JP2011135015A - Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 - Google Patents

Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011135015A
JP2011135015A JP2009295567A JP2009295567A JP2011135015A JP 2011135015 A JP2011135015 A JP 2011135015A JP 2009295567 A JP2009295567 A JP 2009295567A JP 2009295567 A JP2009295567 A JP 2009295567A JP 2011135015 A JP2011135015 A JP 2011135015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
iii nitride
group iii
degrees
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009295567A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5201129B2 (ja
Inventor
Shinpei Takagi
慎平 高木
Yusuke Yoshizumi
祐介 善積
Koji Katayama
浩二 片山
Masanori Ueno
昌紀 上野
Takatoshi Ikegami
隆俊 池上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2009295567A priority Critical patent/JP5201129B2/ja
Priority to US12/837,269 priority patent/US8401048B2/en
Priority to KR1020127018593A priority patent/KR20120099124A/ko
Priority to CN201080059085.0A priority patent/CN102668282B/zh
Priority to EP10839088.1A priority patent/EP2518841A4/en
Priority to PCT/JP2010/070214 priority patent/WO2011077852A1/ja
Priority to TW099140581A priority patent/TW201140974A/zh
Publication of JP2011135015A publication Critical patent/JP2011135015A/ja
Priority to US13/289,507 priority patent/US8772064B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5201129B2 publication Critical patent/JP5201129B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202Cleaving
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H01S5/1085Oblique facets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3202Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
    • H01S5/320275Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth semi-polar orientation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/14Semiconductor lasers with special structural design for lasing in a specific polarisation mode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/0014Measuring characteristics or properties thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04254Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる割断面27、29が、m−n面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11は、m−n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。割断面27、29は、第1の面13aのエッジ13cから第2の面13bのエッジ13dまで延在する。割断面27、29は、支持基体裏面にスクライブ跡を有し、エピ面からの押圧により形成される。割断面27、29は、ドライエッチングにより形成されず、c面、m面又はa面等のこれまでのへき開面とは異なる。
【選択図】図1

Description

本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に関する。
特許文献1には、レーザ装置が記載されている。{0001}面から[1−100]方向に等価な方向に向かって28.1度で傾斜した面を基板の主面とすると、2次へき開面は、主面及び光共振器面の両方に対して垂直である{11−20}面となり、レーザ装置は直方体状になる。
特許文献2には、窒化物半導体装置が記載されている。へき開のための基板の裏面を研磨し総層厚を100μm程度に薄膜化する。へき開面に誘電体多層膜を堆積する。
特許文献3には、窒化物系化合物半導体素子が記載されている。窒化物系化合物半導体素子に用いる基板は、3×10cm−2以下である貫通転位密度の窒化物系化合物半導体からなり、貫通転位密度が面内で略均一である。
特許文献4には、窒化物系半導体レーザ素子が記載されている。窒化物系半導体レーザ素子では、以下のようにへき開面を形成する。半導体レーザ素子層からn型GaN基板に達するようにエッチング加工により形成された凹部に対して、n型GaN基板の共振器面のエッチング加工時に形成される凸部を避けながら、レーザスクライバを用いて、リッジ部の延びる方向と直交する方向に破線状(約40μm間隔)にスクライブ溝を形成する。そして、ウエハを、スクライブ溝の位置でへき開する。また、この際、凸部などのスクライブ溝が形成されていない領域は、隣接するスクライブ溝を起点としてへき開される。この結果、素子分離面は、それぞれ、n型GaN基板の(0001)面からなるへき開面として形成される。
特許文献5には、発光素子が記載されている。発光素子によれば、発光層における発光効率を損なうことなく、長波長の発光を容易に得ることができる。
特許文献6には、接触抵抗が低減された対向電極構造の窒化物半導体素子、が記載されている。窒化物半導体基板は第1の主面と第2の主面とを有する。窒化物半導体基板は、結晶成長面が(0001)面からなる領域を含む。窒化物半導体層は、該窒化物半導体基板の第1の主面上に積層されている。前記第2の主面の第2の領域には凹部溝を形成している。前記窒化物半導体基板の第1の主面の上部にリッジ形状のストライプを有する。へき開により共振器を作製している。
非特許文献1には、半極性(10−11)面上で、導波路をオフ方向に設けて、反応性イオンエッチング法でミラーを形成した半導体レーザが記載されている。
特開2001−230497号公報 特開2005−353690号公報 特開2007−184353号公報 特開2009−081336号公報 特開2008−235804号公報 特開2005−159278号公報
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.10 (2007) L444
窒化ガリウム系半導体のバンド構造によれば、レーザ発振可能ないくつかの遷移が存在する。発明者の知見によれば、c軸がm軸の方向に傾斜した半極性面の支持基体を用いるIII族窒化物半導体レーザ素子では、c軸及びm軸によって規定される面に沿ってレーザ導波路を延在させるとき、しきい値電流を下げることができると考えている。このレーザ導波路の向きでは、これらのうち遷移エネルギ(伝導帯エネルギと価電子帯エネルギとの差)の最も小さいモードがレーザ発振可能になり、このモードの発振が可能になるとき、しきい値電流を下げることができる。
しかしながら、このレーザ導波路の向きでは、共振器ミラーのために、c面、a面又はm面という従来のへき開面を利用することはできない。これ故に、共振器ミラーの作製のために、反応性イオンエッチング(RIE)を用いて半導体層のドライエッチング面を形成してきた。RIE法で形成された共振器ミラーは、レーザ導波路に対する垂直性、ドライエッチング面の平坦性又はイオンダメージの点で、改善が望まれている。また、現在の技術レベルにおける良好なドライエッチング面を得るためのプロセス条件の導出が大きな負担となる。
発明者が知る限りにおいて、これまで、上記の半極性面上に形成されたIII族窒化物半導体レーザ素子において、c軸の傾斜方向(オフ方向)に延在するレーザ導波路とドライエッチングを用いずに形成された共振器ミラー用端面との両方が達成されていない。
一方、c面上にIII族窒化物半導体レーザ素子の作製においては、従来のへき開面を利用して共振器ミラーを形成するとき、エピ面側の薄膜上にスクライブ溝を形成すると共に基板の裏面へのブレードの押圧によりへき開面を作製してきた。しかしながら、既に説明したように、c軸の傾斜方向(オフ方向)に延在するレーザ導波路の向きでは、従来のへき開面を利用して共振器ミラーを作製することができない。発明者らの知見によれば、c軸がm軸の方向に傾斜した半極性面の基板を用いるIII族窒化物半導体レーザ素子では、へき開面と異なる端面を共振器ミラーとして利用できる。この端面は、薄膜のエピ面側上にスクライブ溝を形成すると共に基板の裏面側への押圧により作製される。発明者らは、この方法を利用する端面を共振器ミラーとしてのより良い品質に改善することを検討してきた。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものである。本件の出願人は、光共振器のための割断面を含むIII族窒化物半導体レーザ素子に関連する特許出願(特願2009−144442号)を行っている。
本発明の目的は、六方晶系III族窒化物のc軸からm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供することにあり、またこのIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供することにある。
本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子は、(a)六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、(b)前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極とを備える。前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記レーザ構造体は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm−n面に交差する第1及び第2の割断面を含み、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第2の面と前記支持基体との間に位置し、前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、前記レーザ構造体の前記支持基体は、前記第1の割断面において前記第1の面の前記エッジの一部分に設けられた凹部を有し、該凹部は前記支持基体の裏面から延在し、該凹部の終端は前記半導体領域の前記第2の面のエッジから隔置されている。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、レーザ共振器となる第1及び第2の割断面が、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸によって規定されるm−n面に交差するので、m−n面と半極性面との交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供できる。
また、45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。
さらに、スクライブ跡に対応する凹部が支持基体の裏面から延在すると共に該凹部の終端は半導体領域の第2の面(エピ面)のエッジから隔置されている。これ故に、割断面に露出される活性層端面に良好な平坦性が提供される。また、この凹部が割断を案内しており、割断において大きな曲げモーメントが、活性層を含む半導体積層のエピ面側の半導体に生じて、このモーメント分布が割断面の品質を良好にしていると考えられる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記支持基体の厚さは400μm以下であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために好適である。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記支持基体の厚さは50μm以上100μm以下であることが更に好ましい。厚さ50μm以上であれば、ハンドリングが容易になり、生産歩留まりが向上する。100μm以下であれば、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために更に好適である。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記レーザ構造体の前記凹部は前記半導体領域に到達することができる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲であることが更に好ましい。
このIII族窒化物半導体レーザ素子では、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲では、押圧により形成される端面が、基板主面に垂直に近い面が得られる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層からのレーザ光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光している。このIII族窒化物半導体レーザ素子において、低しきい値電流を実現できるバンド遷移は偏光性を有する。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、当該III族窒化物半導体レーザ素子におけるLEDモードにおける光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光成分I1と、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向に偏光成分I2を含み、前記偏光成分I1は前記偏光成分I2よりも大きい。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、LEDモードにおいて大きな発光強度のモードの光を、レーザ共振器を用いてレーザ発振させることができる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記半極性主面は、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかであることが好ましい。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、これら典型的な半極性面において、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の第1及び第2の端面を提供できる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記半極性主面は、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかの半極性面から、m面方向に−4度以上+4度以下の範囲の微傾斜を有する面も前記主面として好適である。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、これら典型的な半極性面からの微傾斜面において、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の第1及び第2の端面を提供できる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記支持基体の積層欠陥密度は1×10cm−1以下であることが好ましい。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、積層欠陥密度が1×10cm−1以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び/又は垂直性が乱れる可能性が低い。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記支持基体は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な第1及び第2の端面を得ることができる。AlN基板又はAlGaN基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、また低屈折率により光閉じ込めを強化できる。InGaN基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記第1及び第2の割断面の少なくともいずれか一方に設けられた誘電体多層膜を更に備えることができる。
