JP2007104399A - 電力供給制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電力供給制御装置10は、センスMOSFET16のソース電位Vs2がパワーMOSFET15のソース電位Vs1に対して低下して電位差が生じた場合に、異常検出回路13から異常信号が出力され、電流異常が生じたときと同様、外部端子P5に連なるプルアップ抵抗54を利用して外部回路(例えば警告ランプ等)に異常を示す信号を出力するとともに、パワーMOSFET15に遮断動作をさせる。
【選択図】図2
Description
なお、本発明で「センスFETのセンス電流の出力側」とは、当該センスFETがnチャネル型のもの(nMOS)であればソース側であり、pチャネル型のもの(pMOS)であればドレイン側である。
なお、本発明で「パワーFETの出力側」とは、当該パワーFETがnチャネル型のもの(nMOS)であればソース側であり、pチャネル型のもの(pMOS)であればドレイン側である。
本構成によれば、センスFETの出力側(ソース側又はドレイン側)の電位レベルに基づきその出力側からの接続ラインの断線異常を検出できる。
センスFETの出力側からの接続ラインの断線異常が発生した場合、センスFETの出力側とパワーFETの出力側(ソース側又はドレイン側)との電位差が、断線異常が発生していない正常時に対して変化する。そこで、本構成では、その電位差変化に基づき断線異常を検出するようにした。
本構成によれば、センスFETの出力側とパワーFETの出力側との電位差の有無(一定レベル以上の電位差の有無も含む)によって比較的簡単に断線異常を検出できる。
本構成によれば、電流異常及び断線異常のいずれかが発生した場合に異常信号を出力する構成とした。従って、この異常信号の出力に基づき、例えばパワーFETを強制的に遮断動作させたり、電流異常又は断線異常を外部に報知する報知動作を行うようにすることができる。
1.電力供給制御装置の全体構成
図1は、本実施形態に係る電力供給制御装置10の全体構成を示すブロック図であり、同図に示すように、本実施形態の電力供給制御装置10は、定電圧信号、或いは、PWM(Pulse Width Modulation。パルス幅変調)制御信号などの制御信号S1を直接又は間接的にパワーMOSFET15(本発明の「パワーFET」に相当)の制御入力端子(ゲート端子G)に与えることで、このパワーMOSFET15の出力側に連なる車両用電源(以下、単に「電源61」という)から負荷50への電力供給を制御するように構成されている。
図2は、電力供給制御装置10に備えられる異常検出回路13(本発明の「電流異常検出回路、断線検出回路」に相当)を主として示す回路図であり、同図において、一点鎖線で囲まれた構成が異常検出回路13である。この異常検出回路13は、パワーMOSFET15の電流量に応じたセンス電流Isが流れるセンスMOSFET16(本発明の「センスFET」に相当)を有している。
(a)異常検出回路内の構成
パワーMOSFET15は、ドレイン端子Dが電源端子P2に接続され、ソース端子Sが出力端子P3に接続されている。センスMOSFET16は、ゲート端子G及びドレイン端子DがパワーMOSFET15のゲート端子G及びドレイン端子Dと共通接続されている。
(i)回路構成
図2に示すように、RC並列回路12は、直列接続された第1抵抗60(抵抗値r)及びコンデンサ62と、第2抵抗64(抵抗値R)とが並列接続されて構成されている。そして、このRC並列回路12の一端側が外部端子P4に接続され、他端側がグランドに接続される。従って、RC並列回路12の端子電圧Voが外部端子P4を介してコンパレータ32の入力端子に与えられる。
ここで、RC並列回路12にセンス電流Is(詳しくは、センス電流のミラー電流Is”)を流した場合の端子電圧Voは、次の数式1で求めることができる。
C:コンデンサ62の容量
R:第2抵抗64の抵抗値
t:通電時間
従って、数式1から異常検出される電流(端子電圧Voが閾値電圧Vrに達したときのセンス電流Is、以下、「異常電流Io」という)は、次の数式2で表すことができる。
そして、その通電状態が継続し通電時間tが経過するに従って、異常電流Ioは、数式4に示す電流Io2に収束していく。
以上から、異常電流Ioと通電時間tとの関係は、図3の点線で示す収束曲線L1となる。このことは、通電開始当初、RC並列回路12の電流/電圧の変換率が小さく異常電流Ioは大きなレベルとなり(つまり、大電流を流すことができ)、そのまま通電状態が継続した場合、RC並列回路12における電流/電圧の変換率が徐々に増大し、異常電流Ioのレベルが低減していく(流すことができる電流量が低減していく)ことを意味する。要するに、RC並列回路12は、それに流れたセンス電流Isの通電時間に応じて増大する変換率によって当該センス電流Isを端子電圧Voに変換するのである。
