JP2011103187A - 光電センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】薄型の対象物を安定して検出できるようにする。
【解決手段】前面にそれぞれP,Sの偏光板が装着された投光器1および受光器2を検出対象領域Fを隔てて対向配備する。受光器2のS偏光板20Sは投光器1のP偏光板10Pに、受光器2のP偏光板20Pは投光器1のS偏光板10Sに、それぞれ対向する状態となる。投光器1では、プリズム12により、各偏光板10Pに対する光の光軸を斜め下に変更し、偏光板10Sに対する光の光軸を斜め上に変更する。偏光板10P,10Sを通過した光は、それぞれ検出対象領域Fを斜めに横切って、その光の特性に対応する偏光板20P,20Sの全面に照射される。これにより、P偏光による検出領域とS偏光による検出領域とがそれぞれ検出対象領域Fを斜めに横切り、かつ検出対象領域F内で交差した状態となる。
【選択図】図2

Description

本発明は、物体の検出に用いられる光電センサに関し、特に薄型の物体を検出する用途に適した光電センサに関する。
基板の搬送ラインなどで薄型の物体の厚み部分を検出する用途に用いられる光電センサでは、検出対象物により完全な遮光状態を生じさせにくいため、受光量がある一定のしきい値を下回ったことを条件に、検出信号をオンにするように設定される。
この種のセンサの配置に関する従来例として、図10に示すように、透過型の光電センサの投光器501および受光器502を検出対象領域を挟んで対向するように配置し、投光器1から受光器2に向かう光の一部が基板503に遮られたときの受光量の減少を検出するものがある(たとえば特許文献1)。また、図11に示すように、投光器501と受光器502とを上下方向の位置をずらして配置し、投光器から検出対象領域を斜めに横切る光を照射するものもある(たとえば特許文献2)。
また、特許文献1,2は、水平方向に沿って搬送される基板を搬送路の所定位置で検出するものであるが、薄型物体の上下動を検出する目的に光電センサが使用される場合もある。たとえば特許文献3には、複数枚のウエハが上下方向に沿って並べて収容されたキャリアを上下動させて、各ウエハを透過型の光電センサの光路に順に入れて検出を行うことや、検出対象より上段のウエハから反射した光が受光器に入射するのを防ぐ目的で受光器に偏光フィルタを取り付けることが記載されている。
特開2009−216489号公報 特開2007−258386号公報 特開平6−69323号公報
図10の例では、基板503の厚みにより遮光量が決まるので、基板503が薄くなると、安定した検出を行うのが困難になる。また、このセンサの配置によると、図12に示すように、投光器501から出射された光が基板503の面で反射して受光器502に入射し、これにより基板503の検出が妨げられる場合がある。
図11の例のように、光の光路を斜め方向に設定した場合には、基板503の面による遮光状態を生じさせることができるので、遮光量を増加させることができ、安定した検出を行うことができるように思われる。しかし、この配置では、投光器501と受光器502との高さが異なるので、基板503と光路との位置合わせがしづらい。また、水平な姿勢の基板503を安定して検出するには、図中の領域500に示すように、ある程度の高さ範囲に基板を包含できるだけの幅を持つ検出領域が生成されるようにする必要があるが、光路を斜めにすると、検出領域とすべき領域500内に検出が不可能な領域u,vが発生する。
上記の検出不可能領域u,vをなくすには、近傍位置に、もう1組の投光器および受光器を図示とは反対の位置関係で配置すればよいが、そのような構成にすると、配線が複雑になり、コスト高になる。また、一方のセンサの光路で生じた反射光が他方のセンサの受光器に入射して、検出精度が低下するおそれもある。
本発明は上記の各問題点に着目し、薄型の対象物を安定して検出できるようにすることを、課題とする。
本発明は、物体の検出対象領域に向けて光を出射する投光器と、投光器から出射された光を受光する受光器とを備え、受光器が受光した光量が減少の方向に変化したことに応じて物体を検出した旨を示す信号を出力する光電センサに適用される。この光電センサは、投光器および受光器にそれぞれ光源および受光素子が収容された構成のセンサのほか、光ファイバ式の光電センサとして構成することもできる。また、透過型、反射型のいずれのタイプにも適用することが可能である。
本発明による光電センサの投光器では、特性が異なりかつ互いに干渉しない2種類の光が、投光面におけるそれぞれの出射領域を二分して出射される。また、本発明による光電センサには、上記2種類の光をそれぞれ選別して受光器に導く一対の光学フィルタが含まれる。各光学フィルタは、それぞれ検出対象領域を隔てて選別対象の光とは異なる光の出射領域に対向する位置に配備される。また、投光面に対して各光学フィルタを一定の距離以上離して配置したときに、投光器からの2種類の光がそれぞれその特性に対応する光学フィルタの全面に照射されるように2種類の光の出射方向が定められる。
