JPS5815305A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPS5815305A JPS5815305A JP11418581A JP11418581A JPS5815305A JP S5815305 A JPS5815305 A JP S5815305A JP 11418581 A JP11418581 A JP 11418581A JP 11418581 A JP11418581 A JP 11418581A JP S5815305 A JPS5815305 A JP S5815305A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- input terminal
- potential
- terminal
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水晶振動子等の機械電気振動子を用いる発振回
路に関するものであって、その目的は耐環境性の良い発
振回路を提供する事に有る。
路に関するものであって、その目的は耐環境性の良い発
振回路を提供する事に有る。
以下図面に基ずいて詳細に説明すると、第１図は従来の
一般的な発振増巾器を示す回路図であって、インバータ
１の入力側と出力側を高い値を有する帰還抵抗２で接続
して自己バイアスされており、更に出力端には出力安定
化抵抗６を接続したものである。出力側端子４と入力側
端子５には図中点線で示す如く機械電気振動子である水
晶振動子Ｑと発振容量Ｃｉｎ、Ｃｏｕｔが接続される。
一般的な発振増巾器を示す回路図であって、インバータ
１の入力側と出力側を高い値を有する帰還抵抗２で接続
して自己バイアスされており、更に出力端には出力安定
化抵抗６を接続したものである。出力側端子４と入力側
端子５には図中点線で示す如く機械電気振動子である水
晶振動子Ｑと発振容量Ｃｉｎ、Ｃｏｕｔが接続される。
発振増巾器は集積回路内に有る°が、前記振動子Ｑは集
積回路外部有るため、前記出力側端子４と入力側端子５
から必然的に集積回路外部へ導びかれる。このため前記
発振増巾器は両端子４．５を介して外部環境の影春な受
ける。
積回路外部有るため、前記出力側端子４と入力側端子５
から必然的に集積回路外部へ導びかれる。このため前記
発振増巾器は両端子４．５を介して外部環境の影春な受
ける。
この際前記発振増巾器の出力側インピーダンスは比較的
低（、入力側インピーダンスは極めて大きいため、外部
環境の影響はほとんど前記入力側端子５を介して与えら
れる。
低（、入力側インピーダンスは極めて大きいため、外部
環境の影響はほとんど前記入力側端子５を介して与えら
れる。
例えば湿度や汚れによって生ずるリーケージのために、
前記入力側端子５が電源電位に引かれると、前記発振増
巾器のバイアスが変動し、最悪の場合には発振が停止し
てしまう欠点を有していた。
前記入力側端子５が電源電位に引かれると、前記発振増
巾器のバイアスが変動し、最悪の場合には発振が停止し
てしまう欠点を有していた。
そこで前記欠点を解決するものとして第２図の構成によ
る発振増巾器が従来から提案された。
る発振増巾器が従来から提案された。
即ち少くともバイアスされた・インバータ１の入力端を
直流カット容量６を介して入力側端子５に接続する。こ
の様にすれば仮に前記入力側端子５がある電位に引かれ
ても、前記インバータ１のバイアス電位は変化しないの
で安定な動作が行われると考えられる。事実多くの実験
によって上記の改良は極めて大きな効果が有る事が確め
られた。
直流カット容量６を介して入力側端子５に接続する。こ
の様にすれば仮に前記入力側端子５がある電位に引かれ
ても、前記インバータ１のバイアス電位は変化しないの
で安定な動作が行われると考えられる。事実多くの実験
によって上記の改良は極めて大きな効果が有る事が確め
られた。
即ち前記入力側端子５が相当小さなインピーダンスによ
って特定な電位に接続されても発振が停止する事がない
。従って上記の改良は一応の成果を得たのであるが、更
に詳細な検討を加えた所、若干の不都合を見出すに至っ
た。即ち前記入力側端子５を比較、的大きなインピーダ
ンスを介して特定な電位に接続した場合、発振周波数が
若干変動するのである。この現象は発振回路定数の中に
上記比較的大きなインピーダンスの項を加えても説明出
来ない。
って特定な電位に接続されても発振が停止する事がない
。従って上記の改良は一応の成果を得たのであるが、更
に詳細な検討を加えた所、若干の不都合を見出すに至っ
た。即ち前記入力側端子５を比較、的大きなインピーダ
ンスを介して特定な電位に接続した場合、発振周波数が
若干変動するのである。この現象は発振回路定数の中に
上記比較的大きなインピーダンスの項を加えても説明出
来ない。
調査によって上記現象は次の如き理由によるものと判明
した。即ち第３図の回路図に示す如く、前記入力側端子
５には静電気による素子破壊を保護するための保護ダイ
オード７及び８が入っている。一方入力側端子５は無バ
イ゛アスの状態であるから電位は不定である。そこで前
記入力側端子５に於ける発振波形の直流成分が上昇する
と前記保護ダ庁オード７を介して電流が流れ、従って直
流カット容量６に蓄積されていた電荷の一部が保護ダイ
オード７を介して放電され、入力側端子５の電位は下り
