JP2011124580A - 電極パッドを有する発光ダイオード - Google Patents

電極パッドを有する発光ダイオード Download PDF

Info

Publication number
JP2011124580A
JP2011124580A JP2010275336A JP2010275336A JP2011124580A JP 2011124580 A JP2011124580 A JP 2011124580A JP 2010275336 A JP2010275336 A JP 2010275336A JP 2010275336 A JP2010275336 A JP 2010275336A JP 2011124580 A JP2011124580 A JP 2011124580A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor layer
light emitting
electrode pad
emitting diode
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010275336A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoung Wan Kim
京 完 金
Jeong Hee Yang
貞 姫 梁
Yeo Jin Yoon
餘 鎭 尹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Viosys Co Ltd
Original Assignee
Seoul Optodevice Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Optodevice Co Ltd filed Critical Seoul Optodevice Co Ltd
Publication of JP2011124580A publication Critical patent/JP2011124580A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body

Abstract

【課題】電極パッド付近で電流密集現象が発生するのを防止できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】この発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在した活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された第１の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第１の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、前記第２の電極パッドに連結され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオードに関し、特に、電極パッドを有する発光ダイオードに関する。
窒化ガリウム（ＧａＮ）系列の発光ダイオードが開発されて以来、ＧａＮ系列のＬＥＤは、現在、天然色ＬＥＤ表示素子、ＬＥＤ交通信号器、白色ＬＥＤなどの多様な応用分野で使用されている。
一般に、窒化ガリウム系列の発光ダイオードは、サファイアなどの基板上に各エピ層を成長させることによって形成され、Ｎ型半導体層、Ｐ型半導体層及びこれらの層の間に介在した活性層を含む。一方、前記Ｎ型半導体層上にＮ−電極パッドが形成され、前記Ｐ型半導体層上にＰ−電極パッドが形成される。前記発光ダイオードは、前記各電極パッドを介して外部電源に電気的に連結されて駆動される。このとき、電流は、Ｐ−電極パッドから前記各半導体層を経てＮ−電極パッドに流れる。
一般に、Ｐ型半導体層は高い比抵抗を有するので、Ｐ型半導体層内で電流が均一に分散されず、前記Ｐ−電極パッドが形成された部分に電流が集中し、特に角の部分に電流が集中的に流れるという問題が発生する。電流の密集は発光領域の減少につながり、結果的に発光効率を低下させる。このような問題を解決するために、Ｐ型半導体層上に比抵抗の低い透明電極層を形成し、電流の分散を図る技術が使用される。この技術により、Ｐ−電極パッドから流入した電流が、透明電極層で分散されて前記Ｐ型半導体層に流入するので、発光ダイオードの発光領域を広げることができる。
しかしながら、透明電極層は、光を吸収するためその厚さが制限されており、その結果、電流分散に限界を有する。特に、高出力のために使用される約１ｍｍ２以上の大面積の発光ダイオードにおいては、透明電極層を用いた電流分散に限界がある。
一方、発光ダイオード内の電流分散を促進するために、各電極パッドから延長された各延長部が使用されている。例えば、特許文献１には、各電極接触部１１７、１２７、すなわち、各電極パッドから多数の延長部が互いに反対方向に延長され、電流の分散が促進されることを開示している。
このような多数の延長部を使用することにより、発光ダイオードの広い領域にわたって電流を分散させることができるが、各電極パッドが位置する部分では、依然として電流が集中する電流密集現象が現われる。
一方、発光ダイオードの大面積化により、発光ダイオード内に欠陥が含まれる確率が増加する。例えば、貫通転位（ｔｈｒｅａｄｉｎｇ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）、ピンホールなどの欠陥は、電流が急激に流れる通路を提供し、電流分散を妨害する。
米国特許第６，６５０，０１８号明細書
本発明が解決しようとする課題は、電極パッド付近で電流密集現象が発生するのを防止できる発光ダイオードを提供することにある。
本発明が解決しようとする他の課題は、広い面積の発光ダイオードで電流を均一に分散させることができる発光ダイオードを提供することにある。
前記課題を解決するために、本発明の各実施例に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在した活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された第１の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第１の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、を含む。少なくとも一つの上部延長部は、前記第２の電極パッドに連結され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される。