上記の構成によれば、各光学フィルタが投光面に対して一定の距離以上離れて配置されている場合には、投光器から出射された2種類の光は、それぞれ検出対象領域内を進行して、それぞれの特性に対応する光学フィルタの全面に照射され、これらが光学フィルタを介して受光器に入光する状態となる。この受光器に入光する光が進行する範囲が物体の検出領域として機能する。
2種類の光による検出領域は、それぞれ検出対象領域を斜めに横切り、かつ検出対象領域内で交差する状態となる。また、各検出領域は、それぞれ対応する光の出射領域や光学フィルタに対応する幅をもって、投光面の各出射領域の境界位置から各光学フィルタの境界位置までの範囲で交差するので、交差部分を中心にした広い範囲に検出領域を分布させることができる。
また、投光器の各光の出射領域に対向する位置には、その領域から出射される光とは異なる特性の光に対応する光学フィルタが配備されているので、物体の表面で反射した光が受光器の方へと導かれても、その反射光が受光器に入射するのを防止することができる。
上記の光電センサの好ましい実施態様では、投光器の内部に、光源から2種類の光の出射領域に向かう光の光軸方向を、それぞれ対応する光学フィルタの配置位置に向かって検出対象領域を斜めに横切る方向に変更する光軸設定手段が設けられる。この構成によれば、投光面と光学フィルタとの間に長い距離をとらなくとも、2種類の光をそれぞれに対応する光学フィルタの全面に照射させることが可能になり、投光面と光学フィルタとの間に設定する距離の自由度を大きくすることができる。よって、様々な幅の物体の検出に対応することが可能になる。
上記の光電センサの好ましい実施態様では、一対の光学フィルタは、受光器の受光面に沿って並んだ状態で受光器に一体に設けられる。また、受光器は、各光学フィルタとともに投光器に対向する位置に配備され、各光学フィルタを通過した光を受光する。これにより透過型の光電センサとして、検出精度が大幅に向上したセンサを提供することが可能になる。
さらに、上記の実施態様においては、受光器を、各光学フィルタを通過した光を個別に集光して、集光後の光をそれぞれ個別の受光素子に導くように構成される。この構成によれば、いずれか一方の受光素子の受光量が減少したことをもって物体を検出することができるので、検出対象の物体が2種類の光による検出領域の一方に偏った状態で入ってきた場合でも、安定した検出が可能になる。
他の好ましい実施態様では、投光器および受光器は、一対の光学フィルタの背後に回帰反射板が設けられることを前提として、同一の筐体内に設けられると共に、この筐体の検出対象領域に対向する面が投光面および受光面として機能する。また、受光器は、投光部から出射されて各光学フィルタを通過した光のうち、回帰反射板で反射した後に各光学フィルタを介して戻ってきた光を受光する。
上記の実施態様によれば、反射型の光電センサとしても、広い範囲で安定した検出が可能なセンサを提供することが可能になる。
他の好ましい実施態様では、投光部の投光面からは、それぞれ特定の方向に振動すると共に互いの振動方向が異なる2種類の光が出射される。また、一対の光学フィルタとして、2種類の光の振動方向をそれぞれ選別の対象とする一対の偏光板が検出対象領域を隔てて選別対象外の光の出射領域に対向する位置に配備される。
この態様によれば、特定の方向に振動する光の特性を利用して、安定した検出を行うことが可能になる。
他の好ましい実施態様では、投光部の投光面からは、波長域がそれぞれ異なる2種類の光が出射される。また一対の光学フィルタは、2種類の光に対応する波長域をそれぞれの選別の対象とし、検出対象領域を隔てて選別対象外の光の出射領域に対向する位置に配備される。
この態様によれば、波長域が異なる光の特性を利用して、安定した検出を行うことが可能になる。
つぎに、本発明の好ましい態様における投光器では、一対の光学フィルタと同一の特性をそれぞれ具備する一対の光学フィルタが前記検出対象領域を隔ててそれぞれ特性が異なる光学フィルタに対向するように前記投光面に沿って並べて配備され、投光器の各光学フィルタを通過した光がそれぞれ前記2種類の光として出射される。このように、特性の異なる一対の光学フィルタを2組用いることにより、投光器から2種類の光を安定して出射して、これらの光のうち、検出対象領域を斜めに横切って当該光の特性に対応する光学フィルタの配置位置に到達した光を受光器に導くことが可能になる。
本発明では、投光面を二分する2つの領域から特性が異なりかつ互いに干渉しない2種類の光を出射して、これらの光による検出領域を、それぞれ検出対象領域を斜めに横切り、かつ検出対象領域内で交差させることにより、検出対象領域内の広い範囲で物体を検出することが可能になる。
また、検出対象領域の投光器の各光の出射領域に対向する位置に配備された光学フィルタにより、対向関係にある出射領域からの光に対する反射光の入光が阻止されるので、検出対象物の表面からの反射光により検出の精度が低下するのを防止することができる。
したがって、本発明によれば、薄型の検出対象物の幅や位置のばらつきや、検出対象物からの反射光の影響を受けることなく、安定した検出を行うことができる。
