JP2011066149A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】不揮発性半導体記憶装置の特性の向上を図る。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差する複数の第1配線および複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との各交差部に配置された複数のメモリセルとを具備する。複数の前記メモリセルのそれぞれは、前記第1配線に接続された整流素子と、前記整流素子上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された可変抵抗素子と、前記可変抵抗素子上に形成され、前記第2配線に接続された上部電極と、を有し、前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセルの前記整流素子の一部は、接続されている。
【選択図】 図5
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差する複数の第1配線および複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との各交差部に配置された複数のメモリセルとを具備する。複数の前記メモリセルのそれぞれは、前記第1配線に接続された整流素子と、前記整流素子上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された可変抵抗素子と、前記可変抵抗素子上に形成され、前記第2配線に接続された上部電極と、を有し、前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセルの前記整流素子の一部は、接続されている。
【選択図】 図5
Description
本発明は、可変抵抗素子を有する3次元型の不揮発性半導体記憶装置に関する。
電気的に書き換え可能な可変抵抗素子の抵抗値情報を不揮発に記憶するReRAM(Resistance Random Access Memory)が開発されている。このReRAMは、高集積化を図るため、3次元型構造が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この3次元型ReRAMは、ワードラインとビットラインとが互いに直交し、これらの各交点にメモリセルが配置されるクロスポイント型構造を有する。
このような3次元ReRAMの微細化に伴い、クロスポイント型メモリセルアレイのダイオードも微細化される。これにより、ダイオード下部と配線との接触面積低下によるダイオードの特性信頼性劣化が問題となっている。
本発明は、特性の向上を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
本発明の第1の視点による不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差する複数の第1配線および複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との各交差部に配置された複数のメモリセルとを具備する。複数の前記メモリセルのそれぞれは、前記第1配線に接続された整流素子と、前記整流素子上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された可変抵抗素子と、前記可変抵抗素子上に形成され、前記第2配線に接続された上部電極と、を有し、前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセルの前記整流素子の一部は、接続されている。
本発明によれば、特性の向上を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。図面において、同一部分には同一の参照符号を付す。
<1.クロスポイント型メモリセル>
[1−1.全体構成例]
まず、本発明の各実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の全体構成について説明する。図1は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のブロック図を示している。
[1−1.全体構成例]
まず、本発明の各実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の全体構成について説明する。図1は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のブロック図を示している。
