JP2011141544A - ダークフィールド二重双極子リソグラフィ(ddl)を実行する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水平および垂直フィーチャを含む複数のフィーチャを有するターゲットパターンを識別するステップと、前記ターゲットパターンに基づいて水平マスクを作成するステップを含み、水平マスクは低コントラスト垂直フィーチャを含む。水平マスク作成は、水平マスクに含まれる低コントラスト垂直フィーチャのバイアスを最適化するステップ91と、散乱バーを水平マスクに適用するステップ93とを含む。この方法は、ターゲットパターンに基づいて垂直マスクを作成するステップをさらに含み、垂直マスクは低コントラスト水平フィーチャを含む。垂直マスク作成は、垂直マスクに含まれる低コントラスト水平フィーチャのバイアスを最適化するステップ92と、散乱バーを垂直マスクに適用するステップ94とを含む。
【選択図】図8
Description
本明細書で使用するマスクという用語は、入射する放射ビームに、基板のターゲット部分に作成すべきパターンに対応するパターン形成断面を与えるために使用し得る一般的なパターニング手段を指すものとして広義に解釈することができる。また、「ライトバルブ」という用語もこうした状況において使用することができる。古典的なマスク(透過性または反射性:バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど)以外に、他のこのようなパターニング手段の例は、以下を含む。
a)プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面がある。このような装置の基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するということである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して前記非回折光を反射ビームからフィルタで除去することができる。この方法で、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。必要なマトリクスアドレスは、適切な電子的手段を使用して実行することができる。このようなミラーアレイに関するさらなる情報は、例えば、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許第5,296,891号および第5,523,193号から集めることができる。
b)プログラマブルLCDアレイ。このような構成の例は、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許第5,229,872号にて与えられている。
式6から、強度は光酸生成および二重露光イメージングの分析の良好な近似であることが分かる。以下の検討では、照明設定が1.2NAのx双極子およびy双極子を含み、ここで、それぞれyおよびx直線偏光でσ_out=0.98、σ_in=0.53であることに留意されたい。本発明のDDLイメージングプロセスによると、図7aで印刷された同じトレンチを印刷するために、x双極子(すなわち、図7bでパス1とラベルされている)を使用して、垂直マスクのトレンチをイメージングし、その後に水平マスクを露光するy双極子(すなわち、図7bでマスク2バイアスとラベルされている)を使用して、水平方向のトレンチを解像する。図7eは、組み合わせた(すなわち、二重双極子)イメージングプロセスの結果の空間像を示す。図示のように、結果のNILSは、34%の閾値で1.83であり、これは図7aに示した単一の環状照明プロセスと比較して、NILSの約120%を表す。
−放射線の投影ビームPBを供給する放射システムEx、ILを備え、またこの特定のケースでは、放射システムは放射源LAを備え、さらに、
−マスクMA(例えば、レチクル)を保持するためにマスクホルダが設けられ、品目PLに対してマスクを正確に位置決めするために第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、
−基板W(例えば、レジストを塗布したシリコンウェーハ)を保持するために基板ホルダが設けられ、品目PLに対して基板を正確に位置決めするために第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば、1つまたは複数のダイを備える)にイメージングする投影システム(「レンズ」)PL(例えば、屈折性、光反射性、反射屈折性光学システム)とを備える。
− ステップモードでは、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が1回の作動(すなわち、1回の「フラッシュ」)でターゲット部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/またはy方向にシフトされ、異なるターゲット部分CがビームPBにより照射され得る。
− スキャンモードでは、基本的に同一シナリオが適用されるが、任意のターゲット部分Cは1回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルMTが、速度vにて所与の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えば、y方向)に運動可能であり、したがって投影ビームPBがマスクの像をスキャンする。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで、同一方向または反対方向に運動する。ここで、MはレンズPLの倍率(通常、M=1/4または1/5)である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きなターゲット部分Cを露光することができる。
Claims (15)
- ダークフィールド二重双極子イメージングプロセスで使用する相補マスクを作成する方法であって、
水平および垂直フィーチャを備えた複数のフィーチャを有するターゲットパターンを識別するステップと、
前記ターゲットパターンに基づいて低コントラストフィーチャを含む水平マスクを作成するステップであって、
前記水平マスクに含まれる前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップ、および
