JPS587848A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPS587848A JPS587848A JP10590481A JP10590481A JPS587848A JP S587848 A JPS587848 A JP S587848A JP 10590481 A JP10590481 A JP 10590481A JP 10590481 A JP10590481 A JP 10590481A JP S587848 A JPS587848 A JP S587848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- integrated circuit
- type
- external terminal
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路に関するものであり、その目的は耐光
性の良い集積回路を提供する事にある・０従来集積回路
はパッケージにより遮光されて使用する事が多かったた
め、集積回路自体の耐光性については余り考慮されてい
なかった。近年になり集積回路自身の信頼性や実装技術
の向上等により、パッケージを不要とする裸に近い状態
で使用しても耐湿性等には問題がない所まで来ているの
で有るが、耐光性の考慮が不足のため、裸実装が実現出
来ない場面が生じている。
性の良い集積回路を提供する事にある・０従来集積回路
はパッケージにより遮光されて使用する事が多かったた
め、集積回路自体の耐光性については余り考慮されてい
なかった。近年になり集積回路自身の信頼性や実装技術
の向上等により、パッケージを不要とする裸に近い状態
で使用しても耐湿性等には問題がない所まで来ているの
で有るが、耐光性の考慮が不足のため、裸実装が実現出
来ない場面が生じている。
本発明はこの様な状況を改善するためになされたもので
あり、その主旨は従来保護抵抗としてＰ−型拡散抵抗が
使用されていた所をポリシリコン抵抗とダイオ−１ドの
組合せに改める事によりリーケージを大巾に減少させ、
集積回路の耐光性を向上させる事に有る。
あり、その主旨は従来保護抵抗としてＰ−型拡散抵抗が
使用されていた所をポリシリコン抵抗とダイオ−１ドの
組合せに改める事によりリーケージを大巾に減少させ、
集積回路の耐光性を向上させる事に有る。
以下図面に基づいて詳細に説明すると、第１図は従来の
時計用集積回路に使用される発振回路を示す回路図であ
って入力側外部端子（Ｘ ｉ ｎ ）は保護ダイオード
１を兼ねたＰ−型拡散抵抗２を介してインバータ３０入
力端に接続され、該インバータロの入力端は更に保護ダ
イオード４により電源に接続されるとともに帰還抵抗５
を介して該インバータ６の出力熾に接続される。該イン
バータ３の出力端は出力抵抗６及び保護ダイオード７を
介して、電源に接続されるとともに出力抵抗６から保護
ダイオード８を兼ねたＰ−型拡散抵抗９を介して出力側
外部端子（Ｘｏｕｔ）に接続されている。入力側外部端
子（Ｘ ｉ ｎ ）と出力側外部端子（Ｘｏｕｔ）とに
は水晶振動子と発振容量が外付で付加されて発振器を構
成する様になっている。
時計用集積回路に使用される発振回路を示す回路図であ
って入力側外部端子（Ｘ ｉ ｎ ）は保護ダイオード
１を兼ねたＰ−型拡散抵抗２を介してインバータ３０入
力端に接続され、該インバータロの入力端は更に保護ダ
イオード４により電源に接続されるとともに帰還抵抗５
を介して該インバータ６の出力熾に接続される。該イン
バータ３の出力端は出力抵抗６及び保護ダイオード７を
介して、電源に接続されるとともに出力抵抗６から保護
ダイオード８を兼ねたＰ−型拡散抵抗９を介して出力側
外部端子（Ｘｏｕｔ）に接続されている。入力側外部端
子（Ｘ ｉ ｎ ）と出力側外部端子（Ｘｏｕｔ）とに
は水晶振動子と発振容量が外付で付加されて発振器を構
成する様になっている。
第１図の発振回路を有する集積回路に光を当てると発振
周波数が変化し、場合によっては発振が停止してしまう
。
周波数が変化し、場合によっては発振が停止してしまう
。
この現象を調査した結果得られた結論は前記ｐ−型拡散
抵抗２とＮ−型基板との接合部に光が当りた場合、最も
大きな影響が出ると言う事であった。
抵抗２とＮ−型基板との接合部に光が当りた場合、最も
大きな影響が出ると言う事であった。
前記インバータ３０入力端は比較的大きな値を有する帰
還抵抗５によりバイアスされているため、該入力端にリ
ーケージが発生するとインバーター３のバイアス電位が
変動する。従って光によりて前記Ｐ−型拡散抵抗２と前
記Ｎ″″型基板との間にリーケージが発生すれば当然、
発振周波数が変動する。該Ｐ−型拡散抵抗２と同様な構
造は前記インバータ乙の出力側にも有るが、該インバー
ターの出力側のインピーダンス及び前記出力抵抗６の値
の和は前記帰還抵抗５よりも小さいため、前記Ｐ−型拡
散抵抗９に当る光の影響は比較的小さい。
還抵抗５によりバイアスされているため、該入力端にリ
ーケージが発生するとインバーター３のバイアス電位が
変動する。従って光によりて前記Ｐ−型拡散抵抗２と前
記Ｎ″″型基板との間にリーケージが発生すれば当然、
発振周波数が変動する。該Ｐ−型拡散抵抗２と同様な構
造は前記インバータ乙の出力側にも有るが、該インバー
ターの出力側のインピーダンス及び前記出力抵抗６の値
の和は前記帰還抵抗５よりも小さいため、前記Ｐ−型拡
散抵抗９に当る光の影響は比較的小さい。
