JP2011119228A - ハイブリッドリレー - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体スイッチが高熱となることを防止できるハイブリッドリレーを提供する。
【解決手段】本発明によるハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される機械式接点スイッチ12と、この機械式接点スイッチ12と並列に接続される半導体スイッチ13とを備え、電源より負荷に供給する給電路として、機械式接点スイッチ12による第1給電路と、半導体スイッチ13による第2給電路とを並列接続したハイブリッドリレーであって、半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに電路を閉じる安全回路部として例えば温度ヒューズF1を具備している。
【選択図】図1

Description

本発明は、機械式接点スイッチと半導体スイッチとを備えたハイブリッドリレーに関するものである。
従来、照明器具など、インバータ制御を行うインバータ回路を備えた負荷への電力の供給と遮断とを切り換えるために、機械式接点スイッチと半導体スイッチとを並列に接続した構成のハイブリッドリレーが使用される。ところで、インバータ回路を備えた負荷には、交流電圧を直流電圧に変換するために大容量の平滑コンデンサが付設されており、交流電源から負荷への電源投入時には、この平滑コンデンサに大電流が流れ込む。このため、負荷への突入電流が発生する。特に、電源電圧が高く、高負荷とされる状況下では、負荷に流れ込む突入電流が大きくなるため、負荷と交流電源との間に接続されるハイブリッドリレーにおいても、この突入電流に基づく大電流が流れることとなる。
そのため、このような負荷と接続されるハイブリッドリレーにおいては、ON時と、定常状態とで、半導体スイッチと機械式接点スイッチとの切り替えがなされる。まず、半導体スイッチのみをON(閉)として、突入電流を半導体スイッチに流した後、負荷に供給される電流が定常状態となったときに、機械式接点スイッチをON(閉)とする(特許文献1参照)。このように動作させることによって、ハイブリッドリレー内の機械式接点スイッチに大電流が流れるのを抑制できるため、接点対の接触直前におけるアークの発生による接点溶着を回避することができる。このように、ハイブリッドリレーは、機械式接点スイッチにおける接点溶着を防止するために半導体スイッチを備えた構造とされるが、機械式接点スイッチをONとし、半導体スイッチをOFF(開)として、負荷への電力供給を開始する。
特開平11−238441号公報
このように機械式接点スイッチと半導体スイッチとを備えたハイブリッドリレーは、特許文献1のハイブリッドリレーのように、機械式接点スイッチの接点溶着を防止するために、電源供給の場合は、半導体スイッチを先にONとし、電源遮断の場合は、半導体スイッチを後にOFFとする。そのため、ハイブリッドリレーの開閉動作のたびに、半導体スイッチに突入電流が流れるため、機械式接点スイッチに比べて、半導体スイッチの寿命が短くなってしまう。この半導体スイッチが寿命となり短絡した場合、半導体スイッチは常時通電状態となるため、半導体スイッチが高熱となり、発火の原因となる場合がある。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、半導体スイッチが高熱となることを防止できるハイブリッドリレーを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によるハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される機械式接点スイッチと、この機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、電源より負荷に供給する給電路として、機械式接点スイッチによる第1給電路と、半導体スイッチによる第2給電路とを並列接続したハイブリッドリレーであって、半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに給電制御を行う安全回路部を具備したことを特徴とする。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、安全回路部が、半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに断線する温度ヒューズであるものを含む。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、温度ヒューズが、第2給電路上に設けられたものを含む。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、安全回路部は、半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには、駆動部を動作させて機械式接点スイッチの接点を閉じる温度スイッチであるものを含む。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、安全回路部は、半導体スイッチの温度を検出する温度センサと、温度センサで検出された半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには、駆動部を動作させて機械式接点スイッチの接点を閉じる制御部とを備えたものを含む。