JP4924681B2 - Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 - Google Patents
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Description
以下の通り、半極性面GaN基板を準備し、割断面の垂直性を観察した。基板には、HVPE法で厚く成長した(0001)GaNインゴットからa軸方向に73度の角度で切り出した{11−21}面GaN基板を用いた。GaN基板の主面は鏡面仕上げであり、裏面は研削仕上げされた梨地状態であった。基板の厚さは370μmであった。
実施例1では、半極性{11−21}面を有するGaN基板において、c軸を基板主面に投影した方向に垂直にケガキ線を入れて押圧して得た割断面は、基板主面に対して平坦性及び垂直性を有することがわかった。そこでこの割断面をレーザの共振器としての有用性を調べるため、以下の通り、図8に示されるレーザーダイオードを有機金属気相成長法により成長した。原料にはトリメチルガリウム(TMGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリメチルインジウム(TMIn)、アンモニア(NH3)、シラン(SiH4)を用いた。基板71を準備した。基板71には、HVPE法で厚く成長した(0001)GaNインゴットからa軸方向に0度から90度の範囲の角度でウェハスライス装置を用いて切り出し、a軸方向へのc軸の傾斜角度ALPHAが、0度から90度の範囲の所望のオフ角を有するGaN基板を作製した。例えば、73度の角度で切り出したとき、{11−21}面GaN基板が得られ、図7(b)に示される六方晶系の結晶格子において参照符号71aによって示されている。
図9に示されたデータは以下のものである。
しきい値電流 しきい値電流
偏光度、(A方向ストライプ)、(<1−100>ストライプ)
−0.15 58 30
0.05 30 45
0.23 20 60
0.35 15
図10に示されたデータは以下のものである。
傾斜角、歩留まり
0
10 0.1
39 0.2
58 40
60 58
66 65
73 70
75 65
79 60
85 35
90 30
図11に示されたデータは以下のものである。
積層欠陥密度(cm−1)、歩留まり
500 63
1000 65
4000 60
8000 55
10000 10
50000 1
図12に示されたデータは以下のものである。
基板厚、歩留まり
44 12
82 55
90 65
110 45
150 40
210 20
400 10
実施例2では、{11−21}面を有するGaN基板上に、半導体レーザのための複数のエピタキシャル膜を成長した。上記のように、スクライブ溝の形成と押圧とによって光共振器用の端面が形成された。これらの端面の候補を見いだすために、(11−21)面に90度近傍の角度を成し、a面とは異なる面方位を計算により求めた。図13を参照すると、以下の角度及び面方位が、(11−21)面に対して90度近傍の角度を有する。
具体的な面指数、{11−21}面に対する角度
(−1−12 9): 92.77度;
(−1−12 10): 90.92度;
(−1−12 11): 89.37度;。
このような指数で表される面指数が端面に現れたと考えられる。
(a1、a2、a2、c)という記法を採用したとき、
面方位(−1−12 9)は、a1=−1、a2=−1、a2=2、c=9;
面方位(−1−12 10)は、a1=−1、a2=−1、a3=2、c=10;
面方位(−1−12 11)は、a1=−1、a2=−1、a3=2、c=11;
である。
Claims (23)
- III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極と
を備え、
前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、
前記レーザ構造体は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び前記法線軸によって規定されるa−n面に交差する第1及び第2の割断面を含み、
当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。 - 前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、59度以上80度以下又は100度以上121度以下の範囲である、ことを特徴とする請求項1に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記支持基体の厚さは400μm以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項2のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記支持基体の厚さは、50μm以上100μm以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記活性層からのレーザ光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に偏光している、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 当該III族窒化物半導体レーザ素子におけるLEDモードにおける光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に偏光成分I1と、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向に偏光成分I2を含み、
前記偏光成分I1は前記偏光成分I2よりも大きい、ことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。 - 前記半極性主面は、{11−22}面、{11−21}面、{11−2−2}面、及び{11−2−1}面のいずれかの面から−4度以上+4度以下の範囲でオフした微傾斜面である、ことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記半極性主面は、{11−22}面、{11−21}面、{11−2−2}面、及び{11−2−1}面のいずれかである、ことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記支持基体の積層欠陥密度は1×104cm−1以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記支持基体は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記第1及び第2の割断面の少なくともいずれか一方に設けられた誘電体多層膜を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記活性層は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた発光領域を含む、ことを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記活性層は、波長430nm以上550nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含む、ことを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、
前記半導体領域の前記活性層における端面と前記六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体のa軸に直交する基準面との成す角度は、前記III族窒化物半導体のc軸及びa軸によって規定される第1平面において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。 - 前記角度は、前記第1平面及び前記法線軸に直交する第2平面において−5度以上+5度以下の範囲になる、ことを特徴とする請求項14に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
- III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板を準備する工程と、
前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、アノード電極、及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、
前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記基板生産物の第1の面を部分的にスクライブする工程と、
前記基板生産物の第2の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と
を備え、
前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、
前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面にまで延在し前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、
前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、
前記アノード電極及びカソード電極は、前記レーザ構造体上に形成され、
前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、
前記第1及び第2の端面は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び前記法線軸によって規定されるa−n面に交差する、ことを特徴とする方法。 - 前記角度ALPHAは、59度以上80度以下又は100度以上121度以下の範囲である、ことを特徴とする請求項16に記載された方法。
- 前記基板生産物を形成する前記工程において、前記基板は、前記基板の厚さが400μm以下になるようにスライス又は研削といった加工が施され、
前記第2の面は前記加工により形成された加工面、又は前記加工面上に形成された電極を含む面である、ことを特徴とする請求項16又は請求項17に記載された方法。 - 前記基板生産物を形成する前記工程において、前記基板は、前記基板の厚さが50μm以上100μm以下になるように研磨され、
前記第2の面は前記研磨により形成された研磨面、又は前記研磨面上に形成された電極を含む面である、ことを特徴とする請求項16〜請求項18のいずれか一項に記載された方法。 - 前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、
前記スクライブによりスクライブ溝が形成され、前記スクライブ溝の長さは、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm−n面と前記第1の面との交差線の長さよりも短い、ことを特徴とする請求項16〜請求項19のいずれか一項に記載された方法。 - 前記半極性主面は、{11−22}面、{11−21}面、{11−2−2}面、及び{11−2−1}面のいずれかである、ことを特徴とする請求項16〜請求項20のいずれか一項に記載された方法。
- 前記第1及び第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体のa軸に直交する基準面に対して、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸及びa軸によって規定される平面において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項16〜請求項21のいずれか一項に記載された方法。
- 前記基板は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項16〜請求項22のいずれか一項に記載された方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009209619A JP4924681B2 (ja) | 2009-09-10 | 2009-09-10 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
US12/846,361 US8306082B2 (en) | 2009-09-10 | 2010-07-29 | Group-III nitride semiconductor laser device, and method of fabricating group-III nitride semiconductor laser device |
CN201010284406.9A CN102025104B (zh) | 2009-09-10 | 2010-09-10 | Iii族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 |
US13/277,806 US8227277B2 (en) | 2009-09-10 | 2011-10-20 | Group-III nitride semiconductor laser device, and method of fabricating group-III nitride semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009209619A JP4924681B2 (ja) | 2009-09-10 | 2009-09-10 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011061033A JP2011061033A (ja) | 2011-03-24 |
