JP2011124683A - 出力バッファ回路、入力バッファ回路、及び入出力バッファ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
CMOS出力バッファ回路は、バッファ回路Buffer[1]〜[4]を備えている。各バッファ回路は、電源電圧端子又は接地端子と出力端子との間にトランジスタPO及びNOを有している。各バッファ回路中の複数個のトランジスタPO及びNOは、外部からの制御信号に従い選択的に動作可能な状態とされる。各バッファ回路中の3個のトランジスタPOは、所定のサイズ比を有するように形成されている。
【選択図】図1
Description
しかし、このように数段階に亘ってスルーレートを調整する場合、トランジスタの特性が製造工程においてばらつくことにより、各バッファ回路の駆動能力が変化し、各駆動状態の駆動能力の差が所望のものと異なってしまうことがあった。このように各段のバッファ回路の駆動能力が想定よりも変化してしまうことは、入出力信号のタイミング精度を悪化させ、回路の高速な動作を阻害する。
最初に、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る出力バッファ回路(CMOS出力バッファ回路)を説明する。
このようにして、各バッファ回路[1]〜[4]の駆動能力が微調整されることにより、上述の低駆動状態(Under Drive)、通常駆動状態(Normal)、第1高駆動状態(Over Drive1)、第2高駆動状態(Over Drive2)との間の駆動能力の差が、適正に調整される。
なお、図1では、CMOS出力バッファ回路を示したが、PMOSトランジスタのみを有するPMOS出力バッファ回路、NMOSトランジスタを有するNMOS出力バッファ回路にも本発明は適用可能である。
次に、図3を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る出力バッファ回路(CMOS出力バッファ回路)を説明する。第1の実施の形態と同一の構成要素については、図3において図1と同一の参照符号を付し、その詳細な説明は省略する。
例えば、バッファ回路Buffer[1]では、電源電圧端子とPMOSトランジスタPOA1〜POA3のソースとの間に、イネーブル用PMOSトランジスタPOA1T〜POA3Tを接続されている。また、接地端子とNMOSトランジスタNOA1〜NOA3のソースとの間に、イネーブル用NMOSトランジスタNOA1T〜NOA3Tが接続されている。その他のバッファ回路Buffer[2]〜[4]も同様に接続されている。このイネーブル用PMOSトランジスタPOA1T〜POA3Tは、ゲート信号PGA1T〜3Tにより導通制御される。イネーブル用NMOSトランジスタNOA1T〜NOA3Tは、ゲート信号NGA1T〜3Tにより導通制御される。図示しないトリミング回路によるトリミングの結果は、このゲート信号PGA1T〜3T、NGA1T〜3Tに反映される。他のバッファ回路Buffer[2]〜[4]でも同様である。
次に、本発明の第3の実施の形態に係るCMOS入力バッファ回路を、図4を参照して説明する。この入力バッファ回路は、図4に示すように、PMOSトランジスタpi0〜3と、NMOSトランジスタni0〜3を備えている。
PMOSトランジスタpi0〜3は、電源電圧端子(VCC)と出力端子OUTnとの間に電流経路を形成するように接続されている。また、NMOSトランジスタni0〜3は、出力端子OUTnと接地端子との間に電流経路を形成するように接続されている。このトランジスタpi0〜3及びni0〜3のゲートは、この入力バッファ回路の入力端子に共通接続されている。また、これらトランジスタpi0〜3及びni0〜3のドレインは、この入力バッファ回路の出力端子OUTnとされている。
この構成において、ゲート電圧Trim0〜5が選択的に”H”又は”L”とされ、トリミングトランジスタpi1T〜pi3T、及びni1T〜ni3Tが動作可能状態と非動作状態のいずれかに選択的に切り替えられる。これにより、インバータ回路を構成するPMOSトランジスタのトランジスタサイズのトリミングが実行される。
次に、本発明の第4の実施の形態に係るCMOS出力バッファ回路を、図5を参照して説明する。CMOS出力バッファ回路の構造自体は第1の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。この第4の実施の形態では、図1のバッファ回路Buffer[1]〜[4]のPMOSトランジスタPOA1〜POA3、POB1〜3、POC1〜3、POD1〜3をトリミング(トランジスタPOA1〜3、POB1〜3、POC1〜3、POD1〜3のうちの何個を動作可能な状態とするかを決める作業)をするためのトリミング回路を備えている点で、第1の実施の形態と異なっている。