透過型の光電センサの使用例を示す図である。 透過型の光電センサの光学系の構成例を検出の原理とともに示す図である。 投光器からの各光の広がり範囲と、受光器に入光する光との関係を示す図である。 プリズムによる光軸調整を行わない場合の投光器からの各光の広がり範囲と受光器に入光する光との関係を示す図である。 光学系の他の構成例を検出の原理とともに示す図である。 光学系の他の構成例を検出の原理とともに示す図である。 光学系の他の構成例を検出の原理とともに示す図である。 反射型の光電センサの光学系の構成例を検出の原理とともに示す図である。 反射型の光電センサの光学系の他の構成例を検出の原理とともに示す図である。 従来の光電センサにより薄型の対象物を検出する方法の一例を示す図である。 従来の光電センサによる薄型の対象物を検出する場合の検出する方法の他の例を示す図である。 反射光による影響を示す図である。
図1は、本発明が適用された透過型の光電センサの使用例を示す。
この実施例の光電センサは、投光器1および受光器2と、信号処理装置3により構成される。投光素子や受光素子は信号処理装置3に収容されており、投光器1および受光器2と信号処理装置3との間には、光ファイバ101,201による導光路が設けられる。
この実施例の光電センサは、コンベア4a,4bにより搬送される基板5を検出する目的に使用されており、投光器1は一方のコンベア4aの側方に、受光器2は他方のコンベア4bの側方に、それぞれ対向する関係をもって配置される。
投光器1では、光ファイバ101により導かれた光を前面の投光窓15より出射する。受光器2は受光窓25から入光した光を集光し、集光された光は光ファイバ201を介して信号処理装置3内の受光素子へと導かれる。信号処理装置3では、投光素子の発光動作を制御しつつ、受光素子の出力信号を処理して受光量を検出し、その値を判定用のしきい値と照合する。
ここで検出した受光量がしきい値以上である間は、信号処理装置3から出力される検出信号はオフ状態となる。投光器1から受光器2への光が基板5により遮光されて受光量がしきい値を下回る状態になると、信号処理装置3は検出信号をオン状態にする。
この実施例では、投光器1と受光器2との間の空間に、従来よりも大きな検出領域が生じるように、光学系が工夫されている。以下、この光学系の構成に的を絞って、詳細に説明する。
図2は、上記の光電センサの光学系の構成例を示す。なお、この構成は光ファイバ型のセンサ以外のセンサにも適用できるので、図2では、光ファイバ101,201の図示を省略し、投光器1側の構成に投光素子100を、受光器2側の構成に受光素子200を、それぞれ含めて示す。
この実施例の投光器1には、コリメートレンズ11やプリズム12などが組み込まれると共に、プリズム12の前方に2枚の偏光板10P,10Sが上下に並べて配備される。上側の偏光板10PはP偏光用であり、下側の偏光板10SはS偏光用である。これらの偏光板10P,10Sは、図1に示した投光窓15の表面に装着され、これらの偏光板10P,10Sの表面が実質的な投光面となる。以下、偏光板10PをP偏光板10Pといい、偏光板10SをS偏光板10Sという。
受光器2には、集光のためのプリズム22やレンズ21が設けられるとともに、プリズム22の前方に2枚の偏光板20S,20Pが上下に並べて配備される。これらの偏光板20P,20Sは、図1に示した受光窓25の表面に、上方にS偏光用の偏光板20Sが位置し、下方にP偏光用の偏光板20Pが位置するように装着される。よって偏光板20P,20Sが実質的な受光面となる。以下、偏光板20SをS偏光板20Sといい、偏光板20PをP偏光板20Pという。
投光器1および受光器2の投光窓15と受光窓25との大きさは統一されており、各偏光板10P,10S,20P,20Sは各窓面の半分の大きさの矩形状に形成される。よって、投光器1と受光器2とを対向させて配置したとき、投光器1側のP偏光板10Pと受光器2側のS偏光板20Sとが同じ高さに位置し、投光器1のS偏光板10Sと受光器2のP偏光板10Pとが同じ高さに位置する状態となる。
投光素子100からは、様々な方向に振動する光が出射される。出射された光はコリメートレンズ11により平行光に変換された後、プリズム12において、P偏光板10Pに照射される範囲の光軸方向が斜め下方向に変更され、S偏光板10Sに照射される範囲の光軸方向が斜め上方向に変更される。よって、P偏光板10Pを通過した光の振動方向は垂直方向に統一され、S偏光板10Sを通過した光の振動方向は水平方向に統一される。投光器1から出射される光の振動方向はこの2方向に限定される。
各偏光板10P,10Sにより偏光されて出射される実際の光は、レンズ11やプリズム12の特性によって、ある程度の範囲に広がりながら進行する。図2は、これらの光のうち、受光器2の受光面に到達して受光器2に入光する光が進む範囲を、P,Sの偏光毎に異なるパターンにより示す。また、P偏光による光の主要な進行方向を一点鎖線により表し、S偏光による光の主要な進行方向を点線により表す。
各パターンや一点鎖線および点線が示すように、この実施例の光電センサでは、P偏光板10Pを通過して斜め下方向に進んでP偏光板20Pに対応する範囲に導かれた光と、S偏光板10Sを通過して斜め上方向に進んでS偏光板20Sに対応する範囲に導かれた光とが、受光器2内に入光する。入光した光は、プリズム22およびレンズ21により集光されて、受光素子200へと導かれる。
