JP2008072113A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体集積回路は、所定の電圧を生成する電圧生成回路と、電圧生成回路が出力する所定の電圧をゲート端に受け取り、外部電源電圧をドレイン端に受け取り、外部電源電圧を所定の電圧に応じて降圧してソース端に降圧電圧を生成するNMOSトランジスタと、NMOSトランジスタのドレイン端と外部電源電圧との間に設けられパワーダウンモードを指示するパワーダウン信号をゲート端に受け取るPMOSトランジスタを含むことを特徴とする。
【選択図】図10
Description
31 電源回路
32 周辺回路
33 メモリコア回路
34 内部電源線
35 Vpp生成回路
36 Vii生成回路
81 パワーダウン制御回路
82 VGI生成回路
83,84 NMOSトランジスタ
86 NMOSトランジスタ
Claims (5)
- 所定の電圧を生成する電圧生成回路と、
該電圧生成回路が出力する該所定の電圧をゲート端に受け取り、外部電源電圧をドレイン端に受け取り、該外部電源電圧を該所定の電圧に応じて降圧してソース端に降圧電圧を生成するNMOSトランジスタと、
該NMOSトランジスタの該ドレイン端と該外部電源電圧との間に設けられパワーダウンモードを指示するパワーダウン信号をゲート端に受け取るPMOSトランジスタ
を含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 該NMOSトランジスタの該ソース端は基板電位に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 該パワーダウン信号による該パワーダウンモードの指示に応じて該NMOSトランジスタの該ゲート端をグラウンド電圧にクランプする回路を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 外部からの信号に応じて該パワーダウンモードを指示する該パワーダウン信号を生成するパワーダウン制御回路を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 該NMOSトランジスタと該PMOSトランジスタとの対を複数含み、該複数の対がチップ内で離散した場所に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US9292024B2 (en) | 2013-09-06 | 2016-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power gating circuit |
US9333691B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-05-10 | Athena Automation Ltd. | High speed clamp system for an injection molding machine |
US10532506B2 (en) | 2014-11-19 | 2020-01-14 | Niigon Machines Ltd. | Compact clamp apparatus with integrated mold break |
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JP2002373026A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Fujitsu Ltd | 電圧発生回路、半導体装置及び電圧発生回路の制御方法 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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