の態様は、所定のパターンが形成されたマスクの光学画像データを得る光学画像データ取得部と、
パターンを形成する際の基になる設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する領域画像データ作成部と、
領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、領域画像データが示す領域内の前記光学画像データ同士を比較して画素毎に欠陥判定する比較部と、
設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）が所定値以上である箇所の画像データを作成するＭＥＥＦ領域画像データ作成部とを有することを特徴とする検査装置に関する。

上記第２の検査装置は、比較により欠陥と判断した箇所の光学画像データと、ＭＥＥＦが所定値以上である箇所の画像データとをリソグラフィ・シミュレータに出力するインターフェース部を有することが好ましい。

上記第１または第２の検査装置において、領域画像データとＭＥＥＦ領域画像データとが重複する領域の画像データは、ＭＥＥＦが所定値以上であるとき、重要度情報における重要度の高低にかかわらずリソグラフィ・シミュレータに出力されることが好ましい。

上記第１または第２の検査装置において、インターフェース部は、汎用ネットワーク通信を介してリソグラフィ・シミュレータに接続し、リソグラフィ・シミュレータに対して演算開始を指示するとともに、その演算結果を読み出す機能を有することが好ましい。
また、インターフェース部からリソグラフィ・シミュレータへの出力は、マスクの一つについての検査が終わる都度、または、一定量の検査が済んだ都度行われることが好ましい。

本発明の第３の態様は、所定のパターンが形成されたマスクの光学画像データを得る工程と、
パターンを形成する際の基になる設計パターンデータから光学画像に対応する参照画像データを作成する工程と、
設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する工程と、
領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、領域画像データが示す領域内の光学画像データと参照画像データとを比較して画素毎に欠陥判定する工程と、
設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）が所定値以上である箇所の画像データを作成する工程とを有することを特徴とする検査方法に関する。

本発明の第４の態様は、所定のパターンが形成されたマスクの光学画像データを得る工程と、
パターンを形成する際の基になる設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する工程と、
領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、領域画像データが示す領域内の光学画像データ同士を比較して画素毎に欠陥判定する工程と、
設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）が所定値以上である箇所の画像データを作成する工程とを有することを特徴とする検査方法に関する。

本発明の第１の態様によれば、擬似欠陥を低減する一方で、従来の検査判定処理では欠陥と判断されないにもかかわらず、ウェハへの転写後に欠陥を生じさせるおそれのあるパターンを予め拾い出してダイ−トゥ−データベース検査を行う検査装置が提供される。

本発明の第２の態様によれば、擬似欠陥を低減する一方で、従来の検査判定処理では欠陥と判断されないにもかかわらず、ウェハへの転写後に欠陥を生じさせるおそれのあるパターンを予め拾い出してダイ−トゥ−ダイ検査を行う検査装置が提供される。

本発明の第３の態様によれば、擬似欠陥を低減する一方で、従来の検査判定処理では欠陥と判断されないにもかかわらず、ウェハへの転写後に欠陥を生じさせるおそれのあるパターンを予め拾い出してダイ−トゥ−データベース検査を行う検査方法が提供される。

本発明の第４の態様によれば、擬似欠陥を低減する一方で、従来の検査判定処理では欠陥と判断されないにもかかわらず、ウェハへの転写後に欠陥を生じさせるおそれのあるパターンを予め拾い出してダイ−トゥ−ダイ検査を行う検査方法が提供される。

本実施の形態における検査装置のシステム構成図である。 本実施の形態におけるデータの流れを示す概念図である。 本実施の形態の検査工程の一部を示すフローチャートである。 光学画像の取得手順の説明図である。 フィルタ処理の説明図である。 本実施の形態による検査工程の説明図である。 （ａ）〜（ｄ）は欠陥の種類の例示である。 本実施の形態の検査装置における換算テーブルの一例である。

図１は、本実施の形態における検査装置のシステム構成図である。本実施の形態においては、フォトリソグラフィ法などで使用されるマスクを検査対象とする。

図１に示すように、検査装置１００は、光学画像データ取得部Ａと制御部Ｂを有する。

光学画像データ取得部Ａは、光源１０３と、水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）および回転方向（θ方向）に移動可能なＸＹθテーブル１０２と、透過照明系を構成する照明光学系１７０と、拡大光学系１０４と、フォトダイオードアレイ１０５と、センサ回路１０６と、レーザ測長システム１２２と、オートローダ１３０とを有する。

制御部Ｂでは、検査装置１００全体の制御を司る制御計算機１１０が、データ伝送路となるバス１２０を介して、位置回路１０７、比較回路１０８、参照回路１１２、展開回路１１１、１４０、１４１、オートローダ制御回路１１３、テーブル制御回路１１４、記憶装置の一例となる第１の磁気ディスク装置１０９ａ、第２の磁気ディスク装置１０９ｂ、磁気テープ装置１１５、フレキシブルディスク装置１１６、ＣＲＴ１１７、パターンモニタ１１８およびプリンタ１１９に接続されている。ＸＹθテーブル１０２は、テーブル制御回路１１４によって制御されたＸ軸モータ、Ｙ軸モータおよびθ軸モータによって駆動される。これらのモータには、例えば、ステップモータを用いることができる。