投光器1と受光器2との間の空間F(以下、検出対象領域Fという。)に検出対象の基板5が入ると、受光器2に入射する光のうち、P偏光板10Pからの光は基板5の上面により遮られ、S偏光板10Sからの光は基板5の下面により遮られる。これにより受光器2に入光する光は大幅に減少する。これに伴い、受光素子200から出力される受光量信号の値はしきい値を下回る状態となり、検出信号がオン状態に設定される。
また、検出対象領域Fに基板5が入ったときには、各偏光板10P,10Sからの光が基板5の表面で反射して受光器2の方に導かれることもあるが、これらの反射光が到達した位置には、その光の振動方向に適合しない特性の偏光板が設けられているので、反射光が受光器2に入光するのを防止することができる。よって、基板5の表面からの反射光により基板5の検出が妨げられるのを回避することができる。
また、図2の例によれば、2種類の光に対応するパターンが交差している箇所は勿論のこと、いずれか一方の光に対応するパターンのみが示されている範囲に基板5が位置する場合にも、受光器2への入光量が減少する。このように、図中の各パターンにより示される範囲は物体(基板5)の検出が可能な範囲に相当することになる。よって以下では、各パターンにより示す範囲を、「P偏光による検出領域」「S偏光による検出領域」といい、両者を総称する場合には「検出領域」という。
図2によれば、P偏光による検出領域とS偏光による検出領域とは、それぞれ検出対象領域Fを斜めに横切り、かつ検出対象領域F内で交差する。また、この交差部分は投光器1側の偏光板10P,10Sの境界位置から受光器2側の偏光板20P,20Sの境界位置までの範囲に生じ、いずれの検出領域も偏光板に対応する幅を有するので、交差部分に対応する高さ範囲(交差部分の一番高い位置から一番低い位置までの範囲をいう。)では、いずれの高さ位置でも、検出対象領域Fの全幅にわたって検出領域が分布する状態となる。よって、基板5が交差部分に対応する高さ範囲に含まれる状態であれば、この基板5の両面による遮光により受光素子200の受光量が減少し、基板5を安定して検出することができる。
また、交差部分に対応する高さ範囲より上下の位置でも、P偏光およびS偏光の2種類の光による検出領域が左右に分布しているので、図示例のように、検出対象領域Fの幅が基板5の幅に合わせて設定されている場合には、基板5が検出対象領域F内のどの高さ位置にあっても、この基板5により検出領域内に遮光状態を生じさせることが可能になる。
また、この光電センサは、図1に示した使用方法に限らず、様々な幅の対象物の搬送を検出する用途に利用される可能性があり、その場合には、幅方向における対象物の位置が定まらず、投光器1側または受光器2側に片寄る可能性がある。このような場合でも、各検出領域が交差している部分に対応する高さ範囲に対象物が入るようにすれば、幅方向の位置のばらつきに関わらず、対象物を安定して検出することが可能になる。
つぎに、検出領域の分布を図2に示すような状態にするには、P偏光の光およびS偏光の光がそれぞれその特性に対応する偏光板20P,20Sの全面に照射されるようにする必要がある。この実施例では、各光の光軸方向を斜め方向に設定することにより、投光器1と受光器2との距離が短い場合でも、この照射の条件を満たすことができる。よって、検出距離の変更にも容易に対応することができる。
図3は、投光器1と受光器2との間に、長短2通りの距離を設定して、偏光板10Pを通過したP偏光の光が広がる範囲(一点鎖線)と、偏光板10Sを通過したS偏光の光が広がる範囲(点線)とを、受光器2に入光する光の進行状態とともに示す。
図3(A)の例では、P偏光、S偏光の各光の広がり範囲は、受光面の位置でちょうど受光面に対応する大きさになっている。図3(B)の例では、投光器1と受光器2との距離が図3(A)の例より長く設定されているので、受光面の位置における各光の広がり度合は、受光面よりも十分に大きくなる。
図3(A)(B)に示すように、各偏光板10P,10Sからの光がそれぞれ受光器2の受光面全体に照射されるようにすれば、受光器2側の偏光板20P,20Sでは、選別対象の光を確実に全面で受け付けて受光器2内に入光させることができ、これにより各検出領域の大きさを安定させることができる。また、各偏光による光の光路を斜め下および斜め上に設定することにより、図3(A)に示すように、投光器1と受光器2との距離が短い段階から各光を受光面の全面に照射することが可能になる。よって、近距離での検出、長距離での検出の双方に対応することが可能になる。
なお、投光器1と受光器2とが図3(A)の状態より接近した場合でも、各偏光板10P,10Sからの光がそれぞれ受光器2側の対応する偏光板20P,20Sの全面に照射されているという条件を満たせば、図3(A)(B)と同様の大きさの検出領域を確保することができる。
図4は、プリズム12による光軸調整を行わないで光を出射した場合の各光が広がる範囲と受光器2に入光する光との関係を示す。図4(A)の例では、投光器1と受光器2とを図3(A)の例と同じ距離だけ離して設置し、図4(B)の例では、投光器1と受光器2とを図3(B)の例と同じ距離だけ離して設置している。
