JP2013175042A - 電流検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高電圧に対応した比較手段を用いることなく、高電圧のシステムで過電流を精度よく検出することを可能とする。
【解決手段】
負荷電流が流れる入力端子101と出力端子109を有する電流検出装置100は、負荷電流に応じてセンス電圧を発生させる検出抵抗素子40と、負荷電流の異常を検出するための基準電圧とセンス電圧とを比較するコンパレータ11と、入力端子101と出力端子109の間を接続状態にする主スイッチング素子3と、入力端子101から検出抵抗素子へ負荷電流の一部を供給する検出用スイッチング素子7と、主スイッチング素子3が接続状態のときには、主スイッチング素子3の特性により生じた入力端子101の電圧に基づいて基準電圧を生成し、主スイッチング素子3が非接続状態のときには、入力端子101に発生する入力電圧によらない基準電圧を生成する基準電圧生成部110と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】
負荷電流が流れる入力端子101と出力端子109を有する電流検出装置100は、負荷電流に応じてセンス電圧を発生させる検出抵抗素子40と、負荷電流の異常を検出するための基準電圧とセンス電圧とを比較するコンパレータ11と、入力端子101と出力端子109の間を接続状態にする主スイッチング素子3と、入力端子101から検出抵抗素子へ負荷電流の一部を供給する検出用スイッチング素子7と、主スイッチング素子3が接続状態のときには、主スイッチング素子3の特性により生じた入力端子101の電圧に基づいて基準電圧を生成し、主スイッチング素子3が非接続状態のときには、入力端子101に発生する入力電圧によらない基準電圧を生成する基準電圧生成部110と、を含む。
【選択図】図1
Description
この発明は、負荷に流れる過電流を検出する電流検出装置に関する。
従来の電流検出装置は、負荷からスイッチング素子に流れる過電流を精度よく検出するために、スイッチング素子のオン抵抗によりスイッチング素子に生じた電圧を分圧し、その分圧された電圧を基準電圧としてコンパレータに入力している(特許文献1参照)。
しかしながら、上述の電流検出装置は、スイッチング素子に生じる電圧を分圧した基準電圧が直接コンパレータに入力される構成になっているため、例えば、電流検出装置が高電圧のシステムからスイッチング素子に流れる電流を検出する状況では、スイッチング素子がオフし、入力電圧に起因する高電圧がコンパレータに印加されると、コンパレータの許容値を超える場合があり、過電流の検出を正確に行えなくなることがある。そのため、高電圧のシステムで電流検出装置を使用する場合には、高電圧に対応したコンパレータを用意しなければならなかった。
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされた。本発明の目的は、高電圧に対応した比較手段を用いることなく、高電圧のシステムでも過電流を精度よく検出することが可能な電流検出装置を提供することである。
本発明は以下のような解決手段によって前記課題を解決する。
本発明による電流検出装置は、負荷電流が流れる入力端子及び出力端子と、負荷電流に応じたセンス電圧を発生させる検出抵抗素子と、負荷電流の異常を検出するための基準電圧とセンス電圧とを比較する比較部と、を備える。さらに入力端子と出力端子の間を接続状態にする主スイッチング素子と、入力端子から検出抵抗素子へ負荷電流の一部を供給する副スイッチング素子と、を備える。そして、主スイッチング素子が接続状態のときには、主スイッチング素子の特性により生じる入力端子の電圧に基づいて基準電圧を生成する基準電圧生成部を含む。基準電圧生成部は、主スイッチング素子が非接続状態のときには、入力端子に発生する入力電圧によらない基準電圧を生成することを特徴とする。
この態様によれば、基準電圧生成部により、入力端子の電圧に基づいて基準電圧が補正されるためスイッチング素子のオン抵抗のばらつきに起因する検出レベルの変動が抑制され、かつ、入力電圧に応じた高電圧が比較部に印加されることが回避される。したがって、高電圧に対応した比較手段を電流検出装置に用いることなく、過電流を精度よく検出することができる。
本発明の実施形態、本発明の利点については、添付された図面を参照しながら以下に詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る電流検出装置100を示す回路図である。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電流検出装置100を示す回路図である。
電流検出装置100は、例えば、電動機などの負荷装置と接続され、負荷装置に流れる過電流を検出するものである。本実施形態では、電流検出装置100は、インバータ50内で使用されている。
インバータ50は、三相電源のうち一相の直流電圧を交流電圧に変換するものである。インバータ50は、直流電圧を供給する電源線58及び59と、電源線58を電動機800と接続する上アーム51と、電源線59を電動機800と接続する下アーム52と、を備える。
各アーム51及び52には、スイッチング素子とダイオードとが並列に設けられている。スイッチング素子とダイオードは、スイッチング素子に流れる電流の向きと逆向きにダイオードの順方向電流が流れるように接続される。