図1に示すように、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ10、ロウデコーダ11、カラムゲート12、センスアンプ13、アドレスバッファ14−1、コマンドバッファ14−2、ヒューズ用レジスタ15、パワーオンリセット回路16、制御回路17、電圧生成回路18、および入出力バッファ19を備える。
メモリセルアレイ10は、複数のビット線およびワード線の交差位置にマトリクス状にそれぞれ配置されランダムアクセスされる複数のメモリセルをそれぞれ有するメモリセルアレイ領域10−1,10−2、およびROM ヒューズアレイ領域10−3を有する。また、メモリセルアレイ10は、ロウデコーダ11、カラムゲート12、およびセンスアンプ13を有する。このメモリセルアレイ10は、後述するように半導体基板の基板面垂直方向に、複数積層される3次元構造である。
ロウデコーダ11は、ロウアドレスをデコードする。また、ロウデコーダ11は、ワード線を駆動する駆動回路を備える。
カラムゲート12は、カラムアドレスをデコードする。また、カラムゲート12は、ビット線を駆動する駆動回路を備える。図1において、カラムゲート12は、ここでは図示しないが、後述するように、メモリセルアレイ10の上側(Upper)および下側(Lower)にそれぞれ配置される。
センスアンプ13は、カラムゲート12およびビット線に電気的に接続され、メモリセルのデータを読み出す。センスアンプ13も、カラムゲート12と同様に、メモリセルアレイ10の上側(Upper)および下側(Lower)にそれぞれ配置される。また、センスアンプ13は、後述するI/Oピン0〜I/Oピン7のビット数の複数倍だけ存在する。
アドレスバッファ14−1は、ロウデコーダ11およびカラムゲート12に電気的に接続され、ロウアドレスおよびカラムアドレスを一時的に保持する。
コマンドバッファ14−2は、制御回路17に電気的に接続され、制御コマンドを一時的に保持する。
ヒューズ用レジスタ15は、入出力バッファ19にデータバス線を介して電気的に接続され、例えば、管理データ等の必要なデータを保持する。
パワーオンリセット回路16は、この装置のパワーオンを検知してリセット信号を制御回路17に出力する。
電圧生成回路18は、ロウデコーダ11、カラムゲート12、センスアンプ13に電気的に接続され、制御回路17の制御に従ってこれらの回路に必要な電圧を供給する。
入出力バッファ19は、センスアンプ13およびヒューズ用レジスタ15にデータバス線を介して電気的に接続され、ホスト装置等の外部からのデータ(Data)、アドレス(Address)、コマンド(Command)を一時的に保持する。
制御回路17は、上記回路を制御し、データ書き込み、データ読み出し、データ消去を行う。
[1−2.メモリセルアレイの構成例]
次に、本実施形態に係るメモリセルアレイ10の構成について説明する。図2は、図1におけるメモリセルアレイ10の構成例を示している。ここで、図2において、図1におけるメモリセルアレイ10は、メモリセル領域20−3を示している。
次に、本実施形態に係るメモリセルアレイ10の構成について説明する。図2は、図1におけるメモリセルアレイ10の構成例を示している。ここで、図2において、図1におけるメモリセルアレイ10は、メモリセル領域20−3を示している。
図2に示すように、メモリセル領域20−3には、複数のMAT(マット)21、および周辺回路25が配置される。
破線で示すように、各MAT21は、セルアレイ22、カラムゲート12−1,12−2、センスアンプ13−1,13−2、ロウデコーダ11を有する。
セルアレイ22は、セルアレイ領域27に配置され、複数のワード線とビット線との交差位置にマトリクス状に配置されランダムアクセスされる複数のメモリセルを有する。
カラムゲート12−1は、セルアレイ周辺領域26−1におけるセルアレイ22の上側(Upper)に配置される。カラムゲート12−2は、セルアレイ周辺領域26−2におけるセルアレイ22の下側(Lower)に配置される。
センスアンプ13−1は、セルアレイ周辺領域26−1におけるカラムゲート12−1の上側(Upper)に配置される。センスアンプ13−2は、セルアレイ周辺領域26−2におけるカラムゲート12−2の下側(Lower)に配置される。
なお、カラムゲート12−1、12−2およびセンスアンプ13−1、13−2はセルアレイ22の片側に形成することも可能である。
また、ロウデコーダ11は、セルアレイ周辺領域26−1におけるセルアレイ22の横側に配置される。
周辺回路25は、本実施形態の場合、MAT21の下にそれぞれ配置される。周辺回路25は、半導体基板の表面領域に配置される、例えば、後述する打ち返しウェル、CMOS回路、キャパシタ等がある。また、カラムゲート12−1、12−2およびセンスアンプ13−1、13−2、ロウデコーダ11を周辺回路25に配置することも可能である。