各偏光板10P,10Sからの光を斜めに傾けずに進行させた場合でも、図4(B)に示すように、投光器1と受光器2との間にかなりの距離を設定すれば、各光をそれぞれ受光面全体に照射することが可能になる。よって、長距離の検出を目的とする場合であれば、図4の構成例でも対応することが可能になる。
しかし、投光器1と受光器2との距離を縮めると、図4(A)に示すように、P偏光の光およびS偏光の光を対応する偏光板20P,20Sの全面に照射することができなくなる。このため、検出領域が縮小されて、図4(A)中の矩形枠NG1,NG2により示すように、検出対象領域F内に、基板5の検出が不可能になる領域が生じる。
したがって、近距離での検出および遠距離での検出の双方に対応できるようにするには、図2,3に示したように、2種類の光を、それぞれ斜め上方向および斜め下方向に向けて照射する方式を採用する必要がある。この方式が採用されるのであれば、光学系の構成は図2,3の例に限らず、たとえば、以下の図5〜9に示すように、構成してもよい。
以下、各実施例を、それぞれの図面を参照して説明する。なお、いずれの実施例でも、それより前の実施例において説明したのと同様の構成に関しては、同一の符号を付すことにより、説明を省略または簡単にする。
まず、物体の検出に用いられる2種類の光は、偏光の方向が揃えられた光に限らず、波長域の異なる光を利用することもできる。図5および図6の実施例では、それぞれ波長域の異なる光を利用して、図2と同様の原理による検出を行うものである。
図5に示す実施例では、投光器1および受光器2のP偏光板10P,20Pに代えて、赤色光抽出用のカラーフィルタ10R,20Rを使用し、S偏光板10S,20Sに代えて青色光抽出用のカラーフィルタ10B,20Bを使用する。また、投光素子100として白色光を出射するものを使用する。
これにより、投光器1の投光面の上半分の領域からは斜め下方向に向けて赤色光が出射され、下半分の領域から斜め上方向に向けて青色光が出射される。これらの色彩光のうち、受光器2のカラーフィルタ20Rの配置範囲に導かれた赤色光と、カラーフィルタ20Bの配置範囲に導かれた青色光とが受光素子200へと導かれることになる。
図6に示す実施例では、投光器1にカラーフィルタ10R,10Bを設けずに、赤色光を発する投光素子100Rと、青色光を発する投光素子100Bとを設け、これらの投光素子100R,100Bからの光をそれぞれに個別のコリメートレンズ11R,11Bをを介してプリズム12に導くようにしている。なお、この場合にも、投光素子100R,100Bを信号処理装置3に収容し、それぞれの光を別個の光ファイバにより投光器1に導くように構成することができる。
図6の実施例の場合、投光器1では、2種類の光毎に投光素子100R,100Bを設け、これらの投光素子100R,100Bから導かれた光をフィルタリングせずに出射するので、出射光の強度を高めることができ、物体の検出をより安定して行うことができる。
なお、偏光板を用いる図2の例や、カラーフィルタを用いる図5の例でも、出射の方向毎に光源を分けることができ、これにより出射される光の強度を高めて検出の安定度を向上することができる。
つぎに、図7に示す実施例は、図2の実施例と同様に、偏光板10P,10S,20P,20Sを用いて検出領域を設定する。さらにこの実施例では、受光器2内に、2つの集光レンズ21P,21Sを設けて、P偏光の光とS偏光の光とを個別に集光し、集光された光を、それぞれ個別の受光素子200P,200Sに導くようにしている。
さらに図7には示していないが、この実施例では、信号処理装置3において、各受光素子200P,200Sが得た受光量をそれぞれ個別にしきい値と照合し、各受光量のうちの少なくとも一方がしきい値を下回ったときに、検出信号をオン状態に設定する。
上記の構成によれば、P偏光による検出領域およびS偏光による検出領域の一方のみに物体が入った場合でも、その検出領域における受光量の減少に基づいて物体を検出することが可能になる。よって、検出の感度を高めることができ、小さな物体でも精度良く検出することが可能になる。
なお、図5や図6の例のように、2種類の色彩光を用いた検出を行う場合にも、図7の例と同様にして各色彩光をそれぞれ個別の受光素子に導き、受光素子毎に受光量の照合処理を行うように構成することができる。
つぎに、図8および図9は、反射型の光電センサの構成例を示す。
図8の実施例の光電センサは、投光素子100および受光素子200が収容されたセンサヘッド310と、回帰反射板24を含むミラー部320とにより構成される。センサヘッド310の前面には、P偏光板10PおよびS偏光板10Sが、図2の例の投光器1と同様の状態で配置される。また、センサヘッド310の内部には、プリズム12およびコリメートレンズ11が図2の例の投光器1と同様に配置され、さらにコリメートレンズ11の後方にハーフミラー14が設けられる。