尚、図１では、本実施の形態で必要な構成成分を記載しているが、マスクを検査するのに必要な他の公知成分が含まれていてもよい。

ダイ−トゥ−データベース方式の基準データとなる設計パターンデータは、第１の磁気ディスク装置１０９ａに格納されており、検査の進行に合わせて読み出されて展開回路１１１に送られる。展開回路１１１では、設計パターンデータがイメージデータ（設計画素データ）に変換される。その後、このイメージデータは、参照回路１１２に送られて参照画像データの作成に用いられる。

図２は、本実施の形態におけるデータの流れを示す概念図である。

図２において、設計者（ユーザ）が作成したＣＡＤデータ１０は、例えばＯＡＳＩＳと呼ばれる階層化されたフォーマットの設計中間データ１２に変換される。設計中間データ１２では、レイヤ（層）毎に製作される各フォトマスク１０１に形成されるパターンデータが格納される。さらに、設計中間データ１２には、ＣＡＤデータ１０を作成した設計者によって任意に決められたマスクデータランク（ＭＤＲ）情報が格納される。

パターンによっては、その用途に応じて検査する際に求められる精度が異なる。このため、そのデータランクの識別コードとなるランクコード（重要度情報）と、該当するパターンを含む領域を示す領域パターンデータとがＭＤＲ情報に格納される。設計者には、例えば、クロックに使用されるパターンについては高感度に、ダミーやシールドに使用されるパターンについては低感度に、電源に使用されるパターンについては中間の感度に、それぞれ判定閾値を設定したいといった要求がある。そこで、図２に示すように、ＭＤＲ情報に、例えば、ランクコード１としてクロック領域パターンデータが、ランクコード２として電源領域パターンデータが、ランクコード３としてシールド領域パターンデータが、ランクコード４としてダミー領域パターンデータが、それぞれ定義される。

上記のように変換された設計中間データ１２に対し、レイアウト解析プログラムが組み込まれた計算機により機械的に解析処理が行なわれることによって、設計中間データ１４が生成される。具体的には、レイアウト解析プログラムによって、設計中間データ１２に、光近接効果補正（ＯＰＣ）用パターン、マスクに描画するパターンの解像度を高めるためのアシストパターン、パターンの線幅および空隙の精度を維持することを目的としてパターン形状を複雑に加工するための図形、あるいは、ダミーパターンなどが付加される。

設計中間データ１４には、設計中間データ１２の内容に、さらに追加されたパターンの種別（データタイプ）を識別する識別コードとなるデータタイプコード（重要度情報）と、該当するパターンを含む領域を示す領域パターンデータとが格納される。図２において、解析結果情報には、例えば、データタイプコードＡとしてＯＰＣ領域パターンデータが、データタイプコードＢとしてダミー領域パターンデータが、データタイプコードＣとしてアシスト領域パターンデータが、データタイプコードＤとしてコンタクト領域パターンデータが、それぞれ定義されている。レイアウト解析プログラムによって加えられたパターンは、設計者がＣＡＤデータを作成した時点では意図していないものである。

尚、一般に、検査装置１００は、ＯＡＳＩＳデータを直接読み込めるようには構成されていない。すなわち、検査装置１００の製造メーカー毎に、異なるフォーマットデータが用いられている。このため、ＯＡＳＩＳデータは、レイヤ毎に各検査装置に固有のフォーマットデータに変換された後に検査装置１００に入力される。つまり、作成された設計中間データ１４が、パターン検査装置１００に入力するための装置入力フォーマットである設計データ１６に変換される。

本実施の形態においては、設計データ１６からさらにレイアウトアナライザなどを用いてＭＥＥＦ領域情報１８を作成する。尚、設計データ１６を作成する際に合わせてＭＥＥＦ領域情報を作成するようにしてもよい。

ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ；マスク誤差増大因子）は、リソグラフィの安定性を示す指標の１つである。具体的には、マスクの寸法ばらつきが転写される寸法にどのように影響するかを示す係数であり、次式で与えられる。

ここで、ΔＣＤ_ｍａｓｋはマスク上での線幅誤差である。また、ΔＣＤ_{ｗａｆｅｒ}はΔＣＤ_ｍａｓｋにより誘発されるウェハ上の線幅誤差である。

例えば、４倍マスクを用いた場合、上式の縮小倍率は４になる。この式から分かるように、ＭＥＥＦの値が小さい方（１付近）が、マスクパターンがウェハ上に忠実に転写されることになる。したがって、ＭＥＥＦが小さくなればウェハの製造歩留まりが向上する。