特に、前記第１の導電型半導体層はｎ型窒化物半導体層で、前記第２の導電型半導体層はｐ型窒化物半導体層であってもよい。したがって、ｐ型窒化物半導体層上でｐ−電極パッドの周囲に電流が集中するのを防止することができる。さらに、透明電極層が前記ｐ型窒化物半導体層上に位置してもよく、前記上部延長部は前記透明電極層上に位置してもよい。
一方、前記第１の導電型半導体層は、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層のメサエッチングによって露出された少なくとも一つの領域を有することができ、前記第２の電極パッドは、前記第１の導電型半導体層の露出された領域上に位置することができる。
さらに、連結部が前記上部延長部を前記第２の電極パッドに連結することができ、前記メサエッチングが行われた第１の導電型半導体層及び活性層の各側面は、前記絶縁層によって前記連結部から絶縁され得る。
また、前記絶縁層は、前記第２の導電型半導体層上に延長され、その縁部が前記第２の導電型半導体層上に位置することができる。
いくつかの実施例において、前記第２の電極パッドの少なくとも一部は、前記第２の導電型半導体層上に位置することができる。前記第２の電極パッドと前記第２の導電型半導体層は前記絶縁層によって分離され得る。
一方、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割され得る。前記少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに連結された上部延長部を位置させることができる。
また、前記少なくとも二つの発光領域は、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有することができる。これによって、前記少なくとも二つの発光領域が同一の発光特性を示すことができる。
また、少なくとも一つの下部延長部が前記第１の電極パッドに連結されてもよく、前記下部延長部のうち少なくとも一つを、前記少なくとも二つの発光領域の間に位置させることができる。
従来の発光ダイオードにおいては、第２の電極パッドが第２の導電型半導体層上に位置し、第２の導電型半導体層に電気的に接続される。したがって、第２の電極パッドの周囲に電流が集中し、電流の分散が妨害される。しかし、本発明の各実施例によれば、前記第２の電極パッドが前記第１の導電型半導体層上に位置するので、第２の電極パッドの周囲に電流が集中するのを防止することができる。また、複数の発光領域に分割することによって、電流を各発光領域に均一に分散させることができる。
本発明の一実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 図１のＡ−Ａ線断面図である。 図１のＢ−Ｂ線断面図である。 本発明の他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。 本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。 本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。
以下、添付の各図面を参照して本発明の各実施例を詳細に説明する。以下に説明する各実施例は、当業者に本発明の思想を充分に伝達するための例として提供されるものである。したがって、本発明は、以下で説明する各実施例に限定されず、他の形態で具体化されることも可能である。そして、各図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは、便宜のために誇張して表現する場合がある。明細書全般にわたって同一の参照符号は、同一のあるいは同様の構成要素を示す。
図１は、本発明の一実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ線断面図である。
図１乃至図３を参照すれば、前記発光ダイオードは、基板２１、第１の導電型半導体層２３、活性層２５、第２の導電型半導体層２７、絶縁層３１、第１の電極パッド３５、第２の電極パッド３３及び上部延長部３３ａを含む。また、前記発光ダイオードは、さらに、各連結部３３ｂ、透明電極層２９及び下部延長部３５ａを含んでいてもよい。前記基板１１は、例えば、サファイア基板であってもよいが、これに限定されるものではない。
第１の導電型半導体層２３が前記基板２１上に位置し、前記第１の導電型半導体層２３上に第２の導電型半導体層２７が位置し、第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に活性層２５が介在する。前記第１の導電型半導体層２３、活性層２５及び第２の導電型半導体層２７は、例えば窒化ガリウム系列の化合物半導体物質、すなわち、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎで形成することができる。前記活性層２５は、要求される波長の光、例えば紫外線又は青色光を放出するように決定される組成元素及び組成比を有する。
前記第１の導電型半導体層２３はｎ型窒化物半導体層であってもよく、第２の導電型半導体層２７はｐ型窒化物半導体層であってもよい。また、その反対の場合も可能である。
前記第１の導電型半導体層２３及び／又は第２の導電型半導体層２７は、図示したように、単一層又は多層構造で形成され得る。また、活性層２５は、単一量子ウェル又は多重量子ウェル構造を有することができる。また、前記基板２１と第１の導電型半導体層２３との間にバッファ層（図示せず）が介在していてもよい。前記各半導体層２３、２５、２７は、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術又はＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）技術を使用して形成することができる。
一方、前記第２の導電型半導体層２７上には透明電極層２９を位置させることができる。透明電極層２９は、ＩＴＯ又はＮｉ／Ａｕで形成されてもよく、第２の導電型半導体層にオーミック接触される。
前記第２の導電型半導体層２７及び活性層２５は、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を使用して前記第１の導電型半導体層２３の１または複数の領域が露出されるようにパターニングされ得る。このような工程は、一般的にメサエッチング工程としてよく知られている。前記メサエッチング工程により、図示したように各発光領域が分割され得る。ここでは、二つの発光領域に分割された場合を示しているが、より多数の発光領域に分割されてもよい。また、前記メサエッチング工程によって形成される各側面は、基板２１面に対して３０〜７０°の傾斜角を有することが望ましい。