このIII族窒化物半導体レーザ素子においても、破断面にも端面コートを適用できる。端面コートにより反射率を調整できる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子は、半極性面の利用により、LEDモードの偏光を有効に利用したIII族窒化物半導体レーザ素子を得ることができ、低しきい値電流を得ることができる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層は、波長430nm以上550nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことが更に好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子は、半極性面の利用により、ピエゾ電界の低減と発光層領域の結晶品質向上によって量子効率を向上させることが可能となり、波長430nm以上550nm以下の光の発生に好適である。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、前記半導体領域の前記活性層における端面と前記六方晶系窒化物半導体からなる支持基体のm軸に直交する基準面との成す角度は、前記III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲の角度を成す。
このIII族窒化物半導体レーザ素子は、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度に関して、上記の垂直性を満たす端面を有する。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記角度は、前記第1平面及び前記法線軸に直交する第2平面において−5度以上+5度以下の範囲であることが好ましい。
このIII族窒化物半導体レーザ素子は、半極性面の法線軸に垂直な面において規定される角度に関して、上記の垂直性を満たす端面を有する。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記電極は所定の軸の方向に延在しており、前記第1及び第2の割断面は前記所定の軸に交差する。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記レーザ構造体は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のための一対の側面を有し、前記凹部は、前記一対の側面における前記一端に位置することができる。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、凹部はスクライブ跡でありこの凹部が一対の側面における一端に位置するので、レーザ構造体におけるレーザストライプがスクライブ線から隔置される。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記レーザ構造体は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のための一対の側面を有し、前記凹部は、前記一対の側面における前記一端に位置しており、前記レーザ構造体の前記支持基体は、前記凹部から隔置された別の凹部を有し、該別の凹部は前記支持基体の裏面から延在し、該別の凹部は前記第1及び第2の割断面のいずれか一方において前記第1の面の前記エッジの一部分に設けられ、該別の凹部の終端は前記半導体領域の前記第2の面から隔置されていることができる。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、別の凹部及び凹部がそれぞれ第1及び第2の割断面に設けられるとき、レーザ構造体におけるレーザストライプのための第1及び第2の割断面の近くにそれぞれスクライブ溝を設けることができる。これ故に、これらの割断面は、共振器ミラーのためのより高品質な端面をレーザストライプに提供できる。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、別の凹部及び凹部が第1の割断面に設けられるとき、レーザ構造体におけるレーザストライプのための割断面が2つのスクライブ溝によって規定される。これ故に、この割断面は、共振器ミラーのためのより高品質な端面をレーザストライプに提供できる。
本発明の別の側面は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る。この方法は、(a)六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板を準備する工程と、(b)前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、アノード電極、及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、(c)前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に前記基板生産物の第1の面を部分的にスクライブする工程と、(d)前記基板生産物の第2の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第2の面と前記基板との間に位置し、前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面まで延在し前記分離により形成された
第1及び第2の端面を有し、前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、前記アノード電極及びカソード電極は、前記レーザ構造体上に形成され、前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記第1及び第2の端面は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm−n面に交差する。
この方法によれば、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に基板生産物の第1の面をスクライブした後に、基板生産物の第2の面への押圧により基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する。これ故に、六方晶系III族窒化物半導体のm軸と法線軸とによって規定されるm−n面に交差するように、レーザバーに第1及び第2の端面が形成される。この端面形成によれば、第1及び第2の端面に当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い共振ミラー面が提供される。
また、この方法では、45度未満及び135度を越える角度ALPHAでは、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られない。レーザ導波路は、六方晶系III族窒化物のc軸の傾斜の方向に延在しており、このレーザ導波路を提供できる共振器ミラー端面をドライエッチング面を用いずに形成している。
スクライブ溝がレーザバーにおける端面生成を案内しており、端面生成のための押圧による曲げモーメントが、活性層を含む半導体積層のエピ面側の半導体に生じる。この曲げモーメントは、押圧による破断が生じる面の近傍で極大を示す。押圧によりレーザバーに第1及び第2の端面が形成される。この大きな曲げモーメントが、これらの端面に露出される活性層端面に良好な平坦性が提供するために好適である。基板生産物の分離により、スクライブ溝は、レーザバーにスクライブ跡として残される。
本発明に係る方法では、前記基板生産物を形成する前記工程において、前記基板は、前記基板の厚さが400μm以下になるようにスライス又は研削といった加工が施され、前記第1の面は前記加工により形成された加工面であることができる。もしくは、前記加工面上に形成された電極を含む面であることができる。
本発明に係る方法では、前記基板生産物を形成する前記工程において、前記基板は、前記基板の厚さが50μm以上100μm以下になるように研磨され、前記第1の面は前記研磨により形成された研磨面であることができる。もしくは、前記研磨面上に形成された電極を含む面であることができる。
このような厚さの基板では、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い第1及び第2の端面を歩留まりよく形成できる。
本発明に係る方法では、更に好ましくは前記角度ALPHAは、63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲であることができる。63度未満及び117度を越える角度では、押圧により形成される端面の一部に、m面が出現する可能性がある。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られない。
本発明に係る方法では、前記半極性主面は、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかであることが好ましい。
これら典型的な半極性面においても、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い第1及び第2の端面を提供できる。
本発明に係る方法では、前記半極性主面は、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかの半極性面から、m面方向に−4度以上+4度以下の範囲の微傾斜を有する面も前記主面として好適である。
これら典型的な半極性面からの微傾斜面においても、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い第1及び第2の端面を提供できる。
本発明に係る方法では、前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブによりスクライブ溝が形成され、前記スクライブ溝の長さは、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び前記法線軸によって規定されるa−n面と前記第1の面との交差線の長さよりも短い。
この方法によれば、基板生産物の割断により、別の基板生産物及びレーザバーが形成される。この割断は、レーザバーの割断線に比べて短いスクライブ溝を用いて引き起こされる。
本発明に係る方法では、前記第1及び第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記六方晶系窒化物半導体からなる支持基体のm軸に直交する基準面に対して、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される平面において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲の角度を成すことができる。
この方法によれば、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度に関して、上記の垂直性を有する端面を形成できる。
本発明に係る方法では、前記基板は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。この方法によれば、これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な第1及び第2の端面を得ることができる。
本発明に係る方法では、前記基板生産物をスクライブする工程では、前記III族窒化物半導体レーザ素子の素子幅に等しいピッチでスクライブ溝を形成することができる。当該方法は、前記レーザバーの分離を行ってIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する工程を更に備えることができる。前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記レーザ構造体は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のための一対の側面を有する。この方法によれば、素子幅に等しいピッチで形成されたスクライブ溝を用いて、レーザバーを作製できる。素子幅に等しいピッチで配列されるスクライブ溝は割断の進行の向きを案内する。スクライブ溝は、これらのスクライブ溝間に位置するレーザストライプの端面の品質を良好にできる。
本発明に係る方法では、前記基板生産物をスクライブする工程では、前記III族窒化物半導体レーザ素子の素子幅の複数倍の値に等しいピッチでスクライブ溝を形成することができる。当該方法は、前記レーザバーの分離を行ってIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する工程を更に備えることができる。前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記レーザ構造体は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のための一対の側面を有する。この方法によれば、素子幅の複数倍の値に等しいピッチで形成されたスクライブ溝を用いて、レーザバーを作製できる。
本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子は、(a)六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面及び裏面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、(b)前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極とを備える。前記半導体領域は、第1導電型のクラッド層と、第2導電型のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1導電型のクラッド層、前記第2導電型のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第2の面と前記支持基体との間に位置し、前記レーザ構造体の前記支持基体は、前記レーザ構造体の端部において前記第1の面のエッジの一端及び他端にそれぞれ設けられた第1及び第2のスクライブ跡を有し、前記第1及び第2のスクライブ跡は、前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸とによって規定される平面に沿って延在し、前記第1及び第2のスクライブ跡は前記支持基体の前記裏面から延在し、前記レーザ構造体の前記端部は、前記第1及び第2のスクライブ跡の前記エッジ及び前記レーザ構造体の前記第2の面の前記エッジを繋ぐ割断面を有し、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記割断面を含む。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸によって規定されるm−n面に交差するので、m−n面と半極性面との交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供できる。また、45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。
