JP2011142338A - Cppスピンバルブ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも1つの強磁性層42aを含むピンド層構造、少なくとも1つの強磁性層41を含み、ピンド層よりも磁気的に軟らかいフリー層構造、フリー層とピンド層を隔てて、フリー層構造とピンド層構造の間の磁気結合を妨げ、電流がそこを通って流れることができるように構成された薄いスペーサー層構造43、導電性が著しく異なる少なくとも2つの部分を含む少なくとも2つの磁性又は非磁性の第1及び第2の電流狭窄(CC)層構造44,44’を含み、第1のCC層44は、フリー層構造と隣接してまたはフリー層構造の内部に配置され、第2のCC層44’は、ピンド層と隣接して、または、ピンド層の内部で中央部または中央部よりフリー層構造側に配置されるCPPスピンバルブ素子。
【選択図】図6
Description
要するに、本発明は、効果的な電流の狭窄を実現するようにCC層の構造及び/又は位置が設計されたCCP−CPPスピンバルブ素子を提供する。
Free: フリー層
Pinned: ピンド層
CC-layer 2: CC層2
center of free layer: フリー層の中央
center of pinned layer: ピンド層の中央
基板上に形成されるCPPスピンバルブ素子であって:
少なくとも1つの強磁性層を含むフリー層構造;
少なくとも1つの強磁性層を含むピンド層構造、ただし、該フリー層は該ピンド層よりも磁気的に軟らかい;及び
フリー層とピンド層を隔てて、フリー層構造とピンド層構造の間の磁気結合を妨げ、電流がそこを通って流れることができるように構成された薄い非磁性スペーサー層構造;
を含み、導電性が著しく異なる少なくとも2つの部分を含む少なくとも2つの電流狭窄(CC)層構造が組み込まれていることを特徴とするCPPスピンバルブ素子。
前記ピンド層構造が:
該フリー層構造よりも保磁力が高い単一強磁性層、
反強磁性層と交換結合した強磁性層、又は
強磁性層、非磁性層、及び強磁性層を含むサンドイッチ構造で、強磁性層の1つが反強磁性層と交換結合しているもの、
のいずれかを含むことを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造が導電部分と絶縁部分のモザイク構造を含むことを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記モザイク構造が金属と酸化物を含むことを特徴とする付記3に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記金属が、Ag、Al、Au、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Nb、Ni、Pd、Pt、Si、Ta、Ti、V、Zr、及びそれらの合金から成る群から選択され、前記酸化物が、Al、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Nb、Ni、Pd、Si、Ta、Ti、V、及びZrの酸化物から成る群から選択されることを特徴とする付記4に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記モザイク構造が金属と窒化物を含むことを特徴とする付記3に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記金属が、Ag、Al、Au、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Ni、Pd、Pt、Ta、及びそれらの合金から成る群から選択され、前記窒化物が、Al、B、C、Si、及びTaの窒化物から成る群から選択されることを特徴とする付記6に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の1つが前記フリー層の内部又はその付近に位置し、前記CC層構造のもう1つが前記ピンド層構造の内部又はその付近に位置することを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記強磁性層構造の強磁性層のバルク・スピン非対称性係数βが前記強磁性層構造の強磁性層と非磁性層の間の界面・スピン非対称性係数γより大きく;前記CC層構造の少なくとも1つが前記強磁性層構造の強磁性層の内部に位置していることを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記強磁性層構造の強磁性層と非磁性層の界面・スピン非対称性係数γが前記強磁性層のバルク・スピン非対称性係数βより大きく;前記CC層構造の少なくとも1つが前記強磁性層構造の強磁性層のどちらかの側の界面に又はその付近に位置することを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記フリー層及びピン止め構造の両方のバルク・スピン非対称性係数βが界面・スピン非対称性係数γよりも大きく、前記CC層構造の少なくとも1つが前記フリー層構造の強磁性層の内部に位置し、前記CC層構造の少なくとももう1つが前記ピンド層構造の強磁性層の内部に位置することを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