上アーム51のスイッチング素子は、不図示の制御線に供給される制御信号に応じて電動機800と電源線58の接続状態を制御する。下アーム52のスイッチング素子3は、制御線105に供給される制御信号に応じて所定期間ごとに電動機800と電源線59の接続状態を制御する。
本実施形態では、電流検出装置100は、下アーム52側に設けられている。電流検出装置100は、電動機800に流れる負荷電流が流入する入力端子101と、入力端子101から供給される負荷電流を出力端子109に出力する主スイッチング素子3と、を備える。
電流検出装置100は、入力端子101からの負荷電流の一部を検出抵抗素子40へ出力する検出用スイッチング素子7と、検出用スイッチング素子7からの負荷電流に応じたセンス電圧を発生させる検出抵抗素子40と、を備える。
さらに電流検出装置100は、過電流の判定基準となる基準電圧を生成する基準電圧生成部110と、基準電圧生成部110により生成される基準電圧と検出抵抗素子40に生じたセンス電圧を比較するコンパレータ11と、を備える。
主スイッチング素子3及び検出用スイッチング素子7(以下、単に「スイッチング素子3及び7」と称する。)は、互いに同じ構造のトランジスタにより実現される。スイッチング素子3及び7は並列にミラー接続される。
主スイッチング素子3は、コレクタに該当する入力電極1と、エミッタに該当する出力電極5と、ベースに該当し、入力電極1から出力電極5に流れる電流の量を制御する制御電極4と、を有する。主スイッチング素子3は、入力電極1が入力端子101と接続され、出力電極5が出力端子109と接続され、制御電極4が制御線105と接続される。
例えば、制御線105から主スイッチング素子3の制御電極4にH(High)レベルの制御信号が供給されると、入力電極1と出力電極5の電極間が接続状態となり、入力電極1から出力電極5に電流が流れる。そして制御線105から制御電極4にL(Low)レベルの制御信号が供給されると、入力電極1と出力電極5の電極間が非接続状態となり、入力電極1から出力電極5に電流が流れなくなる。以下では、接続状態のことをON状態、非接続状態のことをOFF状態という。
ON状態の主スイッチング素子3は、入力電極1と出力電極5との間にオン抵抗が生じる。このオン抵抗の特性は、スイッチング素子ごとにばらつきを有している。例えば、オン抵抗の抵抗値は、スイッチング素子の製造条件等による設計値からの誤差(ばらつき)を含んでいる。さらにオン抵抗の抵抗値は、スイッチング素子3及び7の温度に応じて変化する温度特性を有する。この温度特性は、スイッチング素子の構造などによって決まる。
主スイッチング素子3のオン抵抗のばらつきは、コンパレータ11の検出精度に影響を与える。このため、後述する基準電圧生成部110によって主スイッチング素子3の特性のばらつきを考慮した基準電圧が生成される。
検出用スイッチング素子7は、主スイッチング素子3よりもオン抵抗の抵抗値が小さい副スイッチング素子である。検出用スイッチング素子7は、主スイッチング素子3と比較して微量な負荷電流を入力端子101から検出抵抗素子40に出力する。
検出用スイッチング素子7は、コレクタに該当する電極であって主スイッチング素子3と共通の入力電極1と、エミッタに該当する出力電極と、ベースに該当する電極であって主スイッチング素子3と共通の制御電極4と、を有する。具体的には検出用スイッチング素子7は、入力電極1が入力端子101と接続され、出力電極が検出抵抗素子40と接続され、制御電極4は、主スイッチング素子3の制御電極と共に制御線105に接続される。これにより、主スイッチング素子3に流れる電流量に応じて、検出用スイッチング素子7から検出抵抗素子40へ流れる電流量が調整される。
本実施形態では、主スイッチング素子3がON状態になると、検出用スイッチング素子7もON状態となり、検出用スイッチング素子7は入力端子101から検出抵抗素子40へ負荷電流を供給する。また、主スイッチング素子3がOFF状態になると、検出用スイッチング素子7もOFF状態となり、検出用スイッチング素子7は検出抵抗素子40への負荷電流の供給を停止する。
検出抵抗素子40は、検出用スイッチング素子7から供給される負荷電流によりセンス電圧を発生させる。具体的には、検出抵抗素子40の一端に発生する電圧が、センス電圧としてコンパレータ11に入力される。なお、検出抵抗素子40の他端は、出力端子109と同じように接地線に接続される。
基準電圧生成部110は、コンパレータ11に入力する基準電圧を生成する。スイッチング素子3及び7がON状態であるときには、入力電極1から出力電極5に流れる電流により、主スイッチング素子3のオン抵抗に応じた素子電圧が入力端子101に生じる。基準電圧生成部110は、入力端子101に生じる素子電圧に基づいて主スイッチング素子3のオン抵抗の前記ばらつきを相殺する基準電圧を生成する。
また、基準電圧生成部110は、スイッチング素子3及び7がOFF状態であるときには、入力端子101に発生する入力電圧によらない保護電圧を基準電圧として生成する。
基準電圧生成部110は、基準電圧を発生させる抵抗回路111と、コンパレータ11を保護する保護電圧を抵抗回路111に発生させる保護回路112と、を備える。
抵抗回路111は、抵抗素子12及び13が直列に接続された回路である。抵抗回路111に印加される電圧は、抵抗素子12及び13によって分割され、抵抗素子12と抵抗素子13の接続部分に発生する分割電圧が基準電圧としてコンパレータ11に入力される。
