JP2011091107A - 半導体回折格子素子、及び、半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1の主面1a上に設けられたコア層32及び上部クラッド層34と、コア層32と上部クラッド層34との間に設けられたチャープ回折格子構造7と、を備え、チャープ回折格子構造7は、x軸の方向に順に配置された第1の領域71〜第3の領域73を含むと共に、該第1〜3の領域内にチャープ回折格子のための複数の凸部74を有し、凸部74は、チャープ回折格子のピッチでx軸の方向に配列された設置位置に設けられ、チャープ回折格子の結合係数κの変化は、第1の領域71においてx軸の方向に所定の値Aまで単調に増加すると共に、第2の領域72において平坦であり、且つ、第3の領域73においてx軸の方向に所定の値Aから単調に減少するものである。
【選択図】図2
Description
半導体基板1:Si−InP
下部クラッド層21,31,41,51:Si−InP
コア層22,32,42:GaInAsP
回折格子層23,33:GaInAsP及びInP
上部クラッド層24,34,43,53:Zn−InP
コンタクト層25,35,44,54:Zn−GaInAs
活性層52:GaInAsP
Claims (5)
- 主面を有する半導体基板と、
該半導体基板の前記主面上に設けられた半導体コア層と及び半導体クラッド層と、
前記半導体コア層と前記半導体クラッド層との間に設けられたチャープ回折格子構造と、を備え、
前記チャープ回折格子構造は、所定の軸の方向に順に配置された第1〜第3の領域を含むと共に、該第1〜3の領域内にチャープ回折格子のための複数の凸部を有し、
前記凸部は、前記チャープ回折格子のピッチで前記所定の軸の方向に配列された設置位置に設けられ、
前記チャープ回折格子の結合係数κの変化は、前記第1の領域において前記所定の軸の方向に所定の値まで単調に増加すると共に、前記第2の領域において平坦であり、且つ、前記第3の領域において前記所定の軸の方向に前記所定の値から単調に減少するものである、ことを特徴とする半導体回折格子素子。 - 前記第1の領域内の前記凸部の高さは、前記所定の軸の方向に単調に高くなっており、
前記第3の領域内の前記凸部の高さは、前記所定の軸の方向に単調に低くなっている、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体回折格子素子。 - 前記第1の領域内の前記設置位置のうちの少なくとも一つの位置には、前記チャープ回折格子のための凸部が設けられておらず、
前記第3の領域内の前記設置位置のうちの少なくとも一つの位置には、前記チャープ回折格子のための凸部が設けられていない、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体回折格子素子。 - 前記チャープ回折格子構造上に前記所定の軸の方向に配列された複数の電極を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の半導体回折格子素子。
- 主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記主面上に設けられており光共振器のための第1及び第2の反射部と、
前記半導体基板の前記主面上において前記第1の反射部と前記第2の反射部との間に配置されておりキャリア注入による光学利得を有する利得部と、を備え、
前記第1の反射部、前記第2の反射部及び前記利得部は、前記半導体基板の前記主面に沿って配列されており、
前記第2の反射部は、前記半導体基板の前記主面上に設けられた半導体コア層及び半導体クラッド層と、前記半導体コア層と前記半導体クラッド層との間に設けられたチャープ回折格子構造と、該チャープ回折格子構造上に所定の軸の方向に配列された複数の電極と、を含み、
前記チャープ回折格子構造は、前記所定の軸の方向に順に配置された第1〜第3の領域を含むと共に、該第1〜3の領域内にチャープ回折格子のための複数の凸部を有し、
前記凸部は、チャープ回折格子のピッチで前記所定の軸の方向に配列された設置位置に設けられ、
前記チャープ回折格子の結合係数κの変化は、前記第1の領域において前記所定の軸の方向に所定の値まで単調に増加すると共に、前記第2の領域において平坦であり、且つ、前記第3の領域において前記所定の軸の方向に前記所定の値から単調に減少するものである、ことを特徴とする半導体レーザ。
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