第1及び第2のスクライブ跡がレーザ構造体の端部に設けられる。第1及び第2のスクライブ跡は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び法線軸によって規定されるa−n面に沿って配列されている。第1及び第2のスクライブ跡の配列は、レーザ共振器のための割断面の生成を案内できるので、割断面はスクライブ跡のエッジとレーザ構造体の第2の面のエッジを繋ぐように設けられ、この結果、割断面に露出される活性層端面に良好な平坦性が提供される。
スクライブ跡が支持基体の裏面から延在しており、割断において大きな曲げモーメントが、活性層を含む半導体積層のエピ面側の半導体に生じて、このモーメント分布が割断面の品質を良好にしている。
本発明の別の側面は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る。この方法は、(a)六方晶系III族窒化物半導体から基板と前記基板の半極性主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体、並びに前記レーザ構造体上に形成されたアノード電極及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、(b)前記基板生産物の第1の面をスクライブして、複数のスクライブ溝の配列を形成する工程と、(c)前記基板生産物の第2の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記半導体領域は、第1導電型のクラッド層と、第2導電型のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1導電型のクラッド層、前記第2導電型のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第2の面と前記基板との間に位置し、前記スクライブ溝の各々は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸と前記法線軸とによって規定される平面に沿って延在し、前記レーザバーは、前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する。
この方法によれば、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に基板生産物の第1の面をスクライブした後に、基板生産物の第2の面への押圧により基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する。これ故に、六方晶系III族窒化物半導体のm軸と法線軸とによって規定されるm−n面に交差するように、レーザバーに第1及び第2の端面が形成される。この端面形成によれば、第1及び第2の端面に当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い共振ミラー面が提供される。
また、この方法では、45度未満及び135度を越える角度ALPHAでは、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られない。レーザ導波路は、六方晶系III族窒化物のc軸の傾斜の方向に延在しており、このレーザ導波路を提供できる共振器ミラー端面をドライエッチング面を用いずに形成している。
スクライブ溝が、深さ方向及び長さ方向に関してa−n面に沿って形成される。このスクライブ溝の配列が、レーザバーにおける端面生成を案内しており、端面生成のための押圧による曲げモーメントが、活性層を含む半導体積層のエピ面側の半導体に生じる。この曲げモーメントは、押圧による破断が生じる面の近傍で極大を示す。押圧によりレーザバーに第1及び第2の端面が形成される。この大きな曲げモーメントが、これらの端面に露出される活性層端面に良好な平坦性が提供するために好適である。基板生産物の分離により、スクライブ溝は、レーザバーにスクライブ跡として残される。
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
以上説明したように、本発明によれば、六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される、また、本発明によれば、このIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法が提供される。
図1は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。 図2は、III族窒化物半導体レーザ素子における活性層におけるバンド構造を示す図面である。 図3は、III族窒化物半導体レーザ素子の活性層における発光の偏光を示す図面である。 図4は、III族窒化物半導体レーザ素子の端面と活性層のm面との関係を示す図面である。 図5は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す工程フロー図である。 図6は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を模式的に示す図面である。 図7は、共振器端面の走査型電子顕微鏡像を示すと共に、割断面におけるスクライブ跡を示す図面である。 図8は、割断のための支持装置においてブレードを当てた基板生産物及びその曲げモーメントの分布を示す図面である。 図9は、支持装置において割断されている基板生産物を模式的に示す図面である。 図10は、スクライブ溝のピッチと半導体レーザにおけるスクライブ跡との関係の一例を示す図面である。 図11は、スクライブ溝のピッチと半導体レーザにおけるスクライブ跡との関係の別の例を示す図面である。 図12は、スクライブ溝のピッチと半導体レーザにおけるスクライブ跡との関係の更なる別の例を示す図面である。 図13は、実施例1に示されたレーザーダイオードの構造を示す図面である。 図14は、結晶格子における{20−21}面を示すと共に、共振器のためのa面端面を示す図面である。 図15は、求めた偏光度ρとしきい値電流密度の関係を示す図面である。 図16は、GaN基板のm軸方向へのc軸の傾斜角と発振歩留まりとの関係を示す図面である。 図17は、積層欠陥密度と発振歩留まりとの関係を示す図面である。 図18は、基板厚みと発振歩留まりとの関係を示す図面である。 図19は、(20−21)面と他の面方位(指数)との成す角度を示す図面である。 図20は、(20−21)面と(−101−6)面及び(−1016)面における原子配置を示す図面である。 図21は、(20−21)面と(−101−7)面及び(−1017)面における原子配置を示す図面である。 図22は、(20−21)面と(−101−8)面及び(−1018)面における原子配置を示す図面である。
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のIII族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
図1は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、利得ガイド型の構造を有するけれども、本発明の実施の形態は、利得ガイド型の構造に限定されるものではない。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13及び電極15を備える。レーザ構造体13は、支持基体17及び半導体領域19を含む。支持基体17は、六方晶系III族窒化物半導体からなり、また半極性主面17a及び裏面17bを有する。半導体領域19は、支持基体17の半極性主面17a上に設けられている。電極15は、レーザ構造体13の半導体領域19上に設けられる。半導体領域19は、第1のクラッド層21と、第2のクラッド層23と、活性層25とを含む。第1のクラッド層21は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなる。第2のクラッド層23は、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばp型AlGaN、p型InAlGaN等からなる。活性層25は、第1のクラッド層21と第2のクラッド層23との間に設けられる。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、井戸層25a及び障壁層25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことができる。半極性面の利用により、波長430nm以上550nm以下の光の発生に好適である。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、半極性主面17aの法線軸NXに沿って配列されている。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ構造体13は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm−n面に交差する第1の割断面27及び第2の割断面29を含む。
図1を参照すると、直交座標系S及び結晶座標系CRが描かれている。法線軸NXは、直交座標系SのZ軸の方向に向く。半極性主面17aは、直交座標系SのX軸及びY軸により規定される所定の平面に平行に延在する。また、図1には、代表的なc面Scが描かれている。支持基体17の六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に法線軸NXに対して有限な角度ALPHAで傾斜している。
III族窒化物半導体レーザ素子11は、絶縁膜31を更に備える。絶縁膜31はレーザ構造体13の半導体領域19の表面19aを覆っており、半導体領域19は絶縁膜31と支持基体17との間に位置する。支持基体17は六方晶系III族窒化物半導体からなる。絶縁膜31は開口31aを有し、開口31aは半導体領域19の表面19aと上記のm−n面との交差線LIXの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。電極15は、開口31aを介して半導体領域19の表面19a(例えば第2導電型のコンタクト層33)に接触を成しており、上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路は、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25を含み、また上記の交差線LIXの方向に延在する。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1の割断面27及び第2の割断面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm−n面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器は第1及び第2の割断面27、29を含み、第1の割断面27及び第2の割断面29の一方から他方に、レーザ導波路が延在している。レーザ構造体13は第1の面13a及び第2の面13bを含み、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。半導体領域10は第2の面13bと支持基体17との間に設けられる。第1及び第2の割断面27、29は、第1の面13aのエッジ13cから第2の面13bのエッジ13dまで延在する。第1及び第2の割断面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。
このIII族窒化物半導体レーザ素子11によれば、レーザ共振器を構成する第1及び第2の割断面27、29がm−n面に交差する。これ故に、m−n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。
レーザ構造体13の支持基体17は、一方の割断面(例えば第1の割断面27)に設けられた凹部を有する。図1には、例示としての形状を有する凹部30が表されている。凹部30は支持基体17の裏面17bから延在する。凹部30は、第1の面13aのエッジ13cの一部分に設けられる。そして、凹部30の終端30aは第2の面13bのエッジ13dから隔置されている。凹部30は、割断前のスクライブ溝に対応しており、これ故にスクライブ跡である。
このように支持基体の裏面にスクライブ跡が設けられているので、スクライブ溝は基板裏面に設けられる。基板裏面と反対側の薄膜側へのブレードの押圧によりブレイクを引き起こすことが可能になる。このように設けられる光共振器のための端面は、割断面としての優れた平坦性、垂直性を有する。このような共振器ミラーは、半極性面上の半導体レーザに高い発振歩留まりを提供可能となる。
凹部30はスクライブ溝に関連するので、共振器のための割断面をレーザ構造体13に提供するために、スクライブ溝は、割断が進行する向きをガイドするために役立つ。また、スクライブ溝が基板(支持基体17)の裏面に形成されると共にレーザ構造体13の第2の面13bに押圧が行われる。割断は、スクライブ溝を起点として第1の面13aから第2の面13bへの方向に進行すると共に、これに交差する方向にも進行する。
また、割断のための押圧力による曲げモーメントが、第2の面(エピ面)13bの表層において変化しており、この曲げモーメントの値は、割断のための押圧力を加えたとき、スクライブ溝の配列方向によって規定される平面又はラインで最大となると考えられる。大きな曲げモーメントが、優れた共振器ミラーを形成するために役立つひとつであると考えられる。
さらに、凹部30は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び法線軸NXによって規定されるa−n面に沿って延在する。これ故に、より優れた平坦性が、割断面27に露出される活性層端面に提供される。凹部30が支持基体17の裏面17bから延在すると共に該凹部30の終端30aが第2の面(エピ面)13bのエッジ13dから隔置されている。
凹部30の側縁30bが、III族窒化物半導体レーザ素子11の側面20aに沿って延在する。この側縁30bは、絶縁膜31の開口31a及び活性層25の発光領域を通過すると共に法線軸NXの方向に規定される基準面から隔置されている。
第2の面13bのエッジ13dは、レーザ構造体13の一対の側面(20a、20b)の一方(例えば側面20a)における一端から他方(例えば側面20b)における他端まで延在する。エピ面のエッジにはスクライブ跡がない。または、エッジ13cは、一対の側面(20a、20b)の一方(例えば側面20a)における一端から側縁30bまで延在する。凹部30は、側面20bからa−n面に沿って延在する。凹部30は側面20aにおける一端に位置する。
本実施例では、レーザ構造体13の支持基体17は、他方の割断面(例えば第2の割断面29)に設けられスクライブ溝に対応する凹部32を有することができる。凹部32は、例えばIII族窒化物半導体レーザ素子11の側面20aに沿って延在する。凹部32も凹部30と同様にスクライブ跡を含む。凹部32も、例えば凹部30と同様の形状を有することができる。凹部32も、凹部30と同様にa−n面に沿って延在する。
スクライブ溝は、割断が進行する向きをガイドするために役立つ。例えば支持基体17の厚さがスクライブ溝の深さに比べて薄い場合には、凹部30、32は半導体領域19に到達することがある。
III族窒化物半導体レーザ素子11は、n側光ガイド層35及びp側光ガイド層37を含む。n側光ガイド層35は、第1の部分35a及び第2の部分35bを含み、n側光ガイド層35は例えばGaN、InGaN等からなる。p側光ガイド層37は、第1の部分37a及び第2の部分37bを含み、p側光ガイド層37は例えばGaN、InGaN等からなる。キャリアブロック層39は、例えば第1の部分37aと第2の部分37bとの間に設けられる。支持基体17の裏面17bには別の電極41が設けられ、電極41は例えば支持基体17の裏面17bを覆っている。