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、駆動部により接点が開閉される第1、第2の機械式接点スイッチと、機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、電源より負荷に供給する給電路として、第1の機械式接点スイッチによる第1給電路と、第2の機械式接点スイッチと半導体スイッチとを直列に接続した第2給電路とを、並列に構成したものを含む。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに第1の機械式接点スイッチの駆動部を動作させて第1の機械式接点スイッチの接点を閉じる温度スイッチを設けたものを含む。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、安全回路部は、半導体スイッチのパッケージの凸部の上面に設置されたものを含む。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、安全回路部は温度ヒューズであり、温度ヒューズのリード端子の一方が半導体スイッチのパッケージの中心に密着して配置されたものを含む。
また本発明は、上記ハイブリッドリレーであって、半導体スイッチが所定温度以上となったときに外部に異常を報知する報知部を、更に備えたものを含む。
上記安全回路部を備えた構成では、半導体スイッチが所定温度以上の異常温度になったときには、給電路が遮断されるので、半導体スイッチが更に加熱されて焼損、発火することがない。
上記安全回路部として温度ヒューズを備えた構成では、半導体スイッチが所定温度以上の異常温度になったときには、温度ヒューズが断線して第2給電路が遮断されるので、半導体スイッチが更に加熱されて焼損、発火することがない。
また、上記安全回路部として温度スイッチを備えた構成では、半導体スイッチが所定温度以上の異常温度になったときには、温度スイッチによって、第1給電路を構成する機械式接点スイッチの接点を強制的に閉じられるので、第2給電路に流れる電流量が減少する。そのため、半導体スイッチが更に加熱されて焼損、発火することがない。
また、上記安全回路部として温度センサと、この温度センサで検出された半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには、第1給電路を構成する機械式接点スイッチの接点を閉じる制御部とを備えた構成では、半導体スイッチが所定温度以上の異常温度になったときには、制御部が第1給電路を構成する機械式接点スイッチの接点を強制的に閉じるので、第2給電路に流れる電流量が減少する。そのため、半導体スイッチが更に加熱されて焼損、発火することがない。
また、報知部を備えた構成では、使用者に、半導体スイッチの寿命を通知できる。
本発明の実施の形態1のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図 (a)、(b)は、いずれも本発明の実施の形態1のハイブリッドリレーの変形例の内部構成を示す概略回路図 本発明の実施の形態2のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図 本発明の実施の形態3のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図 (a)、(b)は、いずれも本発明の実施の形態4のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図 (a)、(b)は、いずれも本発明の実施の形態4のハイブリッドリレーの変形例の内部構成を示す概略回路図 (a)、(b)は、いずれも本発明の実施の形態4のハイブリッドリレーの変形例の内部構成を示す概略回路図 (a)、(b)は、いずれも本発明の実施の形態5のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図 本発明の実施の形態6のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図 本発明の実施の形態7のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図 本発明の実施の形態8のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図 本発明の実施の形態9のハイブリッドリレーの半導体スイッチのそれぞれに温度ヒューズF1を設けたプリント配線基板の上面図 本発明の実施の形態9のハイブリッドリレーの要部を示す図であり、(a)は半導体スイッチと温度ヒューズの正面図、(b)は側面図
本発明を実施したハイブリッドリレーについて、図面を参照して説明する。
(実施の形態1)
図1は、実施の形態の内部構成を示す概略回路図である。
このハイブリッドリレー1は、図1に示すように、機械式接点スイッチ12による第1給電路と、半導体スイッチ13による第2給電路とを並列接続し、半導体スイッチ13の温度が所定温度以上となったときに給電路を閉じる安全回路部として温度ヒューズF1を、この第2給電路に備えたことを特徴とするものである。