前記メサエッチングによって露出された第１の導電型半導体層上には、第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３３が位置する。前記第１の電極パッド３５は、第１の導電型半導体層２３に電気的に接続される。しかし、前記第２の電極パッド３３は、絶縁層３１によって第１の導電型半導体層２３から絶縁される。前記第１及び第２の電極パッド３３、３５は、ワイヤをボンディングするためのボンディングパッドであって、ワイヤをボンディングできるように相対的に広い面積を有する。前記第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３３は、第１の導電型半導体層２３の露出された１または複数の領域上にのみ位置させることができるが、これに限定されるものではない。
前記絶縁層３１は、第２の電極パッド３３と第１の導電型半導体層２３との間に介在し、第２の電極パッド３３を第１の導電型半導体層２３から絶縁させる。また、前記絶縁層３１は、メサエッチングによって露出された第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の各側面を覆うことができる。さらに、前記絶縁層３１は延長され、その縁部を第２の導電型半導体層２７上に位置させることができる。
一方、前記第２の導電型半導体層２７（又は透明電極層２９）上に各上部延長部３３ａが位置する。前記各上部延長部３３ａは、それぞれ各連結部３３ｂを介して第２の電極パッド３３に連結されてもよく、前記各上部延長部３３ａは、第２の導電型半導体層２７に電気的に接続される。各上部延長部３３ａは、第２の導電型半導体層２７に均一に電流を分散させるように配置される。一方、前記各連結部３３ｂは、絶縁層３１によって第２の導電型半導体層２７及び活性層２５の各側面から分離される。
一方、少なくとも一つの下部延長部３５ａを、前記第１の電極パッド３５から延長させることができる。前記下部延長部３５ａは、第１の導電型半導体層２３上に位置し、第１の導電型半導体層２３に電気的に接続する。下部延長部３５ａは、図示したように、分割された各発光領域の間に位置することができる。あるいは、これに限定されるものではなく、下部延長部３５ａは、各発光領域の外側に位置することもできる。
前記各電極パッド３３、３５、各上部延長部３３ａ、各連結部３３ｂ及び下部延長部３５ａは、同一の金属材料、例えば、Ｃｒ／Ａｕで同一の工程を用いて共に形成することができるが、これに限定されるものではない。例えば、各上部延長部３３ａと前記第２の電極パッド３３は、別個の工程で形成することもでき、互いに異なる材料で形成することもできる。
本実施例において、分割された各発光領域は、第１の電極パッド３５と第２の電極パッド３３をつなぐ線、例えば、Ｂ−Ｂ線に対して対称構造を有する。各上部延長部３３ａも互いに対称に配置され、前記各発光領域は同一の発光特性を示すことができる。したがって、従来の二つの発光ダイオードを並列に連結して使用する場合に比べて、一つの発光ダイオード内で発光領域を二つに分割して使用することによって、発光ダイオードのパッケージング工程を単純化することができる。さらに、各発光領域を分割することによって、欠陥によって電流が集中するのを緩和することができ、メサエッチングによって傾斜した各側面を形成することによって光抽出効率を増加させることができる。
図４は、本発明の他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。
図４を参照すれば、本実施例に係る発光ダイオードは、図１乃至図３を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、第２の電極パッド４３の一部が第２の導電型半導体層２７の上部に位置するという点で差を有する。
すなわち、第２の電極パッド４３は、メサエッチングによって露出された第１の導電型半導体層２３上に位置し、その一部が第２の導電型半導体層２７の上部に位置する。前記第２の電極パッド４３は、絶縁層３１によって第１の導電型半導体層２７から分離され、また、第２の導電型半導体層及び活性層からも分離される。各延長部３３ａは、前記第２の電極パッド４３から延長される。
本実施例によれば、絶縁層３１によって第２の電極パッド４３を各半導体層から分離し、第２の電極パッド４３の周囲に電流が集中するのを防止することができる。また、上述した実施例とは異なり、メサエッチングが行われる領域を相対的に減少させることができ、発光領域を増加させることができる。
図５は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。
図１の実施例は、第１の電極パッド３５及び第２の電極パッド３３が発光ダイオードの長軸方向に沿って配置され、各発光領域が発光ダイオードの長軸方向に沿って分割される場合を示している。一方、本実施例においては、各電極パッド５３、５５が発光ダイオードの短軸方向に沿って配置され、各発光領域が発光ダイオードの短軸方向に沿って分割されている。また、分割された各発光領域は対称構造を有し、各上部延長部５３ａ及び各下部延長部５５ａも対称構造で配置されている。
ここで、前記各上部延長部５３ａは、発光ダイオードの外側に延長され、発光ダイオードを取り囲む形態で配置され、発光ダイオードの外側から内側に侵入する延長部５３ｂを有する。一方、各下部延長部５５ａは、発光ダイオードの内側から外側に向かって延長されている。また、各下部延長部５５ａは、それぞれ各発光領域内で前記延長部５３ｂを取り囲むように二つに分けられ得る。
図６は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。
図６を参照すれば、本実施例に係る発光ダイオードは、図５を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、各下部延長部６５ａ及び各上部延長部６３ａの配置において差を有する。
すなわち、各下部延長部６５ａが発光ダイオードの外側に延長された後、発光領域の内側に侵入し、各上部延長部６３ａは各発光領域上に二つの延長部を含み、これら二つの延長部は、前記内側に侵入した下部延長部６５ａを取り囲むように配置される。
以上、本発明のいくつかの実施例について説明したが、各電極パッド及び各延長部の配置に対する多様な実施例及び変形が可能である。また、上記では、二つの発光領域に分割された発光ダイオードを例に挙げて説明したが、より多数の発光領域に分割されてもよく、各発光領域が完全に分割されなくてもよい。すなわち、各発光領域の少なくとも一部が互いに連結されてもよい。
２１：基板
２３：第１の導電型半導体層
２５：活性層
２７：第２の導電型半導体層
３１：絶縁層
３３：第２の電極パッド
３３ａ：上部延長部
３５：第１の電極パッド