抵抗素子12及び13は、主スイッチング素子3の特性のばらつきに起因するコンパレータ11での検出レベルの変動が相殺されるように抵抗値が設計される。具体的には、抵抗素子12及び13の抵抗値は次式を満たすように設計される。なお、抵抗素子12はR2、抵抗素子13はR3、検出抵抗素子40はRs、検出用スイッチング素子7のオン抵抗はRon、主スイッチング素子3のオン抵抗はRonのm倍と表わす。mは有理数である。
保護回路112は、スイッチング素子3及び7がON状態であるときには、入力端子101の電圧に応じた電流を抵抗回路111へ出力する。これにより、抵抗回路111の一端には主スイッチング素子3の特性に応じた電圧(以下「特性電圧」ともいう。)が設定される。また、保護回路112は、スイッチング素子3及び7がOFF状態であるときには、コンパレータ11が許容する許容電圧範囲内の保護電圧を抵抗回路111に設定する。
保護回路112は、コンパレータ11に保護電圧を供給する電圧源9と、電圧源9からの電流に応じて抵抗回路111に生じる電圧を調整する抵抗素子10と、抵抗回路111から入力端子101の電圧を遮断するダイオード8と、を備える。
基準電圧生成部110では、電圧源9に抵抗素子10の一端が接続され、抵抗素子10の他端は抵抗素子12の一端とダイオード8のアノード電極とに接続され、ダイオード8のカソード電極が入力端子101に接続される。また、抵抗素子12の他端は、抵抗素子13の一端とコンパレータ11の非反転入力端子とに接続され、抵抗素子13の他端が接地線に接続される。
コンパレータ11は、基準電圧生成部110により生成される基準電圧と、検出抵抗素子40に生じるセンス電圧とを比較する比較部である。例えば、コンパレータ11は、センス電圧が基準電圧よりも低いときには、Lレベルの判定信号を出力する。また、センス電圧が基準電圧の検出レベルを超えると、コンパレータ11は、過電流の発生を示すHレベルの判定信号を出力する。
次に、スイッチング素子3及び7がON状態のときの基準電圧生成部110の動作について説明する。
スイッチング素子3及び7がON状態では、電圧源9から抵抗素子10の一端に電源電圧が供給され、電圧源9から出力される電流が、抵抗素子10及びダイオード8を介してスイッチング素子3及び7のそれぞれに流れる。
入力電極1と出力電極5の電極間には、主スイッチング素子3の特性に応じたオン抵抗が生じているため、入力電極1から出力電極5に流れる電流により、主スイッチング素子3の特性に応じたON電圧Vceが入力端子101に生じる。なお、スイッチング素子3及び7がON状態のときには、入力端子101から主スイッチング素子3を介して出力端子109へ電流が流れるため、入力端子101に生じる電圧は、電動機800から印加される入力電圧に比べて極端に低くなる。
抵抗回路111は、主スイッチング素子3と並列に接続されているため、主スイッチング素子3のオン抵抗の抵抗値が大きくなると、ON電圧Vceが高くなり、抵抗回路111に生じる特性電圧も高くなる。また、主スイッチング素子3のオン抵抗の抵抗値が小さくなると、ON電圧Vceが低くなり、抵抗回路111に生じる特性電圧も低くなる。
すなわち、主スイッチング素子3のオン抵抗値が大きくなると、電圧源9から抵抗素子10を介して入力端子101に流れる電流が少なくなり、抵抗回路111に流れる電流は多くなる。また、主スイッチング素子3のオン抵抗値が小さくなると、電圧源9から入力端子101に流れる電流は多くなり、抵抗回路111に流れる電流は少なくなる。
また、ダイオード8のアノード電極とカソード電極の電極間には、電圧源9から入力端子101へ流れる順方向の電流によって順方向電圧Vfが発生する。
このため、抵抗素子10とダイオード8の接続部分には、ON電圧Vceと順方向電圧Vfの電圧値を加算した特性電圧(Vce+Vf)がクランプされる。特性電圧(Vce+Vf)は、抵抗素子12及び13で分圧され、抵抗素子12と抵抗素子13の接続部分の基準電圧がコンパレータ11に入力される。したがって、基準電圧Vrefは、次式で表わすことができる。
次に、スイッチング素子3及び7がOFF状態のときの基準電圧生成部110の動作について説明する。
スイッチング素子3及び7がOFF状態では、電動機800に印加された電圧が入力端子101に発生する。入力端子101に発生する入力電圧は、ダイオード8によってブロックされるため、抵抗回路111には入力電圧が印加されない。
このため、保護電圧Vrefは、電圧源9から供給される電源電圧V1を、抵抗素子10、12及び13で分圧した値となり、次式で表わすことができる。なお、抵抗素子10の抵抗値はR1と表わす。
このように、基準電圧生成部110は、主スイッチング素子3のON期間とOFF期間とで、それぞれ独立して基準電圧と保護電圧とを生成し、基準電圧又は保護電圧をコンパレータ11に出力する。
本実施形態によれば、スイッチング素子3及び7の各々が入力端子101と出力端子109の端子間に設けられている。スイッチング素子3及び7がON状態のときには、入力端子101からの電流の一部が検出用スイッチング素子7から検出抵抗素子40へ流れ、入力端子101には主スイッチング素子3のオン抵抗に応じた素子電圧が生じる。基準電圧生成部110は、入力端子101に生じた素子電圧に基づいて主スイッチング素子3の特性のばらつきを相殺する基準電圧を生成する。