一般に、露光波長に対して形成する線幅が十分に大きく、転写コントラストが十分にとれているリソグラフィの場合、ＭＥＥＦは１になる。すなわち、マスク上での寸法誤差は、縮小倍率分だけ縮小されてウェハ上に反映される。一方、形成する線幅が露光波長より小さいとＭＥＥＦは大きくなり、２〜３以上になることもある。この場合には、マスク上での寸法誤差が拡大されてウェハ上に反映される。つまり、マスク上では僅かな寸法誤差であっても、ウェハ上においては重大な寸法誤差となり得る。

ＭＥＥＦは、設計パターンの線幅や、ライン／スペースの比率、欠陥部位がパターンの突起に近いか中間部分かなどによっても変化する。例えば、線幅の細いパターンの方がＭＥＥＦは大きくなる。また、ライン／スペースの比率が１：２より１：３の方が、すなわち、孤立パターンに近い方がＭＥＥＦは大きくなる。さらに、欠陥部位がパターンの中間部分にあるよりも突起に近い部分にある方がＭＥＥＦは大きくなる。

ＭＥＥＦの大きな箇所では、検査装置が欠陥と判断しない大きさの誤差であっても、ウェハに転写した際に影響を及ぼすことがある。そのため、ＭＥＥＦの大きい箇所については、検査装置で判定された欠陥の有無にかかわらず、欠陥のある箇所と同様に情報を保持し、後述するリソグラフィ・シミュレータ（プロセス・シミュレータとも言う。）でウェハへの転写性を調べる。

尚、検査装置１００では、上記したような処理によってパターンデータの容量が肥大化する。そこで、検査時間の停滞を防ぐために、例えば、パターンデータを読み出してデータ展開する機構部分に、大容量で高速処理が可能な並列処理計算機と、処理に必要な読み出し速度に十分対応できるよう設計されたハードディスク装置とを組み合わせるなどの工夫をすることが好ましい。

図３は、検査工程の一部を示すフローチャートである。

図３に示すように、検査工程は、光学画像データ取得工程（Ｓ２０２）と、設計パターンデータの記憶工程（Ｓ２１２）と、設計画像データ生成工程の一例となる展開工程（Ｓ２１４）およびフィルタ処理工程（Ｓ２１６）と、領域パターンデータなどの記憶工程（Ｓ２２２）と、領域画像データ生成工程の一例となる展開工程（Ｓ２２４）と、比較工程（Ｓ２２６）とを有する。

Ｓ２０２の光学画像データ取得工程では、図１の光学画像データ取得部Ａが、フォトマスク１０１の光学画像（測定データ）を取得する。ここで、光学画像は、設計パターンに含まれる図形データに基づく図形が描画されたマスクの画像である。光学画像の具体的な取得方法は、例えば、次に示す通りである。

図１において、検査試料となるフォトマスク１０１は、ＸＹθ各軸のモータによって水平方向および回転方向に移動可能に設けられたＸＹθテーブル１０２上に載置される。そして、フォトマスク１０１に形成されたパターンに対し、ＸＹθテーブル１０２の上方に配置された光源１０３から光が照射される。より詳しくは、光源１０３から照射される光束が、照明光学系１７０を介してフォトマスク１０１に照射される。フォトマスク１０１の下方には、拡大光学系１０４、フォトダイオードアレイ１０５およびセンサ回路１０６が配置されている。フォトマスク１０１を透過した光は、拡大光学系１０４を介して、フォトダイオードアレイ１０５に光学像として結像する。ここで、拡大光学系１０４は、図示しない自動焦点機構によって自動的に焦点調整がなされるよう構成されていてもよい。

図４は、光学画像の取得手順を説明するための図である。

検査領域は、図４に示すように、Ｙ方向に向かって、スキャン幅Ｗの短冊状の複数の検査ストライプ２０に仮想的に分割され、さらにその分割された各検査ストライプ２０が連続的に走査されるように、図１のＸＹθテーブル１０２の動作が制御され、Ｘ方向に移動しながら光学画像が取得される。図１のフォトダイオードアレイ１０５には、図４に示されるようなスキャン幅Ｗの画像が連続的に入力される。そして、第１の検査ストライプ２０における画像を取得した後、第２の検査ストライプ２０における画像を今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Ｗの画像が連続的に入力される。そして、第３の検査ストライプ２０における画像を取得する場合には、第２の検査ストライプ２０における画像を取得する方向とは逆方向、すなわち、第１の検査ストライプ２０における画像を取得した方向に移動しながら画像を取得する。このように、連続的に画像を取得していくことで、無駄な処理時間を短縮することができる。