このハイブリッドリレー1は、直列に接続された交流電源2及び負荷3のそれぞれの一端である端子10,11に接続されることで、交流電源2及び負荷3と閉回路を形成する。即ち、交流電源2から負荷3への電源の投入及び遮断が、ハイブリッドリレー1のON(閉)/OFF(開)によって決定される。ここに、交流電源2は、例えば、100Vの商用電源などとされ、負荷3は、例えば、蛍光灯や白熱球を含む照明器具または換気扇などである。
すなわち、このハイブリッドリレー1は、負荷3の一端に一端が接続された交流電源2の他端と接続される端子10と、負荷3の他端に接続される端子11と、端子10,11に両端が接続され、互いに並列接続された機械式接点スイッチ12および半導体スイッチ13と、信号処理回路15とを備える。そしてこの機械式接点スイッチ12は接点部S1を有する。また、半導体スイッチ13は、トライアックS2を有し、機械式接点スイッチ12と、端子10,11に両端が接続されることで接点部S1と並列に接続される。そしてこの信号処理回路15は、機械式接点スイッチ12と半導体スイッチ13のそれぞれのON(閉)/OFF(開)制御を行うとを備える。機械式接点スイッチ12は、接点部S1と、接点部S1を開閉させる電磁力を発生する磁気コイルL1とによって構成される。磁気コイルL1は、一端に電源電位が印加されるとともに、他端にトランジスタTr1のドレインが接続される。トランジスタTr1は、そのベース電極に、信号処理回路15からの制御信号が入力されるとともに、エミッタ電極が接地される。このように、信号処理回路15と、これに接続されたトランジスタTr1とにより、駆動部として、機械式接点スイッチ12の開閉が行われる。
半導体スイッチ13は、トライアックS2と、フォトトライアックカプラ14とを具備している。このトライアックS2は、端子10に温度ヒューズF1を介して電極が接続されるとともに端子11にもう一方の電極が接続される。フォトトライアックカプラ14は、ゼロクロス型のフォトトライアックS3と、このフォトトライアックS3に対して光信号を照射する発光ダイオードLDとを有する。ゼロクロス型のフォトトライアックS3は、トライアックS2のもう一方の電極とゲート電極との間に接続される。そしてこの発光ダイオードLDびアノード電極には、電源電位が印加されるとともに、カソード電極には、スイッチング素子であるnpn型のトランジスタTr2のドレイン電極が接続される。またこのトランジスタTr2のベース電極には、信号処理回路15からの制御信号が入力されるとともに、エミッタ電極は接地される。
ハイブリッドリレー1における、交流電源2から負荷3への電源投入及び遮断それぞれを行うときの動作を、以下に簡単に説明する。まず、交流電源2から負荷3へ電源を投入する場合は、信号処理回路15から制御信号がトランジスタTr2のベース電極に与えられて、トランジスタTr2を導通状態(ON)とする。これにより、半導体スイッチ13において、発光ダイオードLDからの光信号が、フォトトライアックS3に入光し、フォトトライアックS3がONとなる。なお、フォトトライアックS3は、ゼロクロス機能を備えるため、交流電源2からの交流電圧が中心電圧(基準電圧)となったことを検出したときに、フォトトライアックS3がONとなる。
このフォトトライアックS3の導通により、交流電源2からの交流電流が、フォトトライアックS3を介して流れるため、トライアックS2のゲート電極に電流を供給し、フォトトライアックS3がONとなる。これにより、負荷3が、ハイブリッドリレー1内の半導体スイッチ13を介して、交流電源2と電気的に接続されるため、負荷3には、交流電源2による電源が投入される。このようにして、半導体スイッチ13内のトライアックS2をONとし、交流電源2からの電源が負荷3へ投入された後、信号処理回路15は、トランジスタTr1のベース電極に制御信号を与えて、トランジスタTr1をONとし、磁気コイルL1に駆動電流を供給させる。よって、磁気コイルL1の電磁力が発生し、接点部S1が閉(ON)の状態となる。
そして、この機械式接点スイッチ12の接点部S1を介した交流電源2による負荷3への電力供給が開始されると、半導体スイッチ13における給電路を遮断するために、信号処理回路15は、トランジスタTr2を非導通状態(OFF)として、発光ダイオードLDへの電流供給を停止する。そのため、発光ダイオードLDの発光動作が停止し、フォトトライアックS3への光信号の照射が停止されるため、フォトトライアックS3は、交流電源2からの交流電圧が中心電圧(基準電圧)となったときに動作を停止し、OFFとなる。そして、フォトトライアックS3がOFFとなると、トライアックS2のゲート電極へ電流供給がなくなるため、トライアックS2が非導通状態となり、半導体スイッチ13がOFFとなる。
一方、交流電源2から付加3へ電源供給を遮断する場合は、信号処理回路15が制御信号をトランジスタTr2のベース電極に与えて、トランジスタTr2をONとし、発光ダイオードLDからの光信号をフォトトライアックS3に入光させる。これにより、フォトトライアックS3をONとすることで、トライアックS2をONとし、機械式接点スイッチ12を介した給電路(第1の給電路)以外に、半導体スイッチ13を介した給電路(第2の給電路)を、ハイブリッドリレー1内に形成する。そして、信号処理回路15は、トランジスタTr1をOFFとして、電磁コイルL1への駆動電流の供給を停止し、接点部S1を開(OFF)の状態とする。これにより、主要な給電路となる、機械式接点スイッチ12を介した給電路(第1の給電路)を遮断することができる。その後、信号処理回路15は、トランジスタTr2をOFFとし、発光ダイオードLDへの電流供給を停止することで、フォトトライアックS3をOFFとする。これにより、トライアックS2がOFFとなるため、半導体スイッチ13による給電路が遮断されるため、交流電源2から付加3へ電源供給が遮断される。