記両強磁性層構造の各強磁性層の間の界面・スピン非対称性係数γがバルク・スピン非対称性係数βよりも大きく、前記CC層構造の少なくとも1つが前記フリー層構造のどちらかの側の界面に又はその付近に位置し、前記CC層構造の少なくとももう1つが前記ピンド層のどちらかの側の界面に又はその付近に位置することを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の電流狭窄路の幅が、前記CC層構造を含む又はそれに隣接する前記強磁性層のナノメートルで測られる厚さの1.5乗よりも大きいことを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の電流狭窄路の幅が、前記CC層構造を含む又はそれに隣接する前記強磁性層のナノメートルで測られる厚さの1.5乗の2倍よりも大きいことを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
少なくとも1つの電流狭窄路が、フリー層の側縁を除き、フリー層の交換長さの幅を有するどの磁束路の内部にも形成されていることを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
導電部分がカスケードの形で位置している一対のCC層構造が前記フリー層構造又は前記ピンド層を挟む両側に位置し、前記フリー層構造及び前記ピンド層の少なくとも一方を通る少なくとも1つの電流路を構成する該CC層の該導電部分の層平面への射影の内側の縁と縁の距離が前記フリー層構造及び前記ピンド層の少なくとも一方の厚さよりも大きく作られていることを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
導電部分がカスケードの形で位置している一対のCC層構造が前記フリー層構造又は前記ピンド層を挟む両側に位置し、前記フリー層構造及び前記ピンド層の少なくとも一方を通る少なくとも1つの電流路の長さが、前記フリー層構造及び前記ピンド層構造の少なくとも一方におけるスピン拡散長の半分よりも大きく、スピン拡散長の3倍よりも小さいことを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記フリー層構造及び前記ピンド層構造の少なくとも一方を通る少なくとも1つの電流路の前記長さが、前記フリー層構造及び前記ピンド層構造の少なくとも一方におけるスピン拡散長よりも大きく、前記電流路のスピン拡散長の2倍よりも小さいことを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
基板上に形成されるCPPスピンバルブ素子であって:
少なくとも1つの強磁性層を含むフリー層構造;
少なくとも1つの強磁性層を含むピンド層構造、ただし、該フリー層は該ピンド層よりも磁気的に軟らかい;及び
フリー層とピンド層を隔てて、前記フリー層構造とピンド層構造の間の磁気結合を妨げ、電流がその電流狭窄路を通って流れることができるように構成された薄い非磁性の電流狭窄(CC)層構造;
を含み、前記CC層の電流狭窄路の幅が前記フリー層構造と前記ピンド層の少なくとも一方のナノメートルで測られる厚さの1.5乗よりも大きいことを特徴とするCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の電流狭窄路の幅が、前記フリー層構造及び前記ピンド層の少なくとも一方のナノメートルで測られる厚さの1.5乗の2倍よりも大きいことを特徴とする付記19に記載のCPPスピンバルブ素子。
基板上に形成されるCPPスピンバルブ素子であって:
少なくとも1つの強磁性層を含むフリー層構造;
少なくとも1つの強磁性層を含むピンド層構造、ただし、該フリー層は該ピンド層よりも磁気的に軟らかい;及び
フリー層とピンド層を隔てて、フリー層構造とピンド層構造の間の実質的な磁気結合を妨げ、電流がその電流狭窄路を通って流れることができるように構成された薄い非磁性の電流狭窄(CC)層構造;
を含み、別のCC層構造がそこに組み込まれていることを特徴とするCPPスピンバルブ素子。
前記別のCC層構造が該フリー層と該ピンド層の少なくとも一方をはさんで配置されていることを特徴とする付記21に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の該電流狭窄路の幅が前記フリー層構造と前記ピンド層の少なくとも一方のナノメートルで測られる厚さの1.5乗よりも大きいことを特徴とする付記21に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の該電流狭窄路の幅が前記フリー層構造と前記ピンド層の少なくとも一方のナノメートルで測られる厚さの1.5乗の2倍よりも大きいことを特徴とする付記21に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層の導電部分がカスケードの形に位置し、前記フリー層構造又は前記ピンド層を通る少なくとも1つの電流路を構成する該CC層の該導電部分の層平面への射影の少なくとも内側の縁と縁との距離が前記フリー層構造及び前記ピンド層の少なくとも一方の厚さよりも大きく作られていることを特徴とする付記22に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記フリー層構造及び前記ピンド層構造の少なくとも一方を通る少なくとも1つの電流路の長さが前記フリー層構造及び前記ピンド層の少なくとも一方におけるスピン拡散長の半分よりも大きく、該スピン拡散長の3倍よりも小さいことを特徴とする付記22に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記フリー層構造及び前記ピンド層構造の少なくとも一方を通る少なくとも1つの電流路の長さが前記フリー層構造及び前記ピンド層の少なくとも一方におけるスピン拡散長よりも大きく、該スピン拡散長の2倍よりも小さいことを特徴とする付記22に記載のCPPスピンバルブ素子。