さらに基準電圧生成部110は、スイッチング素子3及び7がOFF状態のときには、入力端子101に印加される入力電圧によらない基準電圧を生成する。これにより、コンパレータ11が故障するほどの高電圧が入力端子101に印加された場合でも、入力電圧の大きさに応じて基準電圧が変化することはないので、入力電圧に起因する高電圧がコンパレータ11に印加されることはなくなる。
したがって、入力電圧に応じた高電圧がコンパレータ11に印加されることが回避され、かつ、スイッチング素子3がON状態のときに入力端子101に生じる電圧に基づいて基準電圧が補正されるのでコンパレータ11での検出レベルの変動が抑制される。よって、電流検出装置100は、高電圧の入力によるコンパレータ11の故障を防止することができ、かつ、主スイッチング素子3の特性にばらつきがあっても一定の検出精度で過電流を検出することができる。このため、電流検出装置100は、高電圧に対応したコンパレータが設けられていない状況でも、高電圧のシステムにおいて過電流を精度よく検出することが可能となる。
また、本実施形態では、基準電圧生成部110において、基準電圧を補正するための抵抗回路111がスイッチング素子3及び7と並列に設けられ、保護回路112が、抵抗回路111と入力端子101との間に設けられている。保護回路112は、スイッチング素子3及び7がON状態であるときに、入力端子101の電圧に応じて主スイッチング素子3の特性電圧を抵抗回路111に設定する。そしてスイッチング素子3及び7がOFF状態であるときには、保護回路112はコンパレータ11の許容電圧範囲内の保護電圧を抵抗回路111に設定する。
よって、保護回路112は、抵抗回路111に設定する電圧の大きさを入力端子101の電圧の大きさに応じて変化させるとともに、抵抗回路111に保護電圧を発生させることができる。したがって、保護回路112は、過電流の検出精度を低下させることなく、許容電圧範囲を超える高電圧がコンパレータ11に印加されることを防ぐことができる。また、保護回路112が基準電圧を発生させる抵抗回路111を利用して保護電圧も発生させることから、基準電圧生成部110には1つの抵抗回路111のみを設ければよい。このため、簡易な構成で基準電圧生成部110を実現することができる。
また、本実施形態では、保護回路112において、ダイオード8が入力端子101と抵抗回路111との間に設けられ、電圧源9から抵抗素子10を介して抵抗回路111とダイオード8のアノード電極とに電流が供給される。
このため、スイッチング素子3及び7がON状態であるときには、電圧源9から入力端子101の電圧に応じた電流が抵抗素子10を介してダイオード8に流れ、抵抗素子10により抵抗回路111に生じる電圧が調整される。また、スイッチング素子3及び7がOFF状態であるときには、入力端子101に印加される高電圧がダイオード8により遮断される。
よって、保護回路112にダイオード8と抵抗素子10の小型の素子を設けるだけで、入力端子101に印加された高電圧を遮断しつつ、主スイッチング素子3の特性に応じた特性電圧を抵抗回路111に設定することができる。したがって、回路規模の増大を抑えつつ低コストかつ簡易な構成で電流検出装置100を実現することができる。
また、本実施形態では、検出抵抗素子40が検出用スイッチング素子7の出力電極側に設けられているため、スイッチング素子3及び7がOFF状態のときには、検出用スイッチング素子7により検出抵抗素子40が入力端子101から遮断される。
このため、検出抵抗素子40を主スイッチング素子3の出力電極5側に設ける構成と比較して、検出抵抗素子40で消費される電力を抑制することができる。さらに、コンパレータ11の許容電圧範囲を超える高電圧が入力端子101に入力されたときにも、高電圧がセンス電圧としてコンパレータ11に印加されることを防止できる。したがって、電流検出装置100では、スイッチング素子3及び7のOFF期間中に、基準電圧だけでなくセンス電圧についてもコンパレータ11への高電圧の入力を防止することができる。このため、高電圧に対応したコンパレータを電流検出装置100に設ける必要がないので、電流検出装置100の製造コストの増加を抑えることができる。
また、スイッチング素子3及び7がON状態のときには、入力端子101から主スイッチング素子3を流れる電流と、入力端子101から検出用スイッチング素子7を流れる電流との間で位相差が生じないため、コンパレータ11は、検出抵抗素子40に生じるセンス電圧と基準電圧との比較を迅速に行うことができる。
(第2実施形態)
図2は、本発明の第2実施形態に係る電流検出装置200を示す回路図である。
図2は、本発明の第2実施形態に係る電流検出装置200を示す回路図である。
電流検出装置200は、図1に示した電流検出装置100内の基準電圧生成部110に代えて基準電圧生成部210を備えている。以下では、第1実施形態と異なる点のみを説明し、第1実施形態と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
基準電圧生成部210は、基準電圧生成部110に対応するものである。基準電圧生成部210は、抵抗素子17及び18が直列に接続された抵抗回路211と、抵抗回路211と接続される保護回路212と、を備える。なお、抵抗素子17は及び18は、図1に示した抵抗素子12及び13に対応する。