散乱バーを前記水平マスクに適用するステップを含む、水平マスク作成ステップと、そして、
前記ターゲットパターンに基づいて低コントラストフィーチャを含む垂直マスクを作成するステップであって、
前記垂直マスクに含まれる低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップ、および
散乱バーを前記垂直マスクに適用するステップを含む、垂直マスク作成ステップと、
を含む方法。 - 前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップが、イメージング性能に関連して予め画定された基準を最大にするように、前記水平マスクに含まれる垂直フィーチャの幅を調節するステップを含む、請求項1に記載のダークフィールド二重双極子イメージングプロセスで使用する相補マスクを作成する方法。
- 前記水平マスク作成ステップが、前記散乱バーを前記水平マスクに適用するステップの後に、前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップを再度実行するステップをさらに含む、請求項1に記載のダークフィールド二重双極子イメージングプロセスで使用する相補マスクを作成する方法。
- 前記水平マスク作成ステップが、前記水平マスク上でモデルOPCを実行するステップをさらに含む、請求項1に記載のダークフィールド二重双極子イメージングプロセスで使用する相補マスクを作成する方法。
- 前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップが、イメージング性能に関連して予め画定された基準を最大にするように、前記垂直マスクに含まれる水平フィーチャの幅を調節するステップを含む、請求項1に記載のダークフィールド二重双極子イメージングプロセスで使用する相補マスクを作成する方法。
- 前記垂直マスク作成ステップが、前記散乱バーを前記垂直マスクに適用するステップの後に、前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップを再度実行するステップをさらに含む、請求項1に記載のダークフィールド二重双極子イメージングプロセスで使用する相補マスクを作成する方法。
- 前記垂直マスク作成ステップが、前記垂直マスク上でモデルOPCを実行するステップをさらに含む、請求項1に記載のダークフィールド二重双極子イメージングプロセスで使用する相補マスクを作成する方法。
- プロセッサが実行するプログラム命令を記憶するように構成されたコンピュータ読み取り可能媒体であって、前記プログラム命令によってプロセッサが、ダークフィールド二重双極子イメージングプロセスで使用する相補マスクに対応するファイルを作成することができ、該ファイル作成が、
水平および垂直フィーチャを備えた複数のフィーチャを有するターゲットパターンを識別するステップと、
前記ターゲットパターンに基づいて低コントラストフィーチャを含む水平マスクを作成するステップであって、
前記水平マスクに含まれる前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップ、および
散乱バーを前記水平マスクに適用するステップを含む、水平マスク水平ステップと、そして、
前記ターゲットパターンに基づいて低コントラストフィーチャを含む垂直マスクを作成するステップであって、
前記垂直マスクに含まれる低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップ、および
散乱バーを前記垂直マスクに適用するステップを含む、垂直マスク作成ステップと、
を含む方法。 - 前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化する前記ステップが、イメージング性能に関連して予め画定された基準を最大にするように、前記水平マスクに含まれる垂直フィーチャの幅を調節するステップを含む、請求項8に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
- 前記水平マスク作成ステップが、前記散乱バーを前記水平マスクに適用するステップの後に、前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップを再度実行するステップをさらに含む、請求項8に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
- 前記水平マスク作成ステップが、前記水平マスク上でモデルOPCを実行するステップをさらに含む、請求項8に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
- 前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化する前記ステップが、イメージング性能に関連して予め画定された基準を最大にするように、前記垂直マスクに含まれる水平フィーチャの幅を調節するステップを含む、請求項8に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
- 前記垂直マスク作成ステップが、前記散乱バーを前記垂直マスクに適用するステップの後に、前記低コントラストフィーチャのバイアスを最適化するステップを再度実行するステップをさらに含む、請求項8に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
- 前記垂直マスク作成ステップが、前記垂直マスク上でモデルOPCを実行するステップをさらに含む、請求項8に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
- デバイス製造方法であって、
(a)放射感応性材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
(b)放射システムを使用して放射の投影ビームを提供するステップと、
(c)パターン形成手段を使用して投影ビームの断面にパターンを与えるステップと、
(d)パターン付き放射ビームを放射感応性材料の層のターゲット部分に投影するステップとを含み、
ステップ(c)のパターン形成手段が、請求項1に記載の方法を使用して作成される方法。
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