JP2006019541A - 波長可変半導体モード同期レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 所定の波長域に対して利得を有する半導体利得部1と、電圧又は電流を加えることにより前記波長域に対する光吸収係数又は光利得係数が変化する半導体光変調器部2と、半導体利得部1と半導体変調器部2とを挟むように2箇所に配設され、グレーティングを有するDBR部3、4とが同一基板上に形成されており、DBR部3、4のグレーティングの周期が位置の関数として変化するチャープトグレーティングからなり、且つ、グレーティングの結合係数を入射光の進行方向に沿って徐々に増加させ、DBR部3、4の中心付近で最も大きくし、その後徐々に減少させるアポダイゼーションが施された波長可変半導体モード同期レーザ。
【選択図】 図4
Description
前記DBR部が前記半導体利得部と前記半導体変調器部を挟むように2箇所に配設されるとともに、いずれのDBR部もそのグレーティングの周期が位置の関数として変化するチャープトグレーティングからなり、且つ、グレーティングの結合係数を入射光の進行方向に沿って徐々に増加させ、DBR部の中心付近で最も大きくし、その後徐々に減少させる、いわゆる、アポダイゼーションが施されていることを特徴とする。
DBR部に施されたアポダイゼーションが、グレーティングにおける凹凸の大きさを変化させることにより実現されることを特徴とする。
DBR部を、導波路の側面に垂直にグレーティングを形成する垂直グレーティングを用いて、所謂、垂直グレーティング型DBRとして、凹凸の大きさを変化させることを特徴とする。
DBR部に施されたアポダイゼーションが、単位長さあたりの凹凸の数を変化させることにより実現されることを特徴とする。
DBR部に施されたアポダイゼーションが、グレーティングの周期とグレーティングの凸部の長さの比を変化させることにより実現されることを特徴とする。
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
図1に示すように、本発明に係る波長可変半導体モード同期レーザは、所定の波長域に対して利得を有する半導体利得部(以降、利得部と略す)1と、電圧を加えることにより前記波長域に対する光吸収係数が増大する半導体光変調器部(以降、変調器部と略す)2と、グレーティングを有する分布ブラッグ反射器部(以降、DBR部と呼ぶ)3、4とを同一の半導体基板上に形成したものであり、DBR部3、4が利得部1と変調器部2を挟むように2箇所に配設されている。これらの両端面には無反射膜5、6が配設されている。なお、変調器部2は、電流を加えることにより所定の波長域に対する光利得係数が変化するものでもよい。
ミラー損失:αDBR=(1/Lact)ln(1/(R1R2)1/2) (1)
縦モード間隔:Δf=c/2ngL (2)
ここでLactは利得領域の長さ、R1R2は2つのDBR部における反射率の積、cは光速、ngは群屈折率、Lは共振器長である。R1R2及びLは波長依存性を有するため、ミラー損失、及び、縦モード間隔も波長依存性を有している。
κ=κ0sin(πz/L) (3)
ここでκ0は結合係数の最大値、zは光の入射側からの距離、LはDBRの長さであり、κ0は80cm-1とした。結合係数の変調関数は、上記三角関数以外でもDBR部の中心が最大となるようなガウス関数、Sinc関数等でもよい。
図5にミラー損失及び共振器の縦モード間隔の波長依存性を示す。図5(a)はDBR部3、4への電流注入を行なわない場合、図5(b)はDBR部3へ電流注入を行い、DBR部3の屈折率が0.3%程度小さくなった場合、図5(c)はDBR部4へ電流注入を行い、DBR部4の屈折率が0.3%程度小さくなった場合である。
κ∝sin(πW/Λ) (4)
2 半導体光変調器部
3、4 DBR部(分布ブラッグ反射器部)
5、6 無反射膜
7、8、9 負の位相シフト
10、11、12 正の位相シフト
13、14 グレーティングのない部分
Claims (5)
- 所定の波長域に対して利得を有する半導体利得部と、電圧又は電流を加えることにより前記波長域に対する光吸収係数又は光利得係数が変化する半導体光変調器部と、グレーティングを有する分布ブラッグ反射器部とが同一基板上に形成された波長可変半導体モード同期レーザにおいて、
前記分布ブラッグ反射器部が前記半導体利得部と前記半導体変調器部を挟むように2箇所に配設されると共に、いずれの前記分布ブラッグ反射器部もそのグレーティングの周期が位置の関数として変化するチャープトグレーティングからなり、且つ、グレーティングの結合係数を入射光の進行方向に沿って徐々に増加させ、前記分布ブラッグ反射器部の中心付近で最も大きくし、その後徐々に減少させるアポダイゼーションが施されていることを特徴とする波長可変半導体モード同期レーザ。 - 請求項1記載の波長可変半導体モード同期レーザにおいて、
前記分布ブラッグ反射器部に施されたアポダイゼーションが、グレーティングにおける凹凸の大きさを変化させることにより実現されることを特徴とする波長可変半導体モード同期レーザ。 - 請求項2記載の波長可変半導体モード同期レーザにおいて、
前記分布ブラッグ反射器部を、導波路の側面に垂直にグレーティングを形成する垂直グレーティングを用いて、凹凸の大きさを変化させることを特徴とする波長可変半導体モード同期レーザ。 - 請求項1記載の波長可変半導体モード同期レーザにおいて、
前記分布ブラッグ反射器部に施されたアポダイゼーションが、単位長さあたりの凹凸の数を変化させることにより実現されることを特徴とする波長可変半導体モード同期レーザ。 - 請求項1記載の波長可変半導体モード同期レーザにおいて、
前記分布ブラッグ反射器部に施されたアポダイゼーションが、グレーティングの周期とグレーティングの凸部の長さの比を変化させることにより実現されることを特徴とする波長可変半導体モード同期レーザ。
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