図2は、III族窒化物半導体レーザ素子における活性層におけるバンド構造を示す図面である。図3は、III族窒化物半導体レーザ素子11の活性層25における発光の偏光を示す図面である。図4は、c軸及びm軸によって規定される断面を模式的に示す図面である。図2(a)を参照すると、バンド構造BANDのΓ点近傍では、伝導帯と価電子帯との間の可能な遷移は、3つある。Aバンド及びBバンドは比較的小さいエネルギ差である。伝導帯とAバンドとの遷移Eaによる発光はa軸方向に偏光しており、伝導帯とBバンドとの遷移Ebによる発光はc軸を主面に投影した方向に偏光している。レーザ発振に関して、遷移Eaのしきい値は遷移Ebのしきい値よりも小さい。
図2(b)を参照すると、III族窒化物半導体レーザ素子11におけるLEDモードにおける光のスペクトルが示されている。LEDモードにおける光は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向の偏光成分I1と、六方晶系III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向の偏光成分I2を含み、偏光成分I1は偏光成分I2よりも大きい。偏光度ρは
(I1−I2)/(I1+I2)
によって規定される。このIII族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を用いて、LEDモードにおいて大きな発光強度のモードの光をレーザ発振させることができる。
図3に示されるように、第1及び第2の割断面27、29の少なくとも一方、又はそれぞれに設けられた誘電体多層膜43a、43bを更に備えることができる。破断面27、29にも端面コートを適用できる。端面コートにより反射率を調整できる。
図3(b)に示されるように、活性層25からのレーザ光Lは六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光している。このIII族窒化物半導体レーザ素子11において、低しきい値電流を実現できるバンド遷移は偏光性を有する。レーザ共振器のための第1及び第2の割断面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。しかしながら、第1及び第2の割断面27、29は共振器のための,ミラーとしての平坦性、垂直性を有する。これ故に、第1及び第2の割断面27、29とこれらの割断面27、29間に延在するレーザ導波路とを用いて、図3(b)に示されるように、c軸を主面に投影した方向に偏光する遷移Ebの発光よりも強い遷移Eaの発光を利用して低しきい値のレーザ発振が可能になる。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1及び第2の割断面27、29の各々には、支持基体17の端面17c及び半導体領域19の端面19cが現れており、端面17c及び端面19cは誘電体多層膜43aで覆われている。支持基体17の端面17c及び活性層25における端面25cの法線ベクトルNAと活性層25のm軸ベクトルMAとの成す角度BETAは、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面S1において規定される成分(BETA)と、第1平面S1(理解を容易にするために図示しないが「S1」として参照する)及び法線軸NXに直交する第2平面S2(理解を容易にするために図示しないが「S2」として参照する)において規定される成分(BETA)とによって規定される。成分(BETA)は、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面S1において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲であることが好ましい。この角度範囲は、図4において、代表的なm面Sと参照面Fとの成す角度として示されている。代表的なm面Sが、理解を容易にするために、図4において、レーザ構造体の内側から外側にわたって描かれている。参照面Fは、活性層25の端面25cに沿って延在する。このIII族窒化物半導体レーザ素子11は、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度BETAに関して、上記の垂直性を満たす端面を有する。また、成分(BETA)は第2平面S2において−5度以上+5度以下の範囲であることが好ましい。ここで、BETA=(BETA) +(BETA) である。このとき、III族窒化物半導体レーザ素子11の端面27、29は、半極性面17aの法線軸NXに垂直な面において規定される角度に関して上記の垂直性を満たす。
再び図1を参照すると、III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは400μm以下であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために好適である。III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは50μm以上100μm以下であることが更に好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために更に好適である。また、ハンドリングが容易になり、生産歩留まりを向上させることができる。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度ALPHAは45度以上であることが好ましく、また80度以下であることが好ましい。また、角度ALPHAは100度以上であることが好ましく、また135度以下であることが好ましい。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、更に好ましくは、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度ALPHAは63度以上であることが好ましく、また80度以下であることが好ましい。また、角度ALPHAは100度以上であることが好ましく、また117度以下であることが好ましい。63度未満及び117度を越える角度では、押圧により形成される端面の一部に、m面が出現する可能性がある。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。
半極性主面17aは、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかであることができる。更に、これらの面から−4度以上+4度以下の範囲で微傾斜した面も前記主面として好適である。これら典型的な半極性面17aにおいて、当該III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の第1及び第2の端面27、29を提供できる。また、これらの典型的な面方位にわたる角度の範囲において、十分な平坦性及び垂直性を示す端面が得られる。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の積層欠陥密度は1×10cm−1以下であることができる。積層欠陥密度が1×10cm−1以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び/又は垂直性が乱れる可能性が低い。また、支持基体17は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な端面27、29を得ることができる。AlN又はAlGaN基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、また低屈折率により光閉じ込めを強化できる。InGaN基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。
図5は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。図6(a)を参照すると、基板51が示されている。工程S101では、III族窒化物半導体レーザ素子の作製のための基板51を準備する。基板51の六方晶系III族窒化物半導体のc軸(ベクトルVC)は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸方向(ベクトルVM)に法線軸NXに対して有限な角度ALPHAで傾斜している。これ故に、基板51は、六方晶系III族窒化物半導体からなる半極性主面51aを有する。
工程S102では、基板生産物SPを形成する。図6(a)では、基板生産物SPはほぼ円板形の部材として描かれているけれども、基板生産物SPの形状はこれに限定されるものではない。基板生産物SPを得るために、まず、工程S103では、レーザ構造体55を形成する。レーザ構造体55は、半導体領域53及び基板51とを含んでおり、工程S103では、半導体領域53は半極性主面51a上に形成される。半導体領域53を形成するために、半極性主面51a上に、第1導電型の窒化ガリウム系半導体領域57、発光層59、及び第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61を順に成長する。窒化ガリウム系半導体領域57は例えばn型クラッド層を含み、窒化ガリウム系半導体領域61は例えばp型クラッド層を含むことができる。発光層59は窒化ガリウム系半導体領域57と窒化ガリウム系半導体領域61との間に設けられ、また活性層、光ガイド層及び電子ブロック層等を含むことができる。窒化ガリウム系半導体領域57、発光層59、及び第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61は、半極性主面51aの法線軸NXに沿って配列されている。これらの半導体層はエピタキシャル成長される。半導体領域53上は、絶縁膜54で覆われている。絶縁膜54は例えばシリコン酸化物からなる。絶縁膜54の開口54aを有する。開口54aは例えばストライプ形状を成す。
工程S104では、レーザ構造体55上に、アノード電極58a及びカソード電極58bが形成される。また、基板51の裏面に電極を形成する前に、結晶成長に用いた基板の裏面を研磨して、所望の厚さDSUBの基板生産物SPを形成する。電極の形成では、例えばアノード電極58aが半導体領域53上に形成されると共に、カソード電極58bが基板51の裏面(研磨面)51b上に形成される。アノード電極58aはX軸方向に延在し、カソード電極58bは裏面51bの全面を覆っている。これらの工程により、基板生産物SPが形成される。基板生産物SPは、第1の面63aと、これに反対側に位置する第2の面63bとを含む。半導体領域53は第2の面63bと基板51との間に位置する。
工程S105では、図6(b)に示されるように、基板生産物SPの第1の面63aをスクライブする。このスクライブは、レーザスクライバ10aを用いて行われる。この工程S105において、スクライブによりスクライブ溝65aが形成される。図6(b)では、5つのスクライブ溝が既に形成されており、レーザビームLBを用いてスクライブ溝65bの形成が進められている。スクライブ溝65aの長さは、六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び法線軸NXによって規定されるa−n面と第1の面63aとの交差線AISの長さよりも短く、交差線AISの一部分にレーザビームLBの照射が行われる。レーザビームLBの照射により、特定の方向に延在し半導体領域に到達する溝が第1の面63aに形成される。このスクライブ溝65aは例えば基板生産物SPの一エッジに形成されることができる。また、交差線AISに沿って配列された複数のスクライブ溝を形成することができる。個々のスクライブ溝の形成のために、第1の面63aにほぼ垂直にレーザビームLBが入射するように、工程S105では、第1の面63aに対してレーザビームLBの軸を調整することを行うことがよい。レーザビームLBの軸ずれの範囲は、例えば第1の面63aの法線軸に対して−5度以上+5度以下であることができる。
スクライブ溝65aは、割断が進行する向きをガイドするために役立つ。スクライブ溝65aは、深さ(Z軸方向の値)、幅(X軸方向の値)及び長さ(Y軸方向の値)を有しており、また、深さ及び長さ方向に関してa−n面に沿って延在する。共振器のための割断面をレーザ構造体55に提供するために、スクライブ溝65aは、割断が進行する向きをガイドするために役立ち、また基板(支持基体17)51の裏面51aに形成されると共にレーザ構造体55の第2の面63bに押圧が行われる。割断は、スクライブ溝65aを起点として第1の面63aから第2の面63bへの方向に進行すると共に、これに交差する方向にも進行する。
割断のための押圧力による曲げモーメントが、第2の面(エピ面)63bの表層において分布しており、この曲げモーメントの分布が、スクライブ溝65aの配列方向を規定する平面又はラインで最大となると考えられ、この平面又はラインに合わせて割断のための押圧力を加えることが好適である。大きな曲げモーメントが、優れた共振器ミラーを形成するために役立つひとつであると考えられる。
工程S106では、図6(c)に示されるように、基板生産物SPの第2の面63bへの押圧により基板生産物SPの分離を行って、基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。押圧は、例えばブレード69といったブレイキング装置を用いて行われる。ブレード69は、一方向に延在するエッジ69aと、エッジ69aを規定する少なくとも2つのブレード面69b、69cを含む。また、基板生産物SP1の押圧は支持装置70上において行われる。支持装置70は、支持面70aと凹部70bとを含み、凹部70bは一方向に延在する。凹部70bは、支持面70aに形成されている。基板生産物SP1のスクライブ溝65aの向き及び位置を支持装置70の凹部70bの延在方向に合わせて、基板生産物SP1を支持装置70上において凹部70bに位置決めする。凹部70bの延在方向にブレイキング装置のエッジの向きを合わせて、第2の面63bに交差する方向からブレイキング装置のエッジを基板生産物SP1に押し当てる。交差方向は好ましくは第2の面63bにほぼ垂直方向である。これによって、基板生産物SPの分離を行って、基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。押し当てにより、第1及び第2の端面67a、67bを有するレーザバーLB1が形成され、これらの端面67a、67bは少なくとも発光層の一部は半導体レーザの共振ミラーに適用可能な程度の垂直性及び平坦性を有する。
割断が進行する向きをガイドするように、スクライブ溝の配列が基板51の裏面51bに形成されると共に、レーザ構造体55の第2の面63bに押圧が行われる。割断は、スクライブ溝を起点として第1の面63aから第2の面63bへの方向(例えばZ軸方向)に進行すると共に、これに交差する方向(例えばY軸方向)にも進行する。
基板生産物SP1をスクライブする工程では、III族窒化物半導体レーザ素子の素子幅に等しいピッチでスクライブ溝を形成することができる。素子幅のピッチでスクライブ溝が形成されているので、Y軸方向の割断に進行において、素子毎の距離で割断の案内が行われる。これ故に、確実な案内が割断の生成方向に関して期待できる。素子幅に等しいピッチで配列されるスクライブ溝は割断の進行の向きを案内する。この配列は、これらのスクライブ溝間に位置するレーザストライプの端面の品質を良好にできる。
或いは、基板生産物SP1をスクライブする工程では、III族窒化物半導体レーザ素子の素子幅の複数倍の値に等しいピッチでスクライブ溝を形成することができる。例えば素子幅の2倍の値に等しいピッチでスクライブ溝を形成するとき、Y軸方向の割断の進行において割断の案内が行われる。これ故に、良好な案内が割断の進行において期待できる。素子幅の二倍の値に等しいピッチで配列されるスクライブ溝は割断の進行の向きを案内する。この配列は、これらのスクライブ溝間に位置する2つレーザストライプの端面の品質を良好にできる。
a軸及び法線軸により規定される平面に沿って基板裏面にスクライブ溝及びその配列を形成すると共に薄膜側へのブレードの押圧によりブレイクするとき、優れた平坦性及び垂直性を有する共振器ミラーを作製することができ、半極性面上の半導体レーザの発振歩留まりを向上させることが可能となる。