図１で、フォトダイオードアレイ１０５上に結像したパターンの像は、フォトダイオードアレイ１０５によって光電変換され、さらにセンサ回路１０６によってＡ／Ｄ（アナログデジタル）変換される。フォトダイオードアレイ１０５には、センサが配置されている。このセンサの例としては、ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）センサが挙げられる。ＸＹθテーブル１０２がＸ軸方向に連続的に移動しながら、ＴＤＩセンサによってフォトマスク１０１のパターンが撮像される。ここで、光源１０３、拡大光学系１０４、フォトダイオードアレイ１０５およびセンサ回路１０６により高倍率の検査光学系が構成される。

ＸＹθテーブル１０２は、制御計算機１１０の制御の下、テーブル制御回路１１４によって駆動され、Ｘ方向、Ｙ方向、θ方向に駆動する３軸（Ｘ−Ｙ−θ）モータのような駆動系によって移動可能となっている。これらの、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、θ軸モータには、例えばステップモータを用いることができる。そして、ＸＹθテーブル１０２の移動位置は、レーザ測長システム１２２により測定されて位置回路１０７に送られる。また、ＸＹθテーブル１０２上のフォトマスク１０１は、オートローダ制御回路１１３により駆動されるオートローダ１３０から自動的に搬送され、検査終了後には自動的に排出されるようになっている。

センサ回路１０６から出力された測定データ（光学画像）は、位置回路１０７から出力されたＸＹθテーブル１０２上でのフォトマスク１０１の位置を示すデータとともに、比較回路１０８に送られる。測定データは、例えば８ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調を表現している。

図３でＳ２１２は記憶工程であり、具体的には、図１において、フォトマスク１０１のパターン形成時に用いた設計パターンデータが、記憶装置（記憶部）の一例である第１の磁気ディスク装置１０９ａに記憶される。

設計パターンに含まれる図形は、長方形や三角形を基本図形としたものである。第１の磁気ディスク装置１０９ａには、例えば、図形の基準位置における座標（ｘ、ｙ）、辺の長さ、長方形や三角形等の図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報であって、各パターン図形の形、大きさ、位置等を定義した図形データが格納されている。

また、数十μｍ程度の範囲に存在する図形の集合を一般にクラスタまたはセルと称するが、これを用いてデータを階層化することが行われている。クラスタまたはセルには、各種図形を単独で配置したり、ある間隔で繰り返し配置したりする場合の配置座標や繰り返し記述も定義される。クラスタまたはセルデータは、さらにフレームまたはストライプと称される、幅が数百μｍであって、長さがフォトマスクのＸ方向またはＹ方向の全長に対応する１００ｍｍ程度の短冊状領域に配置される。

図３でＳ２１４は展開工程である。この工程では、図１の展開回路１１１によって、第１の磁気ディスク装置１０９ａから制御計算機１１０を通して設計パターンデータが読み出される。読み出されたフォトマスク１０１の設計パターンデータは、２値ないしは多値のイメージデータ（設計画像データ）に変換される。そして、このイメージデータは参照回路１１２に送られる。

図形データとなる設計パターンが展開回路１１１に入力されると、展開回路１１１は、設計パターンを図形毎のデータにまで展開して、その図形データの図形形状を示す図形コードおよび図形寸法などを解釈する。そして、所定の量子化寸法のグリッドを単位とするマス目内に配置されるパターンとして２値ないしは多値の設計画像データを展開する。展開された設計画像データから、センサ画素に相当する領域（マス目）毎に設計パターンにおける図形が占める占有率が演算される。そして、得られた各画素内の図形占有率が画素値となる。

図３でＳ２１６はフィルタ処理工程である。この工程では、参照回路１１２によって、送られてきた図形のイメージデータである設計画像データに適切なフィルタ処理が施される。

図５は、フィルタ処理を説明する図である。

センサ回路１０６から得られた光学画像としての測定データは、拡大光学系１０４の解像特性やフォトダイオードアレイ１０５のアパーチャ効果等によってフィルタが作用した状態、言い換えると、連続的に変化するアナログ状態にある。したがって、画像強度（濃淡値）がデジタル値の設計側のイメージデータである設計画像データにもフィルタ処理を施すことにより、測定データに合わせることができる。このようにして光学画像と比較する参照画像を作成する。

測定データは、上述したように、図１の比較回路１０８に送られる。一方、設計パターンデータは、展開回路１１１および参照回路１１２により設計画像データに変換され、比較回路１０８に送られる。

また、本実施の形態では、さらに、領域パターンデータと重要度情報から得られた領域画像データも比較回路１０８に送られる。ここで、領域パターンデータは、設計パターンデータと同一のフォーマットで作成されるが、設計パターンデータの変換手段とは別個の回路系統となる展開回路１４０によって領域画像データに変換される。このようにすることにより、設計パターンデータの変換処理と領域パターンデータの変換処理とを並列して行うことができる。