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、
    前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、
    前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在した活性層と、
    前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された第１の電極パッドと、
    前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、
    前記第１の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第１の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、
    前記第２の電極パッドに連結され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部と、を含む発光ダイオード。
  2. 前記第１の導電型半導体層はｎ型窒化物半導体層で、前記第２の導電型半導体層はｐ型窒化物半導体層であることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード。
  3. 前記ｐ型窒化物半導体層上に位置する透明電極層をさらに含み、前記上部延長部は前記透明電極層上に位置する、請求項２に記載の発光ダイオード。
  4. 前記第１の導電型半導体層は、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層のメサエッチングによって露出された少なくとも一つの領域を有し、
    前記第２の電極パッドは、前記第１の導電型半導体層の露出された領域上に位置する、請求項１に記載の発光ダイオード。
  5. 前記上部延長部と前記第２の電極パッドを連結する連結部をさらに含み、
    前記メサエッチングが行われた第１の導電型半導体層及び活性層の各側面は前記絶縁層によって前記連結部から絶縁される、請求項４に記載の発光ダイオード。
  6. 前記絶縁層は、前記第２の導電型半導体層上に延長され、その縁部が前記第２の導電型半導体層上に位置する、請求項４に記載の発光ダイオード。
  7. 前記第２の電極パッドの少なくとも一部は前記第２の導電型半導体層上に位置し、前記第２の電極パッドと前記第２の導電型半導体層は前記絶縁層によって分離されている、請求項６に記載の発光ダイオード。
  8. 前記第２の導電型半導体層及び前記活性層は分割され、少なくとも二つの発光領域を定義し、
    前記少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第２の電極パッドに連結された上部延長部が位置する、請求項１に記載の発光ダイオード。
  9. 前記少なくとも二つの発光領域は、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有する、請求項８に記載の発光ダイオード。
  10. 前記第１の電極パッドに連結された少なくとも一つの下部延長部をさらに含み、前記下部延長部のうち少なくとも一つは前記少なくとも二つの発光領域の間に位置する、請求項８に記載の発光ダイオード。
JP2010275336A 2009-12-14 2010-12-10 電極パッドを有する発光ダイオード Pending JP2011124580A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090123862A KR101055768B1 (ko) 2009-12-14 2009-12-14 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR10-2009-0123862 2009-12-14