保護回路212は、抵抗素子10に対応する抵抗素子14と、抵抗回路111に生じる電圧の大きさを制限するツェナーダイオード15と、入力端子101に発生する入力電圧からツェナーダイオード15を保護する抵抗素子16と、を備える。
ツェナーダイオード15は、保護電圧が所定の許容電圧範囲を超えないように、抵抗回路211の一端に生じる電圧をツェナー電圧に制限する素子である。
保護回路212では、電圧源9に抵抗素子16の一端が接続され、抵抗素子16の他端は、抵抗回路211の一端とツェナーダイオード15のカソード電極と抵抗素子14の一端とに接続される。抵抗素子14の他端は入力端子101と接続され、ツェナーダイオード15のアノード電極は接地線に接続される。
次に、スイッチング素子3及び7がON状態のときの基準電圧生成部210の動作について説明する。
スイッチング素子3及び7がON状態では、電圧源9から抵抗素子16の一端に電源電圧が供給され、電圧源9から出力された電流が、抵抗素子16及び14を介して主スイッチング素子3に流れる。このとき、入力電極1と出力電極5の電極間には、主スイッチング素子3の特性に応じたオン抵抗が生じている。
このため、入力電極1から出力電極5に流れる電流に応じたON電圧Vceが入力端子101に生じる。そして、入力電極1と抵抗素子14の接続部分はON電圧Vceにクランプされる。
よって、抵抗素子17及び18の接続部分に発生する基準電圧Vrefは、次式で表わすことができる。なお、抵抗素子10はR4、抵抗素子14はR5、抵抗素子17はR6、抵抗素子18はR7と表わす。
次に、スイッチング素子3及び7がOFF状態のときの基準電圧生成部210の動作について説明する。
スイッチング素子3及び7がOFF状態では、入力端子101は、電動機800から入力電圧を受ける。入力電圧の大きさに拘わらず、抵抗素子17の一端は、ツェナーダイオード15のツェナー電圧Vzdによってクランプされる。よって、保護電圧Vrefは、ツェナー電圧Vzdを抵抗素子17及び18で分圧した値となり、次式で表わすことができる。
本実施形態によれば、抵抗回路211の一端は抵抗素子14を介して入力端子101と接続されると共にツェナーダイオード15のカソード電極と接続され、電圧源9から抵抗素子16を介して抵抗回路211と入力端子101に電流が流れる。
このため、主スイッチング素子3がOFF状態のときに、入力端子101に高電圧が印加されると、抵抗回路211に生じる電圧がツェナーダイオード15によりツェナー電圧に制限される。そして主スイッチング素子3がON状態のときには、抵抗回路211に生じる電圧は、電圧源9から入力端子101へ流れる電流量に応じて抵抗素子16により特性電圧に調整される。
よって、保護回路212は、抵抗回路211に生じる電圧をツェナー電圧の大きさに制限しつつ、主スイッチング素子3の特性に応じた特性電圧を抵抗回路211に設定することができる。
したがって、電流検出装置200は、第1実施形態と同様、過電流の検出精度を低下させることなく、スイッチング素子3及び7のOFF期間に高電圧がコンパレータ11に印加されることを防ぐことができる。また、保護回路212は、電圧源9と抵抗素子14及び16とツェナーダイオード15のみで構成されることから、回路規模を抑えつつ低コストかつ簡易な構成で電流検出装置200を実現することができる。
(第3実施形態)
図3は、本発明の第3実施形態に係る電流検出装置300を示す回路図である。
図3は、本発明の第3実施形態に係る電流検出装置300を示す回路図である。
電流検出装置300は、図1に示した電流検出装置100内の基準電圧生成部110に代えて基準電圧生成部310を備えている。
基準電圧生成部310は、基準電圧生成部110に対応するものである。基準電圧生成部310は、抵抗素子20及び21が直列に接続された抵抗回路311と、抵抗回路311と接続される保護回路312と、を備える。なお、抵抗素子20及び21は、図1に示した抵抗素子12及び13に対応する。
保護回路312は、図1に示した保護回路112内の抵抗素子10及びダイオード8に代えて、抵抗素子10に対応する抵抗素子19と、抵抗素子21の一端に生じる電圧の大きさを制限するツェナーダイオード22と、を備えている。
保護回路312では、電圧源9に抵抗素子19の一端が接続され、抵抗素子19の他端は、入力端子101と抵抗素子20の一端とに接続される。抵抗素子20の他端は、抵抗素子21の一端とツェナーダイオード22のカソード電極とに接続される。また、ツェナーダイオード22のアノード電極と抵抗素子21の他端は接地線に接続される。
次に、スイッチング素子3及び7がON状態のときの基準電圧生成部210の動作について説明する。
スイッチング素子3及び7がON状態では、電圧源9から抵抗素子19の一端に電源電圧が供給され、電圧源9から出力された電流が、抵抗素子19を介してスイッチング素子3及び7に流れる。このとき、入力電極1と出力電極5の電極間には、主スイッチング素子3のオン抵抗により、入力電極1から出力電極5に流れる電流に応じたON電圧Vceが発生する。
このため、入力電極1と抵抗素子19の接続部分には、ON電圧Vceが発生する。よって、抵抗素子20及び21の接続部分に発生する基準電圧Vrefは、次式で表わすことができる。なお、抵抗素子20はR9、抵抗素子21はR10と表わす。
次に、スイッチング素子3及び7がOFF状態のときの基準電圧生成部310の動作について説明する。