ミラー部320は、回帰反射板24が嵌め込まれたホルダ(図示せず。)の全面にS偏光板20SおよびP偏光板20Pが上下に並べて装着されて成る。このミラー部320とセンサヘッド310とを対向配備すると、センサヘッド310のP偏光板10Pはミラー部320のS偏光板20Sに、センサヘッドのS偏光板10Sはミラー部のP偏光板20Pに、それぞれ高さが合わせられた状態となる。
上記の構成において、投光素子100からは、様々な方向に振動する光が出射される。これらの光はハーフミラー14を介してコリメートレンズ11に導かれ、水平方向に沿う光に変更される。さらにプリズム12や偏光板10P,10Sによって、斜め下方向に向かうP偏光の光と、斜め上方向に向かうS偏光の光とが出射される。
この実施例でも、センサヘッド310とミラー部320とを、図3(A)の投光器1および受光器2と同じ程度の距離をおいて設置することにより、各偏光板10P,10Sからの光を、それぞれミラー部の2つの偏光板20P,20Sの全面に照射することができる。これらの照射光のうち、偏光板20Pに照射されたP偏光の光と、偏光板20Sに照射されたS偏光の光とが、回帰反射板24に導かれる。
回帰反射板24は、照射された光をその照射方向に反射させる機能を具備するが、この反射によって光の振動の規則性が崩れるので、反射光は様々な方向に振動する状態になる。偏光板20Pに向かって反射した光のうち、P偏光の光が、偏光板20Pを通過してセンサヘッド310側の偏光板10Pに向かって進み、さらにこの偏光板10Pを通過してセンサヘッド310に入光する。また、偏光板20Sに向かって反射した光のうち、S偏光の光が、偏光板20Sを通過してセンサヘッド310の偏光板10Sに向かって進み、さらにこの偏光板10Sを通過してセンサヘッド310に入光する。
センサヘッド310に入光した光は、プリズム12およびレンズ11により集光された後に、ハーフミラー14を介して受光素子200へと導かれる。よって、センサヘッド310とミラー部320との間を往復する光が進行する範囲が検出領域となり、図2に示した透過型の光電センサと同様の範囲で基板5を検出することが可能になる。
図9は、反射型の光電センサの第2の構成例を示す。
この実施例では、ミラー部302は、図8の例と同様の構成のものを用いるが、センサヘッド310には、ハーフミラー14,投光素子100,受光素子200は設けられずに、信号処理装置3からの同軸タイプの光ファイバ300が引き込まれる。
光ファイバ300は、レンズ11の焦点位置に先端を合わせて配備される。図中の左下の拡大図に示すように、光ファイバ300は、径の太い投光用のファイバ301の周囲に複数の受光用のファイバ302が配置され、これらが被覆材303により固定された構成のものである。
信号処理装置3の投光素子100(この図には示さず。)が発した光は、投光用のファイバ301によりセンサヘッド310に導かれ、図8の例と同様の原理でミラー部320へと出射される。ミラー部320からも、図8の例と同様の原理でセンサヘッド310側に反射光が戻される。
センサヘッド310に戻された光は、プリズム12およびレンズ11により集光されて光ファイバ300に導かれ、さらに受光用のファイバ302に入光した光が信号処理装置3の受光素子200(この図には示さず。)に導かれる。
図8,9の実施例による反射型の光電センサでは、センサヘッド310とミラー部320との間で光が往復する間に偏光板10P,10S,20P,20Sによる光の選別が4回実施されるので、出射される光の光量に対する受光量の割合は透過型の場合より小さくなる。しかし、投光素子の発光強度を高めるなどの方法により、遮光状態を十分に検出することが可能になる。また、偏光板10P,10S,20P,20Sに代えて、図5に示したカラーフィルタ10R,10B,20R,20Bを用いて図8,9と同様の構成を実現すれば、光の選別による受光量の低下を、最初の投光時のみにとどめることができる。
なお、上記した各実施例では、いずれも投光器1における2種類の光の出射領域や各光を受ける光学フィルタ(偏光板20P,20Sまたはカラーフィルタ20R,20B)を上下方向に並べて配置したが、たとえば板面を垂直にして上下動する板状体を検出する場合には、各光の出射領域や光学フィルタが横並びになるようにする。
F 検出対象領域
1 投光器
2 受光器
3 信号処理装置
5 基板
24 回帰反射板
10P,10S,20P,20S 偏光板
10R,10B,20R,20B カラーフィルタ
11,21 レンズ
12,22 プリズム
100,100R,100B 投光素子
200,200P,200S 受光素子

Claims (8)

  1. 物体の検出対象領域に向けて光を出射する投光器と、投光器から出射された光を受光する受光器とを備え、前記受光器が受光した光量が減少の方向に変化したことに応じて物体を検出した旨を示す信号を出力する光電センサにおいて、
    前記投光器では、特性が異なりかつ互いに干渉しない2種類の光が、前記投光面におけるそれぞれの出射領域を二分して出射され、
    前記2種類の光をそれぞれ選別して前記受光器に導く一対の光学フィルタをさらに具備し、