図5は、そのトリミング回路の具体的構成を示す等価回路図である。このトリミング回路は、スイッチング回路41、模擬回路42、定電流回路43、デコード回路44、及び検知回路45を備えている。
また、定電流回路43は、4つのNMOSトランジスタTnoi1〜4を有する。また、デコード回路44は、4つのNMOSトランジスタTnos1〜4を有する。
次に、本発明の第5の実施の形態に係るCMOS出力バッファ回路を、図6を参照して説明する。CMOS出力バッファ回路の構造自体は第1の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。この第5の実施の形態では、第4の実施の形態と同様、トリミング回路に特徴を有するものである。図6において、図5のトリミング回路と同一の構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第6の実施の形態に係るCMOS入力バッファ回路を、図8を参照して説明する。CMOS入力バッファ回路の構造自体は第3の実施の形態(図4)と同様であるので、説明は省略する。この第6の実施の形態では、図4のPMOSトランジスタpi1〜3をトリミングするためのトリミング回路に特徴を有する。以下、このトリミング回路の構成を、図8を参照して説明する。このトリミング回路は、スイッチング回路141、模擬回路142、定電流回路143、デコード回路144、検知回路45、ダミーハーフビット回路146を備えている。
検知回路45は、図5の検知回路45と同一の構造を有する。また、スイッチング回路141、定電流回路143、デコード回路145、ダミーハーフビット回路146も、図5のスイッチング回路41、定電流回路43、デコード回路44、ダミーハーフビット回路146と同一のものであり、図8中のトランジスタTpis1〜4、トランジスタTnii1〜Tnii4、及びトランジスタTnis1〜Tnis4は、図5中のトランジスタTpos1〜4、トランジスタTnoi1〜Tnoi4、及びトランジスタTnos1〜Tnos4に相当する。
PMOSトランジスタTpi1〜3は、トランジスタpi1〜3と同一のサイズを有していてもよいし、これらよりも小さいサイズを有していてもよい。PMOSトランジスタTpi1〜3がトランジスタpi1〜3よりも小さいサイズを有する場合、定電流回路143から供給する定電流の大きさも、これに合わせた値に設定される。
ただし、このトリミング回路は、図4に示すようなCMOS入力バッファのPMOSトランジスタのトリミング(図4のトランジスタpi1〜3のうちの何個を動作可能な状態にするか)に使用されるものである。このため、模擬回路142中のトランジスタTpi1〜3及びダミーハーフビット回路146中のトランジスタTpi0は、そのゲートをノードN1に接続されている。これにより、図4のトランジスタpi1〜3のゲートの電圧が1/2VCCにある場合における図4のCMOS入力バッファ回路の動作をトリミング回路において検証することができる。
次に、本発明の第7の実施の形態に係るCMOS出力バッファ回路を、図9を参照して説明する。CMOS出力バッファ回路の構造自体は第1の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。この第7の実施の形態では、図1のバッファ回路Buffer[1]〜[4]中のNMOSトランジスタNOA1〜NOA3、NOB1〜3、NOC1〜3、NOD1〜3をトリミング(トランジスタNOA1〜NOA3、NOB1〜3、NOC1〜3、NOD1〜3のうちの何個を動作可能な状態とするかを決める作業)するためのトリミング回路として、図9に示すようなトリミング回路を備えている点で、第4及び第5の実施の形態と異なっている。本実施の形態(図9)のようなNMOSトランジスタ用のトリミング回路に加え、第3の実施の形態(図5)のようなPMOSトランジスタ用のトリミング回路を併せて備えることも可能である。又は、PMOSトランジスタについては、この実施の形態(図9)のNMOSトランジスタ用のトリミング回路のトリミング結果を反映してトリミングを実行することもできる。
また、定電流回路243は、4つのPMOSトランジスタTpoi1〜4を有する。また、デコード回路244は、4つのPMOSトランジスタTpos1〜4を有する。