スイッチング素子3及び7がOFF状態では、入力端子101に電動機800から印加された入力電圧が発生する。入力電圧は、抵抗素子20及び21で分圧され、抵抗素子20と抵抗素子21の接続部分に発生する分割電圧がツェナーダイオード22のカソード側に印加される。
例えば、分割電圧がツェナーダイオード22のツェナー電圧Vzdよりも高いときには、ツェナーダイオード22にツェナー電流が流れ、抵抗素子20と抵抗素子21の接続部分にはツェナー電圧Vzdがクランプされる。このため、保護電圧Vrefは、次式のとおり、ツェナー電圧Vzdとなる。
本実施形態によれば、抵抗素子20と抵抗素子21の接続部分にツェナーダイオード22のカソード電極が接続される。そして、主スイッチング素子3がOFF状態のときに、入力端子101に許容電圧範囲を超える高電圧が印加されると、ツェナーダイオード22によって、抵抗素子20と抵抗素子21の接続部分の電圧がツェナー電圧に制限される。また、主スイッチング素子3がON状態のときには、抵抗回路211に生じる電圧は、電圧源9から入力端子101へ流れる電流に応じて抵抗素子19により調整される。
よって、保護回路312は、抵抗素子20と抵抗素子21の接続部分の電圧をツェナーダイオード22のツェナー電圧に制限しつつ、主スイッチング素子3の特性に応じた電圧を抵抗回路311に設定することができる。
したがって、電流検出装置300は、第1及び第2実施形態と同様、コンパレータ11への高電圧の入力を防ぐことができ、かつ、スイッチング素子3及び7がON状態のときには過電流を精度よく検出することができる。また、保護回路312は、電圧源9と抵抗素子19とツェナーダイオード22のみで構成されるため、回路規模の増大を抑えつつ低コストかつ簡易な構成で電流検出装置300を実現することができる。
(第4実施形態)
図4は、本発明の第4実施形態に係る電流検出装置400を示す回路図である。
図4は、本発明の第4実施形態に係る電流検出装置400を示す回路図である。
電流検出装置400は、図1に示した電流検出装置100内の基準電圧生成部110に代えて基準電圧生成部410を備えている。本実施形態では、スイッチング素子3及び7は、ノーマリーオフの電圧型素子により実現される。
基準電圧生成部410は、基準電圧生成部110に対応するものである。基準電圧生成部410は、抵抗素子23及び24が直列に接続された抵抗回路411と、入力端子101に発生する入力電圧を抵抗回路411に対して遮断する保護回路412と、保護回路412を制御する制御回路413と、を備える。なお、抵抗素子23及び24は、図1に示した抵抗素子12及び13に対応する。
保護回路412は、スイッチング素子3及び7のOFF状態を識別し、抵抗回路411と入力端子101の間の接続を切断する。本実施形態では、保護回路412としてリレーが用いられ、リレー412は、入力端子101と抵抗回路411の間に設けられる。
リレー412は、入力端子101と抵抗回路411の一端との間を接続又は切断するリレー接点と、制御線105からの制御信号に応じてリレー接点を駆動するコイルと、を備える。本実施形態では、スイッチング素子3及び7のON状態又はOFF状態を識別する識別情報として、制御線105から供給される制御信号が用いられる。
例えば、リレー412は、制御線105から制御信号として接続電圧がコイルに供給されると、リレー接点が駆動して入力端子101と抵抗回路411がON状態となる。また、リレー412は、コイルへの接続電圧の供給が停止されると、入力端子101と抵抗回路411がOFF状態となる。
コンパレータ11は、基準電圧とセンス電圧とを比較して負荷電流が異常か否かの判定結果を制御回路413に出力する。コンパレータ11は、センス電圧が基準電圧のレベルを超えると、判定信号のレベルをLレベルからHレベルに切り替え、判定結果としてLレベルの判定信号を制御回路413に出力する。
制御回路413は、コンパレータ11の判定結果に基づいて下アーム52内の主スイッチング素子3を制御するものである。制御回路413は、下アーム52を駆動する駆動信号を生成する。制御回路413は、駆動信号とコンパレータ11の判定結果とに基づいて過電流の発生を判定する。
制御回路413は、下アーム52の駆動を制御するCPU26と、CPU26の制御に従って接続電圧を出力する制御電圧出力回路27と、下アーム52の駆動期間にのみコンパレータ11の判定結果を出力するAND回路25と、を備える。
CPU26は、下アーム52を駆動するHレベルの駆動信号、又は、下アーム52の駆動を停止するLレベルの停止信号を制御電圧出力回路27に出力する。
AND回路25は、CPU26からHレベルの駆動信号を受け付けるとともに、コンパレータ11からHレベルの判定信号を受け付けたときにのみ、負荷電流の異常を示すHレベルの判定信号をCPU26に出力する。
制御電圧出力回路27は、CPU26から駆動信号を受け付けると、スイッチング素子3及び7の制御電極4とリレー412のコイルとに接続電圧を供給する。また、制御電圧出力回路27は、CPU26から停止信号を受け付けると、接続電圧の供給を停止する。
次に、スイッチング素子3及び7がON状態のときの基準電圧生成部410の動作について説明する。
スイッチング素子3及び7がON状態では、入力電極1から出力電極5に流れる電流に応じたON電圧Vceが入力端子101に生じる。スイッチング素子3及び7は、ノーマリーOFFの電圧型素子であるため、制御線105からスイッチング素子3及び7の制御電極4とリレー412のコイルに接続電圧が供給されている。
