JP2008017615A - 負荷駆動回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】温度検出素子と過熱保護回路との間の配線に断線が生じたときに、負荷駆動回路に使用されるスイッチング素子の熱破損を防止する。
【解決手段】直流電源(VCC)及び負荷(4)に直列に接続されるスイッチング素子(3)と、スイッチング素子(3)をオン・オフ制御する制御信号を発生する駆動回路(5)と、スイッチング素子(3)の温度を検出する温度検出素子(6)と、温度検出素子(6)が所定以上の温度を検出したときに、過熱検出信号を発生する過熱保護回路(7)と、温度検出素子(6)の一方及び他方の端子に接続されて温度検出素子(6)と過熱保護回路(7)との間の断線を検出するカレントミラー回路(12)を有する断線検出回路(11)とを負荷駆動装置に設ける。過熱保護回路(7)が過熱検出信号を発生したとき又は断線検出回路(11)が温度検出素子(6)と過熱保護回路(7)との間の断線を検出したとき、スイッチング素子(3)への駆動回路(5)の制御信号を停止する。
【選択図】図１

Description

本発明は、負荷に電力を供給するスイッチング素子の過熱を温度検出素子により検出したとき又は温度検出素子の断線を検出したときに、スイッチング素子の作動を停止して、スイッチング素子の過熱を防止する負荷駆動回路に関する。
例えば、車両用ランプ等の負荷に１０A以上の大電流を供給する図２に示す負荷駆動回路では、過電流が流れた場合、スイッチング素子を構成する駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の発熱を如何に制御するかが問題となる。図２に示すように、従来の負荷駆動回路は、負荷(4)に電力を供給する駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)及び駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の温度に対応する出力信号を発生する温度検出素子(6)を備える駆動装置(1)と、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)をオン・オフ駆動する駆動回路(5)及び温度検出素子(6)の出力信号を受信する過熱保護回路(7)を備える制御装置(2)とにより構成される。一般に、周囲の温度変化に対してインピーダンスが変動するダイオードの順方向電圧、トランジスタのベース−エミッタ間電圧、ＦＥＴのゲート−ソース間電圧の温度依存性を利用して、ダイオード又はトランジスタを温度検出素子(6)として設けて、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の温度を測定することができる。駆動回路(5)から発生する駆動信号を駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)のゲート端子に付与することにより、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)がオン・オフ駆動され、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)のオン時に、直流電源(VCC)から駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)を通じて負荷(4)に電流が流れる。負荷(4)の短絡等の異常が発生すると、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)に過電流が流れて、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の温度が異常に上昇し、その結果、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)が破損する恐れがある。異常な温度上昇による駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の破損を防止するために、温度検出素子(6)は、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の温度を常時監視し、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の温度に対応する出力信号を過熱保護回路(7)に付与する。過熱保護回路(7)は、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)が一定レベルの温度に過熱されたときに、駆動回路(5)に過熱検出信号を付与して、駆動回路(5)の作動を停止し、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)をオフして負荷(4)への電流供給を停止する。