    各光学フィルタは、それぞれ検出対象領域を隔てて選別対象の光とは異なる光の出射領域に対向する位置に配備されると共に、投光面に対して各光学フィルタを一定の距離以上離して配置したときに、投光器からの前記2種類の光がそれぞれその特性に対応する光学フィルタの全面に照射されるように前記2種類の光の出射方向が定められている、
    ことを特徴とする光電センサ。
  2. 前記投光器の内部には、光源から前記2種類の光の出射領域に向かう光の光軸方向を、それぞれ対応する光学フィルタの配置位置に向かって検出対象領域を斜めに横切る方向に変更する光軸設定手段が設けられている、請求項1に記載された光電センサ。
  3. 前記一対の光学フィルタは、前記受光器の受光面に沿って並んだ状態で受光器に一体に設けられ、
    前記受光器は、各光学フィルタとともに前記投光器に対向する位置に配備され、各光学フィルタを通過した光を受光する、請求項1または2に記載された光電センサ。
  4. 前記受光器は、各光学フィルタを通過した光を個別に集光して、集光後の光をそれぞれ個別の受光素子に導くように構成される、請求項3に記載された光電センサ。
  5. 前記投光器および受光器は、前記一対の光学フィルタの背後に回帰反射板が設けられることを前提として、同一の筐体内に設けられると共に、この筐体の前記検出対象領域に対向する面が投光面および受光面として機能し、
    前記受光器は、前記投光器から出射されて各光学フィルタを通過した2種類の光のうち、回帰反射板で反射した後に各光学フィルタを介して戻ってきた光を受光する、請求項1または2に記載された光電センサ。
  6. 前記投光器の投光面からは、それぞれ特定の方向に振動すると共に振動の方向が互いに異なる2種類の光が出射され、
    前記一対の光学フィルタとして、前記2種類の光の振動方向をそれぞれ選別の対象とする一対の偏光板が前記検出対象領域を隔てて選別対象外の光の出射領域に対向する位置に配備される、請求項1〜5のいずれかに記載された光電センサ。
  7. 前記投光器の投光面からは、波長域がそれぞれ異なる2種類の光が出射され、
    前記一対の光学フィルタは、前記2種類の光に対応する波長域をそれぞれ選別の対象とし、前記検出対象領域を隔てて選別対象外の光の出射領域に対向する位置に配備される、請求項1〜5のいずれかに記載された光電センサ。
  8. 前記投光器では、前記一対の光学フィルタと同一の特性をそれぞれ具備する一対の光学フィルタがそれぞれ前記検出対象領域を隔てて特性が異なるフィルタに対向するように前記投光面に沿って並べて配備され、投光器の各光学フィルタを通過した光がそれぞれ前記2種類の光として出射される、請求項1〜7のいずれかに記載された光電センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014055804A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Nec Computertechno Ltd 物体検知装置、メカトロニクス装置および物体検知方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014123455A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Azbil Corp 光電センサ
CN106662936B (zh) * 2014-05-30 2020-09-11 惠普发展公司,有限责任合伙企业 显示器上的位置输入
US9341466B1 (en) * 2014-12-04 2016-05-17 Xerox Corporation Sheet height sensor using movable and stationary mirrors

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5377362U (ja) * 1976-12-01 1978-06-28
JPS59126437U (ja) * 1983-02-15 1984-08-25 オムロン株式会社 光電スイツチ
JPS6429743U (ja) * 1987-08-13 1989-02-22
JP2003281982A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Sunx Ltd リフレクタ及びリフレクタ反射型光電スイッチ
JP2005227121A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Omron Corp 光電スイッチにおける相互干渉防止対策

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US734575A (en) 1903-03-30 1903-07-28 Reinhold Krubetke Shutter-fastener.
US847488A (en) 1906-07-02 1907-03-19 Carl Metterhausen Mechanism for operating double sliding doors.
JPS5821295A (ja) 1981-07-29 1983-02-08 セイコーインスツルメンツ株式会社 画像表示装置