温度ヒューズF1は、トライアックS2の異常温度を検出する温度検出素子として機能させるために、トライアックS2の表面または近傍に固定される。この温度ヒューズF1は、トライアックS2の温度が動作温度以上の異常温度となったとき、例えば、トライアックS2に突入電流などが流れる、または、トライアックS2が寿命によりショートしたときに断線し、トライアックS2、およびフォトトライアックS3への電流供給が遮断される。この温度ヒューズF1の配置については後述するが、機械的負荷がかからないようにかつ、半導体スイッチ13に近接して配置される。ここでは温度ヒューズF1は半導体スイッチ13のパッケージの凸部の上面に、温度ヒューズのリード端子の一方が半導体スイッチ13のパッケージの中心に密着するように配置される。
これにより、トライアックS2およびフォトトライアックS3を熱破壊から保護することができ、火災の発生などを防ぐことができる。ここで、温度ヒューズF1で遮断される給電路は、半導体スイッチ13による給電路(第2の給電路)のみであり、主接点である機械式接点スイッチ12による給電路(第1の給電路)については、開閉可能であるため、温度ヒューズが断線した後でも、機械式接点スイッチ12の開閉を制御することで、負荷3への電源供給及び遮断を実行できる。
なお、上記実施の形態では、トライアックS2とフォトトライアックS3との接続ノードと端子10との間に、温度ヒューズF1を接続した構成を説明したが、変形例として、図2(a)のように、トライアックS2の異常温度を検出する温度ヒューズF2を、トライアックS2の一方の電極と端子10との間に接続するものとしてもよい。また、図2(b)に示すように、フォトトライアックS3の一方の電極とトライアックS2の一方の電極との間に、トライアックS2の異常温度を検出する温度ヒューズF3を接続するものとしてもよい。更に、図1、図2(a)または、(b)のように構成するとき、温度ヒューズF1,F2によって、トライアックS2だけでなくフォトトライアックS3の異常温度をも検出できるように配置位置を調整してもよい。
(実施の形態2)
次いで、本発明の実施の形態2について、図面を参照して説明する。図3は、実施の形態2のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図である。なお、図1に示した実施の形態1のハイブリッドリレーと同一の部分については同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。
このハイブリッドリレーは、図3に示すように、図1に示した実施の形態1の構成から温度ヒューズF1を除き、トランジスタTr1のエミッタ・コレクタ間に接続した温度スイッチS4を設けた構成である。よって、図1に示した実施の形態1のリレースイッチとは、温度スイッチS4に基づく動作が異なるだけで、その他の構成や動作については、図1の実施の形態と同様であるため、その詳細については省略する。以下、温度スイッチS4に基づく動作について説明する。
温度スイッチS4は、バイメタルスイッチなどのように、検出した温度に反応して開閉動作を行うスイッチで構成され、図1の実施の形態1のハイブリッドリレーと同様、半導体スイッチ13におけるトライアックS2の温度を検出するべく、トライアックS2の表面または近傍に固定される。
トライアックS2が規定温度内であれば、温度スイッチS4はOFF(開)の状態であり、磁気コイルL1の駆動電流の供給/遮断は、トランジスタTr1のON/OFFによって制御される。一方、トライアックS2の温度が規定温度よりも高温になれば、温度スイッチS4はON(閉)の状態となり、磁気コイルL1に対して、強制的に駆動電流を供給する。これにより、磁気コイルL1による電磁力が発生して、機械式接点スイッチ12の接点S1が強制的にONとされるため、この機械式接点スイッチ12による給電路が主要な給電路として形成され、その結果、半導体スイッチ13による給電路に流れる電流量が抑制される。従って、半導体スイッチ13を構成するトライアックS2及びフォトトライアックS3それぞれに流れる電流量が低減されるため、半導体スイッチ13による高熱の発生を防止できる。
更に、他の実施の形態について、図面を参照して説明する。図4は、他の実施の形態の内部構成を示す概略回路図である。なお、図1の実施の形態と同一の部分については同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。
(実施の形態3)
次に本発明の実施の形態3のハイブリッドリレーについて説明する。この例では、図4に示すように、図1に示した実施の形態1のハイブリッドリレーから温度ヒューズF1を除き、半導体スイッチ13の温度を測定する温度センサT1と、半導体スイッチ13の温度が異常温度となったときに外部に報知する報知部16と、を設けた構成となる。よって、図1の実施の形態のハイブリッドリレーと共通する構成については同一の参照符号を付けて説明を省略し、以下では、温度センサについて説明する。