周辺領域20−2には、例えば、データ入出力回路等のその他の周辺回路が配置されても良い。
PAD領域20−1には、PAD(パッド)が配置される。このパッドは、例えば、アドレスおよびコマンドが入力されるI/O0パッド〜I/O7パッドや、チップイネーブル信号が入力される/CEパッド等の制御パッド等を含んでいる。
[1−3.セルアレイの回路構成およびその動作]
次に、本実施形態に係るセルアレイ22の回路構成およびその動作について説明する。図3は、図2のMAT21におけるセルアレイ22の回路図を示している。
次に、本実施形態に係るセルアレイ22の回路構成およびその動作について説明する。図3は、図2のMAT21におけるセルアレイ22の回路図を示している。
図3に示すように、本実施形態に係るセルアレイ22において、複数のメモリセルMCは、複数のビット線BLj−1〜BLj+1とワード線WLi−1〜WLi+1との交差位置にマトリクス状に配置され、ランダムアクセスされる(クロスポイント型メモリセル)。
メモリセルMCは、それぞれ可変抵抗素子33とダイオード34とで構成される。可変抵抗素子の電流経路の一端はビット線BLj−1〜BLj+1に接続され、電流経路の他端はダイオード34のカソードに接続される。ダイオード34のアノードは、ワード線WLi−1〜WLi+1に接続される。
ワード線WLi−1〜WLi+1の一端は、ロウデコーダ11に接続される。ビット線BLj−1〜BLj+1の一端は、カラムゲート12に電気的に接続される。
<データ書き込み動作(情報記録/セット動作)>
次に、メモリセルMCのデータ書き込み動作について、簡単に説明する。
次に、メモリセルMCのデータ書き込み動作について、簡単に説明する。
データを書き込むためには、選択されたメモリセルMCの可変抵抗素子33に電圧を印加し、その選択された可変抵抗素子33内に電位勾配を発生させて電流を流せばよい。例えば、図3において、ワード線WLiとビット線BLjとの交点のメモリセルMCにセット動作を行う場合、例えばワード線WLiに3V、ビット線BLjに接地電位を与える。同時に、例えばワード線WLi−1およびWLi+1に接地電位、ビット線BLj−1およびBLj+1に3Vを与える。このとき、ダイオード34がなければ、ワード線WLiとビット線BLjとの交点のメモリセルMC以外のメモリセルMCに逆バイアスがかかり、リセット動作を起こしてしまう。すなわち、ダイオード34は、メモリセルMCに流れる電流方向を一定にすることにより、クロスポイント型メモリセル構造を可能にしている。
尚、データ書き込み動作前のスタンバイ時に、全てのワード線WLi−1,WLi,WLi+1および全てのビット線BLj−1,BLj,BLj+1をプリチャージしておくことが望ましい。
<データ読み出し動作(情報再生動作)>
次に、メモリセルMCのデータ読み出し動作について、簡単に説明する。
次に、メモリセルMCのデータ読み出し動作について、簡単に説明する。
データ読み出し動作は、例えば、電圧パルスを選択された可変抵抗素子33に印加し、そのメモリセルMCの抵抗によって定まる電流を検出することにより行う。ここで、この電圧パルスは、可変抵抗素子33を構成する材料が状態変化を起こさない程度の微小な振幅とすることが望ましい。
例えば、読み出し電圧を、ビット線BLjから選択メモリセルMCに印加し、センスアンプ13によりそのときの電流値を測定する。
<データ消去動作(リセット動作)>
次にメモリセルMCのデータ消去動作について、簡単に説明する。
次にメモリセルMCのデータ消去動作について、簡単に説明する。
データ消去動作は、例えば、選択された可変抵抗素子33を大電流パルスによりジュール加熱して、その可変抵抗素子33における酸化還元反応を促進させることにより行う。
[1−4.メモリセルの構成]
次に、本実施形態に係るメモリセルMCの構成について説明する。図4は、メモリセルMCの断面図を示している。
次に、本実施形態に係るメモリセルMCの構成について説明する。図4は、メモリセルMCの断面図を示している。
図4に示すように、本実施形態に係るメモリセルMCは、ビット線BLjとワード線WLiとの間に、ダイオード34、および可変抵抗素子として働く記憶層(抵抗変化層)33が積層された構造である。
より具体的には、ビット線BLj上に、バリアメタル35を介してダイオード34が形成されている。このダイオード34上に、下部電極36を介して可変抵抗素子33が形成されている。この可変抵抗素子33上に、上部電極37を介してワード線WLiが形成されている。すなわち、メモリセルMCは、下部でビット線BLjに接続され、上部でワード線WLiに接続されている。
バリアメタル35、下部電極36および上部電極37は、例えばTiN膜、W膜またはTiN膜、あるいはこれらの積層膜で構成され、その膜厚はそれぞれ、例えば10nmである。ダイオード34は、例えばPINダイオード(上部側からP+型の領域(第1不純物領域34−1)、N−型の領域(n−層)、N+型の領域(第2不純物領域34−2))であり、その膜厚は、例えば100nmである。