具体的には、図３のＳ２２２の記憶工程で、領域パターンデータと重要度情報が図１の第１の磁気ディスク装置１０９ａに記憶される。ここでは、図２で述べたマスクデータランクに定義された情報と、解析結果情報に定義された情報とが格納されている。次いで、図３のＳ２２４の展開工程で、図１の展開回路１４０が、第１の磁気ディスク装置１０９ａから制御計算機１１０を通して領域パターンデータと重要度情報を読み出し、領域パターンデータを用いて重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有するイメージデータ（領域画像データ）を作成する。ここでは、例えば、１／３２の解像度で画素値を設定する。すなわち、かかる解像度の場合、画素値は、０〜３１の値で定義される。この値の決定には、第１の磁気ディスク装置１０９ａに記憶された換算テーブルが用いられる。

図８に、本実施の形態における換算テーブルの一例を示す。

図８の換算テーブルでは、ランクコードと感度指定情報の相関関係や、データタイプコードと感度指定情報の相関関係が定義されている。この例では、用途がクロックを示すランクコード１は、感度指定情報がレベル４と対応する。用途が電源を示すランクコード２は、感度指定情報がレベル２と対応する。用途がシールドを示すランクコード３は、感度指定情報がレベル１と対応する。用途がダミーを示すランクコード４は、感度指定情報がレベル１と対応する。また、データ種別がＯＰＣパターンを示すデータタイプコードＡは、感度指定情報がレベル１と対応する。データ種別がダミーパターンを示すデータタイプコードＢは、感度指定情報がレベル１と対応する。データ種別がアシストパターンを示すデータタイプコードＣは、感度指定情報がレベル１と対応する。データ種別がコンタクトパターンを示すデータタイプコードＤは、感度指定情報がレベル４と対応する。尚、レベル値が大きいほど、高感度、すなわち、判定閾値が厳しい値となる。

領域パターンデータに含まれる情報は、領域を示す長方形や三角形を基本図形としたもので、例えば、領域図形の基準位置における座標（ｘ、ｙ）、辺の長さ、長方形や三角形等の図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報で、各図形の形、大きさ、位置等を定義した図形データが格納されている。例えば、所望するパターンを含むように、所望するパターンの外形に所定のマージンを加えた大きさの領域図形が指定される。マージンは、パターンの世代と同等な寸法分あるいは検査装置のセンサ画素寸法に相当する寸法にすると好適である。例えば、６５ｎｍノード世代のパターンであれば、片側６５ｎｍ分広めの領域図形が設定されていると好適である。

展開回路１４０は、展開部、複数のパターン発生部および合成部を有する。

領域パターンデータが展開回路１４０に入力されると、展開部は、領域図形ごとのデータにまで展開し、その領域図形データの図形形状を示す図形コード、図形寸法などを解釈する。そして、展開部は、第１の磁気ディスク装置１０９ａから換算テーブルを読み出す。次いで、展開部は、換算テーブルを参照して、ランクコードから該当する領域パターンデータの感度指定情報を取得する。また、同様に、展開部は、換算テーブルを参照して、データタイプコードから該当する領域パターンデータの感度指定情報を取得する。

パターン発生部は、画素に相当するマス目内に多値の値を設定した領域画像データに展開する。その際、各画素の値は、感度指定情報のレベル値によって決定される。

合成部は、パターン展開された領域画素データを合成する。例えば、参照画像データと測定された光学画像データの比較単位の大きさで合成してもよく、マスク１枚分で合成してもよい。ここで、領域パターンデータが示す領域は、該当するパターン寸法にマージンが付加された寸法となっているので、中には領域同士が重複してしまう場合もあり得る。また、設計者が設定したランクコードに該当する領域と解析ソフトによる解析の結果付加されたパターンの領域とが重複することもあり得る。すなわち、展開回路１４０は、領域が重複する複数の領域データとともに、複数の領域データのいずれかと対となる複数の重要度情報を入力する場合があり得る。

例えば、２つの領域が重複する場合、合成部は、領域が重複する複数の領域データを合成した領域を示す領域画像データを作成する。そして、合成部は、設計者が設定した複数のランクコードのそれぞれに該当する異なる領域データが示す領域同士が重複する場合、合成後の領域画像データが示す重複する領域の画素値に、重要度が高く定義された重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を用いる。すなわち、重要度情報によって指定された感度指定情報のレベル値が大きい方に合わせる。これにより、厳しく検査すべき箇所が緩く検査されてしまうのを防ぐことができる。または、合成部は、解析ソフトによって付加された複数のデータタイプコードのそれぞれに該当する異なる領域データが示す領域同士が重複する場合、同様にして、重複する領域の画素値に、重要度が高く定義された重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を用いる。

また、合成部は、設計者が設定したランクコードに該当する領域データが示す領域と、解析ソフトによって付加されたデータタイプコードに該当する領域データとが重複する場合、次のように画素値を設定する。すなわち、合成後の領域画像データが示す重複する領域の画素値には、設計者（ユーザ）が所望する重要度に対応する情報が定義された重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値が用いられる。これにより設計者の意図が反映できる。