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015095055A Division JP6199338B2 (ja) 2009-12-14 2015-05-07 電極パッドを有する発光ダイオード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011124580A true JP2011124580A (ja) 2011-06-23

Family

ID=43639128

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010275336A Pending JP2011124580A (ja) 2009-12-14 2010-12-10 電極パッドを有する発光ダイオード
JP2015095055A Active JP6199338B2 (ja) 2009-12-14 2015-05-07 電極パッドを有する発光ダイオード

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015095055A Active JP6199338B2 (ja) 2009-12-14 2015-05-07 電極パッドを有する発光ダイオード

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8541806B2 (ja)
EP (1) EP2333849A3 (ja)
JP (2) JP2011124580A (ja)
KR (1) KR101055768B1 (ja)
CN (2) CN105489728B (ja)
TW (1) TWI418061B (ja)
WO (1) WO2011074768A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101368720B1 (ko) 2013-01-10 2014-03-03 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
WO2014088256A1 (ko) * 2012-12-03 2014-06-12 일진엘이디(주) 세퍼레이션 영역을 포함하여 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 반도체 발광소자
WO2014192226A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 信越半導体株式会社 発光素子
JP2018026597A (ja) * 2017-11-16 2018-02-15 ローム株式会社 発光素子および発光素子パッケージ
JP2018139291A (ja) * 2016-04-18 2018-09-06 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 高効率発光ダイオード
US11239387B2 (en) 2016-04-18 2022-02-01 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode with high efficiency