なお、ダイオード34は、PINダイオードに限らず、SIS(Silicon Insulator Silicon)などのトンネルダイオード(上部側からP+型の領域(第1不純物領域34−1)、トンネル酸化膜、N+型の領域(第2不純物領域34−2))であってもよい。
<2.第1の実施形態>
第1の実施形態は、隣接したメモリセル間でダイオードの下側の一部が接続されている例である。
第1の実施形態は、隣接したメモリセル間でダイオードの下側の一部が接続されている例である。
[2−1.構造]
まず、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構造について説明する。
まず、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構造について説明する。
図5(a)は、本実施形態に係るクロスポイント型メモリセルを有する3次元ReRAMの構成を示している。
図5(a)に示すように、本実施形態に係る3次元ReRAMは、図示せぬ半導体基板上にセルアレイ22aとセルアレイ22bとが積層された構造である。セルアレイ22aにおいて、ビット線BL1−1乃至1−5とWL1乃至3とがそれぞれ交差し、それぞれの交差部にメモリセルMC1が配置されている。セルアレイ22bにおいて、ビット線BL2−1乃至2−5とWL1乃至3とがそれぞれ交差し、それぞれの交差部にメモリセルMC2が配置されている。これらセルアレイ22aとセルアレイ22bとが積層された構造であるため、本実施形態に係る3次元ReRAMは、例えば半導体基板上に一層だけ配置される二次元構造のセルアレイに比べ、単位面積あたりの容量を増大することができる。
なお、ここではセルアレイ22aおよび22bの2層構造を示しているが、これに限らず、例えば3層、4層、…、とさらにセルアレイ22c,d…,を積層した構造としてもよい。
図5(b)は、図5(a)のビット線方向における断面図である。図5(b)に示すように、本実施形態に係る3次元ReRAMは、ビット線BLに沿った断面において、ビット線BL1、メモリセルMC1、ワード線WL、メモリセルMC2およびビット線BL2が順に積層された構造である。また、隣接したメモリセルMC1、ワード線WLおよびメモリセルMC2間に、層間絶縁膜41として、例えばシリコン酸化膜が埋め込まれている。
メモリセルMC1は、ビット線BL1上に形成され、図4で示した構造を有している。すなわち、メモリセルMC1は、バリアメタル35a、ダイオード34a、下部電極36a、可変抵抗素子33aおよび上部電極37aを有している。
バリアメタル35aは、ビット線BL1上に形成されている。このバリアメタル35aは、ビット線BL1上の全面に形成され、隣接したメモリセルMC1間で連続して形成されている。
ダイオード34aは、バリアメタル35a上に形成されている。このダイオード34aは例えば、上部側に形成されたP+型(第1導電型)の第1不純物領域34a−1と下部側に形成されたN+型(第2導電型)の第2不純物領域34a−2とで構成されている。また、第1不純物領域34a−1と第2不純物領域34a−2との間に、N−型の不純物領域(n−層)が形成されてもよい。ここで、特に記載しない場合は、n−層は第2不純物領域34a−2の上部であると扱う。このダイオード34aにより、ワード線WLからビット線BL1への一方向のみに電流が流れる。また、ダイオード34aは、下部側の一部、すなわち、第2不純物領域34a−2の一部がビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間で連続して形成されている。このとき、隣接したワード線WL間で電流が流れないように、少なくとも第1不純物領域34a−1はビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間で層間絶縁膜41により電気的に分離されている。ここで、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間において第1不純物領域34a−1が接続されていると、ワード線WL1に正の電圧を、ワード線WL2およびビット線BL1に0Vを加えるとワード線WL1からワード線WL2に電流が流れてしまい、誤読み出し等が発生してしまう。
下部電極36aは、ダイオード34a上に形成されている。この下部電極36aは、隣接したメモリセルMC1間で分離されていればよく、ダイオード34aとの界面における接触面積は大きいことが望ましい。