次に、本発明の第8の実施の形態に係るCMOS入力バッファ回路を、図10を参照して説明する。CMOS入力バッファ回路の構造自体は第3の実施の形態(図4)と同様であるので、説明は省略する。この第8の実施の形態は、図4のNMOSトランジスタni1〜3をトリミングするためのトリミング回路に特徴を有する。以下、このトリミング回路の構成を、図10を参照して説明する。このトリミング回路は、スイッチング回路341、模擬回路342、定電流回路343、デコード回路344、検知回路45、ダミーハーフビット回路346を備えている。
NMOSトランジスタTni1〜3は、トランジスタni1〜3と同一のサイズを有していてもよいし、これらよりも小さいサイズを有していてもよい。NMOSトランジスタTni1〜3がトランジスタni1〜3よりも小さいサイズを有する場合、定電流回路343から供給する定電流の大きさも、これに合わせた値に設定される。
模擬回路342中のトランジスタTni1〜3及びダミーハーフビット回路146中のトランジスタTni0は、そのゲートをノードN1に接続されている。これにより、図4のトランジスタni1〜3のゲートの電圧が1/2VCCにある場合における図4のCMOS入力バッファ回路の動作をトリミング回路において検証することができる。
次に、本発明の第9の実施の形態に係る入出力バッファ回路を、図11を参照して説明する。この出力バッファ回路、入力バッファ回路の構造自体は第1の実施の形態(図1)、第3の実施の形態(図4)と同様であるので、説明は省略する。この実施の形態のトリミング回路は、図11に示すように、図6のPMOSトランジスタ用のトリミング回路と、図9のNMOSトランジスタ用のトリミング回路とを併合させたトリミング回路である。更に、図8、図10のトリミング回路の機能も併せ持っている。これら4種類のトリミング回路による動作を順々に実行させるための構成として、転送ゲートTG1〜4、及びトランジスタpswp2、nswn2が備えられている。なお、ダミーハーフビット回路46、246も図示しているが、これを省略することも可能である。
一方、NMOSトランジスタnswn2は、ソースに接地電圧を印加され、他端はトランジスタTni0〜3のゲートに接続されており、ゲートはゲート信号ns2nを供給されている。
(9−2)図9のトリミング回路として動作させる場合、転送ゲートTG4、トランジスタpswp2を導通状態とする一方、転送ゲートTG1、TG2、TG3及びトランジスタnswn2は非導通状態とされる。その後、第7の実施の形態で説明した動作を実行する。
(9−3)図8のトリミング回路として動作させる場合、転送ゲートTG2、トランジスタnswn2を導通状態とする一方、転送ゲートTG1、TG3、TG4及びトランジスタpswp2は非導通状態とされる。その後、第6の実施の形態で説明した動作を実行する。
(9−4)図10のトリミング回路として動作させる場合、転送ゲートTG3、トランジスタpswp2を導通状態とする一方、転送ゲートTG1、TG2、TG4及びトランジスタnswn2は非導通状態とされる。その後、第8の実施の形態で説明した動作を実行する。
次に、本発明の第10の実施の形態に係る入出力バッファ回路を、図12を参照して説明する。この出力バッファ回路、入力バッファ回路の構造自体は第1の実施の形態(図1)、第3の実施の形態(図4)と同様であるので、説明は省略する。この第10の実施の形態のトリミング回路は、図11のトリミング回路と同様に、図6、図8、図9、図10のトリミング回路の機能を併せ持ったトリミング回路である。ただし、この実施の形態では、定電流回路243、デコード回路244が省略されている点で、図11の実施の形態のトリミング回路と異なっている。その他は、図10と同一であり、同一の構成要素については同一の符号を付している。
この図12のトリミング回路を、図9、図10に示すトリミング回路として動作させる場合には、スイッチング回路41、及び模擬回路42から定電流を供給してトリミング動作を実行する。その際、図6及び図8のトリミング回路として動作させた後のトリミング結果が反映されたスイッチング回路41、および模擬回路42を用いて、トリミング動作を実行することができる。
(10−2)図9のトリミング回路として動作させる場合、転送ゲートTG4を導通状態とする。転送ゲートTG2、トランジスタpswp2、nswn2は非導通状態とする。信号sp1〜4は”L”とする。ただし、転送ゲートTG1は導通状態のまま維持する。そして、信号pc1〜3も、(10−1)でのトリミング結果に従った論理状態を維持しておく。なお、ダミーハーフビット回路46のゲート信号pc0は”L”にする。その後、第9の実施の形態と同様に動作させる。