基板上に形成されるCPPスピンバルブ素子であって:
少なくとも1つの強磁性層を含むフリー層構造;
少なくとも1つの強磁性層を含むピンド層構造、ただし、該フリー層は該ピンド層よりも磁気的に軟らかい;及び
該フリー層と該ピンド層を隔てて、前記フリー層構造とピンド層構造の間の実質的な磁気結合を妨げ、電流が電流狭窄路を通って流れることができるように構成された薄い非磁性導電層構造;
を含み、少なくとも1つの電流狭窄(CC)層構造がそこに組み込まれ、前記CC層構造の少なくとも1つの電流狭窄路の幅が前記フリー層構造とピンド層構造の少なくとも一方のナノメートルで測られる厚さの1.5乗よりも大きいことを特徴とするCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の少なくとも1つの電流狭窄路の幅が前記フリー層構造とピンド層構造の少なくとも一方のナノメートルで測られる厚さの1.5乗の2倍よりも大きいことを特徴とする付記28に記載のCPPスピンバルブ素子。
基板上に形成されるCPPスピンバルブ素子であって:
少なくとも1つの強磁性層を含むフリー層構造;
少なくとも1つの強磁性層を含むピンド層構造、ただし、該フリー層は該ピンド層よりも磁気的に軟らかい;及び
該フリー層と該ピンド層を隔てて、前記フリー層構造とピンド層構造の間の実質的な磁気結合を妨げ、電流が電流狭窄路を通って流れることができるように構成された薄い非磁性電流狭窄(CC)層構造;
を含み、少なくとも前記非磁性層と前記ピンド層構造が少なくとも1つの電流狭窄路を形成するCC層構造で形成されていることを特徴とするCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の少なくとも1つの電流狭窄路の幅が前記フリー層構造のナノメートルで測られる厚さの1.5乗よりも大きいことを特徴とする付記30に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の少なくとも1つの電流狭窄路の幅が前記フリー層構造のナノメートルで測られる厚さの1.5乗の2倍よりも大きいことを特徴とする付記30に記載のCPPスピンバルブ素子。
少なくとももう1つのCC層構造が前記フリー層構造をはさんで組み込まれていることを特徴とする付記30に記載のCPPスピンバルブ素子。
少なくとも前記もう1つのCC層構造が前記フリー層構造をはさんで組み込まれており、前記CC層構造の少なくとも1つの電流狭窄路の幅が前記フリー層構造のナノメートルで測られる厚さの1.5乗よりも大きいことを特徴とする付記33に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造の少なくとも1つの電流狭窄路の幅が前記フリー層構造のナノメートルで測られる厚さの1.5乗の2倍よりも大きいことを特徴とする付記33に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記フリー層構造をはさんで向き合うCC層の導電部分がカスケードの形で配置され、前記フリー層構造を通る少なくとも1つの電流路の長さを層平面へ射影したものが前記フリー層構造の厚さよりも大きくなるように作られていることを特徴とする付記33に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記フリー層構造を通る少なくとも1つの電流路の前記長さが、前記フリー層構造又は前記ピンド層構造におけるスピン拡散長の半分よりも大きく、スピン拡散長の3倍よりも小さいことを特徴とする付記33に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記フリー層構造を通る少なくとも1つの電流路の前記長さが、前記フリー層構造又は前記ピンド層構造におけるスピン拡散長よりも大きく、スピン拡散長の2倍よりも小さいことを特徴とする付記37に記載のCPPスピンバルブ素子。
前記CC層構造が、収束イオン・ビーム又は電気化学的走査プローブを用いるリソグラフィー法によって製造されることを特徴とする付記1に記載のCPPスピンバルブ素子。
142 ピンド層
143 非磁性導電層
145 導電層
146 絶縁層
Claims (14)
- 基板上に形成されるCPPスピンバルブ素子であって:
少なくとも1つの強磁性層を含むフリー層構造;
少なくとも1つの強磁性層を含むピンド層構造、ただし、該フリー層は該ピンド層よりも磁気的に軟らかい;及び
フリー層とピンド層を隔てて、フリー層構造とピンド層構造の間の磁気結合を妨げ、電流がそこを通って流れることができるように構成された薄い非磁性スペーサー層構造;