以上のようにして形成された領域画像データは、図１の比較回路１０８に出力される。

図３のＳ２２６は比較工程である。この工程では、図１の比較回路１０８が、展開回路１４０で作成された領域画像データを取り込み、領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の検査閾値（検査感度）または欠陥判定処理方法の１つを用いて、領域画像データが示す領域内の光学画像データと参照画像データとを、画素毎に所定のアルゴリズムにしたがって比較し、欠陥の有無を判定する。判定は、例えば、各画素の画素値が０〜７ではレベル１の閾値で、各画素の画素値が８〜１５ではレベル２の閾値で、各画素の画素値が１６〜２３ではレベル３の閾値で、各画素の画素値が２４〜３１ではレベル４の閾値でといったようにして行われる。すなわち、領域画像データの画素値に基づいて検査閾値（検査感度）を変更し、所定のアルゴリズムにしたがって比較する。そして、誤差が所定の値を超えた場合、その箇所は欠陥と判断される。欠陥と判断されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったセンサ撮影画像および参照画像とが、第１の検査結果として第１の磁気ディスク装置１０９ａに格納される。

以上のようにすることで、比較回路１０８は、領域画像データによって比較対象領域の比較判定閾値または欠陥判定処理方法を画素毎に変更しながら欠陥判定することになる。したがって、欠陥判定を厳しく行わなければならない領域は厳しい判定閾値で検査され、それほど重要ではない領域に対しては不必要に厳しい判定閾値で検査しないようにすることができるので、擬似欠陥を多発させないように検査することができる

図６を用いてさらに本実施の形態の検査方法について説明する。

センサ回路１０６からの光学画像と、展開回路１１１および参照回路１１２により設計パターンデータから得られた参照画像とを、比較回路１０８で比較して欠陥判定を行うこと、また、この際に比較回路１０８は、展開回路１４０により領域パターンデータから作成された領域画像データを取り込むことは、上述の通りである。比較回路１０８で欠陥と判断されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったセンサ撮影画像および参照画像とが、第１の検査結果として第１の磁気ディスク装置１０９ａに格納される。本実施の形態では、このときにＭＥＥＦ領域情報に基づき保存が決定された箇所の情報も併せて格納する。具体的には、保存されるＭＥＥＦ領域情報が、展開回路１４１によってＭＥＥＦ領域画像データに変換された後、第１の磁気ディスク装置１０９ａに格納される。上述したように、ＭＥＥＦの大きな箇所では、検査装置が欠陥と判断しない大きさの誤差であっても、ウェハに転写した際に重大な影響を及ぼすことがある。そのため、ＭＥＥＦの大きい箇所については、検査装置で判定された欠陥の有無にかかわらず、欠陥のある箇所と同様に情報を保存する。

ＭＥＥＦ領域情報を基にした情報取得の決定例を図８の換算テーブルに示す。この例では、保存情報は、レベル１（保存されない）とレベル２（保存される）の２値である。ＭＥＥＦが２以上の箇所はレベル２に対応しており、比較回路１０８で欠陥と判定された箇所と同様に情報が保存される。すなわち、図１の第１の磁気ディスク装置１０９ａに情報が格納される。一方、ＭＥＥＦが２未満の箇所はレベル１に対応しており、比較回路１０８で欠陥と判定されなかった箇所と同等に情報は保存されない。尚、情報取得の基準となるＭＥＥＦの大きさは適宜設定することができ、図８に示す値に限られるものではない。

本実施の形態においては、領域パターンデータが示す領域と、ＭＥＥＦ領域情報に基づく領域とが重複してしまう場合があり得る。領域が重複する複数の領域データには、複数の領域データのいずれかと対になる重要度情報およびＭＥＥＦ情報が存在する。ＭＥＥＦが所定値以上である場合には、重要度が低く定義された領域であってもＭＥＥＦ情報を優先する。一方、ＭＥＥＦが所定値未満である場合には、レベルにかかわらず重要度情報を優先し、重要度情報に基づく解像度で示される画素値を用いる。

第１の磁気ディスク装置１０９ａに保存されたデータは、リソグラフィ・シミュレータへ送られてウェハへの転写性が調べられる。リソグラフィ・シミュレータでは、露光装置によってマスクからウェハに転写される露光イメージを推定し、この露光イメージ上でパターンの良否が判定される。

本実施の形態における検査装置１００は、外部装置であるリソグラフィ・シミュレータとの間でデータのやりとりが可能なインターフェース部を有する。これにより、図６に示すように、検査装置１００からリソグラフィ・シミュレータ４００に対して、第１の検査結果とリソグラフィ・シミュレーションに必要な情報が送信される。

