JP2011114003A - 半導体検査装置の座標補正方法及び半導体検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】回路パターンの微細化に伴い、露光の際のショットの形状の歪みがある場合には、電子顕微鏡によるウェーハ検査時のスループットの低下や自動化率の低下が認められ、ショット歪みに対する位置補正動作を実行する方式を提供する。
【解決手段】１つのショット内の複数点について位置ずれ情報を検出し、当該複数点の位置ずれ情報に基づいてショット歪みの情報を取得し、取得されたショット歪情報に基づいて、各ショットに固有の座標補正情報を算出する。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体検査装置における座標補正精度の高精細化技術に関する。

従来、半導体検査装置においては、測定対象であるウェーハのステージへの搬入後にグローバルアライメントを実施し、ステージに対するウェーハの位置ずれ情報（ウェーハの中心ずれ、回転ずれ。以下、「ウェーハ歪み」という。）を取得する機能が備えられている。また、半導体検査装置には、グローバルアライメントの実行後、ウェーハ歪みのみを補正する座標補正式を作成し、当該座標補正式に基づいて算出される補正値を、測定点への視野の移動時に適応する仕組みを採用する。

特開２００９−０９２６７３号公報

露光装置は、ウェーハと呼ばれる試料上に、ショットと呼ばれる単位で半導体回路パターンを形成する。図２に、露光装置によりウェーハに形成されるショットの例を示す。露光装置によるパターン形成は、ショットの再現性に優れている。しかし、ショット単体に着目すると、理想的なショットの形状２１（点線で示す正方形状）と比較して、露光装置によって実際に形成されたショットの形状２２（実線で示す台形形状）に歪みが発生している。なお図２は、技術課題の説明のために歪を強調して表している。

半導体回路パターンを自動的に測定するには、測定対象パターンへの移動、測定対象パターンの認識、測定対象パターンの測定という一連の処理を自動で実行する必要がある。この際、測定対象パターンを視野に捉えることができなければ、測定対象パターンを測定することができない。測定対象パターンを視野に捉えるには、的確な座標の補正が必要となる。そこで、現在では測定座標に視野を移動させる前にグローバルアライメントを実施し、ウェーハの位置ずれ情報を取得し、測定点への視野の移動に使用している。

しかし、一段の微細化が進む今日においては、前述したショット単位の歪み（以下、「ショット歪み」という。）は、グローバルアライメントだけでは補正することができない事態が予測される。グローバルアライメントを実施しただけでは微細化した測定対象パターンを視野内に捉えることができなければ、スループット及び自動化率が低下する。

本発明者は、かかる課題について鋭意検討した結果、ウェーハ歪みに対する位置補正動作に追加して、ショット歪みに対する位置補正動作を実行する方式を採用する。

本発明は、１つのショット内の複数点について位置ずれ情報を検出し、当該複数点の位置ずれ情報に基づいてショット歪みの情報を取得し、取得されたショット歪情報に基づいて、各ショットに固有の座標補正情報を算出する方式を採用する。

本発明によれば、ウェーハ歪みだけでなく、ショット歪みに起因した座標ずれも確実に補正することができる。これにより、半導体検査装置のスループット及び自動化率を向上することができる。

走査型電子顕微鏡システムの構成例を示す図。 ショット歪を模式的に示す図。 ステージの移動先とパターン検出位置の関係を説明する図。 ショット単位の歪補正処理を含むレシピ処理の概略を説明するフローチャート。 ウェーハの位置ずれ検出時とショットの位置ずれ検出時に使用する検出点を例示する図。 複数ショットについて実測されたショット歪みに基づいてショット歪みの変化を近似演算により補正する動作を説明する図。

以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。なお、後述する装置構成や処理動作の内容は発明を説明するための一例であり、本発明は、後述する装置構成や処理動作に既知の技術を組み合わせた発明や後述する装置構成や処理動作の一部を既知の技術と置換した発明も包含する。

（半導体検査装置のシステム例）
まず、半導体検査装置の実施例を説明する。図１に、半導体検査装置の一例である走査型電子顕微鏡（SEM：Scanning Electron Microscope）システムの構成例を示す。走査型電子顕微鏡システムの筐体１には、一次電子４を発生する電子源２が格納されている。電子源２において発生された一次電子４は、一次電子加速電極３により加速された後、コンデンサレンズ５、走査コイル７を順番に通過し、対物レンズ８においてビーム径が絞られるようにウェーハ９に照射される。