形成されたレーザバーLB1は、上記の分離により形成された第1及び第2の端面67a、67bを有し、端面67a、67bの各々は、第1の面63aから第2の面63bにまで延在する。これ故に、端面67a、67bは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、XZ面に交差する。このXZ面は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm−n面に対応する。
この方法によれば、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に基板生産物SPの第1の面63aをスクライブした後に、基板生産物SPの第2の面63bへの押圧により基板生産物SPの分離を行って、新たな基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。これ故に、m−n面に交差するように、レーザバーLB1に第1及び第2の端面67a、67bが形成される。この端面形成によれば、第1及び第2の端面67a、67bに当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性が提供される。
また、この方法では、形成されたレーザ導波路は、六方晶系III族窒化物のc軸の傾斜の方向に延在している。ドライエッチング面を用いずに、このレーザ導波路を提供できる共振器ミラー端面を形成している。
この方法によれば、基板生産物SP1の割断により、新たな基板生産物SP1及びレーザバーLB1が形成される。工程S107では、押圧による分離を繰り返して、多数のレーザバーを作製する。この割断は、レーザバーLB1の割断線BREAKに比べて短いスクライブ溝65aを用いて引き起こされる。
工程S108では、レーザバーLB1の端面67a、67bに誘電体多層膜を形成して、レーザバー生産物を形成する。工程S109では、このレーザバー生産物を個々の半導体レーザのチップに分離する。半導体レーザのチップには、当該半導体レーザのための一対の側面が形成される。
レーザバーLB1又はレーザバー生産物の分離を行ってIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する。基板生産物SPをスクライブする際にIII族窒化物半導体レーザ素子の素子幅に等しいピッチでスクライブ溝を形成したとき、スクライブ溝の位置は、レーザバーにおける分離の位置に位置合わせされることができる。半導体レーザのための一対の側面がスクライブ溝の位置に合うように、レーザバーLB1又はレーザバー生産物の分離が行われる。レーザストライプを半導体レーザのための一対の側面から離すことができ、またスクライブ溝(スクライブ跡)の位置をレーザストライプから離すことができる。
既に説明したように、基板生産物SPをスクライブする際にIII族窒化物半導体レーザ素子の素子幅の複数倍の値に等しいピッチでスクライブ溝を形成することができる。例えば素子幅の2倍に等しいピッチでスクライブ溝を形成するとき、スクライブ溝の位置は、レーザバーおけるチップ分離の位置に位置合わせされることができる。半導体レーザのための側面のいずれか一方がスクライブ溝の位置に合うように、レーザバーLB1又はレーザバー生産物の分離が行われる。
本実施の形態に係る製造方法では、角度ALPHAは、45度以上80度以下及び100度以上135度以下の範囲であることができる。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。更に好ましくは、角度ALPHAは、63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲であることができる。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面の一部に、m面が出現する可能性がある。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。半極性主面51aは、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかであることができる。更に、これらの面から−4度以上+4度以下の範囲で微傾斜した面も前記主面として好適である。これら典型的な半極性面において、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性でレーザ共振器のための端面を提供できる。
また、基板51は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、レーザ共振器として利用可能な端面を得ることができる。基板51は好ましくはGaNからなる。
基板生産物SPを形成する工程S104において、結晶成長に使用された半導体基板は、基板厚が400μm以下になるようにスライス又は研削といった加工が施され、第1の面63bが研磨により形成された加工面であることができる。この基板厚では、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い端面67a、67bを歩留まりよく形成できる。第1の面63bが研磨により形成された研磨面であり、研磨されて基板厚が100μm以下であれば更に好ましい。また、基板生産物SPを比較的容易に取り扱うためには、基板厚が50μm以上であることが好ましい。
本実施の形態に係るレーザ端面の製造方法では、レーザバーLB1においても、図3を参照しながら説明された角度BETAが規定される。レーザバーLB1では、角度BETAの成分(BETA)は、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面(図3を参照した説明における第1平面S1に対応する面)において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲であることが好ましい。レーザバーLB1の端面67a、67bは、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度BETAの角度成分に関して上記の垂直性を満たす。また、角度BETAの成分(BETA)は、第2平面(図3に示された第2平面S2に対応する面)において−5度以上+5度以下の範囲であることが好ましい。このとき、レーザバーLB1の端面67a、67bは、半極性面51aの法線軸NXに垂直な面において規定される角度BETAの角度成分に関して上記の垂直性を満たす。
端面67a、67bは、半極性面51a上にエピタキシャルに成長された複数の窒化ガリウム系半導体層への押圧によるブレイクによって形成される。半極性面51a上へのエピタキシャル膜であるが故に、端面67a、67bは、これまで共振器ミラーとして用いられてきたc面、m面、又はa面といった低面指数のへき開面ではない。しかしながら、半極性面51a上へのエピタキシャル膜の積層のブレイクにおいて、端面67a、67bは、共振器ミラーとして適用可能な平坦性及び垂直性を有する。
(実施例1)
以下の通り、半極性面GaN基板を準備し、割断面の垂直性を観察した。基板には、HVPE法で厚く成長した(0001)GaNインゴットからm軸方向に75度の角度で切り出した{20−21}面GaN基板を用いた。GaN基板の主面は鏡面仕上げであり、裏面は研削仕上げされた梨地状態であった。基板の厚さは370μmであった。
梨地状態の裏面側に、ダイヤモンドペンを用いて、c軸を基板主面に投影した方向に垂直にケガキ線を入れた後、押圧して基板を割断した。得られた割断面の垂直性を観察するため、走査型電子顕微鏡を用いてa面方向から基板を観察した。
図7(a)は、割断面をa面方向から観察した走査型電子顕微鏡像であり、右側の端面が割断面である。割断面は半極性主面に対して、平坦性及び垂直性を有することがわかる。図7(b)は、割断面の表面を観察した走査型電子顕微鏡像であり、スクライブ跡が基板裏面に形成されている。図中における「表面」はエピ面を示し、「裏面」は基板裏面を示す。この基板の厚さは90μmであった。
スクライブ溝が基板裏面に形成された基板生産物SP1におけるブレイクを説明する。図8(a)を参照すると、基板生産物SP1が、割断のための支持装置70の支持面70aに支持されている。凹部70bの向きに基板生産物SP1におけるスクライブ溝65aの配列の向きが合わされている。スクライブ溝65aは、側面64a、64b、底面64c、及び一対の端面64dを有する。支持装置70上の基板生産物SP1のおもて面をブレード69を用いて押圧するとき、図9(a)に示されるように、基板生産物SP1は反って、エピ表面が凹状になる。これ故に、レーザ構造体55の半導体領域53では、図8(b)に示されるように、スクライブ溝65aの配列の方向によって規定される割断ラインの直下の半導体領域53の表層における曲げモーメントが極大を示し、また割断ライン直下から両側(X軸の正方向及び負方向)に離れるにつれて、曲げモーメントは減少していると考えられる。この割断ラインにブレード69の接触方向を合わせることが良い。このとき、曲げモーメントは、ブレード真下及び割断ライン直下で最大となるので、半導体薄膜側ではこれに沿って図7(b)に示されるように平坦な端面が得られ、レーザバーは、共振器ミラーとして高品質な上記端面を有する。また、レーザバーには複数の半導体レーザ素子の配列を含んでおり、半導体レーザ素子毎の端面の品質にばらつきが小さく、これ故に、割断面の品質が安定化している。この半導体レーザ及びその製造方法によれば、共振器ミラーの品質が改善される。
次いで、スクライブ溝をエピ面に形成した基板生産物におけるブレイクを説明する。この基板生産物は基板生産物SP1とは別のものである。支持装置70上の基板生産物をブレード69を用いて押圧するとき、図9(b)に示されるように、この基板生産物は、基板生産物SP1の反りとは反対向きに反って、エピ表面が凸状になる。スクライブ溝66aの配列の方向によって規定される割断ラインの直下の基板裏面の表層における曲げモーメントが極大を示す。
図9(c)は、図9(a)に示された方法により作製されたレーザバーを示す。このレーザバーは、基板裏面に残されたスクライブ跡68を有する。スクライブ跡68は、2つの半導体レーザの端面における発光エリアを通過する基準面ROPの間に位置する。
レーザバーの作製のために、スクライブ溝の配列が半導体レーザの幅のピッチP1で形成されることができる。この配列において、図10(a)に示されるように、レーザバーLB2には、半導体レーザの幅のピッチP1で、スクライブ跡SB1が形成される。このレーザバーLB2を分離して半導体レーザ素子LD1を形成するとき、図10(b)に示されるように、半導体レーザLD1は、支持基体の底面の四隅にスクライブ跡QB1を有する。レーザ構造体の端部では、割断面CAV1は、一対のスクライブ跡QB1のエッジEG1及びレーザ構造体の第2の面のエッジEG2を繋いでいる。割断面CAV1は、レーザ共振器に適用可能であり特に優れた平坦性及び垂直性を有する。
レーザバーの作製のために、スクライブ溝の配列が半導体レーザの幅の2倍に対応したピッチP2で形成されることができる。この配列において、図11(a)に示されるように、レーザバーLB3には、半導体レーザの幅のピッチP2で、スクライブ跡SB2が形成される。このレーザバーLB3を分離して半導体レーザ素子LD2を形成するとき、図11(b)に示されるように、半導体レーザLD2は、支持基体の底面の一エッジに2つのスクライブ跡QB2を有する。レーザ構造体の端部では、割断面CAV2は、スクライブ跡QB2のエッジEG3及びレーザ構造体の第2の面のエッジEG2を繋いでいる。割断面CAV2は、レーザ共振器に適用可能であり優れた平坦性及び垂直性を有する。
レーザバーの作製のために、スクライブ溝の配列が半導体レーザの幅の2倍に対応したピッチP2で形成されることができる。この配列において、図12(a)に示されるように、レーザバーLB4には、半導体レーザの幅のピッチP2で、スクライブ跡SB3が形成される。このレーザバーLB4を分離して半導体レーザ素子LD3を形成するとき、図12(b)に示されるように、半導体レーザLD1は、支持基体の底面の一エッジに単一のスクライブ跡QB3を有すると共に、他のエッジに単一のスクライブ跡QB3を有する。レーザ構造体の端部では、割断面CAV3は、スクライブ跡QB3のエッジEG3及びレーザ構造体の第2の面のエッジEG2を繋いでいる。割断面CAV3は、レーザ共振器に適用可能であり優れた平坦性及び垂直性を有する。
(実施例2)
実施例1では、半極性{20−21}面を有するGaN基板において、c軸を基板主面に投影した方向に垂直にケガキ線を入れて押圧して得た割断面は、基板主面に対して平坦性及び垂直性を有することがわかった。そこでこの割断面をレーザの共振器としての有用性を調べるため、以下の通り、図13に示されるレーザーダイオードを有機金属気相成長法により成長した。原料にはトリメチルガリウム(TMGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリメチルインジウム(TMIn)、アンモニア(NH)、シラン(SiH)を用いた。基板71を準備した。基板71には、HVPE法で厚く成長した(0001)GaNインゴットからm軸方向に0度から90度の範囲の角度でウェハスライス装置を用いて切り出し、m軸方向へのc軸の傾斜角度ALPHAが、0度から90度の範囲の所望のオフ角を有するGaN基板を作製した。例えば、75度の角度で切り出したとき、{20−21}面GaN基板が得られ、図8(a)に示される六方晶系の結晶格子において参照符号71aによって示されている。
成長前に、基板の積層欠陥密度を調べるため、カソードルミネッセンス法によって、基板を観察した。カソードルミネッセンスでは、電子線によって励起されたキャリアの発光過程を観察するが、積層欠陥が存在すると、その近傍ではキャリアが非発光再結合するので、暗線状に観察される。その暗線の単位長さあたりの密度(線密度)を求め、積層欠陥密度と定義した。ここでは、積層欠陥密度を調べるために、非破壊測定のカソードルミネッセンス法を用いたが、破壊測定の透過型電子顕微鏡を用いてもよい。透過型電子顕微鏡では、a軸方向から試料断面を観察したとき、基板から試料表面に向かってm軸方向に伸びる欠陥が、支持基体に含まれる積層欠陥であり、カソードルミネッセンス法の場合と同様に、積層欠陥の線密度を求めることができる。
この基板71を反応炉内のサセプタ上に配置した後に、以下の成長手順でエピタキシャル層を成長してn型GaN基板71上に半導体領域を形成した。まず、厚さ1000nmのn型GaN層72を成長した。次に、厚さ1200nmのn型InAlGaNクラッド層73を成長した。引き続き、厚さ200nmのn型GaNガイド層74a及び厚さ65nmのアンドープInGaNガイド層74bを成長した後に、GaN厚さ15nm/InGaN厚さ3nmから構成される3周期MQW75を成長した。続いて、厚さ65nmのアンドープInGaNガイド層76a、厚さ20nmのp型AlGaNブロック層77及び厚さ200nmのp型GaNガイド層76bを成長した。次に、厚さ400nmのp型InAlGaNクラッド層77を成長した。最後に、厚さ50nmのp型GaNコンタクト層78を成長した。これらの工程によりレーザ構造体が形成された。
SiOの絶縁膜79をコンタクト層(レーザ構造体のエピ面)78上に成膜した後に、フォトリソグラフィを用いて幅10μmのストライプ窓をウェットエッチングにより形成した。ここで、以下の2通りにストライプ方向のコンタクト窓を形成した。レーザストライプが(1)M方向(コンタクト窓がc軸及びm軸によって規定される所定の面に沿った方向)のものと、(2)A方向:<11−20>方向のものである。
ストライプ窓を形成した後に、Ni/Auから成るp側電極80aとTi/Alから成るパッド電極を蒸着した。次いで、GaN基板(GaNウエハ)の裏面をダイヤモンドスラリーを用いて研磨し、裏面がミラー状態の基板生産物を作製した。このとき、接触式膜厚計を用いて基板生産物の厚みを測定した。厚みの測定には、試料断面からの顕微鏡によっても行っても良い。顕微鏡には、光学顕微鏡や、走査型電子顕微鏡を用いることができる。GaN基板(GaNウエハ)の裏面(研磨面)にはTi/Al/Ti/Auから成るn側電極80bを蒸着により形成した。
これら2種類のレーザストライプに対する共振器ミラーの作製には、波長355nmのYAGレーザを用いるレーザスクライバを用いた。レーザスクライバを用いてブレイクした場合には、ダイヤモンドスクライブを用いた場合と比較して、発振チップ歩留まりを向上させることが可能である。スクライブ溝の形成条件として以下のものを用いた:レーザ光出力100mW;走査速度は5mm/s。形成されたスクライブ溝は、例えば、長さ30μm、幅10μm、深さ40μmの溝であった。800μmピッチで基板の絶縁膜開口箇所を通してエピ表面に直接レーザ光を照射することによって、スクライブ溝を形成した。共振器長は600μmとした。