検査装置１００の制御計算機１１０は、リソグラフィ・シミュレータ４００と連動する連動ホスト機能を有する。この連動ホスト機能により、検査装置１００からリソグラフィ・シミュレータ４００に対して演算開始が指示されると、リソグラフィ・シミュレータ４００は、送信された情報に基づいてウェハ空間像またはレジスト像を推定する。具体的には、検査装置１００で得られた光学画像を用いて、露光装置によってマスクに形成されたパターンがウェハに転写される際の空間像またはレジスト像を推定する。

例えば、ダイ−トゥ−ダイ比較方式の検査では、マスク上の２箇所のパターン、または、それ以上の箇所における対応するパターンを比較して、それらの間の差を検知する。次いで、検査装置の検査結果で得られた欠陥が含まれるセンサ像と、手本のセンサ像の両方に加えて、ＭＥＥＦが所定値以上である箇所を示すＭＥＥＦ領域画像データが、リソグラフィ・シミュレータに送られる。そして、リソグラフィ・シミュレータで、ステッパの照明条件やリソグラフィの条件を踏まえたウェハ転写像またはレジスト像が推定される。また、ダイ−トゥ−データベース比較方式の検査では、検査装置の検査結果から得られる欠陥が含まれるセンサ像と、設計パターンデータから生成した参照画像データと、ＭＥＥＦが所定値以上である箇所を示すＭＥＥＦ領域画像データとが、リソグラフィ・シミュレータに送られる。

次に、リソグラフィ・シミュレータ４００は、欠陥が含まれるセンサ像と手本のセンサ像のそれぞれから推定した画像同士を比較して欠陥判定を行う。また、ＭＥＥＦの大きい箇所についても画像を推定し、手本のセンサ像と比較して欠陥判定を行う。

図７（ａ）〜（ｄ）に欠陥の種類を例示する。（ａ）は、パターン形状の一部（点線で囲んだ部分）にくびれが生じている場合、（ｂ）は、パターンの線幅が所定の寸法Ｌより太くなっている場合、（ｃ）は、パターンが所定の位置（点線の位置）からずれている場合、（ｄ）はパターンが所定の位置（点線の位置）からずれることによって、隣のパターンに接近してしまった場合である。こうした欠陥について、参照画像データから推定したウェハ空間像またはレジスト像と、検査装置の検査結果より得られた欠陥が含まれるセンサ像から推定したウェハ空間像またはレジスト像とを比較し、判定項目が所定のしきい値を超えた場合に欠陥であると判定する。

また、ＭＥＥＦの大きい箇所について推定したウェハ空間像またはレジスト像についても、参照画像データから推定したウェハ空間像またはレジスト像と比較する。そして、同様に、判定項目が所定のしきい値を超えた場合に欠陥であると判定する。

検査装置１００とリソグラフィ・シミュレータ４００は、汎用のネットワークを介して接続することができる。例えば、ファイル転送プロトコル（ＦＴＰ）などを介してデータを送信することができる。この場合、送信に必要なデータ、例えば、ネットワークアドレス、ユーザＩＤ、ログインパスワードなどを設定しておく。これにより、リソグラフィ・シミュレータ４００による演算結果は、図６に示すように、検査装置１００に読み戻される。すると、検査装置１００は、送信された演算結果を基にウェハへの転写像に影響する度合いを判断基準として、第１の検査結果から第２の検査結果を生成する。第２の検査結果は、図１の第２の磁気ディスク装置１０９ｂに記録される。

検査装置１００は、第１の検査結果と第２の検査結果を閲覧するためのレビュー機能を有する（図６）。これにより、オペレータは、第１の検査結果と第２の検査結果を基にレビューを行う。レビューは、オペレータによって、検出された欠陥が問題となるものであるかどうかを判断する動作である。

検査装置１００は、ウェハ空間像やレジスト像を基に欠陥判定した結果をオペレータが閲覧するための画面を有することができる。第１の検査結果と第２の検査結果とが対で表示されるようにすることにより、オペレータは、検査装置の透過光学系または反射光学系で撮像されたマスクの光学画像およびこれらに対応する参照画像と、ウェハに転写される空間像またはレジスト像とを見比べることができる。ここで、マスクの光学画像には、検査装置で欠陥と判定された箇所の光学画像と、ＭＥＥＦの大きい箇所の光学画像とが含まれる。

第１の検査結果と、リソグラフィ・シミュレータによる演算結果を反映した第２の検査結果とに基づいてレビューを行うことによって、オペレータは第２の検査結果を拠り所としてレビューすべき欠陥を絞れるので、欠陥判定処理が容易となる。また、リソグラフィ・シミュレータは外部装置であるので、検査装置を場合に応じて適当なシミュレータと組み合わせることができる。すなわち、検査装置と連動するシミュレータは特定の装置に限定されることがなく、汎用性の高い装置を用いることが可能である。

