JP2011089188A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011089188A5
JP2011089188A5 JP2009245325A JP2009245325A JP2011089188A5 JP 2011089188 A5 JP2011089188 A5 JP 2011089188A5 JP 2009245325 A JP2009245325 A JP 2009245325A JP 2009245325 A JP2009245325 A JP 2009245325A JP 2011089188 A5 JP2011089188 A5 JP 2011089188A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
titanium
sputtering target
producing
containing sputtering
sintering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009245325A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011089188A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009245325A priority Critical patent/JP2011089188A/ja
Priority claimed from JP2009245325A external-priority patent/JP2011089188A/ja
Priority to CN201080048483.2A priority patent/CN102597301B/zh
Priority to US13/503,816 priority patent/US20120217158A1/en
Priority to PCT/JP2010/006262 priority patent/WO2011052171A1/ja
Priority to KR1020127011776A priority patent/KR20120064723A/ko
Publication of JP2011089188A publication Critical patent/JP2011089188A/ja
Publication of JP2011089188A5 publication Critical patent/JP2011089188A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2009245325A 2009-10-26 2009-10-26 チタン含有スパッタリングターゲットの製造方法 Pending JP2011089188A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009245325A JP2011089188A (ja) 2009-10-26 2009-10-26 チタン含有スパッタリングターゲットの製造方法
CN201080048483.2A CN102597301B (zh) 2009-10-26 2010-10-22 含钛溅射靶的制造方法
US13/503,816 US20120217158A1 (en) 2009-10-26 2010-10-22 Method of manufacturing titanium-containing sputtering target
PCT/JP2010/006262 WO2011052171A1 (ja) 2009-10-26 2010-10-22 チタン含有スパッタリングターゲットの製造方法
KR1020127011776A KR20120064723A (ko) 2009-10-26 2010-10-22 티탄 함유 스퍼터링 타겟의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009245325A JP2011089188A (ja) 2009-10-26 2009-10-26 チタン含有スパッタリングターゲットの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011089188A JP2011089188A (ja) 2011-05-06
JP2011089188A5 true JP2011089188A5 (https=) 2012-12-06

Family

ID=43921606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009245325A Pending JP2011089188A (ja) 2009-10-26 2009-10-26 チタン含有スパッタリングターゲットの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120217158A1 (https=)
JP (1) JP2011089188A (https=)
KR (1) KR20120064723A (https=)
CN (1) CN102597301B (https=)
WO (1) WO2011052171A1 (https=)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103215541A (zh) * 2013-03-26 2013-07-24 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法
CN106378455A (zh) * 2015-07-31 2017-02-08 汉能新材料科技有限公司 一种钼合金旋转金属管材及其制备方法
EP3671664B1 (de) 2018-12-21 2025-07-30 emz-Hanauer GmbH & Co. KGaA System zum betreiben eines müllcontainers und verfahren zum betreiben eines müllcontainers
CN110551919A (zh) * 2019-09-23 2019-12-10 西安赛特金属材料开发有限公司 钛钼合金的制备方法
CN116377403B (zh) * 2023-04-27 2024-02-02 西安理工大学 钼钛靶材的制备方法
WO2025037642A1 (ja) * 2023-08-17 2025-02-20 東ソー株式会社 金属スパッタリングターゲット、金属スパッタリングターゲット構造体及びこれらを用いた膜の製造方法、並びに金属スパッタリングターゲットの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5160534A (en) * 1990-06-15 1992-11-03 Hitachi Metals Ltd. Titanium-tungsten target material for sputtering and manufacturing method therefor
JP3073764B2 (ja) * 1990-11-27 2000-08-07 日立金属株式会社 Ｔｉ―Ｗターゲット材およびその製造方法
JP2859466B2 (ja) * 1990-06-15 1999-02-17 日立金属株式会社 Ｔｉ−Ｗターゲット材およびその製造方法
US5234487A (en) * 1991-04-15 1993-08-10 Tosoh Smd, Inc. Method of producing tungsten-titanium sputter targets and targets produced thereby
JPH0598435A (ja) * 1991-10-07 1993-04-20 Hitachi Metals Ltd Ｔｉ−Ｗターゲツト材およびその製造方法
JPH0610126A (ja) * 1992-06-25 1994-01-18 Hitachi Metals Ltd Ｔｉ−Ｗターゲット材およびその製造方法
JP4578704B2 (ja) * 2001-03-02 2010-11-10 アルバックマテリアル株式会社 Ｗ−Ｔｉターゲット及びその製造方法
US20040016635A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Ford Robert B. Monolithic sputtering target assembly
JP4415303B2 (ja) * 2003-07-10 2010-02-17 日立金属株式会社 薄膜形成用スパッタリングターゲット
JP4110533B2 (ja) * 2004-02-27 2008-07-02 日立金属株式会社 Ｍｏ系ターゲット材の製造方法
JP2006028536A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Hitachi Metals Ltd 焼結Ｍｏ系ターゲット材の製造方法
US7837929B2 (en) * 2005-10-20 2010-11-23 H.C. Starck Inc. Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets
JP5210498B2 (ja) * 2006-04-28 2013-06-12 株式会社アルバック 接合型スパッタリングターゲット及びその作製方法
JP2008255440A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Hitachi Metals Ltd ＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011089188A5 (https=)
JP2013543055A5 (https=)
JP2010219045A5 (https=)
CN101818291B (zh) 一种铝铜镁银系粉末冶金耐热铝合金及其制备方法
JP6084718B2 (ja) タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜
JP2013224226A5 (ja) 複合セラミックス、半導体製造装置の構成部材及びこれらの製造方法
CN104480336B (zh) 一种耐高温高强WC-Co-Ti3SiC2硬质合金材料的制备方法
JP2017020112A5 (https=)
CN102557718A (zh) 含TiC颗粒增强三元化合物基柔性多孔陶瓷材料及其制作方法
CN104926314B8 (zh) 一种led用陶瓷基板
CN105177332B (zh) 一种高钨含量钨锆合金的制备方法
CN103962575A (zh) 一种稀土钇掺杂仲钨酸铵制备超细钨粉的方法
JP2017057109A5 (https=)
CN103555975B (zh) 钽2.5钨合金的制备方法
JP2016510363A5 (https=)
CN104018109B (zh) 一种稀土掺杂改性的氧化铝-氧化钛复合涂层及其制备方法
CN104611599A (zh) 一种细晶钨钛合金的制备方法
JP6390151B2 (ja) 複合焼結体
CN103979508B (zh) 一种纳米Ti(C,N)固溶体粉末的制备方法
CN104451220A (zh) 利用放电等离子烧结法制备致密钛铝合金的方法
JP2012172167A5 (https=)
CN104357697A (zh) 利用放电等离子烧结法制备致密生物钛合金的方法
CN104561726B (zh) 一种高韧性铝镁硼陶瓷及其制备方法
JP5540318B2 (ja) 炭化ケイ素粉末の低温焼結方法
CN105195738A (zh) 一种包裹型Al2O3/Al复合粉体及其制备方法