、また入力側端子５に於ける発振波形の直流成分が降下
すると前記保護ダイオード８を介して電流が流れ、従っ
て前記直流カット容量６は保護ダイオード８を介して充
電されて、前記入力側端子５の電位は上昇し、これらの
作用のバランスした点で、前記入力側端子５の電位が決
定されている。所が前記入力側端子５がリーケージによ
りどこかの電位に引かれると上記作用が妨げられて、発
振波形が歪みを生ずる。
した。即ち第３図の回路図に示す如く、前記入力側端子
５には静電気による素子破壊を保護するための保護ダイ
オード７及び８が入っている。一方入力側端子５は無バ
イ゛アスの状態であるから電位は不定である。そこで前
記入力側端子５に於ける発振波形の直流成分が上昇する
と前記保護ダ庁オード７を介して電流が流れ、従って直
流カット容量６に蓄積されていた電荷の一部が保護ダイ
オード７を介して放電され、入力側端子５の電位は下り
、また入力側端子５に於ける発振波形の直流成分が降下
すると前記保護ダイオード８を介して電流が流れ、従っ
て前記直流カット容量６は保護ダイオード８を介して充
電されて、前記入力側端子５の電位は上昇し、これらの
作用のバランスした点で、前記入力側端子５の電位が決
定されている。所が前記入力側端子５がリーケージによ
りどこかの電位に引かれると上記作用が妨げられて、発
振波形が歪みを生ずる。
即ち前記保護ダイオード７又は８の順方向以上に発振波
形が移動し、この状態のまま戻らなくなってしまう。従
もて見掛のリーケージは極めて小さくても実質的には相
当に小さなインピーダンスが付加され・′た事になり、
発振周波数が変動してしまう。
形が移動し、この状態のまま戻らなくなってしまう。従
もて見掛のリーケージは極めて小さくても実質的には相
当に小さなインピーダンスが付加され・′た事になり、
発振周波数が変動してしまう。
本発明は上記の調査、検討によりなされたものであって
、前記入力側端子にバイアス電位を与える事により安定
な発振回路を得んとするものである。第４図は本発明の
第一実施例を示す発振回路の要部回路図であって、前記
入力側端子５すなわち直流カット容量６と水晶振動子Ｑ
との接続点と前記出力側端子４、又は前記インバータ１
の出力端とを抵抗９により接続して入力側端子５にバイ
アスを与えたものである。この方式は耐環境性に関して
最も一般性が有ると考えられる。
、前記入力側端子にバイアス電位を与える事により安定
な発振回路を得んとするものである。第４図は本発明の
第一実施例を示す発振回路の要部回路図であって、前記
入力側端子５すなわち直流カット容量６と水晶振動子Ｑ
との接続点と前記出力側端子４、又は前記インバータ１
の出力端とを抵抗９により接続して入力側端子５にバイ
アスを与えたものである。この方式は耐環境性に関して
最も一般性が有ると考えられる。
しかも抵抗９は負帰還作用を有するためあまり、少さな
値にせず大きな値が選ばれる。又、大きなり一ケージが
予想される場合は票５′図の本発明の第２実施例である
回路図に示す如く、入力側端子５は抵抗１０及び１１を
介してそれぞれ電源電位Ｖｄｄ及びＶｓｓに接続する構
成にしても良い。
値にせず大きな値が選ばれる。又、大きなり一ケージが
予想される場合は票５′図の本発明の第２実施例である
回路図に示す如く、入力側端子５は抵抗１０及び１１を
介してそれぞれ電源電位Ｖｄｄ及びＶｓｓに接続する構
成にしても良い。
またリーケージの生ず芯方向が一定と想定される場合は
第５図の第２実施例における抵抗１１又は１０のいずれ
かを取除いた第６図の第３実施例、又は第７図の第４実
施例に示す回路構成としても良い。
第５図の第２実施例における抵抗１１又は１０のいずれ
かを取除いた第６図の第３実施例、又は第７図の第４実
施例に示す回路構成としても良い。
第８図は第４図又は第５図とほぼ同等のバイアスレベル
を与えるため、入力側端子５に、抵抗１２の両端とイン
バータ１６の入出力端とが並列接続されたバイアス設定
手段が接続される構成を示す第５実施例であり、上記の
各実施例による実験では期待通りの効果が得られた。
を与えるため、入力側端子５に、抵抗１２の両端とイン
バータ１６の入出力端とが並列接続されたバイアス設定
手段が接続される構成を示す第５実施例であり、上記の
各実施例による実験では期待通りの効果が得られた。
むろんリーケージの発生状況により、どの実施態様を採
用するかは異るが、少くとも前記入力側端子５をバイア
スする点に於て本発明の思想は一貫したものである。
用するかは異るが、少くとも前記入力側端子５をバイア
スする点に於て本発明の思想は一貫したものである。
以上述べた如（、本発明によれば発振停止がなく、且つ
発振周波数が安定となる等の耐環境性に極めて優れた発
振回路を提供出来る。
発振周波数が安定となる等の耐環境性に極めて優れた発
振回路を提供出来る。
なお上記説明中、リーケージの発生原因を湿度や汚れ等
と（だが、例えば光によるリーケージや半導体自身の持
つ不都合な特性に対しても有効である事は明白である。
と（だが、例えば光によるリーケージや半導体自身の持
つ不都合な特性に対しても有効である事は明白である。
更に入力側端子をバイアスするだめの抵抗体は半導体抵
抗、ポリシリコン抵抗等、その材質を限定するものでは
ない。又発振増巾器の形も入力側端子に直流カット容量
を有する発振増巾器であれば上記説明に使用した形に限
定するものではない。更に、第４図に示すと同様に第５