CH667340A5 (de) * 1985-04-30 1988-09-30 Cerberus Ag Lichtschranke.
US4725601A (en) * 1985-06-04 1988-02-16 Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. Certain imidazo[1,2-a]pyridines useful in the treatment of ulcers
JPH072742B2 (ja) 1985-08-13 1995-01-18 住友化学工業株式会社 4h―1,4―ジアザビシクロ〔3.3.0〕オクト―6―エン―3,8―ジオン誘導体およびそれを有効成分とする除草剤
US4847488A (en) * 1987-12-23 1989-07-11 Cerberus Ag Sabotage resistant light barrier wherein radiation is polarized into two opposite types of polarization
JPH0317583U (ja) * 1989-07-03 1991-02-21
JPH0669323A (ja) 1992-08-19 1994-03-11 Tokyo Electron Ltd ウエハ検出装置およびウエハ位置決め装置
US5319216A (en) 1991-07-26 1994-06-07 Tokyo Electron Limited Substrate detector with light emitting and receiving elements arranged in staggered fashion and a polarization filter
JP2984958B2 (ja) 1991-07-26 1999-11-29 東京エレクトロン株式会社 基板の枚葉検出装置
JP2004071366A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Omron Corp 光電センサ
JP3669352B2 (ja) * 2002-09-11 2005-07-06 オムロン株式会社 光電センサ
JP2005241340A (ja) * 2004-02-25 2005-09-08 Sharp Corp マルチ測距装置
DE102005056265A1 (de) * 2005-11-14 2007-05-16 Pilz Gmbh & Co Kg Vorrichtung und Verfahren zum Überwachen eines Raumbereichs, insbesondere zum Absichern eines Gefahrenbereichs einer automatisiert arbeitenden Anlage
JP2007258386A (ja) 2006-03-23 2007-10-04 Juki Corp 搬送基板検出装置
US20090087192A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Francis Lawrence Leard Near infrared sensor system with nano-imprinted wire-grid polarizers and method
JP5282418B2 (ja) 2008-03-10 2013-09-04 株式会社ニコン カメラ
JP2009216489A (ja) 2008-03-10 2009-09-24 Yamatake Corp 光センサ装置及びこれを用いたワークの位置検出方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5377362U (ja) * 1976-12-01 1978-06-28
JPS59126437U (ja) * 1983-02-15 1984-08-25 オムロン株式会社 光電スイツチ
JPS6429743U (ja) * 1987-08-13 1989-02-22
JP2003281982A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Sunx Ltd リフレクタ及びリフレクタ反射型光電スイッチ
JP2005227121A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Omron Corp 光電スイッチにおける相互干渉防止対策

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014055804A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Nec Computertechno Ltd 物体検知装置、メカトロニクス装置および物体検知方法

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