この場合に、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の温度を正確に測定するため、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)を設ける駆動装置(1)上に温度検出素子(6)を実装して、温度検出素子(6)と過熱保護回路(7)との間を配線で接続する必要がある。例えば、下記の特許文献１は、半導体チップの周辺部に集積した温度検知素子を用いて、半導体チップの中心部により近い温度を検知して、半導体チップが過熱しているかどうかを精度よく検出する半導体装置を示す。この半導体装置は、半導体チップの一方の端部上に温度検知素子を集積した半導体チップと、Ｘ方向に延びる複数のワイヤボンディング点を有する第１及び第２の金属ワイヤとを備え、第１の金属ワイヤが、Ｙ方向で第２の金属ワイヤよりも温度検知素子に近接するとき、温度検知素子が隣接する一方の端部からこれに最も隣接した第１の金属ワイヤのワイヤボンディング点までのＸ方向での第１の距離が、第２の金属ワイヤのワイヤボンディング点までの第２の距離より短い。従って、温度検知素子を半導体チップの周辺部に配置しながら、隣接する金属ワイヤのワイヤボンディング点を温度検知素子により近接させて、半導体チップの周辺部で半導体チップの中心部により近い温度を検知して、半導体チップの過熱の有無を精度よく検出できる。この半導体装置では、半導体チップの発熱を低減できるが、半導体チップの裏面の電位が接地電位より大きいため、半導体チップを備える出力用半導体装置から半導体チップを制御する制御用半導体装置を分離する必要がある。
図２に示す回路では、衝撃、振動又は接続不良等の何らかの原因により、温度検出素子(6)と過熱保護回路(7)との間が電気的に切断されると、駆動装置(1)の動作温度が異常に上昇しても過熱保護回路(7)が動作せず、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)が熱破損する問題がある。また、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)及び制御装置(2)をパッケージに実装するときに、配線の接続不良が発生しても、同様の問題が生じる。温度検出用素子(6)と過熱保護回路(7)の接続が断線した場合に、下記特許文献２がある。特許文献２は、インバータブリッジを構成するスイッチングパワー半導体素子の過熱保護回路、特に断線等の故障監視手段を備えた過熱保護回路を示す。この過熱保護回路は、負性抵抗特性を有する温度センサの抵抗値の変化によりスイッチングパワー半導体素子の過熱を検出する過熱検出回路と、温度センサを含む回路の抵抗値の急増を監視して温度センサの異常を検出する故障検出回路と、過熱検出回路および故障検出回路の出力信号を受けてスイッチングパワー半導体素子の過熱保護とその報知信号又は温度センサの故障報知信号を出力する保護回路とを備えている。故障検出回路は、過熱検出回路の抵抗ブリッジに並列に接続された第３の直列抵抗アーム、並びに直列抵抗アーム及び温度センサを含む一方の直列アームのそれぞれの中間点に接続されて不平衡電圧を検出する第２のコンパレータからなり、温度センサを含む一方の直列アームの中間点が第２のコンパレータの非反転入力端に，第３の直列アームの中間点がコンパレータの反転入力端にそれぞれ接続され、温度センサを含む回路に断線等の異常が生じたとき、第２のコンパレータがオン信号を発する。温度センサの抵抗値の変化を監視してスイッチングパワー半導体素子の過熱を検出する過熱検出回路に、温度センサ回路の抵抗値の急増を監視して過熱保護回路の異常を検出する故障検出回路を付加するので、過熱保護回路は、スイッチングパワー半導体素子の過熱を監視し、短絡事故発生時に信号出力回路がスイッチングパワー半導体素子の過熱保護とこれを報知する信号を発してスイッチングパワー半導体素子の破壊を阻止すると共に、故障検出回路が温度センサ回路の抵抗値の急増を監視し、温度センサ回路の断線を報知する。しかしながら、特許文献２の過熱保護回路は、負性抵抗特性の温度センサを含む抵抗ブリッジで温度センサの抵抗変化を検出するので、駆動回路の集積化が困難であり、外形が大型化する難点がある。
特開２００６−１３０２２公報 特開平７−３０３９０号公報
従って、本発明の目的は、温度検出素子と過熱保護回路との間の配線に断線が生じたときに、スイッチング素子の熱破損を防止する負荷駆動回路を提供することにある。
本発明の負荷駆動装置は、直流電源(VCC)及び負荷(4)に直列に接続されるスイッチング素子(3)と、スイッチング素子(3)をオン・オフ制御する制御信号を発生する駆動回路(5)と、スイッチング素子(3)の温度を検出する温度検出素子(6)と、温度検出素子(6)が所定以上の温度を検出したときに、過熱検出信号を発生する過熱保護回路(7)と、温度検出素子(6)の一方及び他方の端子に接続されて温度検出素子(6)と過熱保護回路(7)との間の断線を検出するカレントミラー回路(12)を有する断線検出回路(11)とを備えている。過熱保護回路(7)が過熱検出信号を発生したとき又は断線検出回路(11)が温度検出素子(6)と過熱保護回路(7)との間の断線を検出したとき、過熱保護回路(7)又は断線検出回路(11)の出力により、スイッチング素子(3)への駆動回路(5)の制御信号を停止する。カレントミラー回路(12)を断線検出回路(11)に設けるので、少ない電流で過熱検出素子を駆動しても確実に断線を検出できる。また、スイッチング素子(3)及び温度検出素子(6)を含む駆動装置(1)を単一の集積回路で形成すると共に、過熱保護回路(7)、駆動回路(5)及び断線検出回路(11)を含む制御装置(2)を別の単一の集積回路で形成することができる。
本発明の負荷駆動装置では、温度検出素子と過熱保護回路との間の配線が断線しても、断線検出回路の出力により、駆動回路から電力制御素子への制御信号が停止するので、過熱による電力制御素子の破損を防止することができる。