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9236532B2 (en) * 2009-12-14 2016-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
WO2011083923A2 (en) 2010-01-07 2011-07-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
KR20120015651A (ko) * 2010-08-12 2012-02-22 서울옵토디바이스주식회사 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드
TW201320402A (zh) * 2011-11-04 2013-05-16 Lextar Electronics Corp 固態發光半導體元件
TWI479694B (zh) * 2012-01-11 2015-04-01 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode wafers
TWI438895B (zh) * 2012-02-09 2014-05-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體陣列
TWI535077B (zh) 2012-05-24 2016-05-21 台達電子工業股份有限公司 發光單元及其發光模組
US10804316B2 (en) * 2012-08-07 2020-10-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
CN104521012B (zh) * 2012-08-07 2018-04-24 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列及其制造方法
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US9318529B2 (en) 2012-09-07 2016-04-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
DE112013003887T5 (de) 2012-09-07 2015-05-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiodenarray auf Wafer-Ebene
USD709840S1 (en) 2012-10-03 2014-07-29 Epistar Corporation Light-emitting diode
CN102881797B (zh) * 2012-10-18 2015-02-25 安徽三安光电有限公司 具有电流扩展结构的氮化镓基发光二极管
KR20140076204A (ko) * 2012-12-12 2014-06-20 서울바이오시스 주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
CN104425538B (zh) * 2013-09-03 2019-05-03 晶元光电股份有限公司 具有多个发光结构的发光元件
US9666779B2 (en) * 2013-11-25 2017-05-30 Yangzhou Zhongke Semiconductor Lighting Co., Ltd. Semiconductor light emitting diode chip with current extension layer and graphical current extension layers
USD743355S1 (en) * 2014-07-22 2015-11-17 Epistar Corporation Light-emitting diode unit
USD770397S1 (en) * 2014-07-22 2016-11-01 Epistar Corporation Light-emitting diode unit
KR101888608B1 (ko) 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
USD750580S1 (en) * 2014-10-30 2016-03-01 Epistar Corporation Light-emitting diode array
US9905729B2 (en) * 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
USD775090S1 (en) * 2015-04-23 2016-12-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
TWD178892S (zh) * 2015-11-17 2016-10-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體陣列之部分
KR102550007B1 (ko) * 2016-11-30 2023-07-03 서울바이오시스 주식회사 복수의 발광셀들을 가지는 발광 다이오드
US10475962B2 (en) * 2017-02-15 2019-11-12 Epistar Corporation Optoelectronic device
CN108711586B (zh) * 2017-02-21 2019-09-13 福建兆元光电有限公司 一种出光效率高的半导体led芯片
CN106972090A (zh) * 2017-04-14 2017-07-21 华南理工大学 一种弧线形n电极及垂直结构led芯片
CN108198923A (zh) * 2017-11-23 2018-06-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN108110024A (zh) * 2018-01-16 2018-06-01 福建兆元光电有限公司 一种半导体发光元件
WO2021077338A1 (zh) * 2019-10-23 2021-04-29 安徽三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法
CN113659052B (zh) * 2021-08-16 2023-08-01 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管、发光模块及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
US6650018B1 (en) * 2002-05-24 2003-11-18 Axt, Inc. High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same
JP2007049160A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2009088481A (ja) * 2007-09-14 2009-04-23 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3447527B2 (ja) * 1996-09-09 2003-09-16 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
JP4058937B2 (ja) * 2001-11-07 2008-03-12 松下電器産業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP4053926B2 (ja) * 2002-05-27 2008-02-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とそれを用いた発光装置
JP2005012091A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 Stanley Electric Co Ltd 光ファイバ用ｌｅｄおよびその製造方法
CN2643486Y (zh) * 2003-08-01 2004-09-22 艾笛森光电股份有限公司 半导体光源
KR20060077801A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 엘지전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
TWI282866B (en) * 2005-07-12 2007-06-21 Benq Corp Scan system with multi-light sources and method of the same
JP4978014B2 (ja) 2006-01-30 2012-07-18 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
KR100833309B1 (ko) * 2006-04-04 2008-05-28 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
KR100833311B1 (ko) * 2007-01-03 2008-05-28 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
CN102779918B (zh) * 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
KR100809220B1 (ko) 2007-02-01 2008-02-29 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
TWI366291B (en) * 2007-03-30 2012-06-11 Epistar Corp Semiconductor light-emitting device having stacked transparent electrodes
DE102007022947B4 (de) * 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP2008283028A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光空間伝送システム。
TW200919768A (en) * 2007-10-19 2009-05-01 Huga Optotech Inc Semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
CN101257072B (zh) * 2007-12-26 2010-12-15 厦门市三安光电科技有限公司 一种立体式空间分布电极的发光二极管及其制造方法
CN101499510B (zh) 2008-01-30 2011-06-22 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 半导体发光元件
JP5148336B2 (ja) * 2008-03-26 2013-02-20 京セラ株式会社 発光ダイオードチップおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
US6650018B1 (en) * 2002-05-24 2003-11-18 Axt, Inc. High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same
JP2007049160A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2009088481A (ja) * 2007-09-14 2009-04-23 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014088256A1 (ko) * 2012-12-03 2014-06-12 일진엘이디(주) 세퍼레이션 영역을 포함하여 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 반도체 발광소자
KR101368720B1 (ko) 2013-01-10 2014-03-03 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
WO2014192226A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 信越半導体株式会社 発光素子
JP2014236038A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 信越半導体株式会社 発光素子
JP2018139291A (ja) * 2016-04-18 2018-09-06 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 高効率発光ダイオード
US11239387B2 (en) 2016-04-18 2022-02-01 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode with high efficiency
JP2018026597A (ja) * 2017-11-16 2018-02-15 ローム株式会社 発光素子および発光素子パッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
US8541806B2 (en) 2013-09-24
WO2011074768A1 (en) 2011-06-23
CN102097566A (zh) 2011-06-15
KR101055768B1 (ko) 2011-08-11
TW201138152A (en) 2011-11-01
KR20110067313A (ko) 2011-06-22
JP6199338B2 (ja) 2017-09-20
EP2333849A3 (en) 2013-05-08
US20110140160A1 (en) 2011-06-16
CN105489728A (zh) 2016-04-13
JP2015159328A (ja) 2015-09-03
TWI418061B (zh) 2013-12-01
EP2333849A2 (en) 2011-06-15
CN105489728B (zh) 2018-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6199338B2 (ja) 電極パッドを有する発光ダイオード
US8076688B2 (en) Light emitting diode having extensions of electrodes for current spreading
JP2013533644A (ja) 改善された光抽出効率を有する発光ダイオード
KR101625130B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101636034B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101272705B1 (ko) 균일한 전류밀도 특성을 갖는 발광 다이오드
KR101625122B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101649286B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101712519B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101623950B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101625131B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101615277B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101337612B1 (ko) 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드
KR101106135B1 (ko) 균일한 전류밀도 특성을 갖는 발광 다이오드
KR101625127B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101618799B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101618800B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101615283B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101623952B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR101623951B1 (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131120

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140408

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140707

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140710

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140805

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150106