本実施の形態では、マスク一枚分の検査が終わってから、そのマスク一枚分の情報をリソグラフィ・シミュレータ４００に転送することができる。また、マスク検査が一定量の進度になったら、そこまでに得られた情報を転送するようにしてもよい。あるいは、これらのいずれかを適宜選択できるようにしてもよい。尚、一定量の進度は、例えば、検査領域を短冊状領域（ストライプ）に分割してスキャン動作する際の一定のストライプ数だけ検査が済んだ都度とすることができる。また、所定の面積分の検査が済んだ都度や、欠陥検出数が一定の数を超えた都度などとすることもできる。

本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。

例えば、本実施の形態における検査装置は、１以上の他の検査装置や、複数のリソグラフィ・シミュレータ、さらには、修正装置などの他の装置とネットワークを介して接続していてもよい。マスクの製造工場で検査装置が複数台稼動している場合には、第１の検査結果を取得してこれをリソグラフィ・シミュレータに送信する検査装置と、リソグラフィ・シミュレータによる演算結果を受信して第２の検査結果を生成する検査装置とが同一とは限らない。そこで、第１の検査結果を生成する検査装置と第２の検査結果を生成する検査装置とが異なる場合には、検査装置間でイーサネット（登録商標）などのネットワークによりデータ転送して、検査結果とリソグラフィ・シミュレータによる演算結果とが活用できるようにする。

また、上記実施の形態では、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要としない部分についての記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更し得る全てのパターン検査装置またはパターン検査方法は、本発明の範囲に包含される。

１００ 検査装置
１０１ フォトマスク
１０２ ＸＹθテーブル
１０３ 光源
１０４ 拡大光学系
１０５ フォトダイオードアレイ
１０６ センサ回路
１０７ 位置回路
１０８ 比較回路
１０９ａ 第１の磁気ディスク装置
１０９ｂ 第２の磁気ディスク装置
１１０ 制御計算機
１１１、１４０、１４１ 展開回路
１１２ 参照回路
１１５ 磁気テープ装置
１１６ フレキシブルディスク装置
１１７ ＣＲＴ
１１８ パターンモニタ
１１９ プリンタ
１２０ バス
１２２ レーザ測長システム
１７０ 照明光学系
１０ ＣＡＤデータ
１２、１４ 設計中間データ
４００ リソグラフィ・シミュレータ

Claims (7)

1. 所定のパターンが形成されたマスクの光学画像データを得る光学画像データ取得部と、
   前記パターンを形成する際の基になる設計パターンデータから前記光学画像に対応する参照画像データを作成する参照画像データ作成部と、
   前記設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、前記パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する領域画像データ作成部と、
   前記領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、前記領域画像データが示す領域内の前記光学画像データと前記参照画像データとを比較して画素毎に欠陥判定する比較部と、
   前記設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）が所定値以上である箇所の画像データを作成するＭＥＥＦ領域画像データ作成部とを有することを特徴とする検査装置。
2. 所定のパターンが形成されたマスクの光学画像データを得る光学画像データ取得部と、
   前記パターンを形成する際の基になる設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、前記パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する領域画像データ作成部と、
   前記領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、前記領域画像データが示す領域内の前記光学画像データ同士を比較して画素毎に欠陥判定する比較部と、
   前記設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）が所定値以上である箇所の画像データを作成するＭＥＥＦ領域画像データ作成部とを有することを特徴とする検査装置。
3. 前記比較により欠陥と判断した箇所の光学画像データと、前記ＭＥＥＦが所定値以上である箇所の画像データとをリソグラフィ・シミュレータに出力するインターフェース部とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の検査装置。
4. 前記領域画像データと前記ＭＥＥＦ領域画像データとが重複する領域の画像データは、前記ＭＥＥＦが所定値以上であるとき、前記重要度情報における重要度の高低にかかわらず前記リソグラフィ・シミュレータに出力されることを特徴とする請求項３に記載の検査装置。
5. 前記インターフェース部は、汎用ネットワーク通信を介して前記リソグラフィ・シミュレータに接続し、前記リソグラフィ・シミュレータに対して演算開始を指示するとともに、その演算結果を読み出す機能を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の検査装置。
6. 所定のパターンが形成されたマスクの光学画像データを得る工程と、
   前記パターンを形成する際の基になる設計パターンデータから前記光学画像に対応する参照画像データを作成する工程と、
   前記設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、前記パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する工程と、
   前記領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、前記領域画像データが示す領域内の前記光学画像データと前記参照画像データとを比較して画素毎に欠陥判定する工程と、
   前記設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）が所定値以上である箇所の画像データを作成する工程とを有することを特徴とする検査方法。
7. 所定のパターンが形成されたマスクの光学画像データを得る工程と、
   前記パターンを形成する際の基になる設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、前記パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する工程と、
   前記領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、前記領域画像データが示す領域内の前記光学画像データ同士を比較して画素毎に欠陥判定する工程と、
   前記設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）が所定値以上である箇所の画像データを作成する工程とを有することを特徴とする検査方法。

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