以下、本発明による負荷駆動装置の実施の形態を図１について説明する。但し、図１では、図２に示す箇所と実質的に同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図１に示すように、本実施の形態の負荷駆動装置は、直流電源(VCC)及び負荷(4)に直列に接続されるスイッチング素子としての駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)と、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)をオン・オフ制御する制御信号を発生する駆動回路(5)と、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の温度を検出する温度検出素子としての温度感応半導体整流素子、即ち温度検出用のダイオード(6)と、ダイオード(6)が所定以上の温度を検出したときに、過熱検出信号を発生する過熱保護回路(7)と、ダイオード(6)の一方及び他方の端子に接続されてダイオード(6)と過熱保護回路(7)との間の断線を検出するカレントミラー回路(12)を有する断線検出回路(11)と、カレントミラー回路(12)に接続されたＡ／Ｄ（アナログ／ディジタル）変換回路(18)と、過熱保護回路(7)の過熱検出信号又はＡ／Ｄ変換回路(18)の出力を受信したときに駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)への駆動回路(5)の制御信号を停止する信号阻止回路(19)とを備えている。図示の実施の形態では、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)とダイオード(6)とを単一の集積回路として形成でき、駆動回路(5)、過熱保護回路(7)、断線検出回路(11)、Ａ／Ｄ変換回路(18)及び信号阻止回路(19)を別の単一の集積回路として形成することができる。図１の実施の形態では、負荷(4)に大電流を流せるように、駆動装置(1)と制御装置(2)とは互いに分離され、制御装置(2)と駆動装置(1)との間はワイヤ等の配線により接続される。
断線検出回路(11)は、ダイオード(6)の一方の端子、即ちカソード端子に一方の主端子、即ち、コレクタ端子が接続された第１の増幅素子を構成する第１のトランジスタ(13)と、第１のトランジスタ(13)の他方の主端子、即ちエミッタ端子とグランドとの間に接続された定電流源(14)と、ダイオード(6)の他方の端子、即ちアノード端子及び電圧源(15)に抵抗(16)を介して一方の主端子、即ちコレクタ端子が接続された第２の増幅素子を構成する第２のトランジスタ(17)と、抵抗(16)と第２のトランジスタ(17)のコレクタ端子に接続されたＡ／Ｄ変換回路(18)とを備えている。第１のトランジスタ(13)のコレクタ端子とベース端子とは互いに接続され、第１のトランジスタ(13)のベース端子は、第２のトランジスタ(17)のベース端子に接続されて、カレントミラー回路(12)が構成される。第２のトランジスタ(17)の他方の主端子、即ちエミッタ端子は、グランドに接続され、第２のトランジスタ(17)のコレクタ端子に印加される電圧のレベルにより断線の有無を検出することができる。
ダイオード(6)のカソード及びアノード端子間に印加される電位差を検出する比較器(8)が過熱保護回路(7)に設けられ、ダイオード(6)のカソード端子は、比較器(8)の一方の入力端子、即ち非反転入力端子(+)に接続され、ダイオード(6)のアノード端子は、基準電源(20)を介して比較器(8)の他方の入力端子、即ち反転入力端子(-)に接続される。抵抗(16)とダイオード(6)との接続点に電圧源(15)が接続される。また、断線検出回路(11)及び比較器(8)と、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)のゲート端子との間に接続される信号阻止回路(19)は、比較器(8)の出力端子に接続された一方の入力端子及びＡ／Ｄ変換回路(18)の出力端子に接続された他方の入力端子を有する論理和回路としてのＯＲゲート(9)と、ＯＲゲート(9)の出力を受信して、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)のゲート端子の電圧レベルを変更する制御用スイッチング素子としての制御用トランジスタ(10)とを備えている。信号阻止回路(19)は、比較器(8)又はＡ／Ｄ変換回路(18)の出力を受信したときに、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)への駆動回路(5)の制御信号を停止する。Ａ／Ｄ変換回路(18)の出力は、制御装置(2)の接続ポートを通じて外部に送出することができる。