共振ミラーのための端面をブレードを用いた割断により作製した。ここで、以下の2通りにスクライブ溝を形成した。スクライブ溝が薄膜側に形成されたもの(方法A用)と、スクライブ溝が裏面側に形成されたもの(方法B用)である。スクライブ溝の列の間隔は、共振器長のための値600μmである。スクライブ溝がエピ面側(エピ面側)に形成されたとき基板裏面を押圧した(方法(A))。スクライブ溝が裏面側に形成されたとき、エピ面(半導体領域側)を押圧した(方法(B))。これらの押圧により基板生産物のブレイクを引き起こして、それぞれのレーザバーを作製した。
{20−21}面のGaN基板について、より具体的に、結晶方位と割断面との関係を示したものが、図14(a)と図14(b)である。図14(a)はレーザストライプを(1)M方向に設けた場合であり、半極性面71aと共にレーザ共振器のための端面81a、81bが示される。端面81a、81bは半極性面71aにほぼ直交しているが、従来のc面、m面又はa面等のこれまでのへき開面とは異なる。図14(b)はレーザストライプを(2)<11−20>方向に設けた場合であり、半極性面71aと共にレーザ共振器のための端面81c、81dが示される。端面81c、81dは半極性面71aにほぼ直交しており、a面から構成される。
方法Bを用いるとき、ブレイクによって形成された多数のレーザバーにおける割断面を走査型電子顕微鏡で観察した結果、(1)および(2)のそれぞれにおいて、顕著な凹凸は観察されず、レーザバー間のばらつきは小さい。このことから、割断面の生成が安定している。割断面の平坦性(凹凸の大きさ)は、1.4×10−8平方メートルのエリアにおいて20nm以下と推定される。更に、割断面の試料表面に対する垂直性は、−5度以上+5度以下の範囲内であった。
レーザバーの端面に真空蒸着法によって誘電体多層膜をコーティングした。誘電体多層膜は、例えばSiOとTiOを交互に積層して構成した。膜厚はそれぞれ、50〜100nmの範囲で調整して、反射率の中心波長が500〜530nmの範囲になるように設計した。片側の反射面を10周期とし、反射率の設計値を約95%に設計し、もう片側の反射面を6周期とし、反射率の設計値を約80%とした。
通電による評価を室温にて行った。電源には、パルス幅500ns、デューティ比0.1%のパルス電源を用い、表面電極に針を落として通電した。光出力測定の際には、レーザバー端面からの発光をフォトダイオードによって検出して、電流−光出力特性(I−L特性)を調べた。発光波長を測定する際には、レーザバー端面からの発光を光ファイバに通し、検出器にスペクトルアナライザを用いてスペクトル測定を行った。偏光状態を調べる際には、レーザバーからの発光に偏光板を通して回転させることで、偏光状態を調べた。LEDモード光を観測する際には、光ファイバをレーザバー表面側に配置することで、表面から放出される光を測定した。
全てのレーザで発振後の偏光状態を確認した結果、a軸方向に偏光していることがわかった。発振波長は500〜530nmであった。
全てのレーザでLEDモード(自然放出光)の偏光状態を測定した。a軸の方向の偏光成分をI1、m軸を主面に投影した方向の偏光成分をI2とし、(I1−I2)/(I1+I2)を偏光度ρと定義した。こうして、求めた偏光度ρとしきい値電流密度の最小値の関係を調べた結果、図9が得られた。図9から、偏光度が正の場合に、(1)レーザストライプM方向のレーザでは、しきい値電流密度が大きく低下することがわかる。すなわち、偏光度が正(I1>I2)で、かつオフ方向に導波路を設けた場合に、しきい値電流密度が大幅に低下することがわかる。
図15に示されたデータは以下のものである。
しきい値電流 しきい値電流
偏光度、(M方向ストライプ)、(<11−20>ストライプ)
0.08 64 20
0.05 18 42
0.15 9 48
0.276 7 52
0.4 6
GaN基板のm軸方向へのc軸の傾斜角と発振歩留まりとの関係を調べた結果、図16が得られた。本実施例では、発振歩留まりについては、(発振チップ数)/(測定チップ数)と定義した。また、図16は、基板の積層欠陥密度が1×10(cm−1)以下の基板であり、かつレーザストライプが(1)M方向のレーザにおいて、プロットしたものである。図16から、オフ角が45度以下では、発振歩留まりが極めて低いことがわかる。端面状態を光学顕微鏡で観察した結果、45度より小さい角度では、ほとんどのチップでm面が出現し、垂直性が得られないことがわかった。また、オフ角が63度以上80度以下の範囲では、垂直性が向上し、発振歩留まりが50%以上に増加することがわかる。これらの事実から、GaN基板のオフ角度の範囲は、63度以上80度以下が最適である。なお、この結晶的に等価な端面を有することになる角度範囲である、100度以上117度以下の範囲でも、同様の結果が得られる。図16に示されたデータは以下のものである。
傾斜角、歩留まりA、歩留まりB:
10、 0.1、 0.1;
43、 0.2、 0.2;
58、 50、 48;
63、 65、 68;
66、 80、 89;
71、 85、 96;
75、 80、 87;
79、 75、 79;
85、 45、 48;
90、 35、 31。
歩留まりAは、エピ面にスクライブを行うと共に基板裏面に押圧する方法における値を示す。歩留まりBは、基板裏面にスクライブを行うと共にエピ面に押圧する方法における値を示す。角度は「度」で表される
積層欠陥密度と発振歩留まりとの関係を調べた結果、図17が得られた。発振歩留まりの定義については、上記と同様である。図17から、積層欠陥密度が1×10(cm−1)を超えると急激に発振歩留まりが低下することがわかる。また、端面状態を光学顕微鏡で観察した結果、発振歩留まりが低下したサンプルでは、端面の凹凸が激しく平坦な割断面が得られていないことがわかった。積層欠陥の存在によって、割れ易さに違いが出たことが原因と考えられる。このことから、基板に含まれる積層欠陥密度が1×10(cm−1)以下である必要がある。
図17に示されたデータは以下のものである。
積層欠陥密度(cm−1)、歩留まりA、歩留まりB。
500 、 80、 94;
1000、 75、 91;
4000、 70、 80;
8000、 65、 76;
10000、 20、 36;
50000、 2、 6。
基板厚みと発振歩留まりとの関係を調べた結果、図18が得られた。発振歩留まりの定義については、上記と同様である。また、図18では、基板の積層欠陥密度1×10(cm−1)以下であり、かつレーザストライプが(1)M方向のレーザにおいて、プロットした。図18から、基板厚みが100μmよりも薄く50μmよりも厚いときに、発振歩留まりが高い。これは、基板厚みが100μmよりも厚いと、割断面の垂直性が悪化することによる。また、50μmよりも薄いと、ハンドリングが困難で、チップが破壊され易くなることによる。これらのことから、基板の厚みは、50μm以上100μm以下が最適である。図18に示されたデータは以下のものである。
基板厚、歩留まりA、歩留まりB。
48、 10、 10;
80、 65、 81;
90、 70、 92;
110、 45、 76;
150、 48、 70;
200、 30、 26;
400、 20、 11。
(実施例3)
実施例2では、{20−21}面を有するGaN基板上に、半導体レーザのための複数のエピタキシャル膜を成長した。上記のように、スクライブ溝の形成と押圧とによって光共振器用の端面が形成された。これらの端面の候補を見いだすために、(20−21)面に90度近傍の角度を成し、a面とは異なる面方位を計算により求めた。図19を参照すると、以下の角度及び面方位が、(20−21)面に対して90度近傍の角度を有する。
具体的な面指数、{20−21}面に対する角度
(−1016): 92.46度;
(−1017): 90.10度;
(−1018): 88.29度。
図20は、(20−21)面と(−101−6)面及び(−1016)面における原子配置を示す図面である。図21は、(20−21)面と(−101−7)面及び(−1017)面における原子配置を示す図面である。図22は、(20−21)面と(−101−8)面及び(−1018)面における原子配置を示す図面である。図20〜図22に示されるように、矢印によって示される局所的な原子配置は電荷的に中性な原子の配列を示し、電気的中性の原子配置が周期的に出現している。成長面に対し、比較的垂直な面が得られる理由は、この電荷的に中性な原子配列が周期的に現れることで、割断面の生成が比較的安定となっていることが考えられる可能性がある。
上記の実施例1〜3を含めた様々な実験によって、角度ALPHAは、45度以上80度以下及び100度以上135度以下の範囲であることができる。発振チップ歩留を向上させるためには、角度ALPHAは、63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲であることができる。典型的な半極性主面、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかであることができる。更に、これらの半極性面からの微傾斜面であることができる。例えば、半極性主面は、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかの面から、m面方向に−4度以上+4度以下の範囲でオフした微傾斜面であることができる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される、また、本実施の形態によれば、このIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法が提供される。
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
11…III族窒化物半導体レーザ素子、13…レーザ構造体、13a…第1の面、13b…第2の面、13c、13d…エッジ、15…電極、17…支持基体、17a…半極性主面、17b…支持基体裏面、17c…支持基体端面、19…半導体領域、19a…半導体領域表面、19c…半導体領域端面、21…第1のクラッド層、23…第2のクラッド層、25…活性層、25a…井戸層、25b…障壁層、27、29…割断面、ALPHA…角度、Sc…c面、NX…法線軸、31…絶縁膜、31a…絶縁膜開口、35…n側光ガイド層、37…p側光ガイド層、39…キャリアブロック層、41…電極、43a、43b…誘電体多層膜、MA…m軸ベクトル、BETA…角度、DSUB…支持基体厚さ、51…基板、51a…半極性主面、SP…基板生産物、57…窒化ガリウム系半導体領域、59…発光層、61…窒化ガリウム系半導体領域、53…半導体領域、54…絶縁膜、54a…絶縁膜開口、55…レーザ構造体、58a…アノード電極、58b…カソード電極、63a…第1の面、63b…第2の面、10a…レーザスクライバ、65a…スクライブ溝、65b…スクライブ溝、LB…レーザビーム、SP1…基板生産物、LB1…レーザバー、69…ブレード、69a…エッジ、69b、69c…ブレード面、71…支持装置、71a…支持面、71b…凹部。

Claims (31)

  1. III族窒化物半導体レーザ素子であって、
    六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
    前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極と
    を備え、
    前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
    前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
    前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
    前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、
    前記レーザ構造体は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm−n面に交差する第1及び第2の割断面を含み、
    当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、
    前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
    前記半導体領域は前記第2の面と前記支持基体との間に位置し、
    前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、
    前記レーザ構造体の前記支持基体は、前記第1の割断面において前記第1の面の前記エッジの一部分に設けられた凹部を有し、該凹部は前記支持基体の裏面から延在し、該凹部の終端は前記レーザ構造体の前記第2の面のエッジから隔置されている、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。
  2. 前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、
    前記半導体領域の前記活性層における端面と前記六方晶系窒化物半導体からなる支持基体のm軸に直交する基準面との成す角度は、前記III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項1に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  3. 前記角度は、前記第1平面及び前記法線軸に直交する第2平面において−5度以上+5度以下の範囲になる、ことを特徴とする請求項2に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  4. 前記支持基体の厚さは400μm以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  5. 前記支持基体の厚さは、50μm以上100μm以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  6. 前記レーザ構造体の前記凹部は前記半導体領域に到達する、ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  7. 前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲である、ことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  8. 前記活性層からのレーザ光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光している、ことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  9. 当該III族窒化物半導体レーザ素子におけるLEDモードにおける光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光成分I1と、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向に偏光成分I2を含み、
    前記偏光成分I1は前記偏光成分I2よりも大きい、ことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  10. 前記半極性主面は、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかの面から−4度以上+4度以下の範囲でオフした微傾斜面である、ことを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  11. 前記半極性主面は、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかである、ことを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  12. 前記支持基体の積層欠陥密度は1×10cm−1以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  13. 前記支持基体は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  14. 前記第1及び第2の割断面の少なくともいずれか一方に設けられた誘電体多層膜を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  15. 前記活性層は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた発光領域を含む、ことを特徴とする請求項1〜請求項14のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  16. 前記活性層は、波長430nm以上550nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含む、ことを特徴とする請求項1〜請求項15のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  17. 前記レーザ構造体は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のための一対の側面を有し、