(10−4)図10のトリミング回路として動作させる場合、転送ゲートTG3を導通状態とする。転送ゲートTG4、トランジスタpswp2、nswn2は非導通状態とする。信号sp1〜4は”L”とする。ただし、転送ゲートTG1は導通状態のまま維持する。そして、信号pc1〜3も、(10−3)でのトリミング結果に従った論理状態を維持しておく。なお、ダミーハーフビット回路46のゲート信号pc0は”L”にする。その後、第9の実施の形態と同様に動作させる。
次に、本発明の第11の実施の形態に係る入出力バッファ回路を、図13を参照して説明する。この出力バッファ回路、入力バッファ回路の構造自体は第1の実施の形態(図1)、第3の実施の形態(図4)と同様であるので、説明は省略する。この第11の実施の形態のトリミング回路は、図9のトリミング回路と同様に、図6、図8、図9、図10のトリミング回路の機能を併せ持ったトリミング回路である。ただし、この実施の形態では、定電流回路43、デコード回路44が省略されている点で、図9の実施の形態のトリミング回路と異なっている(換言すれば、定電流回路243、デコード回路244が省略されているという点で、第10の実施の形態と共通している)。その他は、図10と同一であり、同一の構成要素については同一の符号を付している。
この図13のトリミング回路を、図6、図8に示すトリミング回路として動作させる場合には、スイッチング回路241、及び模擬回路242から定電流を供給してトリミング動作を実行する。その際、図9、図10のトリミング回路として動作させた後のトリミング結果が反映されたスイッチング回路241、および模擬回路242を用いて、トリミング動作を実行することができる。具体的な動作は図12のトリミング回路と類似しているので、詳細な説明は省略する。
或いは、1つのバッファ回路に関し動作条件によって異なる駆動能力を与えたい場合には、異なる条件でトリミング動作を行い、その複数通りのトリミング結果をEEPROM等に書き込むようにしてもよい。
以上の実施の形態によれば、チップ毎の製造バラツキや、使用される電源電圧の条件に左右されることなく、バッファ回路の駆動能力の設定をチップ毎に事後的に調整することができる。従って、半導体集積回路の動作の高速化に対して貢献するところが大である。
POA1T〜3T、POB1T〜3T、POC1T〜3T、POD1T〜3T、POE1T〜3T、NOA1T〜3T、NOB1T〜3T、NOC1T〜3T、NOD1T〜3T、NOE1T〜3T・・・イネーブル用トランジスタ、
pi1T、pi2T、pi3T、ni1T、ni2T、ni3T・・・トリミング用トランジスタ
41、141、241、341・・・スイッチング回路
42、142、242、342・・・模擬回路
43、143、243、343・・・定電流回路
44,144,244,344・・・デコード回路
Claims (7)
- 入力信号の変化に対応して動作して出力端子の出力信号を変化させるトランジスタを含むバッファ回路を複数個備え、複数の前記バッファ回路を選択的に駆動させることが可能に構成された出力バッファ回路において、
複数の前記バッファ回路の各々は、所定の固定電圧を供給する固定電圧端子と出力端子との間に電流経路を並列に形成され、外部からの制御信号に従い選択的に動作可能な状態とされる複数個の出力トランジスタを有し、
複数の前記バッファ回路の各々が有する複数個の前記出力トランジスタは、所定のサイズ比を有するように形成されている
ことを特徴とする出力バッファ回路。 - 複数の前記バッファ回路の各々が有する複数個の前記出力トランジスタのうちのいずれを動作可能な状態とするかを決定するトリミング動作を行うためのトリミング回路を更に備え、
前記トリミング回路は、
複数個の前記出力トランジスタが有するサイズ比と同一のサイズ比を有する複数個の模擬トランジスタを有する模擬回路と、
複数個の前記模擬トランジスタのうちの一部又は全部を選択的に動作可能な状態にするスイッチング回路と、
前記模擬トランジスタに定電流を供給する定電流回路と、
前記定電流回路が供給する定電流と前記模擬トランジスタを流れる電流とを比較して出力信号を出力する検知回路と
を備えたことを特徴とする請求項1記載の出力バッファ回路。 - 第1の固定電圧を供給する第1固定電圧端子と出力端子との間に電流経路を形成する複数個の第1導電型の入力トランジスタと
第2の固定電圧を供給する第2固定電圧端子と前記出力端子との間に電流経路を形成する複数個の第2導電型の入力トランジスタと、
複数個の前記第1導電型の入力トランジスタのゲート及び複数個の前記第2導電型の入力トランジスタのゲートに共通接続される入力端子と、