上記の点を改善するため、前記Ｐ−型拡散抵抗２及び９
の上をアルミニウムＡＩ！で遮光する事が考えられる。
の上をアルミニウムＡＩ！で遮光する事が考えられる。
第２図は従来の前記Ｐ−型拡散抵抗２の構造を示す平面
図であって、前記入力端外部端子（Ｘ ｉ ｎ ）はア
ルミニウムであり、このアルミニウムＡ／が第１のコン
タクトホール１０により前記Ｐ−型拡散抵抗２に接続さ
れ、該Ｐ−型拡散抵抗２は第２のコンタクトホール１１
に於て再びアルミニウムＡｌに接続される。そこで前記
コンタクトホール１０あるいは１１に接続されたアルミ
ニウムＡＪを広げて前記Ｐ″″型拡散抵抗２を遮光すれ
ば良いのであるが、コンタクトホール１０、・１１間が
アルミニウムＡＪで電気的に短絡しないようにするため
第３図に示す如くどうしても遮光し切れない非遮光部分
１２が生じてしまう。従って完全な耐光性向上は出来な
い。
図であって、前記入力端外部端子（Ｘ ｉ ｎ ）はア
ルミニウムであり、このアルミニウムＡ／が第１のコン
タクトホール１０により前記Ｐ−型拡散抵抗２に接続さ
れ、該Ｐ−型拡散抵抗２は第２のコンタクトホール１１
に於て再びアルミニウムＡｌに接続される。そこで前記
コンタクトホール１０あるいは１１に接続されたアルミ
ニウムＡＪを広げて前記Ｐ″″型拡散抵抗２を遮光すれ
ば良いのであるが、コンタクトホール１０、・１１間が
アルミニウムＡＪで電気的に短絡しないようにするため
第３図に示す如くどうしても遮光し切れない非遮光部分
１２が生じてしまう。従って完全な耐光性向上は出来な
い。
そこで本発明は少なくとも前記発振回路の入力側保護抵
抗２をポリシリコン抵抗に置替え、更にダイオード１に
相当するダイオードを別個に設ける事により耐光性の向
上な得んとするものであり、第４図にその回路図を示す
。第４１図に於て、保護抵抗１３はポリシリコンに不純
物をドープした抵抗体であって、従ってＮ−型基板とは
絶縁されているため前述したような光によるＮ−型基板
へのり一ケージは生じない。
抗２をポリシリコン抵抗に置替え、更にダイオード１に
相当するダイオードを別個に設ける事により耐光性の向
上な得んとするものであり、第４図にその回路図を示す
。第４１図に於て、保護抵抗１３はポリシリコンに不純
物をドープした抵抗体であって、従ってＮ−型基板とは
絶縁されているため前述したような光によるＮ−型基板
へのり一ケージは生じない。
しかしこの保護抵抗１６には第１図で示す如き保護ダイ
オード１に相当するものが形成されないため、ダイオー
ド１４を新設する必要が有る。ダイオード１４はＮ−型
基板に対してＰ−型又はＰ＋型層を設ける事により達成
される。
オード１に相当するものが形成されないため、ダイオー
ド１４を新設する必要が有る。ダイオード１４はＮ−型
基板に対してＰ−型又はＰ＋型層を設ける事により達成
される。
第５図は本発明の構造を示す平面図であって、人力儒外
ｓ電子（Ｘ ｉ ｎ ）のアルミニウムＡ！は第３のコ
ンタクトホール１５に於て、ポリシリコ／抵抗１３に接
続され、又、該ポリシリコン抵抗１６は第４のコンタク
トホール１６によりアルミニウムＡＩに接続され、更に
第４のコンタクトホール１６のアルミニウムＡＩは第５
のコンタクトホール１７に於てＰ−型層−はＰ＋型層１
８に接続される。
ｓ電子（Ｘ ｉ ｎ ）のアルミニウムＡ！は第３のコ
ンタクトホール１５に於て、ポリシリコ／抵抗１３に接
続され、又、該ポリシリコン抵抗１６は第４のコンタク
トホール１６によりアルミニウムＡＩに接続され、更に
第４のコンタクトホール１６のアルミニウムＡＩは第５
のコンタクトホール１７に於てＰ−型層−はＰ＋型層１
８に接続される。
しかも前記第５のコンタクトホール１７に接続されたア
ルミニウムｋｌは拡張されて、前記Ｐ−型又はＰ＋型層
１８を遮光する。従って光によってリーケージを生ずる
Ｐ−Ｎ−接合がないため、発振回路は光に対して極めて
安定な動作を行う。
ルミニウムｋｌは拡張されて、前記Ｐ−型又はＰ＋型層
１８を遮光する。従って光によってリーケージを生ずる
Ｐ−Ｎ−接合がないため、発振回路は光に対して極めて
安定な動作を行う。
尚、本実施例では、発振回路の入力側端子における保護
抵抗及び保護ダイオードについてのみ説明したが、同様
に発振回路の出力側端子における保護抵抗及び保護ダイ
オードについても同一の構造をとることが出来る。
抵抗及び保護ダイオードについてのみ説明したが、同様
に発振回路の出力側端子における保護抵抗及び保護ダイ
オードについても同一の構造をとることが出来る。
以上述べた如く本発明によれば耐光性の良い集積回路が
得られ、簡単な実装構造が使えるため、製品コストを低
減出来て寄与する所犬である。
得られ、簡単な実装構造が使えるため、製品コストを低
減出来て寄与する所犬である。
第１図は従来の時計用集積回路に使用される発振回路の
一例を示す回路図、第２図は従来のＭＯ８集積回路に用
いられる保護抵抗の構造を示す平面図、第３図は第２図
のＰ−型拡散抵抗層に遮光を試みた他の従来例を示す平
面図、第４図は本発明の実施例の部分回路を示す回路図
、第５図は本発明の実施例の集積回路構造を示す平面図
である。 １６・・・・・・保護抵抗、１４・・・・・・保護ダイ
オード、Ｎ″′・・・・・・Ｎ−″型基板、Ｐ−・・・
・・・Ｐ−型層、Ｘ ｉ ｎ・・・・・・入力側外部端
子、Ｘ ｏ ｕ ｔ・・・・・・出力側外部端子、Ａｌ
１・・・・・・アルミニウム。 第１図 第２図 第３図
一例を示す回路図、第２図は従来のＭＯ８集積回路に用