電子源２には、例えば冷陰極電界放出型電子銃、熱電子銃（ショットキー電子銃、電界放出電子銃）が用いられる。なお、熱電子銃の陰極には、例えばタングステン線、LaB6の単結晶）が用いられる。一次電子加速電極３には、一次電子加速電源１８において発生された加速用の電圧が印加される。コンデンサレンズ５は、電子プローブの太さとプローブ電流の制御に使用される。走査コイル７は、一次電子４を一次元又は二次元に走査させるための磁界を発生する。対物レンズ８には、制御用計算機１４から制御信号１５が与えられ、制御信号１５に応じた磁界が発生される。ウェーハ９には、リターディング電圧１９が印加されており、一次電子４の減速に使用される。

一次電子４によって照射されたウェーハ９の表面には二次電子１６が発生する。もっとも、反射電子が発生される場合もある。二次電子１６はリターディング電圧によって電子源２の方向に加速される。この二次電子１６は加速途中で反射板６に当たり、新たに二次電子を発生する。この反射板６で発生された二次電子が二次電子検出器１０で補足される。補足された二次電子の情報は増幅器１１で増幅された後、画像処理プロセッサ１２内でＡＤ変換され、デジタル画像データへと変換される。デジタル画像データは画像表示装置１３に与えられ、視野領域の試料像（視野像）として表示される。なお、画像処理プロセッサ１２は、デジタル画像データを格納する画像メモリと各種の画像処理を実行する画像処理回路、表示制御を行う表示制御回路を有している。

この他、走査型電子顕微鏡システムは、検出された二次電子又は反射電子等に基づいて、ラインプロファイルを形成する機能を有している。ラインプロファイルは、一次電子４を一次元走査又は二次元走査した際に検出される電子量又は試料像の輝度情報等に基づいて形成される。形成されたラインプロファイルは、ウェーハ９上に形成されたパターンの認識、寸法測定等に用いられる。

例えばウェーハ９上に形成されたパターンの寸法を計測する場合、制御用計算機１４は、一次電子４によって測定領域が照射されるように、制御信号２０によりステージ１７の駆動機構を制御する。具体的には、測定対象であるパターンを一次電子４が垂直に照射するように、ステージ１７の位置や傾きを制御する。このとき、画像処理プロセッサ１２は、一次電子４が走査した領域から検出されるデジタル画像データを処理してパターンの寸法を計測する。

走査型電子顕微鏡システムにおいて半導体回路パターンの線幅等を測定する場合、一般に、レシピと呼ばれるファイルを使用する。レシピには、一連の測定手順が記述され、記述された手順に従って装置を稼動することにより走査型電子顕微鏡システムの無人運転を可能にする。レシピには、ショットの配列情報、グローバルアライメントの情報、測定対象とする位置等が予め登録される。

以下に、１枚のウェーハ９に対して一般的に実行されるレシピに基づく処理フローを簡単に説明する。最初に、ウェーハ９が筐体１（試料室）内に搬入される。次に、グローバルアライメントが実行され、ウェーハ９の中心ずれ量と回転量が算出される。次に、先に算出されたウェーハ９の中心ずれ量と回転量を加味して、レシピに登録されている測定位置と一次電子４の照射領域を一致させるようにステージ１７が移動される。この後、厳密に測定位置を特定するために、測定対象パターンの検出処理が実行され、検出結果に基づいてパターン寸法の測定が実行される。レシピに登録されている全てのパターンについて寸法測定が完了すると測定結果が保存され、ウェーハ９は筐体１の外に搬出される。この動作によって、１枚のウェーハ９に対するレシピ処理が終了する。

図３に、ステージ１７の移動先とパターン検出位置の関係を示す。なお、画像処理プロセッサ１２には、検出対象とするパターンのテンプレートパターン２３が予め登録されているものとする。このテンプレートパターン２３は、他のウェーハについて事前に撮像された試料像でも良いし、マスクパターンに基づいて用意された電子像でも良い。画像処理プロセッサ１２は、前述したレシピに従い、理論上の座標位置に視野を移動させる。しかし、実際にパターンが存在する座標（基準点の座標）２４と理論上の測定位置座標(視野中心)２５に誤差がある場合、矢印２６に示すベクトル量のずれが発生する。この情報が位置ずれ情報であり、理想的な測定位置座標に対する座標補正情報を与える。

（レシピ処理の実施例１）
図４に、ウェーハ歪みの座標補正情報を生成する処理ステップに加え、ショット歪みの座標補正情報を生成する処理ステップを含むレシピ処理の一例を示す。