可変抵抗素子33aは下部電極36a上に形成され、上部電極37aは可変抵抗素子33a上に形成されている。これら可変抵抗素子33aおよび上部電極37aはそれぞれ、隣接したメモリセルMC1間で分離されている。このようにして、バリアメタル35a、ダイオード34a、下部電極36a、可変抵抗素子33aおよび上部電極37aでメモリセルMC1が構成されている。
ワード線WLは、メモリセルMC1上に形成され、ビット線BL1に直交している。このワード線WLは、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間で層間絶縁膜41により分離されている。
メモリセルMC2は、ワード線WL上に形成され、バリアメタル35b、ダイオード34b、下部電極36b、可変抵抗素子33bおよび上部電極37bで構成されている。このメモリセルMC2は、バリアメタル35bおよびダイオード34bがビット線BL方向に隣接したメモリセルMC2間で層間絶縁膜41により分離されている。また、メモリセルMC2のダイオード34bは、例えば上部側に形成されたN+型(第2導電型)の第1不純物領域34b−1と下部側に形成されたP+型(第1導電型)の第2不純物領域34b−2とで構成されている。さらに、第1不純物領域34b−1と第2不純物領域34b−2との間に、N−型の不純物領域(n−層)が形成されていてもよい。ここで、特に記載しない場合は、n−層は第2不純物領域34b−2の上部であると扱う。すなわち、メモリセルMC1のダイオード34aとは反対の構造を有する。このダイオード34bにより、ワード線WLからビット線BL2への一方向のみに電流が流れる。また、ダイオード34bは、下部側の一部がワード線WL方向に隣接したメモリセルMC1間で連続して形成されている。このとき、ワード線WL方向に隣接したビット線BL間で電流が流れないように、少なくとも第1不純物領域34b−1は隣接したメモリセルMC1間で層間絶縁膜42により電気的に分離されている。
ビット線BL2は、メモリセルMC2上に形成され、ワード線WL1乃至3に直交かつビット線BL1に平行している。
上述したように、本実施形態に係る3次元ReRAMでは、ビット線BLに沿った断面において、ビット線BLの直上に形成されたメモリセルMC1のダイオード34aの第2不純物領域34a−2の一部およびバリアメタル35aは、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC間で連続して形成されている。
なお、図5(b)において、ビット線BLに沿った断面として3次元ReRAMを説明したが、ワード線WLに沿った断面においても、3次元ReRAMは同様の構造を有する。すなわち、ワード線WLに沿った断面では、ワード線WLの直上に形成されたメモリセルMCのダイオード34の一部、すなわち、第2不純物領域34b−2の一部およびバリアメタル35は、ワード線WL方向に隣接したメモリセルMC間で連続して形成されている。
[2−2.製造方法]
次に、第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。図6(a)乃至図9(a)は、第1の実施形態に係る3次元ReRAMの製造工程を示し、図6(b)乃至図9(b)は、図6(a)乃至図9(a)のビット線方向における断面図を示している。ここで、図5における第1不純物領域34−1および第2不純物領域34−2は省略している。また、ビット線BL1−1乃至1−5を形成するための層をビット線層BL1、バリアメタル35aを形成するための層をバリアメタル層35a、ダイオード34aを形成するための層をダイオード層34a、下部電極36aを形成するための層を下部電極層36a、可変抵抗素子33aを形成するための層を可変抵抗素子層33a、上部電極37aを形成するための層を上部電極層37aと称する。さらに、ワード線WL1乃至3を形成するための層をワード線層WL、バリアメタル35bを形成するための層をバリアメタル層35b、ダイオード34bを形成するための層をダイオード層34b、下部電極36bを形成するための層を下部電極層36b、可変抵抗素子33bを形成するための層を可変抵抗素子層33b、上部電極37bを形成するための層を上部電極層37b、ビット線BL2−1乃至2−5を形成するための層をビット線層BL2と称する。