動作の際に、外部からの信号に起因して又は駆動回路(5)自身が発生する駆動信号は、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)のゲート端子に付与され、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)がオン・オフ制御される。駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)のオン時に、電源(VCC)から駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)を通り負荷(4)に電流が流れて、負荷(4)が駆動される。負荷(4)の駆動中に、電圧源(15)からダイオード(6)に順方向電流が流れ、この順方向電流は、第１のトランジスタ(13)及び定電流源(14)を通じてグランドに流れる。従って、ダイオード(6)には順方向電圧が発生し、順方向電流は定電流源(14)に電流値を与える。ダイオード(6)は、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)の温度を検出して、その検出信号を比較器(8)に送出する。比較器(8)は、反転入力端子(-)と非反転入力端子(+)とに付与される電圧を比較し、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)が所定の温度を超えると、ダイオード(6)の内部インピーダンスが変化して、比較器(8)の反転入力端子(-)と非反転入力端子(+)との電位差が大きくなり、比較器(8)は、停止信号を出力する。比較器(8)の停止信号は、ＯＲゲート(9)を通じて制御用トランジスタ(10)のゲート端子に付与されるため、制御用トランジスタ(10)がオンとなり、ゲート端子が低電圧レベルとなる駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)は、オフに切り換えられる。駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)が所定の温度未満に冷却されると、比較器(8)の停止信号が解除されて、制御用トランジスタ(10)がオフになるため、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)は通常動作に戻り、オンに切り換えられる。
ここで、電圧源(15)の出力電圧値をＶCCとし、温度検出用のダイオード(6)の順方向電圧をＶfとすると、ダイオード(6)のカソード端子の電圧Ｖaに等しい比較器(8)の非反転入力端子(+)の電圧Ｖ1は、下式１により表わされる。
Ｖ1＝Ｖa＝ＶCC−Ｖf （式１）
また、基準電源(20)の基準電圧をＶrefとすると、比較器(8)の反転入力端子(-)に印加される電圧Ｖ2は、下式２により表わされる。
Ｖ2＝ＶCC−Ｖref （式２）
−２mV/℃の温度係数を有するダイオード(6)の順方向電圧Ｖf及び比較器(8)の非反転入力端子(+)の電圧Ｖ1は、ダイオード(6)の温度上昇と共に増大する。従って、駆動装置(1)の温度が異常に上昇して、比較器(8)の非反転入力端子(+)の電圧Ｖ1が反転入力端子(-)の電圧Ｖ2より高くなると、比較器(8)から停止信号が出力され、論理和回路であるＯＲゲート(9)を介して制御用トランジスタ(10)がオンになるので、ゲート電圧が低下する駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)がオフに切り換えられ、負荷(4)に電流が供給されない。
ダイオード(6)が制御用トランジスタ(10)の温度を検出する間に、電圧源(15)からダイオード(6)、第１のトランジスタ(13)及び定電流源(14)を通じて一定の電流がグランドに流れる。従って、カレントミラー回路(12)の特性により、第１のトランジスタ(13)に流れる電流値と同一の電流値を有する電流又はカレントミラー回路(12)の比率倍された電流が電圧源(15)から抵抗(16)及び第２のトランジスタ(17)を通じてグランドに流れる。抵抗(16)及び第２のトランジスタ(17)のコレクタ端子とエミッタ端子を通じて電流が流れるとき、抵抗(16)には電圧降下が発生し、第２のトランジスタ(17)のコレクタ端子及びＡ／Ｄ変換器(18)の入力端子は、低電圧レベルになる。従って、Ａ／Ｄ変換器(18)は、低電圧レベルのディジタル信号を発生するので、ＯＲゲート(9)を介して制御用トランジスタ(10)は、オフ状態に保持され、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)は、負荷(4)に電流を流し続ける。
衝撃、振動又は接続不良等の何らかの原因により、ダイオード(16)と比較器(8)との間に断線が発生すると、電圧源(15)から分離される定電流源(14)に電流が流れない。このため、第１のトランジスタ(13)のコレクタ端子とエミッタ端子間に流れる電流が零になり、カレントミラー回路(12)の特性から第１のトランジスタ(13)がオフになるため、第２のトランジスタ(17)もオフに切り換えられる。従って、抵抗(16)の両端には電圧降下が発生せずに、第２のトランジスタ(17)のコレクタ端子が高電圧レベルの断線検出信号を発生し、Ａ／Ｄ変換器(18)の入力電圧は、電圧源(15)の出力電圧に等しくなる。即ち、カレントミラー回路(12)は、ダイオード(6)の無電流を検出することができる。従って、Ａ／Ｄ変換器(18)は、高電圧レベルのディジタル信号を発生するので、ＯＲゲート(9)を通じて制御用トランジスタ(10)のゲート端子に高電圧レベルのディジタル信号が付与され、制御用トランジスタ(10)は、オンに切り換えられ、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)は、オフ状態に保持される。Ａ／Ｄ変換回路(18)の出力信号は、断線を通知するアラーム信号として制御装置(2)の接続ポートを通じて外部に送出できるので、負荷駆動装置の遠隔監視が可能となる。
