JP2011098870A - SiC単結晶の製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiC単結晶の原料となる原料融液1を収容するための黒鉛坩堝2と、該黒鉛坩堝2の周囲に配置された加熱手段3と、前記黒鉛坩堝2の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部5とを備え、該種結晶保持部5の下端に保持された種結晶4を前記黒鉛坩堝2内の原料融液1に浸漬させることにより種結晶4の下にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造装置において、前記黒鉛坩堝2の内壁と前記原料融液1の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝2の内壁上に断熱材6が配置される。
【選択図】図1
Description
(1)SiC単結晶の原料となる原料融液を収容するための黒鉛坩堝と、該黒鉛坩堝の周囲に配置された加熱手段と、前記黒鉛坩堝の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部とを備え、該種結晶保持部の下端に保持された種結晶を前記黒鉛坩堝内の原料融液に浸漬させることにより種結晶の下にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造装置において、前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝の内壁上に断熱材が配置されたことを特徴とする、SiC単結晶製造装置。
(2)前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触しないように、黒鉛坩堝の内壁の全周に前記断熱材が配置されたことを特徴とする、上記(1)に記載のSiC単結晶製造装置。
(3)前記断熱材の形状が円環状であることを特徴とする、上記(1)又は(2)に記載のSiC単結晶製造装置。
(4)前記断熱材が炭素繊維を含むことを特徴とする、上記(1)〜(3)のいずれか1つに記載のSiC単結晶製造装置。
(5)前記断熱材がカーボンフェルトからなることを特徴とする、上記(1)〜(3)のいずれか1つに記載のSiC単結晶製造装置。
(6)SiC単結晶の原料となる原料融液を収容するための黒鉛坩堝と、該黒鉛坩堝の周囲に配置された加熱手段と、前記黒鉛坩堝の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部とを備え、前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝の内壁上に断熱材が配置されたSiC単結晶製造装置を用いて、前記種結晶保持部の下端に保持された種結晶を前記黒鉛坩堝内の原料融液に浸漬させることにより種結晶の下にSiC単結晶を成長させることを特徴とする、SiC単結晶の製造方法。
(7)前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触しないように、黒鉛坩堝の内壁の全周に前記断熱材が配置されたことを特徴とする、上記(6)に記載の方法。
(8)前記断熱材の形状が円環状であることを特徴とする、上記(6)又は(7)に記載の方法。
(9)前記断熱材が炭素繊維を含むことを特徴とする、上記(6)〜(8)のいずれか1つに記載の方法。
(10)前記断熱材がカーボンフェルトからなることを特徴とする、上記(6)〜(8)のいずれか1つに記載の方法。
比較例1として、断熱材を黒鉛坩堝の内壁上に取り付けなかったこと以外は、図1に示す本発明のSiC単結晶製造装置と同じSiC単結晶製造装置を用いて、溶液法によるSiC単結晶の製造を行い、その際の原料融液表面におけるSiC多結晶の析出状態を調べた。なお、SiC単結晶製造装置の種結晶保持部には、その内部(種結晶から2mmの位置)に熱電対が設置されており、当該熱電対により測定した温度に基づいて加熱手段への出力を調整することで、原料融液の表面温度を1900〜1935℃の範囲に保持した。その結果を図2(a)及び(b)に示す。
図3に黒鉛坩堝とカーボンフェルトからなる断熱材の例を示す。本実施例では、この図に示すような円環状のカーボンフェルトからなる断熱材を黒鉛坩堝の内壁上に配置した図1に示す本発明のSiC単結晶製造装置を用いた。
黒鉛坩堝の内径に相当する外形を有する円環状のカーボンフェルトからなる断熱材を、下表1に示す接着剤を用いて、以下の手順に従って黒鉛坩堝内壁の全周に取り付けた。
本実施例では、図4(b)の上に模式図で示すように、円環状カーボンフェルトからなる断熱材の一部を欠いた断熱材を用いて、実施例1の場合と同様の実験を行った。その結果を図4(b)に示す。
本実施例では、図1に示す本発明のSiC単結晶製造装置に関し、下表2に示すように、種々の厚さを有する円環状カーボンフェルト(外径100mm、内径80mm)を用いて実験を行い、原料融液を1900〜1950℃の温度で加熱保持した場合のカーボンフェルト及び融液表面の状態について調べた。
2 黒鉛坩堝
3 加熱手段
4 種結晶
5 種結晶保持部
6 断熱材
7 蓋部
8 断熱材
9 チャンバー
10 SiC単結晶製造装置
Claims (10)
- SiC単結晶の原料となる原料融液を収容するための黒鉛坩堝と、該黒鉛坩堝の周囲に配置された加熱手段と、前記黒鉛坩堝の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部とを備え、該種結晶保持部の下端に保持された種結晶を前記黒鉛坩堝内の原料融液に浸漬させることにより種結晶の下にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造装置において、前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝の内壁上に断熱材が配置されたことを特徴とする、SiC単結晶製造装置。
- 前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触しないように、黒鉛坩堝の内壁の全周に前記断熱材が配置されたことを特徴とする、請求項1に記載のSiC単結晶製造装置。
- 前記断熱材の形状が円環状であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のSiC単結晶製造装置。
- 前記断熱材が炭素繊維を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のSiC単結晶製造装置。
- 前記断熱材がカーボンフェルトからなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のSiC単結晶製造装置。
- SiC単結晶の原料となる原料融液を収容するための黒鉛坩堝と、該黒鉛坩堝の周囲に配置された加熱手段と、前記黒鉛坩堝の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部とを備え、前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝の内壁上に断熱材が配置されたSiC単結晶製造装置を用いて、前記種結晶保持部の下端に保持された種結晶を前記黒鉛坩堝内の原料融液に浸漬させることにより種結晶の下にSiC単結晶を成長させることを特徴とする、SiC単結晶の製造方法。
- 前記黒鉛坩堝の内壁と前記原料融液の液面が接触しないように、黒鉛坩堝の内壁の全周に前記断熱材が配置されたことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記断熱材の形状が円環状であることを特徴とする、請求項6又は7に記載の方法。
- 前記断熱材が炭素繊維を含むことを特徴とする、請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記断熱材がカーボンフェルトからなることを特徴とする、請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法。
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