JP2011082203A - 導電性領域を有する絶縁層、及び電子部品、並びにこれらの製造方法 - Google Patents
導電性領域を有する絶縁層、及び電子部品、並びにこれらの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明に係る導電性領域を有する絶縁層10は、表裏両主面を電気的に接続する導電性領域40と、表裏両主面を電気的に絶縁する絶縁性領域41とを備える。導電性領域40は、絶縁性樹脂2中に含有する導電性粒子3を接触、若しくは融着させることによって形成される。一方、絶縁性領域41は、絶縁性樹脂2中に複数の空隙4が形成されている。
【選択図】図1
Description
[実施形態1]
次に、上記導電性領域を有する絶縁層10を備える電子部品50の一例について説明する。図3に、本実施形態2に係る電子部品50の絶縁層10近傍を部分拡大した模式的断面図を示す。なお、以降の図において、前述の図面と同一の要素部材については、同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
図4に、本実施形態3に係る電子部品50aの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態3に係る電子部品50aは、第1配線21a及び第2配線22aの材料が導電性樹脂である点を特徴とする。
図5に、本実施形態4に係る電子部品50bの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態4に係る電子部品50bは、基板30上に形成された基板上配線25と、第1配線21b、絶縁層10を備える。基板上配線25と第1配線21bの材料は、導電性樹脂により形成されている。
図7に、本実施形態5に係る電子部品50cの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態5に係る電子部品50cは、多層配線構造を有する。具体的には、3層の絶縁層10とこれらの表面、及び間隙に形成された配線を有する。
図8に、本実施形態6に係る電子部品50dの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態6に係る電子部品50dは、以下の点を除く基本的な構成は上記実施形態5と同様である。すなわち、上記実施形態5においては、多層配線構造体を熱圧着により形成していたのに対し、本実施形態6においては、接着材を用いて、多層配線構造体を形成している点において相違する。
[実施形態7]
図9に、本実施形態7に係る電子部品50eの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。
本実施形態7に係る電子部品50eは、絶縁層10、LSIチップ32、UBM(Under Bump Metallization)33、回路保護層34等を備える。
図10に、本実施形態8に係る電子部品50fの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態8に係る電子部品50fは、絶縁層10、LSIチップ32、UBM33、回路保護層34、パッド35、はんだ36等を備える。
図11に、本実施形態9に係る電子部品50gの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態9に係る電子部品50gは、絶縁層10、LSIチップ32、UBM33、回路保護層34、第1配線21f等を備える。第1配線21fは、導電性樹脂層により形成する。
3 導電性粒子
4 空隙
5 層間導電路
7 レジスト
10 絶縁層
11 未硬化樹脂層
12 硬化樹脂層
21 第1配線
22 第2配線
23 導電性樹脂層
24 導電粒子
25 基板上配線
30 基板
31 接着材
32 LSIチップ
33 UBM
34 回路保護層
35 パッド
36 はんだ
40 導電性領域
41 絶縁性領域
50 電子部品
Claims (12)
- 表裏両主面を電気的に接続する導電性領域と、前記表裏両主面を電気的に絶縁する絶縁性領域とを備え、
前記導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成され、
前記絶縁性領域は、前記絶縁性樹脂中に複数の空隙が形成されている、
導電性領域を有する絶縁層。 - 前記空隙は、前記絶縁性樹脂中に含有する前記導電性粒子を実質的に除去することによって形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の導電性領域を有する絶縁層。
- 前記導電性粒子の径が、実質的に5μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品。
- 絶縁性樹脂中に、表裏両主面間を電気的に接続する導電性領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記表裏両主面のうちの少なくとも一方に形成され、前記導電性領域と接続された導電層と
を備え、
前記絶縁層中の導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成された領域であり、
前記絶縁層中の導電性領域以外には、複数の空隙が形成されている電子部品。 - 前記絶縁層と前記導電層が、膜厚方向に複数積層されていることを特徴とする請求項4に記載の電子部品。
- 前記絶縁層と前記導電層は、基板の少なくとも一主面上に配設されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の電子部品。
- 前記導電性粒子の径が、5μm以下であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の電子部品。
- 導電性領域を有する絶縁層の製造方法であって、
導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、
前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、
導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去する導電性領域を有する絶縁層の製造方法。 - 前記導電性粒子を除去する工程は、前記導電性領域にエッチングレジストを形成し、その後、エッチング処理を実施することによって行うことを特徴とする請求項8に記載の導電性領域を有する絶縁層の製造方法。
- 導電性領域を有する絶縁層を備える電子部品の製造方法であって、
導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、
前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、
前記導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去することにより絶縁性領域を得、
前記絶縁層の少なくとも片側主面上に、前記導電性領域と電気的に接続する導電層を配設する電子部品の製造方法。 - 前記絶縁層、及び前記導電層を複数積層することを特徴とする請求項10に記載の電子部品の製造方法。
- 前記導電層は、メッキ処理、若しくは、導電性樹脂の印刷にて形成することを特徴とする請求項10又は11に記載の電子部品の製造方法。
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