まず、レシピ処理は、走査型電子顕微鏡システムの筐体１にウェーハ９が搬入されることにより開始される（Ｓ４０）。まず、ウェーハ歪みの情報を取得するために、１つのウェーハ９上のｎ個のショットについて、１ショットにつき１個の位置ずれ情報の検出処理が実行される（Ｓ４１）。Ｓ４１の処理は、図４に示すようにｎ回のループ処理として実行される。図５の左図に、Ｓ４１の処理で位置ずれ情報の検出対象となる検出点のショット内での位置関係を示す。図５の左図に示すように、ウェーハ歪みの情報を取得する場合、ｎ個（図５では４個）の検出点５０は、いずれもショット内の同一座標点に設定される。図５の例では、矩形形状で与えられる各ショットの左隅の座標点に設定される。Ｓ４１では、ショット毎に、ショット内の左隅に設定された座標点の理想的な測定位置と実際に検出された測定位置とのずれ量（位置ずれ情報）を取得する。

ｎ個のショットからそれぞれ１つずつ計ｎ個の位置ずれ情報が取得されると、画像処理プロセッサ１２は、取得されたｎ個の座標とｎ個の位置ずれ情報に基づいて、ウェーハ全体の座標補正式を作成する（Ｓ４２）。具体的には、ウェーハ歪み（回転や原点校正）を補正する座標補正式を作成する。作成されたウェーハ歪みの座標補正式は、不図示のメモリに格納される。

次に、ショット歪みの情報を検出する処理とショット歪みを反映した座標補正情報を算出するための処理が実行される（Ｓ４３）。ただし、この実施例では、ウェーハ９に形成された全てのショットが同じショット歪みを有しているものとする。従って、この実施例の場合には、ウェーハ９に形成された複数のショットのうち任意に定められた１つのショットについてのみ、ショット歪みの情報の検出とショット歪みを反映した座標補正情報の算出処理が実行される。この実施例の場合、ウェーハ９の中心に位置するショットについてショット歪みを測定する。仮にショット歪みにばらつきが生じる場合でも、ウェーハ９の中心位置のショット歪みは、ばらつきの平均値を与える可能性が高いと予測される。

まず、図５の右図に示すように、処理対象に選択された１つのショット内のｐ個（図５では４個）の検出点５１のそれぞれについて、位置ずれ情報５２の検出処理が実行される（Ｓ４４）。図５の例では、ｐ個の検出点５１は、矩形形状で与えられる各ショットの４隅の座標点に設定される。従って、図５の場合、Ｓ４４ではショット内の４点について、理想的な測定位置と実際に検出された測定位置とのずれ量（位置ずれ情報）が取得される。なお、位置ずれ情報５２の取得は、グローバルアライメントで算出されたウェーハ歪みに対する補正式を適応した状態で実行される。

１つショットに対してｐ個の位置ずれ情報が取得されると、画像処理プロセッサ１２は、ショット歪み（ショットの回転、原点校正及び広がり）を補正する座標補正式を作成する（Ｓ４５）。
ｘ_γ＝ｎ_１・ｘ_ｉ・ｙ_ｉ＋ｎ_２・ｘ_ｉ＋ｎ_３・ｙ_ｉ＋ｎ_４ （式１）
ｙ_γ＝ｎ_５・ｘ_ｉ・ｙ_ｉ＋ｎ_６・ｘ_ｉ＋ｎ_７・ｙ_ｉ＋ｎ_８ （式２）

ここで、（ｘ_ｉ，ｙ_ｉ）は理想的な測定位置座標であり、（ｘ_γ，ｙ_γ）は実際に検出した座標であり、ｎ_１〜ｎ_８は係数である。式１及び式２の係数ｎ_１〜ｎ_８は、ｐ点分の式を用いて最小二乗法などを用いて求めれば良い。また、式１及び式２よりも他の幾何歪みの補正式により適切な近似が可能であれば、式１及び式２である必要はない。作成されたショット歪みの座標補正式は、不図示のメモリに格納される。