温度センサT1は、サーミスタなどのような感温素子によって構成され、図1の実施の形態のハイブリッドリレーにおける温度ヒューズF1と同様、半導体スイッチ13におけるトライアックS2の温度を検出するべく、トライアックS2の表面または近傍に固定される。そして、温度センサT1は、所定の測定タイミング毎に、測定した半導体スイッチ13の温度を、信号処理部15に通知する。
信号処理部15には、スピーカまたはブザーなどの発音体や、LED(Light Emitting Diode)または液晶ディスプレイなどの表示装置によって構成される報知部16が接続されており、半導体スイッチ13の異常発生が外部に通知される。
すなわち、温度センサT1によって半導体スイッチ13の温度を検出して、異常温度であれば、報知部16を駆動して、その異常発生を外部に通知する。
信号処理部15は、このとき、トランジスタTr1のベース電極に制御信号を与えて、トランジスタTr1をONにして、機械式接点スイッチ12を閉にする構成としてもよい。このようにすれば、機械式接点スイッチ12による給電路が主要な給電路として強制的に形成されて、半導体スイッチ13による給電路に流れる電流量を抑制できる。よって、半導体スイッチ13を構成するトライアックS2及びフォトトライアックS3それぞれに流れる電流量が低減されて、半導体スイッチ13による高熱の発生を防止できる。また、報知部16による報知動作を実行することにより、外部に対して、半導体スイッチ13が異常温度である旨を通知でき、使用者に、半導体スイッチ13の寿命を早急に知らせることができる。
なおこの場合、実施の形態1の温度ヒューズF1と併用してもよい。またこのとき、温度センサT1により報知部16を駆動する温度に比べて温度ヒューズF1の溶断する温度を高く設定しておくことで、早めに高熱発生を報知することができる。
(実施の形態4)
次に本発明の実施の形態4のハイブリッドリレーについて、図面を参照して説明する。図5は、実施の形態4のハイブリッドリレーの内部構成を示す概略回路図である。なお、図1に示した実施の形態1のハイブリッドリレと同一の部分については同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。
本発明の実施の形態4のハイブリッドリレーは、図5(a)に示すように、図1に示した実施の形態1のハイブリッドリレー1の基本的な構成に、第2の機械式接点スイッチ17を加えたものである。
すなわち、この実施の形態は、負荷3の一端に一端が接続された交流電源2の他端と接続される端子10と、負荷3の他端に接続される端子11と、端子10,11に両端が接続される接点部S1を有する第1の機械式接点スイッチ12と、端子10と接点部S1の一端との接続ノードに一端が接続された接点部S5を有する第2の機械式接点スイッチ17と、接点部S5の他端に一方の電極が接続され、端子11に他方の電極が接続されたフォトトライアックS3を有する半導体スイッチ13と、第1及び第2機械式接点スイッチ12,17と半導体スイッチ13のそれぞれのON(閉)/OFF(開)制御を行う信号処理回路15とを備える。以下、2つの機械式接点スイッチを有する回路においては、第1および第2の機械式接点スイッチ12,17とするが、第1の機械式接点スイッチ12は前記実施の形態で用いた機械式接点スイッチ12と同様であり、同一符号を付すものとする。
図5(a)に示す第1の機械式接点スイッチ12、第2の機械式接点スイッチ17の構成は、図1に示した機械式接点スイッチ12と同様である。また、図5における半導体スイッチ13の構成は、図1における半導体スイッチ13と同様であるが、フォトトライアックS3の一方の電極は、温度ヒューズF1を介して、第2の機械式接点スイッチ17の接点部S5の他端に接続されている。
すなわち、この実施の形態のハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される第1、第2の機械式接点スイッチ12、17と、該第2の機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチ13とを備え、交流電源2より負荷3に供給する給電路として、第1の機械式接点スイッチ12による第1給電路と、第2の機械式接点スイッチ17と半導体スイッチ13とを直列に構成した第2給電路とを、並列に備えたハイブリッドリレーであり、半導体スイッチ13の温度が所定温度以上となったときには断線する温度ヒューズF1が、第2給電路上に設けられている。温度ヒューズF1の作用、効果は、図1に示した本発明の実施の形態1のハイブリッドリレーと同様である。
図5(b)に示すハイブリッドリレーは、図5(a)に示すハイブリッドリレーの変形例で、第1の機械式接点スイッチ12、第2の機械式接点スイッチ17、半導体スイッチ13の構成が異なっている。
すなわち、第1の機械式接点スイッチ12は、ラッチング型の機械式接点スイッチで、接点部S1をON(閉)に切り換えるための電磁力を発生する磁気コイルL3と、接点部S1をOFF(開)に切り換えるための電磁力を発生する磁気コイルL4とを備える。磁気コイルL3の一端は、逆流防止用のダイオードD1を介して信号処理回路15に接続され、他端は接地されている。一方、磁気コイルL4の一端は、逆流防止用のダイオードD3を介して信号処理回路15に接続され、他端は接地されている。磁気コイルL3に並列に接続されたダイオードD2、磁気コイルL4に並列に接続されたダイオードD4は、バイパス用のダイオードである。
一方、第2機械式接点スイッチ17は、磁気コイルL5を備える。磁気コイルL5の一端は、逆流防止用のダイオードD5を介して信号処理回路16に接続され、他端は接地されている。磁気コイルL5に並列に接続されたダイオードD6は、バイパス用のダイオードである。