図′乃至第８図の各実施例にも入力側端子５に保護ダイ
オード７．８を接続する構成をとってもよい。
抗、ポリシリコン抵抗等、その材質を限定するものでは
ない。又発振増巾器の形も入力側端子に直流カット容量
を有する発振増巾器であれば上記説明に使用した形に限
定するものではない。更に、第４図に示すと同様に第５
図′乃至第８図の各実施例にも入力側端子５に保護ダイ
オード７．８を接続する構成をとってもよい。
第１図乃至第３図は従来の発振増巾器を示す各回路図、
第４図乃至第８図は本発明の各実施例を示す発振増巾器
の回路図。
第４図乃至第８図は本発明の各実施例を示す発振増巾器
の回路図。
Claims (1)
- バイアスされた入力端が直流カット容量を介して機械電
気撮動子に接続される型の゛発振器であって、前記直流
カット容量と機械電気振動子の接続点にバイアス電位を
与えるよう構成した事を特徴とする発振０回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11418581A JPS5815305A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11418581A JPS5815305A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815305A true JPS5815305A (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=14631317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11418581A Pending JPS5815305A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815305A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133855A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Nec Microsystems Ltd | 温度補償型入力回路及び温度補償型発振回路 |
| US6933797B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-08-23 | Seiko Epson Corporation | Oscillation circuit, electronic apparatus, and timepiece using a potential stabilization circuit with resistive terminations |
| JP2009290840A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路及び発振回路 |
| JP2011071841A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及びその制御方法 |
| US10826430B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-11-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, movement and electronic watch |
-
1981
- 1981-07-21 JP JP11418581A patent/JPS5815305A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133855A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Nec Microsystems Ltd | 温度補償型入力回路及び温度補償型発振回路 |
| US6933797B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-08-23 | Seiko Epson Corporation | Oscillation circuit, electronic apparatus, and timepiece using a potential stabilization circuit with resistive terminations |
| JP2009290840A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路及び発振回路 |
| JP2011071841A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及びその制御方法 |
| US10826430B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-11-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, movement and electronic watch |
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