ショット歪みの座標補正式が求まると、ｍ個の測定点に対するパターン寸法の測定処理を開始する。まず、登録された測定点の一つが視野に入るように、ステージ１７の駆動機構が制御される。このとき、制御用計算機１４は、画像処理プロセッサ１２にアクセスし、測定点を与える理想的な測定位置をウェーハ歪みの補正式で補正した後、ショット歪みの補正式で補正する。測定点に位置決めするための補正座標が算出されると、制御用計算機１４は、ステージ１７の駆動機構を制御して視野を測定点に移動させる（Ｓ４６）。ステージの移動が完了すると、取得された視野像についてのパターン寸法の測定が画像処理プロセッサ１２で実行される（Ｓ４７）。この際、測定されるパターン寸法は１つに限らない。すなわち、１つの視野像について複数のパターン寸法が測定される場合もある。１つの測定点について全てのパターン寸法の測定が完了すると、次の測定点について同じ処理が繰り返される。そして、ｍ個全ての測定点について測定動作が終了すると、測定結果が不図示のメモリに保存され（Ｓ４８）、ウェーハ９が筐体１から搬出される（Ｓ４９）。

以上説明したように、実施例に係るレシピ処理の実行により、回路パターンの微細化が一段と進みショット歪みが無視できない場合にも、特定の測定パターンに対する位置合せ精度を高めることができる。これにより、パターン検出エラーが低減し、走査型電子顕微鏡システムにおけるスループットの向上と自動化率の向上とを実現できる。

（レシピ処理の実施例２）
前述の実施例１においては、ショット歪みの情報が、１つのウェーハ９上に存在する全てのショットで同じ場合について説明した。しかしながら、ショット歪を構成する回転、原点校正及び広がりの各量は、必ずしも同じになるとは限らない。例えばレンズ起因の歪みや露光条件(気温・気圧)による歪みは、時間と共に線形的に変化する特定を有している。

このような場合、１ショットについてのみ取得したショット歪みに基づいて作成した座標補正式を全てのショットに適応しても、上手くいかない可能性がある。このような場合、全てのショットについて個別の座標補正式を算出することが望ましいが、ウェーハ９上に存在する全てのショットについて個別のショット歪みを取得し、かつ、座標補正式を算出することは現実的でない。

そこで、この実施例では、ウェーハ９上に存在するショットの中から選択した一部（ｓ個）のショットについてのみショット歪みの情報を取得し、これら一部（ｓ個）のショットについて取得されたショット歪みに基づいて作成される座標補正式を用いて、その他のショットに対する座標補正式も近似的に作成する場合について説明する。

図６に、図４のＳ４３を置換するのに好適な処理動作の例を示す。まず、予め登録されたｓ個のショットのそれぞれについて、１つのショット毎にｐ個の検出点の位置ずれ情報を取得する（Ｓ６０）。すなわち、ｐ個の検出点について、理想的な測定位置と実際に検出された測定位置の位置ずれ情報を取得する。そして、取得された座標と位置ずれ情報に基づいてショット歪みを補正する座標補正式を作成する（Ｓ６１）。座標補正式は前述の式１及び式２で与えられる。

この座標補正式の算出がｓ個のショットについて繰り返し実行される。ｓ個全てのショットについて、それぞれに固有の座標補正式が作成されると、ｓ個のショットの間に位置する各ショットに固有の座標補正式をｓ個の座標補正式から近似的に作成する処理に移行する（Ｓ６２）。

ここでの近似演算は、実際にショット歪みが測定された２つのショットを結ぶ直線上に位置する各ショットのショット歪は線形的に変化するとの原理に従って実行する。具体的には、ショットの配列情報やショット歪が実測されたショットとの位置関係に基づいて、線形補間演算又は線形外挿演算を実行し、各ショットに固有の座標補正式を近似的に算出する。この結果、係数がショット位置に応じて変化する座標補正式が得られる。この実施例の場合、ショット歪みが実測されていないショットについては、近似的に算出される座標補正式を用いて測定点へのステージの移動（視野の移動）を実行する。

例えばウェーハ９上の２つショットについてのみショット歪が実測された場合、座標補正式の近似演算は、以下のように実行することができる。ここでは、ａ番目とｂ番目（ａ＜ｂ）に露光された各ショットについて、式１及び式２の座標補正式が作成されているものとする。

ａ番目のショット（以下、ショットａ）とｂ番目のショット（以下、ショットｂ）を結ぶ直線上に位置するショットの歪みは、前述の通り線形的に変化すると考えられるので、座標補正式の各係数の値も線形的に変化すると考えられる。そこで、ショットａとショットｂのそれぞれにおいて求められた各係数に基づいて次式に示すような近似式を作成し、線形補間演算又は線形外挿演算によって、ショットａ及びｂを結ぶ直線上に位置するショットｍの各係数を以下のように算出する。
ｎ_ｉ＿ｍ＝｛（ｎ_ｉ＿ｂ−ｎ_ｉ＿ａ）・（ｍ−ａ）／（ｂ−ａ）｝＋ｎ_ｉ＿ａ （式３）