半導体スイッチ13は、トライアックS2と、トライアックS2の一方の電極とゲート電極との間に並列に接続された抵抗R1及びコンデンサC1と、トライアックS2のもう一方の電極に一端が接続された抵抗R2と、抵抗R2の他端に一方の電極が接続されたフォトトライアックS3を備えたフォトトライアックカプラ14とによって構成される。フォトトライアックカプラ14は、抵抗R3を介して、信号処理回路15に接続された発光ダイオードLDを更に備え、フォトトライアックS3に、発光ダイオードLDからの光信号が入光される構造である。なお、フォトトライアックS3は、ゼロクロス機能を備えた半導体スイッチング素子であり、発光ダイオードLDからの光信号が入光されたとき、一方の電極側に交流電源2による交流電圧の中心電圧(基準電圧)を検出して初めて導通(ON)する。
温度ヒューズF1は、フォトトライアックS3の温度検出素子として機能させるために、フォトトライアックS3の表面または近傍に固定されている。なお実施の形態10で後述するように、フォトトライアックS3のパッケージの凸部の上面に温度ヒューズF1の本体部が設置されるようにすることで、より効率よく機能する。
なお、本実施の形態において、図5(a)に示したように、半導体スイッチ13の温度が所定温度以上となったときには断線する温度ヒューズF1が、第2給電路上であって第2の機械式接点スイッチ17と半導体スイッチ13の間に設けられているが、この位置に限定されるものではない。例えば、図6(a)に示すように、この温度ヒューズF1が、第2給電路と第1の給電路の接続ノードに近い側で、第2給電路上に設けられていても良い。また、図6(b)に示すように、この温度ヒューズF1が、交流電源2と第1の機械式接点スイッチ12との間すなわち、第1の給電路上に設けられていても良い。
また、図5(b)に示したように、第1の機械式接点スイッチ12をラッチング型の機械式接点スイッチとし、第2の機械式接点スイッチ17を磁気コイルL5を加えたもので構成した場合にも同様に温度ヒューズF1の位置を変えることも可能である。例えば、図7(a)に示すように、この温度ヒューズF1が、第2給電路と第1の給電路の接続ノードに近い側で、第2給電路上に設けられていても良い。また、図7(b)に示すように、この温度ヒューズF1が、交流電源2と第1の機械式接点スイッチ12との間すなわち、第1の給電路上に設けられていても良い。
(実施の形態5)
次に本発明の実施の形態5のハイブリッドリレーについて説明する。図8(a)、図8(b)示したハイブリッドリレーはいずれも、図5(a)に示した実施の形態4のハイブリッドリレーの変形例である。図8(a)では、トライアックS2の異常温度を検出する温度ヒューズF2を、トライアックS2の一方の電極と、第2の機械式接点スイッチ17との間に設けている。また、図8(b)では、温度ヒューズF3を、フォトトライアックS3の一方の電極と、第2の機械式接点スイッチ17との間に設けている。このようにしても、図5(a)に示す実施の形態のハイブリッドリレーと同様の効果が得られる。
(実施の形態6)
次に本発明の実施の形態6のハイブリッドリレーについて説明する。図9は実施の形態6のハイブリッドリレーの内部構成を示す図である。この例では、図5(a)に示した実施の形態4のハイブリッドリレーから温度ヒューズF1を除き、トランジスタTr1のエミッタ・コレクタ間に接続した温度スイッチS4を設けた構成となる。温度スイッチS4の作用、効果は、図3に示した実施の形態2と同様である。
(実施の形態7)
次に本発明の実施の形態3のハイブリッドリレーについて説明する。図10は実施の形態7のハイブリッドリレーの内部構成を示す図である。この例では、図5(a)の実施の形態4のハイブリッドリレーから温度ヒューズF1を除き、半導体スイッチ13の温度を測定する温度センサT1と、半導体スイッチ13の温度が異常温度となったときに外部に報知する報知部16とを設けた構成となる。温度センサT1、報知部16の作用、効果は、図4に示した実施の形態3のリレースイッチと同様である。
(実施の形態8)
次に本発明の実施の形態9のハイブリッドリレーについて説明する。以上説明してきた実施の形態では、温度ヒューズなどの安全回路部は半導体スイッチによる第2給電路に設けているが、温度ヒューズなどの安全回路部を機械式スイッチによる第1給電路に設けてもよい。その一例を図11に示す。この例では、実施の形態1のハイブリッドリレーの構成において、温度ヒューズF1を第1給電路すなわち、機械式スイッチによる給電路に設けている。この構成によれば、機械式スイッチが誤動作により、発熱したような場合にも、給電路が遮断され、安全に維持することができる。ただしこの場合は給電路が遮断され、負荷への電流供給が停止してしまうという不都合がある。
このように、温度ヒューズF1を第1給電路に設けたが、第1及び第2の給電路の両方に設けるようにしてもよい。この場合、温度ヒューズの溶断温度を第1の給電路側の方が高くなるようにしてもよい。すなわち、安全制御温度を機械式スイッチ側で半導体スイッチ側よりも高くすることで、機械式スイッチが所定温度となったら、いかなる場合も第1の給電路を閉じ、負荷への電流供給を遮断するようにしてもよい。
なお、以上の、実施の形態1乃至3または実施の形態4乃至9において、温度ヒューズF1,F2,F3,あるいは温度センサ、温度スイッチを併用してもよい。その場合、設定温度を変え、段階的に安全制御を行うことができるように構成することで、より効率的な安全制御が可能となる。