次に、第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。図6(a)乃至図9(a)は、第1の実施形態に係る3次元ReRAMの製造工程を示し、図6(b)乃至図9(b)は、図6(a)乃至図9(a)のビット線方向における断面図を示している。ここで、図5における第1不純物領域34−1および第2不純物領域34−2は省略している。また、ビット線BL1−1乃至1−5を形成するための層をビット線層BL1、バリアメタル35aを形成するための層をバリアメタル層35a、ダイオード34aを形成するための層をダイオード層34a、下部電極36aを形成するための層を下部電極層36a、可変抵抗素子33aを形成するための層を可変抵抗素子層33a、上部電極37aを形成するための層を上部電極層37aと称する。さらに、ワード線WL1乃至3を形成するための層をワード線層WL、バリアメタル35bを形成するための層をバリアメタル層35b、ダイオード34bを形成するための層をダイオード層34b、下部電極36bを形成するための層を下部電極層36b、可変抵抗素子33bを形成するための層を可変抵抗素子層33b、上部電極37bを形成するための層を上部電極層37b、ビット線BL2−1乃至2−5を形成するための層をビット線層BL2と称する。
まず、図6(a)および(b)に示すように、セルアレイ22aを構成する層が堆積され、加工される。具体的には、ビット線層BL1、バリアメタル層35a、ダイオード層34a、下部電極層36a、可変抵抗素子層33aおよび上部電極層37aが順に積層される。その後、上部電極層37a上に図示せぬマスクが形成され、例えばRIEによりビット線BL方向に沿って、上部電極層37a、可変抵抗素子層33a、下部電極層36a、ダイオード層34a、バリアメタル層35aおよびビット線層BL1が一括加工されてワード線WL方向において分離される。これにより、ビット線BL1−1乃至1−5が形成される。その後、ワード線WL方向に分離された位置に層間絶縁膜40としてシリコン酸化膜が埋め込まれる。その結果、上部電極層37a、可変抵抗素子層33a、下部電極層36a、ダイオード層34a、バリアメタル層35aがワード線WL方向に層間絶縁膜40により分離される。その後、この層間絶縁膜40および上部電極層37a上にワード線層WLが形成される。
次に、図7(a)および(b)に示すように、ワード線層WL上に、セルアレイ22bを構成する層が堆積される。具体的には、バリアメタル層35b、ダイオード層34b、下部電極層36b、可変抵抗素子層33bおよび上部電極層37bが順に積層される。
次に、図8(a)および(b)に示すように、上部電極層37b上に図示せぬマスクが形成され、例えばRIEによりワード線WL方向に沿って、セルアレイ22bを構成する層、ワード線層WLおよびセルアレイ22aを構成する層が一括加工され、セルアレイ22b、セルアレイ22aの上部およびワード線WLの側面を露出する溝が形成される。具体的には、セルアレイ22bを構成する上部電極層37b、可変抵抗素子層33b、下部電極層36b、ダイオード層34b、バリアメタル層35bとワード線層WLとセルアレイ22aを構成する上部電極層37a、可変抵抗素子層33a、下部電極層36aとがビット線BL方向において分離される。このとき、図8(b)に示すように、メモリセルMC1のダイオード層34aは途中まで加工される。これにより、ワード線WL1乃至3およびメモリセルMC1が分離される。同時に、セルアレイ22bを構成する上部電極層37b、可変抵抗素子層33b、下部電極層36b、ダイオード層34b、バリアメタル層35bがビット線BL方向に分離される。また、メモリセルMC1のダイオード34aの下部側は、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間で連続して形成される。
次に、図9(a)および(b)に示すように、隣接したメモリセルMC1、ワード線WLおよびメモリセルMC2の間に、層間絶縁膜41としてシリコン酸化膜が形成される。その結果、それぞれワード線WL1乃至3およびメモリセルMC1が形成される。同時に、上部電極層37a、可変抵抗素子層33a、下部電極層36a、ダイオード層34a、バリアメタル層35aがビット線BL方向に層間絶縁膜40により分離される。その後、この層間絶縁膜41および上部電極層37b上にビット線層BL2が形成される。
次に、図5(a)および(b)に示すように、ビット線層BL2上に図示せぬマスクが形成され、例えばRIEによりビット線BL方向に沿って、ビット線層BL2およびセルアレイ22bを構成する層が一括加工され、セルアレイ22bの上部およびビット線BL2の側面を露出する溝が形成される。具体的には、ビット線層BL2とセルアレイ22bを構成する上部電極層37b、可変抵抗素子層33b、下部電極層36bとがワード線WL方向において分離される。このとき、メモリセルMC2のダイオード層34bは途中まで加工される。これにより、ビット線BL2およびメモリセルMC2が形成される。また、メモリセルMC2のダイオード34bの下部側は、ワード線WL方向に隣接したメモリセルMC2間で連続して形成される。
その後、隣接したメモリセルMC2、ビット線BLの間に、層間絶縁膜42としてシリコン酸化膜が形成される。その結果、それぞれビット線BL2−1乃至2−5およびメモリセルMC2が形成される。
[2−3.効果]