従って、駆動回路(5)から駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)のゲート端子に駆動信号が付与されても、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)は、オフ状態を維持する。このように、図１に示す実施の形態では、過熱保護回路(7)が過熱検出信号を発生したとき又は断線検出回路(11)がダイオード(6)と過熱保護回路(7)との間の断線を検出したとき、過熱保護回路(7)の過熱検出信号又は断線検出回路(11)の出力により、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)への駆動回路(5)の制御信号を停止することができる。カレントミラー回路(12)を断線検出回路(11)に設けるので、少ない電流で過熱検出素子を駆動しても確実に断線を検出できる。また、駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)及びダイオード(6)を含む駆動装置(1)を単一の集積回路で形成すると共に、過熱保護回路(7)、駆動回路(5)及び断線検出回路(11)を含む制御装置(2)を別の単一の集積回路で形成することができる。よって、本発明の負荷駆動装置では、ダイオード(6)等の温度検出素子と過熱保護回路(7)との間の配線が断線しても、過熱による駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ(3)等の電力制御素子の破損を防止することができる。
本発明の実施の形態は、図１に示す実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、図１に示す制御装置(2)上に形成される電圧源(15)に制御装置(2)の外部の電圧源を用いてもよい。第２のトランジスタ(17)からの断線検出信号により、駆動回路(5)の作動を停止してもよい。
負荷に電力を供給するスイッチング素子の過熱を温度検出素子により検出すると共に、温度検出素子の断線を検出したときに、スイッチング素子の作動を停止して、スイッチング素子の過熱を防止する種々の負荷駆動回路に本発明を適用することができる。
本発明による負荷駆動装置の実施の形態を示す電気回路図 従来の負荷駆動装置を示す電気回路図
符号の説明
(1)・・駆動回路、 (2)・・制御回路、 (3)・・駆動用ＭＯＳ-ＦＥＴ（スイッチング素子）、 (4)・・負荷、 (5)・・駆動回路、 (6)・・ダイオード（温度検出素子）、 (7)・・過熱保護回路、 (8)・・比較器、 (9)・・ＯＲゲート、 (10)・・制御用トランジスタ、 (11)・・断線検出回路、 (12)・・カレントミラー回路、 (13)・・第１のトランジスタ（第１の増幅素子）、 (14)・・定電流源、 (15)・・電圧源、 (16)・・抵抗、 (17)・・第２のトランジスタ（第２の増幅素子）、 (18)・・Ａ／Ｄ変換回路、 (19)・・信号阻止回路、

Claims (6)

  1. 直流電源及び負荷に直列に接続されるスイッチング素子と、
    該スイッチング素子をオン・オフ制御する制御信号を発生する駆動回路と、
    前記スイッチング素子の温度を検出する温度検出素子と、
    該温度検出素子が所定以上の温度を検出したときに、過熱検出信号を発生する過熱保護回路と、
    前記温度検出素子の一方及び他方の端子に接続されて前記温度検出素子と過熱保護回路との間の断線を検出するカレントミラー回路を有する断線検出回路とを備え、
    前記過熱保護回路が過熱検出信号を発生したとき又は前記断線検出回路が前記温度検出素子と過熱保護回路との間の断線を検出したとき、前記過熱保護回路又は断線検出回路の出力により、前記スイッチング素子への前記駆動回路の制御信号を停止することを特徴とする負荷駆動装置。
  2. 前記断線検出回路は、前記温度検出素子の一方の端子に一方の主端子が接続された第１の増幅素子と、該第１の増幅素子の他方の主端子とグランドとの間に接続された定電流源と、前記温度検出素子の他方の端子及び電圧源に抵抗を介して一方の主端子が接続された第２の増幅素子とを備え、
    前記第１の増幅素子の一方の主端子と制御端子とは互いに接続され、
    前記第１の増幅素子の制御端子は、前記第２の増幅素子の制御端子に接続され、
    前記第２の増幅素子の他方の主端子は、グランドに接続され、
    前記第２の増幅素子の一方の端子に印加される電圧のレベルにより断線の有無を検出する請求項１に記載の負荷駆動装置。
  3. 過熱保護回路に設けられて前記温度検出素子の一方と他方の端子間に印加される電位差を検出する比較器と、
    前記抵抗と第２の増幅素子の一方の主端子に接続されたＡ／Ｄ変換回路と、
    前記比較器又はＡ／Ｄ変換回路の出力を受信したとき、前記スイッチング素子への前記駆動回路の制御信号を停止する信号阻止回路とを備えた請求項２に記載の負荷駆動装置。
  4. 前記温度検出素子の一方の端子を前記比較器の一方の入力端子に接続し、
    前記温度検出素子の他方の端子を基準電源を介して前記比較器の他方の入力端子に接続した請求項３に記載の負荷駆動装置。
  5. 前記抵抗と前記温度検出素子との接続点に電圧源を接続した請求項３に記載の負荷駆動装置。
  6. 制御装置内に設けた前記Ａ／Ｄ変換回路の出力を前記制御装置の外部に送出する請求項３に記載の負荷駆動装置。
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