複数個の前記第1導電型の入力トランジスタのドレイン及び複数個の前記第2導電型の入力トランジスタのドレインに接続される出力端子と、
前記第1固定電圧端子と前記第1導電型の入力トランジスタのソースとの間に電流経路を形成し選択的に導通して前記第1導電型の入力トランジスタを動作状態と非動作状態との間で切り替える第1のトリミングトランジスタと、
前記第2固定電圧端子と前記第2導電型の入力トランジスタのソースとの間に電流経路を形成し選択的に導通して前記第2導電型の入力トランジスタを動作状態と非動作状態との間で切り替える第2のトリミングトランジスタと
を備え、
複数個の前記第1導電型の入力トランジスタ、及び前記第2導電型の入力トランジスタは、それぞれ所定のサイズ比を有するように形成されている
ことを特徴とする入力バッファ回路。 - 複数個の前記第1導電型の入力トランジスタのいずれを動作可能な状態にするかを決定するトリミング動作、又は複数個の前記第2導電型の入力トランジスタのいずれを動作可能な状態とするかを決定するトリミング動作を行うためのトリミング回路を更に備え、
前記トリミング回路は、
複数個の前記第1導電型の入力トランジスタ又は複数個の前記第2導電型の入力トランジスタが有するサイズ比と同一のサイズ比を有する複数個の模擬トランジスタを有する模擬回路と、
複数個の前記模擬トランジスタのうちの一部又は全部を選択的に動作可能な状態にするスイッチング回路と、
前記模擬トランジスタに電流を供給する定電流回路と、
前記定電流回路が供給する定電流と前記模擬トランジスタを流れる電流とを比較して出力信号を出力する検知回路と
を備えたことを特徴とする請求項3記載の出力バッファ回路。 - 出力バッファ回路と、入力力バッファ回路とを備えた入出力バッファ回路において、
前記出力バッファ回路は、
所定の固定電圧を供給する固定電圧端子と出力端子との間に電流経路を並列に形成され、外部からの制御信号に従い選択的に動作可能な状態とされる複数個の出力トランジスタを有し、
複数個の前記出力トランジスタは、所定のサイズ比を有するように形成されており、
前記出力バッファ回路は、前記複数個の前記出力トランジスタのうちのいずれを動作可能な状態にするかを決定するトリミング動作を実行する第1トリミング回路を更に備え、
前記入力バッファ回路は、
第1の固定電圧を供給する第1固定電圧端子と出力端子との間に電流経路を形成する複数個の第1導電型の入力トランジスタと
第2の固定電圧を供給する第2固定電圧端子と前記出力端子との間に電流経路を形成する複数個の第2導電型の入力トランジスタと、
複数個の前記第1導電型の入力トランジスタのゲート及び複数個の前記第2導電型の入力トランジスタのゲートに共通接続される入力端子と、
複数個の前記第1導電型の入力トランジスタのドレイン及び複数個の前記第2導電型の入力トランジスタのドレインに接続される出力端子と、
を備え、
複数個の前記第1導電型の入力トランジスタ、及び前記第2導電型の入力トランジスタは、それぞれ所定のサイズ比を有し、
前記入力バッファ回路は、複数個の前記第1導電型の入力トランジスタのいずれを動作可能な状態にするかを決定するトリミング動作、又は複数個の前記第2導電型の入力トランジスタのいずれを動作可能な状態とするかを決定するトリミング動作を行うための第2トリミング回路を更に備え、
前記第1トリミング回路は、
複数個の前記出力トランジスタが有するサイズ比と同一のサイズ比を有する複数個の第1模擬トランジスタを有する第1模擬回路と、
複数個の前記第1模擬トランジスタのうちの一部又は全部を選択的に動作可能な状態にする第2スイッチング回路と
を備え、
前記第2トリミング回路は、
複数個の前記第1導電型の入力トランジスタ又は複数個の前記第2導電型の入力トランジスタが有するサイズ比と同一のサイズ比を有する複数個の第2模擬トランジスタを有する第2模擬回路と、
複数個の前記第2模擬トランジスタのうちの一部又は全部を選択的に動作可能な状態にする第2スイッチング回路と
を備え、
前記第1模擬トランジスタ及び前記第2模擬トランジスタに対し、定電流回路から定電流が供給される
ことを特徴とする入出力バッファ回路。 - 前記第1模擬回路を使用してのトリミング動作を実行する場合において、前記第2模擬回路が前記定電流回路として機能するように構成された請求項5記載の入出力バッファ回路。
- 前記第2模擬回路を使用してのトリミング動作を実行する場合において、前記第1模擬回路が前記定電流回路として機能するように構成された請求項5記載の入出力バッファ回路。
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