リレー412のコイルに接続電圧が供給されると、コイルに電流が流れ、リレー接点がON状態となるため、入力端子101と抵抗素子23が接続される。基準電圧Vrefは、入力端子101に生じるON電圧Vceを抵抗素子23及24で分圧した値となり、次式で表わすことができる。なお、抵抗素子23はR11、抵抗素子24はR12と表わす。
次に、スイッチング素子3及び7がOFF状態のときの基準電圧生成部410の動作について説明する。
スイッチング素子3及び7がOFF状態では、制御線105からの接地電圧の供給が停止されるため、リレー412のコイルに流れる電流が止まり、リレー接点により、入力端子101と抵抗素子23の接続が切断される。
このとき、コンパレータ11におけるセンス電圧が基準電圧よりも高くなる場合がある。このような場合にも、コンパレータ11は、過電流の発生を示すHレベルの判定信号をAND回路25に出力してしまう。しかしながら、AND回路25は、CPU26からHレベルの駆動信号を受けている間に、Hレベルの判定信号を受け付けなければ、Hレベルの判定信号の出力を行わない。
このように、スイッチング素子3及び7がOFF状態のときにコンパレータ11からHレベルの判定信号が出力されても、AND回路25が、CPU26に対して負荷電流の異常を示す信号を出力することを抑制する。このため、リレー412の切断によりコンパレータ11にて基準電圧がセンス電圧より低下することがあっても、CPU26が、スイッチング素子3及び7のOFF期間に負荷電流が異常であると判定することを回避できる。
本実施形態によれば、保護回路412は、スイッチング素子3及び7の制御電極4に発生する電圧に基づいてスイッチング素子3及び7のOFF状態を識別し、抵抗回路411と入力端子101の接続を切断する。つまり、保護回路412は、スイッチング素子3及び7がON状態であるときに、抵抗回路411と入力端子101とを接続し、スイッチング素子3及び7がOFF状態であるときに、抵抗回路411と入力端子101との接続を切断する。
よって、保護回路412は、スイッチング素子3及び7がON状態のときには入力端子101の電圧を抵抗回路411に設定し、スイッチング素子3及び7がOFF状態のときには抵抗回路411を入力端子101から切り離すことができる。
したがって、電流検出装置400は、第1乃至第3実施形態と同様、過電流の検出精度を低下させることなく、スイッチング素子3及び7のOFF期間に入力端子101に印加される高電圧からコンパレータ11を保護することができる。
(第5実施形態)
図5は、本発明の第5実施形態に係る電流検出装置500を示す回路図である。
図5は、本発明の第5実施形態に係る電流検出装置500を示す回路図である。
電流検出装置500は、図1に示した電流検出装置100に対応するものであり、電流検出装置100内の基準電圧生成部110に代えて基準電圧生成部510を備えている。
基準電圧生成部510は、基準電圧生成部110に対応するものである。基準電圧生成部510は、主スイッチング素子3の周囲の温度を検出する温度検出回路511と、保護回路512及び抵抗回路33と、温度検出回路511の検出結果に応じて基準電位を調整する基準電圧供給回路29と、を備える。
温度検出回路511は、主スイッチング素子3の周囲の温度を検出し、検出された温度に応じて電圧信号を検出結果として基準電圧供給回路29へ出力する。例えば、温度検出回路511は、主スイッチング素子3の周囲の温度が高いほど、高いレベルの電圧信号を出力する。
温度検出回路511は、周囲の温度に応じた電流を出力する温度センス用ダイオード31と、電圧源9から温度センス用ダイオード31に流れる電流に応じて電圧を発生する抵抗素子30と、を備える。
抵抗回路33は、主スイッチング素子3の特性に応じた特性電圧を基準電圧供給回路513に出力するために用いられる抵抗素子である。
保護回路512は、図1に示した保護回路112に対応するものである。保護回路512は、ダイオード28と抵抗素子32とを有する。
基準電圧供給回路29は、抵抗素子33の一端に生じる特性電圧と温度検出回路511からの電圧信号とに基づいて基準電圧をコンパレータ11に供給する。
基準電圧供給回路29には、温度検出回路511から主スイッチング素子3の温度を推定するための電圧信号が入力され、かつ、保護回路512及び抵抗素子33から入力端子101の電圧に応じた特性電圧が第2入力端子に入力される。
基準電圧供給回路29は、温度検出回路511からの電圧信号と、抵抗素子33に生じる特性電圧とに基づいて基準電圧を生成する。基準電圧供給回路29は、基準電圧をコンパレータ11に供給する。なお、基準電圧は、第1実施形態と同様、電圧源9の電圧値と、ダイオード28の順方向電圧値と、抵抗素子32、抵抗素子33及び主スイッチング素子3の抵抗値とを用いて算出することができる。
基準電圧生成部510では、電圧源9に抵抗素子32の一端が接続され、抵抗素子32の他端は、抵抗素子33の一端と基準電圧供給回路29の第1入力端子とダイオード28のカソード電極とに接続される。ダイオード28のアノード電極は入力端子101と接続される。また、基準電圧供給回路29の第2入力端子は抵抗素子30と温度センス用ダイオード31のアノード電極とに接続される。
本実施形態によれば、基準電圧生成部510は、温度検出回路511により検出された温度と入力端子101の電圧とに基づいて基準電圧を生成する。このため、電流検出装置500は、第1乃至第4実施形態と異なり、主スイッチング素子3の素子特性だけでなく、主スイッチング素子3の温度特性も考慮した基準電圧を生成することができる。