(実施の形態9)
次に、本発明の実施の形態9として、このハイブリッドリレーの回路配置について説明する。
図12は4個のハイブリッドリレーの半導体スイッチのそれぞれに温度ヒューズF1を設けたプリント配線基板100の上面図である。図13(a)および(b)は半導体スイッチと温度ヒューズの正面図および側面図である。この例では、半導体スイッチ13を構成するフォトトライアックS3のパッケージ201の凸部202の上面に温度ヒューズF1の本体部301が設置されている。そして、温度ヒューズF1のリード端子302,303の一方のリード端子302がフォトトライアックS3のパッケージ201の中心に密着して配置されている。温度ヒューズF1とフォトトライアックS3の実装幅Wは温度ヒューズF1のリード端子間距離Wとしたとき、W>Wとなるようにリード端子302は折り曲げられている。温度ヒューズF1の中心の高さをH,本体部の高さをHとした。
この構成によれば、上方からの応力に対してフォトトライアックS3のパッケージ201の凸部202に温度ヒューズF1の本体部301が当接することで、温度ヒューズF1の位置を固定することができる。また、この位置を確保していることで、リード端子302,303と他の部品との絶縁距離を確保することができ、負荷に強いハイブリッドリレーを提供することが可能となる。
また温度ヒューズF1のリード端子302,303のうち一方をフォトトライアックS3のパッケージ201の中心に密着して配置することで、フォトトライアックS3により、温度ヒューズF1が倒れるのを防ぐことができる。また、フォトトライアックS3も温度ヒューズF1側に倒れるのを防ぐことができる。このようにして、温度ヒューズF1とフォトトライアックS3とが相互に支え合うことになり、基板面に対する角度を維持することができる。この結果、温度ヒューズF1とフォトトライアックS3はいうまでもなくこれらと、他の部品との絶縁距離を確保し、さらに信頼性を高めることが可能となる。
以上説明してきたように、本発明のハイブリッドリレーは以下の構成を備えるものを含む。
本発明のハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される機械式接点スイッチと、該機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、電源より負荷に供給する給電路として、この機械式接点スイッチによる第1給電路と、半導体スイッチによる第2給電路とを並列に構成したハイブリッドリレーであって、半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに断線する温度ヒューズを、第2給電路上に設けたことを特徴とする。
また、本発明によるハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される機械式接点スイッチと、該機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、電源より負荷に供給する給電路として、前記機械式接点スイッチによる第1給電路と、半導体スイッチによる第2給電路とを並列に構成したハイブリッドリレーであって、半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには、駆動部を動作させて機械式接点スイッチの接点を閉じる温度スイッチを設けたことを特徴とする。
また本発明によるハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される機械式接点スイッチと、該機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、電源より負荷に供給する給電路として、前記機械式接点スイッチによる第1給電路と、前記半導体スイッチによる第2給電路とを並列に構成したハイブリッドリレーであって、前記半導体スイッチの温度を検出する温度センサと、前記温度センサで検出された前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには、前記駆動部を動作させて前記機械式接点スイッチの接点を閉じる制御部とを備えたことを特徴とする。
また、本発明によるハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される第1、第2の機械式接点スイッチと、該機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、電源より負荷に供給する給電路として、前記第1の機械式接点スイッチによる第1給電路と、前記第2の機械式接点スイッチと前記半導体スイッチとを直列に構成した第2給電路とを、並列に備えたハイブリッドリレーであって、前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには断線する温度ヒューズを、前記第2給電路上に設けたことを特徴とする。