    前記凹部は、前記一対の側面における前記一端に位置する、ことを特徴とする請求項1〜請求項16のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  18. 前記レーザ構造体は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のための一対の側面を有し、
    前記凹部は、前記一対の側面における前記一端に位置しており、
    前記レーザ構造体の前記支持基体は、前記凹部から隔置された別の凹部を有し、該別の凹部は前記支持基体の裏面から延在し、該別の凹部は前記第1の割断面において前記第1の面の前記エッジの一部分に設けられ、該別の凹部の終端は前記半導体領域の前記第2の面から隔置されている、ことを特徴とする請求項17に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
  19. III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
    六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板を準備する工程と、
    前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、アノード電極、及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、
    前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に前記基板生産物の第1の面を部分的にスクライブする工程と、
    前記基板生産物の第2の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と
    を備え、
    前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
    前記半導体領域は前記第2の面と前記基板との間に位置し、
    前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面にまで延在し前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、
    前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、
    前記アノード電極及びカソード電極は、前記レーザ構造体上に形成され、
    前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
    前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
    前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
    前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、
    前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、
    前記第1及び第2の端面は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm−n面に交差する、ことを特徴とする方法。
  20. 前記第1及び第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記六方晶系窒化物半導体からなる支持基体のm軸に直交する基準面に対して、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される平面において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項19に記載された方法。
  21. 前記角度ALPHAは、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲である、ことを特徴とする請求項19又は請求項20に記載された方法。
  22. 前記基板生産物を形成する前記工程において、前記基板は、前記基板の厚さが400μm以下になるようにスライス又は研削といった加工が施され、
    前記第1の面は前記加工により形成された加工面、又は前記加工面に上に形成された電極を含む面である、ことを特徴とする請求項19〜請求項21のいずれか一項に記載された方法。
  23. 前記基板生産物を形成する前記工程において、前記基板は、前記基板の厚さが50μm以上100μm以下になるように研磨され、
    前記第1の面は前記研磨により形成された研磨面、又は前記研磨面に上に形成された電極を含む面である、ことを特徴とする請求項19〜請求項22のいずれか一項に記載された方法。
  24. 前記レーザ構造体の前記スクライブ溝は前記半導体領域に到達する、ことを特徴とする請求項19〜請求項23のいずれか一項に記載された方法。
  25. 前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、
    前記スクライブによりスクライブ溝が形成され、前記スクライブ溝の長さは、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び前記法線軸によって規定されるa−n面と前記第1の面との交差線の長さよりも短い、ことを特徴とする請求項19〜請求項24のいずれか一項に記載された方法。
  26. 前記半極性主面は、{20−21}面、{10−11}面、{20−2−1}面、及び{10−1−1}面のいずれかである、ことを特徴とする請求項19〜請求項25のいずれか一項に記載された方法。
  27. 前記基板は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項19〜請求項26のいずれか一項に記載された方法。
  28. 前記基板生産物をスクライブする工程では、前記III族窒化物半導体レーザ素子の素子幅に等しいピッチでスクライブ溝を形成し、
    当該方法は、前記レーザバーの分離を行ってIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する工程を更に備え、
    前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記レーザ構造体は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のための一対の側面を有する、ことを特徴とする請求項19〜請求項27のいずれか一項に記載された方法。
  29. 前記基板生産物をスクライブする工程では、前記III族窒化物半導体レーザ素子の素子幅の複数倍の値に等しいピッチでスクライブ溝を形成し、
    当該方法は、前記レーザバーの分離を行ってIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する工程を更に備え、
    前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記レーザ構造体は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のための一対の側面を有する、ことを特徴とする請求項19〜請求項27のいずれか一項に記載された方法。
  30. III族窒化物半導体レーザ素子であって、
    六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面及び裏面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
    前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極と
    を備え、
    前記半導体領域は、第1導電型のクラッド層と、第2導電型のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1導電型のクラッド層、前記第2導電型のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
    前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、
    前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第2の面と前記支持基体との間に位置し、
    前記レーザ構造体の前記支持基体は、前記レーザ構造体の端部において前記第1の面のエッジの一端及び他端にそれぞれ設けられた第1及び第2のスクライブ跡を有し、前記第1及び第2のスクライブ跡は、前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸とによって規定される平面に沿って延在し、前記第1及び第2のスクライブ跡は前記支持基体の前記裏面から延在し、
    前記レーザ構造体の前記端部は、前記第1及び第2のスクライブ跡の前記エッジ及び前記レーザ構造体の前記第2の面の前記エッジを繋ぐ割断面を有し、
    当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記割断面を含む、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。
  31. III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
    六方晶系III族窒化物半導体から基板と前記基板の半極性主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体、並びに前記レーザ構造体上に形成されたアノード電極及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、
    前記基板生産物の第1の面をスクライブして、複数のスクライブ溝の配列を形成する工程と、
    前記基板生産物の第1の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と
    を備え、
    前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、
    前記半導体領域は、第1導電型のクラッド層と、第2導電型のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1導電型のクラッド層、前記第2導電型のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
    前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
    前記半導体領域は前記第2の面と前記基板との間に位置し、
    前記スクライブ溝の各々は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸と前記法線軸とによって規定される平面に沿って延在し、
    前記レーザバーは、前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、
    前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する、ことを特徴とする方法。
JP2009295567A 2009-12-25 2009-12-25 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 Expired - Fee Related JP5201129B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009295567A JP5201129B2 (ja) 2009-12-25 2009-12-25 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
US12/837,269 US8401048B2 (en) 2009-12-25 2010-07-15 Group-III nitride semiconductor laser device, and method of fabricating group-III nitride semiconductor laser device
CN201080059085.0A CN102668282B (zh) 2009-12-25 2010-11-12 Iii族氮化物半导体激光器元件及制作iii族氮化物半导体激光器元件的方法
EP10839088.1A EP2518841A4 (en) 2009-12-25 2010-11-12 GROUP III NITRIDE SEMI-CONDUCTIVE LASER ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMI-CONDUCTIVE LASER ELEMENT
KR1020127018593A KR20120099124A (ko) 2009-12-25 2010-11-12 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자, 및 ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법
PCT/JP2010/070214 WO2011077852A1 (ja) 2009-12-25 2010-11-12 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
TW099140581A TW201140974A (en) 2009-12-25 2010-11-24 Group-iii nitride semiconductor laser element, and method of manufacturing the same
US13/289,507 US8772064B2 (en) 2009-12-25 2011-11-04 Group-III nitride semiconductor laser device, and method of fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009295567A JP5201129B2 (ja) 2009-12-25 2009-12-25 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011135015A true JP2011135015A (ja) 2011-07-07
JP5201129B2 JP5201129B2 (ja) 2013-06-05

Family

ID=44187536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009295567A Expired - Fee Related JP5201129B2 (ja) 2009-12-25 2009-12-25 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8401048B2 (ja)
EP (1) EP2518841A4 (ja)
JP (1) JP5201129B2 (ja)