したがって、電流検出装置500は、許容電圧範囲を超える高電圧からコンパレータ11を保護しつつ、第1乃至第4実施形態と比べて負荷電流の異常をより正確に検出することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
たとえば、スイッチング素子3及び7として、p型MOS(positive channel Metal Oxide Semiconductor)などの電界効果トランジスタ(FET:Field effect transistor)が用いられても、同様の効果が得られる。
なお、上記実施形態は、適宜組み合わせ可能である。
1 入力電極
3、7 スイッチング素子
4 制御電極
5 出力電極
8、28、31 ダイオード
9 電圧源
10、12〜14、16〜21、23、24、30、33、40 抵抗素子
11 コンパレータ
15、22 ツェナーダイオード
100〜500 電流検出装置
110、210、310、410、510 基準電圧生成部
111、211、311、411 抵抗回路
112、212、312、412、512 保護回路
3、7 スイッチング素子
4 制御電極
5 出力電極
8、28、31 ダイオード
9 電圧源
10、12〜14、16〜21、23、24、30、33、40 抵抗素子
11 コンパレータ
15、22 ツェナーダイオード
100〜500 電流検出装置
110、210、310、410、510 基準電圧生成部
111、211、311、411 抵抗回路
112、212、312、412、512 保護回路
Claims (6)
- 負荷から負荷電流が流入する入力端子と、
前記負荷電流を出力するための出力端子と、
前記負荷電流に応じたセンス電圧を発生させる検出抵抗素子と、
前記入力端子に接続される入力電極と、前記出力端子に接続される出力電極と、前記入力電極と前記出力電極の間を接続状態又は非接続状態に制御する制御電極と、を有する主スイッチング素子と、
前記制御電極と共通して接続される制御電極を有し、前記入力電極と出力電極の間が前記接続状態になると、前記入力端子から前記検出抵抗素子へ前記負荷電流の一部を供給し、前記入力電極と出力電極の間が前記非接続状態になると、前記検出抵抗素子への電流の供給を停止する副スイッチング素子と、
前記主スイッチング素子が前記接続状態のときに、前記入力電極から前記出力電極に流れる電流と前記主スイッチング素子の特性とにより生じる前記入力端子の電圧に基づいて基準電圧を生成し、前記主スイッチング素子が前記非接続状態のときに、前記入力端子に発生する入力電圧によらない基準電圧を生成する基準電圧生成部と、
前記基準電位生成部により生成される基準電圧と前記センス電圧とを比較する比較部と、を含む電流検出装置。 - 請求項1に記載の電流検出装置において、
前記基準電圧生成部は、
前記基準電圧を発生させる抵抗回路と、
前記主スイッチング素子が前記接続状態であるときには、前記入力端子の電圧に応じた電流を前記抵抗回路に出力し、前記主スイッチング素子が前記非接続状態であるときには、前記比較部における許容電圧範囲内の保護電圧を前記抵抗回路に設定する保護回路と、を含む、電流検出装置。 - 請求項2に記載の電流検出装置において、
前記保護回路は、前記抵抗回路に電圧を供給する電圧源と、前記電圧源から前記入力端子に流れる電流に応じて前記抵抗回路の電圧を調整する調整抵抗素子と、前記抵抗回路に対して前記入力電圧を遮断するダイオードと、を有し、
前記電圧源には前記調整抵抗素子の一端が接続され、前記調整抵抗素子の他端は前記抵抗回路の一端と前記ダイオードのカソード電極とに接続され、前記ダイオードのアノード電極が前記入力端子に接続される、電流検出装置。 - 請求項2に記載の電流検出装置において、
前記保護回路は、前記抵抗回路に電圧を供給する電圧源と、前記電圧源から前記入力端子への電流に応じて前記抵抗回路に生じる電圧を調整する調整抵抗素子と、前記抵抗回路に生じる電圧の大きさを制限するツェナーダイオードと、前記入力電圧から前記ツェナーダイオードを保護する保護抵抗素子と、を有し、
前記電圧源には前記調整抵抗素子の一端が接続され、前記調整抵抗素子の他端は前記抵抗回路の一端と前記ツェナーダイオードのカソード電極と前記保護抵抗素子の一端とに接続され、前記保護抵抗素子が前記入力端子に接続される、電流検出装置。 - 請求項2記載の電流検出装置において、
前記抵抗回路は、前記比較部と接続される基準抵抗素子を有し、
前記保護回路は、前記抵抗回路に電圧を供給する電圧源と、前記電圧源から前記入力端子に流れる電流に応じて前記抵抗回路の電圧を調整する調整抵抗素子と、前記基準抵抗素子に生じる電圧の大きさを制限するツェナーダイオードと、を有し、
前記電圧源には前記調整抵抗素子の一端が接続され、前記調整抵抗素子の他端は前記抵抗回路の一端と前記入力端子とに接続され、前記基準抵抗素子と前記比較部の接続部分に前記ツェナーダイオードのカソード電極が接続される、電流検出装置。 - 請求項2記載の電流検出装置において、
前記保護回路は、前記主スイッチング素子の前記非接続状態を識別し、前記抵抗回路と前記入力端子の接続を切断する、電流検出装置。
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