図2に示すように、異常検出回路13には、本発明の「断線検出回路」を構成するコンパレータ73が設けられ、このコンパレータ73は、正相入力に上記バッファ回路80を構成するオペアンプ18に対して、正相入力同士及び逆相入力同士がそれぞれ接続されている。
図4には、前述の制御信号S1を受けることで起動する保護用論理回路40の構成が示されている。この保護用論理回路40は、チャージポンプ回路41、ターンオフ回路42に制御信号S6を与えてオンオフ動作させる、ラッチ回路としてのRS−FF66(RSフリップフロップ)を有している。このRS−FF66はセット端子SにOR回路68からのセット信号SETが入力され、リセット端子RにAND回路74からの出力信号が入力される。OR回路68には、「電流異常」又は「断線異常」発生時の異常信号S4と「温度異常」発生時の異常信号S3とが入力され、いずれかの信号が入力されたときにセット信号SETを出力してRS−FF66をセット状態とし、これによりRS−FF66はハイレベルの制御信号S6を出力する。
操作スイッチ52がONされ制御信号S1が電力供給制御装置10に与えられると、保護用論理回路40のRS−FF66がリセット状態となる。これにより、チャージポンプ回路41が駆動しパワーMOSFET15及びセンスMOSFET16がオンして通電状態となり、負荷50への電力供給が開始される。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)上記実施形態において、電流電圧変換回路としては、RC並列回路12の代わりに単なる外部抵抗であってもよい。
13…異常検出回路(電流異常検出回路、断線検出回路)
15…パワーMOSFET(パワーFET)
16…センスMOSFET(センスFET)
18…オペアンプ(バッファ回路)
20…FET(バッファ回路)
50…負荷
61…電源
70…ライン(電力供給ライン)
71…接続ライン
72…OR回路(異常出力回路)
80…バッファ回路
S4…異常信号
Claims (4)
- 電源から負荷への電力供給ラインに設けられ当該負荷への通電を行うパワーFETと、
前記パワーFETの電流量に応じたセンス電流が流れるセンスFETと、
前記センスFETに流れるセンス電流に基づき前記電力供給ラインにおける電流異常を検出する電流異常検出回路と、
前記センスFETの前記センス電流の出力側の電位レベルに基づき当該出力側からの接続ラインの断線異常を検出する断線検出回路と、を備えることを特徴とする電力供給制御装置。 - 前記断線検出回路は、前記センスFETの出力側と、前記パワーFETの出力側との電位差に基づき前記断線異常を検出することを特徴とする請求項1に記載の電力供給制御装置。
- 前記センスFETの出力側を、前記パワーFETの出力側と同電位レベルに保持するバッファ回路を備え、
前記断線検出回路は、前記センスFETの出力側の電位レベルが、前記パワーFETの出力側の電位レベルよりも低くなったことを条件に前記断線異常を検出することを特徴とする請求項2に記載の電力供給制御装置。 - 前記電流異常及び前記断線異常の少なくともいずれか一方が検出されたことを条件に、異常信号を出力する異常出力回路が設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の電力供給制御装置。
Priority Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010283986A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Denso Corp | 電力変換装置 |
JP2020099139A (ja) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | ローム株式会社 | スイッチ装置 |
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JP2000299624A (ja) * | 1999-02-14 | 2000-10-24 | Yazaki Corp | スイッチングデバイス |
JP2005039573A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Nec Electronics Corp | 過電流検出回路及び負荷駆動回路 |
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