いられる保護抵抗の構造を示す平面図、第３図は第２図
のＰ−型拡散抵抗層に遮光を試みた他の従来例を示す平
面図、第４図は本発明の実施例の部分回路を示す回路図
、第５図は本発明の実施例の集積回路構造を示す平面図
である。 １６・・・・・・保護抵抗、１４・・・・・・保護ダイ
オード、Ｎ″′・・・・・・Ｎ−″型基板、Ｐ−・・・
・・・Ｐ−型層、Ｘ ｉ ｎ・・・・・・入力側外部端
子、Ｘ ｏ ｕ ｔ・・・・・・出力側外部端子、Ａｌ
１・・・・・・アルミニウム。 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）外部端子を有する発振回路を備えた集積回路にお
いて、前記発振回路の少なくとも入力端外部端子に接続
される保護抵抗をポリシリコン抵抗で構成し、更にＮ−
型基板に対してＰ−型又はＰ＋型層を設けて保護ダイオ
ードとした事を特徴とする集積回路。 - （２）外部端子を有する発振回路を備えた集積回路にお
いて、前記発振回路の少なくとも入力端外部端子に接続
される保護抵抗をポリシリコン抵抗で構成し、更にＮ−
型基板に対してＰ−型又はＰ＋型層を設けて保護ダイオ
ードとするとともに、前記保護ダイオードをアルミニウ
ムで遮光した事を特徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10590481A JPS587848A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10590481A JPS587848A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587848A true JPS587848A (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14419859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10590481A Pending JPS587848A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587848A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1746868A1 (en) | 2005-07-20 | 2007-01-24 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for electronic substrate, manufacturing method for electro-optical device, and manufacturing method for electronic device |
| US7645706B2 (en) | 2005-07-07 | 2010-01-12 | Seiko Epson Corporation | Electronic substrate manufacturing method |
| US8143728B2 (en) | 2005-07-14 | 2012-03-27 | Seiko Epson Corporation | Electronic board and manufacturing method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus |
-
1981
- 1981-07-07 JP JP10590481A patent/JPS587848A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7645706B2 (en) | 2005-07-07 | 2010-01-12 | Seiko Epson Corporation | Electronic substrate manufacturing method |
| US8143728B2 (en) | 2005-07-14 | 2012-03-27 | Seiko Epson Corporation | Electronic board and manufacturing method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus |
| EP1746868A1 (en) | 2005-07-20 | 2007-01-24 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for electronic substrate, manufacturing method for electro-optical device, and manufacturing method for electronic device |
| US7482271B2 (en) | 2005-07-20 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for electronic substrate, manufacturing method for electro-optical device, and manufacturing method for electronic device |
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