上記第1の実施形態によれば、クロスポイント型メモリセルを有する3次元ReRAMにおいて、ビット線BLの直上に形成されたメモリセルMCのダイオード34aの下側の一部は、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC間で連続して形成されている。また、ワード線WLの直上に形成されたメモリセルMCのダイオード34bの下側の一部は、ワード線WL方向に隣接したメモリセルMC間で連続して形成されている。すなわち、ダイオード34aの下面は、バリアメタル35aを介してビット線BL1の全面で電気的に接続され、ダイオード34bの下面は、バリアメタル35bを介してワード線WLの全面で電気的に接続されている。したがって、ダイオード34aとビット線BL1およびダイオード34bとワード線WLとの接触面積が大きくなる。これにより、微細化に伴って生じるダイオード34aとビット線BL1およびダイオード34bとワード線WLとの間の接触面積の低下による信頼性の劣化を抑制することができる。また、接触面積を大きくすることで、ダイオード34aとビット線BL1およびダイオード34bとワード線WLとの界面の電流密度の増加を抑制することができる。これにより、ダイオード34aとビット線BL1およびダイオード34bとワード線WLとの界面の破壊による劣化を抑制でき、信頼性を向上することができる。また、ダイオード電流の順方向における電流の増加にも効果的である。
上記第1の実施形態によれば、クロスポイント型メモリセルを有する3次元ReRAMにおいて、ビット線BLの直上に形成されたメモリセルMCのダイオード34aの下側の一部は、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC間で連続して形成されている。また、ワード線WLの直上に形成されたメモリセルMCのダイオード34bの下側の一部は、ワード線WL方向に隣接したメモリセルMC間で連続して形成されている。すなわち、ダイオード34aの下面は、バリアメタル35aを介してビット線BL1の全面で電気的に接続され、ダイオード34bの下面は、バリアメタル35bを介してワード線WLの全面で電気的に接続されている。したがって、ダイオード34aとビット線BL1およびダイオード34bとワード線WLとの接触面積が大きくなる。これにより、微細化に伴って生じるダイオード34aとビット線BL1およびダイオード34bとワード線WLとの間の接触面積の低下による信頼性の劣化を抑制することができる。また、接触面積を大きくすることで、ダイオード34aとビット線BL1およびダイオード34bとワード線WLとの界面の電流密度の増加を抑制することができる。これにより、ダイオード34aとビット線BL1およびダイオード34bとワード線WLとの界面の破壊による劣化を抑制でき、信頼性を向上することができる。また、ダイオード電流の順方向における電流の増加にも効果的である。
さらに、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法によれば、ビット線BLおよびワード線WLが形成される際、セルアレイ22を構成する積層膜が一括加工され、ダイオード34層の途中まで加工される。このダイオード層34aおよび34bの膜厚は比較的大きいため、セルアレイ22を構成する積層膜の膜厚の大部分を占める。したがって、ダイオード層34aおよび34bに対する加工を途中までにすることにより、加工部分のアスペクト比の低減を図ることができ、プロセスを容易にすることができる。
また、特にダイオードの逆方向特性を改善するためにn−層の膜厚が厚い。すなわち、半導体基板の基板面垂直方向において、第1不純物領域34a−1を第2不純物領域34a−2よりも上側に配置することにより、加工部分のアスペクト比の低減を効果的に図ることができる。
なお、本実施形態において、PINダイオードを例に説明したが、N−型の不純物領域の代わりにトンネル酸化膜を有するトンネルダイオードであっても同様に有効である。
<3.第2の実施形態>
第1の実施形態は、1回のドライエッチングにより、ワード線WLまたはビット線BLを加工し、隣接したメモリセルMC間でダイオードの一部が接続された構造が形成された。これに対し、第2の実施形態では、第1の実施形態によるドライエッチング加工後に、さらにスペーサプロセスを用いて追加加工を行う例である。なお、本実施形態において、第1の実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について詳説する。
第1の実施形態は、1回のドライエッチングにより、ワード線WLまたはビット線BLを加工し、隣接したメモリセルMC間でダイオードの一部が接続された構造が形成された。これに対し、第2の実施形態では、第1の実施形態によるドライエッチング加工後に、さらにスペーサプロセスを用いて追加加工を行う例である。なお、本実施形態において、第1の実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について詳説する。