を含み、導電性が著しく異なる少なくとも2つの部分を含む少なくとも2つの電流狭窄(CC)層構造が組み込まれていることを特徴とするCPPスピンバルブ素子。 - 前記CC層構造が導電部分と絶縁部分のモザイク構造を含むことを特徴とする請求項1に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 前記モザイク構造が金属と酸化物を含むことを特徴とする請求項2に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 前記金属が、Ag、Al、Au、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Nb、Ni、Pd、Pt、Si、Ta、Ti、V、Zr、及びそれらの合金から成る群から選択され、前記酸化物が、Al、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Nb、Ni、Pd、Si、Ta、Ti、V、及びZrの酸化物から成る群から選択されることを特徴とする請求項3に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 前記CC層構造の1つが前記フリー層の内部又はその付近に位置し、前記CC層構造のもう1つが前記ピンド層構造の内部又はその付近に位置することを特徴とする請求項1に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 前記強磁性層構造の強磁性層のバルク・スピン非対称性係数βが前記強磁性層構造の強磁性層と非磁性層の間の界面・スピン非対称性係数γより大きく;前記CC層構造の少なくとも1つが前記強磁性層構造の強磁性層の内部に位置していることを特徴とする請求項1に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 前記強磁性層構造の強磁性層と非磁性層の界面・スピン非対称性係数γが前記強磁性層のバルク・スピン非対称性係数βより大きく;前記CC層構造の少なくとも1つが前記強磁性層構造の強磁性層のどちらかの側の界面に又はその付近に位置することを特徴とする請求項1に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 前記フリー層及びピン止め構造の両方のバルク・スピン非対称性係数βが界面・スピン非対称性係数γよりも大きく、前記CC層構造の少なくとも1つが前記フリー層構造の強磁性層の内部に位置し、前記CC層構造の少なくとももう1つが前記ピンド層構造の強磁性層の内部に位置することを特徴とする請求項1に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 前記両強磁性層構造の各強磁性層の間の界面・スピン非対称性係数γがバルク・スピン非対称性係数βよりも大きく、前記CC層構造の少なくとも1つが前記フリー層構造のどちらかの側の界面に又はその付近に位置し、前記CC層構造の少なくとももう1つが前記ピンド層のどちらかの側の界面に又はその付近に位置することを特徴とする請求項1に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 少なくとも1つの電流狭窄路が、フリー層の側縁を除き、フリー層の交換長さの幅を有するどの磁束路の内部にも形成されていることを特徴とする請求項1に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 基板上に形成されるCPPスピンバルブ素子であって:
少なくとも1つの強磁性層を含むフリー層構造;
少なくとも1つの強磁性層を含むピンド層構造、ただし、該フリー層は該ピンド層よりも磁気的に軟らかい;及び
フリー層とピンド層を隔てて、前記フリー層構造とピンド層構造の間の磁気結合を妨げ、電流がその電流狭窄路を通って流れることができるように構成された薄い非磁性の電流狭窄(CC)層構造;
を含み、前記CC層の電流狭窄路の幅が前記フリー層構造と前記ピンド層の少なくとも一方のナノメートルで測られる厚さの1.5乗よりも大きいことを特徴とするCPPスピンバルブ素子。 - 基板上に形成されるCPPスピンバルブ素子であって:
少なくとも1つの強磁性層を含むフリー層構造;
少なくとも1つの強磁性層を含むピンド層構造、ただし、該フリー層は該ピンド層よりも磁気的に軟らかい;及び
フリー層とピンド層を隔てて、フリー層構造とピンド層構造の間の実質的な磁気結合を妨げ、電流がその電流狭窄路を通って流れることができるように構成された薄い非磁性の電流狭窄(CC)層構造;
を含み、別のCC層構造がそこに組み込まれていることを特徴とするCPPスピンバルブ素子。 - 前記別のCC層構造が該フリー層と該ピンド層の少なくとも一方をはさんで配置されていることを特徴とする請求項12に記載のCPPスピンバルブ素子。
- 前記CC層の導電部分がカスケードの形に位置し、前記フリー層構造又は前記ピンド層を通る少なくとも1つの電流路を構成する該CC層の該導電部分の層平面への射影の少なくとも内側の縁と縁との距離が前記フリー層構造及び前記ピンド層の少なくとも一方の厚さよりも大きく作られていることを特徴とする請求項13に記載のCPPスピンバルブ素子。
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