JP4924681B2 true JP4924681B2 (ja) | 2012-04-25 |
Family
ID=43647744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009209619A Active JP4924681B2 (ja) | 2009-09-10 | 2009-09-10 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8306082B2 (ja) |
JP (1) | JP4924681B2 (ja) |
CN (1) | CN102025104B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5206699B2 (ja) | 2010-01-18 | 2013-06-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
US7933303B2 (en) * | 2009-06-17 | 2011-04-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device |
JP5387302B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-01-15 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5397136B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-01-22 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
EP2498293B1 (en) * | 2009-11-06 | 2018-08-01 | NGK Insulators, Ltd. | Epitaxial substrate for semiconductor element and method for producing epitaxial substrate for semiconductor element |
JP5201129B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-06-05 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5327154B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-10-30 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5252042B2 (ja) * | 2011-07-21 | 2013-07-31 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子、及びiii族窒化物半導体発光素子を作製する方法 |
JP5664627B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2015-02-04 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、iii族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を評価する方法、スクライブ溝を評価する方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3119200B2 (ja) * | 1997-06-09 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 |
JP4601808B2 (ja) * | 1999-12-06 | 2010-12-22 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置 |
US6653663B2 (en) * | 1999-12-06 | 2003-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Nitride semiconductor device |
US6596079B1 (en) * | 2000-03-13 | 2003-07-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | III-V nitride substrate boule and method of making and using the same |
JP2002111134A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2003017791A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子及びこの窒化物半導体素子の製造方法 |
US20050023260A1 (en) * | 2003-01-10 | 2005-02-03 | Shinya Takyu | Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
US6756562B1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP5743127B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2015-07-01 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置 |
JP4948307B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2012-06-06 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP4832221B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2011-12-07 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
JP2008109066A (ja) | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Rohm Co Ltd | 発光素子 |
WO2008100504A1 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-21 | The Regents Of The University Of California | Cleaved facet (ga,al,in)n edge-emitting laser diodes grown on semipolar {11-2n} bulk gallium nitride substrates |
JP2008311640A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-12-25 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザダイオード |
JP2009081336A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
US7924898B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-04-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride based semiconductor laser device with oxynitride protective coatings on facets |
JP2009099681A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板の個片化方法 |
JP2009200478A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
US8507364B2 (en) * | 2008-05-22 | 2013-08-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | N-type group III nitride-based compound semiconductor and production method therefor |
JP5206699B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2013-06-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
US7933303B2 (en) * | 2009-06-17 | 2011-04-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device |
US8355418B2 (en) * | 2009-09-17 | 2013-01-15 | Soraa, Inc. | Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates |
JP4793489B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5131266B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-01-30 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5201129B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-06-05 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5327154B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-10-30 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5625355B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2014-11-19 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP4793494B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
EP2536383A1 (en) * | 2010-02-17 | 2012-12-26 | The Procter & Gamble Company | Flexible aqueous depilatory article |
JP5206734B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2013-06-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5494259B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2014-05-14 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
-
2009
- 2009-09-10 JP JP2009209619A patent/JP4924681B2/ja active Active
-
2010
- 2010-07-29 US US12/846,361 patent/US8306082B2/en active Active
- 2010-09-10 CN CN201010284406.9A patent/CN102025104B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-20 US US13/277,806 patent/US8227277B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8306082B2 (en) | 2012-11-06 |
US8227277B2 (en) | 2012-07-24 |
US20120088326A1 (en) | 2012-04-12 |
JP2011061033A (ja) | 2011-03-24 |
US20110058585A1 (en) | 2011-03-10 |
CN102025104B (zh) | 2014-07-02 |
CN102025104A (zh) | 2011-04-20 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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