ここで、ｎ_ｉ＿ｍは、ｍ番目のショットの座標補正式の係数であり、ｎ_ｉ＿ａはショット歪が実測されたａ番目のショットの座標補正式の係数であり、ｎ_ｉ＿ｂはショット歪が実測されたｂ番目のショットの座標補正式の係数である。なお、前述した線形補間演算又は線形外挿演算は、実測された２つのショットを結ぶ直線上に位置するショットだけでなく、線形補間演算又は線形外挿演算によって座標補正式が算出されたショットを結ぶ直線上のショットに対しても適用することができる。勿論、２つのショットのうち一方のショットとしてショット歪みが実測されたショットを適用し、他方のショットとして線形補間演算又は線形外挿演算によって座標補正式が算出されたショットを適用しても良い。

なお以上の例では、２つのショットを結ぶ直線上に位置する各ショットの座標補正式の各係数と位置ずれ量が線形の関係を有する場合について説明したが、ショット歪みを実測するショットの数が多くなったり、ショットの歪みを近似するのに適切な近似式が他にある場合には式３以外の近似式を適用することもできる。

いずれにしても、この実施例に係る手法を用いれば、ショット歪みのばらつきを無視できない場合や経時的なショット歪みの変化を無視できない場合にも、高精度による位置合せを実行できる。

（レシピ処理の実施例３）
前述の実施例の場合には、いずれもショット歪みの検出時に、実測対象であるショットについてｐ点の検出点を設定し、それぞれについて位置ずれ情報を検出する場合について説明した。

しかしながら、ショット歪みの測定対象に選択されたショット内の検出点が、ウェーハ歪みの測定に使用された検出点を含む場合が考えられる。このような場合には、２つの歪みの測定に使用される検出点について位置ずれ情報の検出が２回実行されることになる。例えば図５の場合であれば、ショット内の左下隅に位置する検出点について、ウェーハ歪みの測定時とショット歪みの測定時で位置ずれ情報が重複的に検出される可能性がある。

しかし、位置ずれ情報の検出処理を２回実行したとしても、検出される位置ずれ情報の値は同じである。むしろ、ショット歪みの検出のために実行される位置ずれ情報の検出処理時間が無駄であると考えられる。

そこで、この実施例では、ショット歪みの測定対象に選択されたショット内の検出点が、ウェーハ歪みの測定に使用された検出点を含む場合には、既に位置ずれ情報の検出が完了している１個の検出点を除くｐ−１個の検出点（例えば図５の場合であれば、ショットの内の左上隅、右上隅、右下隅の３点）についてのみ位置ずれ情報の検出処理を実行し、ウェーハ歪みの測定時に取得されていた１個の位置ずれ情報と合わせたｐ個の位置ずれ情報についてショット歪みの情報を取得する。

この手法を採用すれば、実施例１及び２の場合に比して、スループットの向上を実現することができる。

（レシピ処理の他の実施例）
前述の実施例の場合には、ショット歪みの情報として、ショットの回転、原点校正及び広がりに関する情報の全てを取得する場合について説明したが、これらのうちの一つ又は任意の２つを取得するようにしても良い。また、ショット内の原点の位置ずれ情報（原点校正）は、ウェーハ歪みについて取得された原点の位置ずれ情報（原点校正）をそのまま適用又はショットの位置に応じて補正したものを使用しても良い。なお、ショットの内の検出点は複数点であれば、ショット歪みとして取得しようとする情報に応じて２つでも３つでも構わない。

１…筺体、２…電子源、３…一次電子加速電極、４…一次電子、５…コンデンサレンズ、６…反射板、７…走査コイル、８…対物レンズ、９…ウェーハ（試料）、１０…二次電子検出器、１１…増幅器、１２…画像処理プロセッサ、１３…画像表示装置、１４…制御用計算機、１５…制御信号、１６…二次電子、１７…ステージ、１８…一次電子加速電源、１９…リターディング電圧、２０…制御信号、２１…理想的なショットの形状、２２…形成されたショットの形状、２３…テンプレートパターン、２４…テンプレートパターンが実際に存在する座標、２５…測定位置座標(視野中心)、２６…座標系のずれ、５０…ウェーハ歪みの補正に使用する複数ショット内の同一座標に位置する検出点、５１…ショット歪みの補正に使用する１ショット内の検出点、５２…ショット毎に固有の位置ずれ情報。