KR (1) KR20120099124A (ja)
CN (1) CN102668282B (ja)
TW (1) TW201140974A (ja)
WO (1) WO2011077852A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021002574A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 古河機械金属株式会社 構造体、光デバイス、光デバイスの製造方法、および構造体の製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5206699B2 (ja) * 2010-01-18 2013-06-12 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
US7933303B2 (en) 2009-06-17 2011-04-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device
JP4924681B2 (ja) * 2009-09-10 2012-04-25 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5387302B2 (ja) * 2009-09-30 2014-01-15 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5397136B2 (ja) * 2009-09-30 2014-01-22 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5131266B2 (ja) * 2009-12-25 2013-01-30 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5201129B2 (ja) * 2009-12-25 2013-06-05 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5494259B2 (ja) * 2010-06-08 2014-05-14 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5206734B2 (ja) * 2010-06-08 2013-06-12 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5099255B1 (ja) * 2011-09-13 2012-12-19 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5099254B1 (ja) * 2011-09-13 2012-12-19 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP2013207046A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd Iii族窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
KR102194727B1 (ko) 2015-04-29 2020-12-23 삼성전기주식회사 인덕터
DE102017117136B4 (de) * 2017-07-28 2022-09-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Laserdioden und Laserdiode
CN108574027B (zh) * 2018-05-07 2020-02-07 福建兆元光电有限公司 氮化镓基led芯片及制造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017791A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Sharp Corp 窒化物半導体素子及びこの窒化物半導体素子の製造方法
JP2004241515A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2005159278A (ja) * 2003-07-11 2005-06-16 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法
WO2008016019A1 (fr) * 2006-07-31 2008-02-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Composant laser à semiconducteur et son procédé de fabrication
JP2009170798A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物半導体レーザ
WO2009125731A1 (ja) * 2008-04-07 2009-10-15 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体素子及びエピタキシャルウエハ
JP2009259864A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物半導体レーザ
JP4375497B1 (ja) * 2009-03-11 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びiii族窒化物半導体素子を作製する方法
JP4475357B1 (ja) * 2009-06-17 2010-06-09 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4601808B2 (ja) 1999-12-06 2010-12-22 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置
TWI347054B (en) 2003-07-11 2011-08-11 Nichia Corp Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device
JP3833674B2 (ja) 2004-06-08 2006-10-18 松下電器産業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP4767020B2 (ja) 2006-01-05 2011-09-07 パナソニック株式会社 窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP5032043B2 (ja) 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2008187044A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Rohm Co Ltd 半導体レーザ
JP2008235804A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Rohm Co Ltd 発光素子
JP2009081336A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2009144442A (ja) 2007-12-14 2009-07-02 Sakato Kosakusho:Kk 鉄骨用切断機
JP5206699B2 (ja) * 2010-01-18 2013-06-12 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
US7933303B2 (en) * 2009-06-17 2011-04-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device
JP4924681B2 (ja) * 2009-09-10 2012-04-25 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5387302B2 (ja) * 2009-09-30 2014-01-15 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5397136B2 (ja) * 2009-09-30 2014-01-22 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP4793489B2 (ja) * 2009-12-01 2011-10-12 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5131266B2 (ja) * 2009-12-25 2013-01-30 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5327154B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-30 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5201129B2 (ja) * 2009-12-25 2013-06-05 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5625355B2 (ja) * 2010-01-07 2014-11-19 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP4793494B2 (ja) * 2010-01-18 2011-10-12 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5494259B2 (ja) * 2010-06-08 2014-05-14 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5206734B2 (ja) * 2010-06-08 2013-06-12 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP4971508B1 (ja) * 2011-01-21 2012-07-11 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5054221B1 (ja) * 2011-08-26 2012-10-24 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017791A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Sharp Corp 窒化物半導体素子及びこの窒化物半導体素子の製造方法
JP2004241515A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2005159278A (ja) * 2003-07-11 2005-06-16 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法
WO2008016019A1 (fr) * 2006-07-31 2008-02-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Composant laser à semiconducteur et son procédé de fabrication
JP2009170798A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物半導体レーザ
WO2009125731A1 (ja) * 2008-04-07 2009-10-15 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体素子及びエピタキシャルウエハ
JP2009259864A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物半導体レーザ
JP4375497B1 (ja) * 2009-03-11 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びiii族窒化物半導体素子を作製する方法
JP4475357B1 (ja) * 2009-06-17 2010-06-09 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021002574A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 古河機械金属株式会社 構造体、光デバイス、光デバイスの製造方法、および構造体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2518841A4 (en) 2014-12-31
US8772064B2 (en) 2014-07-08
CN102668282A (zh) 2012-09-12
JP5201129B2 (ja) 2013-06-05
US8401048B2 (en) 2013-03-19
US20120100654A1 (en) 2012-04-26
KR20120099124A (ko) 2012-09-06
CN102668282B (zh) 2014-10-15
WO2011077852A1 (ja) 2011-06-30
US20110158276A1 (en) 2011-06-30
EP2518841A1 (en) 2012-10-31
TW201140974A (en) 2011-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5201129B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP4475357B1 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5131266B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP4793489B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP4793494B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5625355B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5494259B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5206734B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5206699B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP4924681B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP2011211244A (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5670040B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子
JP5152391B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子
JP5152392B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子
JP5152393B2 (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP2011003880A (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP2011216914A (ja) Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120724

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees