JP2011071841A - 半導体装置、及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、発振素子1が接続可能な第1及び第2の外部接続端子2、3と、反転増幅器4と、反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗5と、反転増幅器4の入力側に接続されたカップリング容量11に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路6と、第1の信号入出力部7と、第2の信号入出力部8と、を備える。半導体装置を発振回路として使用する場合は、反転増幅器4およびバイアス安定化回路6を動作状態とし、第1及び第2の信号入出力部7、8を停止状態とする。信号入出力回路として使用する場合は、反転増幅器4およびバイアス安定化回路6を停止状態とし、第1及び第2の信号入出力部7、8を動作状態とする。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態1について説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置を示す回路図である。図1に示すように、本実施の形態にかかる半導体装置は、発振素子1が接続可能な第1の外部接続端子(X1)2及び第2の外部接続端子(X2)3と、入力側が第1の外部接続端子(X1)2とカップリング容量(Cox)11を介して電気的に接続され、出力側が第2の外部接続端子(X2)3と電気的に接続された反転増幅器4と、反転増幅器4の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗(Rfb)5と、反転増幅器4の入力側に接続されたカップリング容量(Cox)11に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路6と、第1の外部接続端子と接続された第1の信号入出力部7と、第2の外部接続端子と接続された第2の信号入出力部8と、を備える。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。図3は、実施の形態2にかかる半導体装置を示す回路図である。本実施の形態にかかる半導体装置では、バイアス安定化回路6と静電保護回路10の構成が実施の形態1の場合と異なっている。これ以外の部分については、実施の形態1の場合と同様であるので重複した説明を省略する。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。図4は、実施の形態3にかかる半導体装置を示す回路図である。本実施の形態にかかる半導体装置では、バイアス安定化回路6の構成が実施の形態1の場合と異なっている。これ以外の部分については、実施の形態1の場合と同様であるので重複した説明を省略する。
2 第1の外部接続端子(X1)
3 第2の外部接続端子(X2)
4 反転増幅器
5 フィードバック抵抗(Rfb)
6 バイアス安定化回路
7 第1の信号入出力部
8 第2の信号入出力部
10 静電保護回路
Claims (13)
- 発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置であって、
発振素子が接続可能な第1及び第2の外部接続端子と、
入力側が前記第1の外部接続端子とカップリング容量を介して電気的に接続され、出力側が前記第2の外部接続端子と電気的に接続された反転増幅器と、
前記反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗と、
前記カップリング容量に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路と、
前記第1の外部接続端子と接続された第1の信号入出力部と、
前記第2の外部接続端子と接続された第2の信号入出力部と、を備え、
前記半導体装置を発振回路として使用する場合は、前記反転増幅器および前記バイアス安定化回路を動作状態とすると共に、前記第1及び第2の信号入出力部を停止状態とし、
前記半導体装置を信号入出力回路として使用する場合は、前記反転増幅器および前記バイアス安定化回路を停止状態とすると共に、前記第1及び第2の信号入出力部を動作状態とする、半導体装置。 - 前記半導体装置を信号入出力回路として使用する場合は、前記反転増幅器の出力側を高インピーダンスとする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の外部接続端子と接続された静電保護回路を有する、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記バイアス安定化回路は、一端が第1の電源端子と第1のトランジスタを介して接続され、他端が前記カップリング容量と電気的に接続された第1の抵抗と、一端が第2の電源端子と第2のトランジスタを介して接続され、他端が前記カップリング容量と電気的に接続された第2の抵抗とを有し、
前記半導体装置を発振回路として使用する場合は、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタをオン状態とし、前記半導体装置を信号入出力回路として使用する場合は、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタをオフ状態とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記静電保護回路は、ゲートおよびドレインが第1の電源端子に接続され、ソースが前記第1の外部接続端子に接続された第3のトランジスタと、ドレインが前記第1の外部接続端子に接続され、ゲートおよびソースが第2の電源端子に接続された第4のトランジスタとを有する、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記バイアス安定化回路は、一端が第1の電源端子と第5のトランジスタを介して接続され、他端が前記カップリング容量と電気的に接続された第3の抵抗を有し、
前記半導体装置を発振回路として使用する場合は、前記第5のトランジスタをオン状態とし、前記半導体装置を信号入出力回路として使用する場合は、前記第5のトランジスタをオフ状態とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記静電保護回路は、ドレインが前記第1の外部接続端子に接続され、ゲートおよびソースが第2の電源端子に接続された第6のトランジスタを有する、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記バイアス安定化回路は、一端が第3の電源端子と第7のトランジスタを介して接続され、他端が前記カップリング容量と電気的に接続された第4の抵抗を有し、
前記半導体装置を発振回路として使用する場合は、前記第7のトランジスタをオン状態とし、前記半導体装置を信号入出力回路として使用する場合は、前記第7のトランジスタをオフ状態とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1の電源端子の電圧をVDDとし、前記第3の電源端子の電圧をVDD2とした場合、VDD≧VDD2+0.5×(第1の外部接続端子における発振振幅)の関係となるように、前記第3の電源端子の電圧VDD2を設定する、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記カップリング容量は、ゲート容量によるカップリング容量である、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記フィードバック抵抗の抵抗値は、10MΩ乃至20MΩである、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 発振素子が接続可能な第1及び第2の外部接続端子と、
入力側が前記第1の外部接続端子とカップリング容量を介して電気的に接続され、出力側が前記第2の外部接続端子と電気的に接続された反転増幅器と、
前記反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗と、
前記カップリング容量に印加されるバイアスを安定化させるバイアス安定化回路と、
前記第1の外部接続端子と接続された第1の信号入出力部と、
前記第2の外部接続端子と接続された第2の信号入出力部と、を備えた、発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置の制御方法であって、
前記半導体装置を発振回路として使用する場合は、前記反転増幅器および前記バイアス安定化回路を動作状態とすると共に、前記第1及び第2の信号入出力部を停止状態とし、
前記半導体装置を信号入出力回路として使用する場合は、前記反転増幅器および前記バイアス安定化回路を停止状態とすると共に、前記第1及び第2の信号入出力部を動作状態とする、半導体装置の制御方法。 - 前記半導体装置を信号入出力回路として使用する場合は、前記反転増幅回路の出力側を高インピーダンスとする、請求項12に記載の半導体装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016918A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Kyocera Crystal Device Corp | 圧電デバイス及び圧電デバイス用半導体部品 |
CN103684394A (zh) * | 2012-09-12 | 2014-03-26 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置 |
JP2014072716A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Seiko Epson Corp | 集積回路、振動デバイス、電子機器、移動体及び集積回路のモード切り替え方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5570954B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2014-08-13 | 富士通株式会社 | 発振回路 |
US8466752B2 (en) | 2011-05-04 | 2013-06-18 | Fujitsu Semiconductor Limited | System and method for supporting different types of oscillator circuits |
WO2014023993A1 (en) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Micro-electro-mechanical system drive-mode oscillator module and method therefor |
EP3149848A1 (en) * | 2014-06-02 | 2017-04-05 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Oscillator circuit with bias current generator |
US9197157B1 (en) * | 2014-09-08 | 2015-11-24 | Google Inc. | One-pin crystal oscillator driven through a general purpose input/output device |
US10574181B2 (en) * | 2018-05-17 | 2020-02-25 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Circuit with shunt path |
US10819296B2 (en) | 2019-03-22 | 2020-10-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for receiving or transmitting voltage signals |
JP2022171126A (ja) * | 2021-04-30 | 2022-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置および発振器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5815305A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Citizen Watch Co Ltd | 発振回路 |
JPH04169983A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Nec Corp | マイクロコンピュータ |
JPH06338781A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2004096711A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-03-25 | Seiko Epson Corp | 発振回路、電子機器、時計 |
JP2004221632A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Kawasaki Microelectronics Kk | 発振回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2578817B2 (ja) * | 1987-07-27 | 1997-02-05 | 日本電気株式会社 | マイクロプロセツサ |
US6157265A (en) * | 1998-10-30 | 2000-12-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Programmable multi-scheme clocking circuit |
JP3681611B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2005-08-10 | Necエレクトロニクス株式会社 | マイクロコンピュータ |
US7436207B2 (en) * | 2006-07-21 | 2008-10-14 | Microchip Technology Incorporated | Integrated circuit device having at least one of a plurality of bond pads with a selectable plurality of input-output functionalities |
JP4917460B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-04-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
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-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5815305A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Citizen Watch Co Ltd | 発振回路 |
JPH04169983A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Nec Corp | マイクロコンピュータ |
JPH06338781A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2004096711A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-03-25 | Seiko Epson Corp | 発振回路、電子機器、時計 |
JP2004221632A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Kawasaki Microelectronics Kk | 発振回路 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016918A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Kyocera Crystal Device Corp | 圧電デバイス及び圧電デバイス用半導体部品 |
CN103684394A (zh) * | 2012-09-12 | 2014-03-26 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置 |
JP2014057197A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US9281804B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-03-08 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with amplification circuit and output buffer circuit coupled to terminal |
CN103684394B (zh) * | 2012-09-12 | 2018-05-25 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置 |
JP2014072716A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Seiko Epson Corp | 集積回路、振動デバイス、電子機器、移動体及び集積回路のモード切り替え方法 |
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