Claims (10)

1. ステージ上に載置されたウェーハ上の複数点について位置ずれ情報を検出し、ウェーハ歪みの情報を取得する処理と、
   取得されたウェーハ歪みの情報に基づいて、ウェーハ全体を対象とする座標補正情報を算出する処理と
   ウェーハ内に形成された少なくとも１つのショット内の複数点について位置ずれ情報を検出し、当該複数点の位置ずれ情報に基づいてショット歪みの情報を取得する処理と、
   取得されたショット歪みの情報に基づいて、各ショットに固有の座標補正情報を算出する処理と
   を有する半導体検査装置の位置補正方法。
2. 請求項１に記載の半導体検査装置の位置補正方法において、
   前記ショット歪みの情報として、ショットの回転、原点校正及び広がりに関する情報の少なくとも一つを取得する
   ことを特徴とする半導体検査装置の位置補正方法。
3. 請求項１に記載の半導体検査装置の位置補正方法において、
   ウェーハ全体を対象とした座標補正情報を与える原点校正情報に基づいて、前記ショット歪みの原点校正を実行する
   ことを特徴とする半導体検査装置の位置補正方法。
4. 請求項１に記載の半導体検査装置の位置補正方法において、
   前記ショット内の複数点についての位置ずれ情報の検出は同一のウェーハ上に位置する一部のショットに対して実行され、位置ずれ情報の検出対象とならなかったショットに関する座標補正情報は、位置ずれ情報が取得された２つのショット間の位置関係に応じた線形補間演算により又は線形外挿演算により算出する処理
   を更に有することを特徴とする半導体検査装置の位置補正方法。
5. 請求項１に記載の半導体検査装置の位置補正方法において、
   前記ショット内の複数点についての位置ずれ情報の検出対象であるショットが、ウェーハ歪の情報を取得する際に使用した検出点を含む場合には、当該ショットに関して新たに検出する位置ずれ情報の検出点の数をショット歪の情報の取得に使用する数よりも１つ減じると共に、新たに取得する検出点を、ウェーハ歪の情報を取得する際に使用された検出点以外の位置に設定する
   ことを特徴とする半導体検査装置の位置補正方法。
6. 電子線を発生する電子源と、
   検査対象であるウェーハを載置するステージと、
   前記電子線をウェーハ上の所定位置に照射する光学系と、
   前記ウェーハ上で発生した二次電子又は反射電子を検出する検出手段と、
   前記光学系及び前記ステージを制御する制御手段と、
   ステージ上に載置されたウェーハ上の複数点について位置ずれ情報を検出し、ウェーハ歪の情報を取得する手段と、
   取得されたウェーハ歪の情報に基づいて、ウェーハ全体を対象とする座標補正情報を算出する手段と
   ウェーハ内に形成された少なくとも１つのショット内の複数点について位置ずれ情報を検出し、当該複数点の位置ずれ情報に基づいてショット歪の情報を取得する手段と、
   取得されたショット歪の情報に基づいて、各ショットに固有の座標補正情報を算出する手段と
   を有する半導体検査装置。
7. 請求項６に記載の半導体検査装置において、
   前記ショット歪の情報として、ショットの回転、原点校正及び広がりに関する情報の少なくとも一つを取得する
   ことを特徴とする半導体検査装置。
8. 請求項６に記載の半導体検査装置において、
   ウェーハ全体を対象とした座標補正情報を与える原点校正情報に基づいて、前記ショット歪みの原点校正を実行する
   ことを特徴とする半導体検査装置。
9. 請求項６に記載の半導体検査装置において、
   前記ショット内の複数点についての位置ずれ情報の検出は同一のウェーハ上に位置する一部のショットに対して実行され、位置ずれ情報の検出対象とならなかったショットに関する座標補正情報は、位置ずれ情報が取得された２つのショット間の位置関係に応じた線形補間演算により又は線形外挿演算により算出する
   ことを特徴とする半導体検査装置。
10. 請求項６に記載の半導体検査装置において、
    前記ショット内の複数点についての位置ずれ情報の検出対象であるショットが、ウェーハ歪の情報を取得する際に使用した検出点を含む場合には、当該ショットに関して新たに検出する位置ずれ情報の検出点の数をショット歪の情報の取得に使用する数よりも１つ減じると共に、新たに取得する検出点を、ウェーハ歪の情報を取得する際に使用された検出点以外の位置に設定する
    ことを特徴とする半導体検査装置。

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