また、本発明によるハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される第1、第2の機械式接点スイッチと、該機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、電源より負荷に供給する給電路として、前記第1の機械式接点スイッチによる第1給電路と、前記第2の機械式接点スイッチと前記半導体スイッチとを直列に接続した第2給電路とを、並列に構成したハイブリッドリレーであって、前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに前記第1の機械式接点スイッチの駆動部を動作させて前記第1の機械式接点スイッチの接点を閉じる温度スイッチを設けたことを特徴とする。
また、本発明によるハイブリッドリレーは、駆動部により接点が開閉される第1、第2の機械式接点スイッチと、該機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、電源より負荷に供給する給電路として、前記第1の機械式接点スイッチによる第1給電路と、前記第2の機械式接点スイッチと前記半導体スイッチとを直列に接続した第2給電路とを並列に構成したハイブリッドリレーであって、前記半導体スイッチの温度を検出する温度センサと、前記温度センサで検出された前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには、前記第1の機械式接点スイッチの駆動部を動作させて前記第1の機械式接点スイッチの接点を閉じる制御部とを備えたことを特徴とする。
なお、上記ハイブリッドリレーは、前記半導体スイッチが所定温度以上となったときに外部に異常を報知する報知部を、更に備えてもよい。
1 ハイブリッドリレー
2 交流電源
3 負荷
10,11 端子
12 機械式接点スイッチ(第1の機械式接点スイッチ)
13 半導体スイッチ
14 フォトトライアックカプラ
15 信号処理回路
16 報知部
F1〜F3 温度ヒューズ
S2 トライアック
S3 フォトトライアック
S4 温度スイッチ
S5 接点部
T1 温度センサ
201 パッケージ
202 凸部
301 本体部
302,303 リード端子

Claims (10)

  1. 駆動部により接点が開閉される機械式接点スイッチと、
    前記機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、
    電源より負荷に供給する給電路として、前記機械式接点スイッチによる第1給電路と、
    前記半導体スイッチによる第2給電路とを並列接続したハイブリッドリレーであって、
    前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに給電制御を行う安全回路部を具備したハイブリッドリレー。
  2. 請求項1に記載のハイブリッドリレーであって、
    前記安全回路部は、
    前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに断線する温度ヒューズであるハイブリッドリレー。
  3. 請求項2に記載のハイブリッドリレーであって、
    前記温度ヒューズが、前記第2給電路上に設けられたハイブリッドリレー。
  4. 請求項1に記載のハイブリッドリレーであって、
    前記安全回路部は、
    前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには、前記駆動部を動作させて
    前記機械式接点スイッチの接点を閉じる温度スイッチであるハイブリッドリレー。
  5. 請求項1に記載のハイブリッドリレーであって、
    前記安全回路部は、
    前記半導体スイッチの温度を検出する温度センサと、
    前記温度センサで検出された前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときには、前記駆動部を動作させて前記機械式接点スイッチの接点を閉じる制御部とを備えたハイブリッドリレー。
  6. 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のハイブリッドリレーであって、
    駆動部により接点が開閉される第1、第2の機械式接点スイッチと、
    前記機械式接点スイッチと並列に接続される半導体スイッチとを備え、
    電源より負荷に供給する給電路として、前記第1の機械式接点スイッチによる第1給電路と、前記第2の機械式接点スイッチと前記半導体スイッチとを直列に接続した第2給電路とを、並列に構成したハイブリッドリレー。
  7. 請求項6に記載のハイブリッドリレーであって、
    前記半導体スイッチの温度が所定温度以上となったときに前記第1の機械式接点スイッチの駆動部を動作させて前記第1の機械式接点スイッチの接点を閉じる温度スイッチを設けたことを特徴とするハイブリッドリレー。
  8. 請求項1に記載のハイブリッドリレーであって、
    前記安全回路部は、前記半導体スイッチのパッケージの凸部の上面に設置されたハイブリッドリレー。
  9. 請求項8に記載のハイブリッドリレーであって、
    前記安全回路部は温度ヒューズであり、前記温度ヒューズのリード端子の一方が前記半導体スイッチのパッケージの中心に密着して配置されたハイブリッドリレー。
  10. 請求項1乃至9のいずれか1項において、
    前記半導体スイッチが所定温度以上となったときに外部に異常を報知する報知部を、更
    に備えたことを特徴とするハイブリッドリレー。
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