[3−1.構造]
まず、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構造について説明する。
まず、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構造について説明する。
図10(a)は、本実施形態に係る3次元ReRAMの構成を示している。図10(b)は、図10(a)のビット線方向における断面図である。なお、ここでは、ダイオード34がPINダイオードの場合について説明するが、トンネルダイオードの場合でも同様に適用可能である。
図10(a)および(b)に示すように、本実施形態において第1の実施形態と異なる点は、ダイオード34aのビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間に、分離絶縁膜51が形成されている点である。この分離絶縁膜51は、隣接したメモリセルMC1間のビット線BL方向におけるほぼ中央部に形成されている。また、ワード線WL方向およびビット線BL方向において、分離絶縁膜51の幅は層間絶縁膜(素子分離層)41,42の幅よりも狭い。また、ワード線WL方向およびビット線BL方向において、分離絶縁膜51の中心部分は層間絶縁膜41の中心部分とほぼ一致している。
図10(b)の破線で示すように、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC間で電流が流れないように、少なくとも第1不純物領域34a−1の領域は、隣接したメモリセルMC1間で分離される必要がある。すなわち、分離絶縁膜51により第1不純物領域34a−1が分離されるため、分離絶縁膜51の下面Bは、少なくともn−層の上面より低く設定される。なお、n−層は不純物濃度が低いため、ビット線BL方向に隣接するメモリセルMC間を分離するために分離絶縁膜51の下面Bは、第2不純物領域34a−2の上面より低くすることが望ましい。
一方、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間における可変抵抗素子33a部分の間は、配線間耐圧を確保するため、十分大きくすることが望ましい。このため、分離絶縁膜51の上面Aは、下部電極36aの上面より低く設定されることが望ましく、分離絶縁膜51の上面Aは、ダイオード34aの上面より高く設定されることが望ましい。
なお、図10(b)において、ビット線BLに沿った断面として3次元ReRAMを説明したが、ワード線WLに沿った断面においても、3次元ReRAMは同様の構造を有する。
[3−2.製造方法]
次に、第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。図11および図12は、第2の実施形態に係る3次元ReRAMの製造工程のビット線方向における断面図を示している。
次に、第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。図11および図12は、第2の実施形態に係る3次元ReRAMの製造工程のビット線方向における断面図を示している。
まず、本実施形態では、第1の実施形態における図6乃至図8の工程が行われ、後に層間絶縁膜41が形成される溝が形成される。ここで、本実施形態では、図8に示す加工工程(第1加工工程)により、溝は少なくとも下部電極層36aの上面より低くまで加工されればよい。すなわち、メモリセルMC1間において、下部電極層36aの下部側は連続して形成されていてもよいが、可変抵抗素子層33aまでは分離される必要がある。
次に、図11に示すように、スペーサプロセスを用いてメモリセルMC1、ワード線WLおよびメモリセルMC2の露出された全面に、例えばシリコン酸化膜50が形成される。その後、異方性エッチングにより、溝の底部およびメモリセルMC2の上面に形成されたシリコン酸化膜50が除去される。その結果、メモリセルMC1、ワード線WLおよびメモリセルMC2の側面のみに、シリコン酸化膜50が形成される。
次に、図12に示すように、シリコン酸化膜50をマスクとして、例えばRIEにより第2加工工程が行われる。この第2加工工程により、ダイオード34aのメモリセルMC1間における中央部に、後に分離絶縁膜51が形成される微細な溝が形成される。この第2加工工程では、後に形成される分離絶縁膜51(微細な溝)の底面が第1不純物領域34a−1の下面、好ましくはn−層の下面(第2不純物領域34a−2の上面)以下になるように加工されればよい。
次に、メモリセルMC1およびメモリセルMC2の間(溝および微細な溝)に、層間絶縁膜41および分離絶縁膜51として例えばシリコン酸化膜が形成される。その後、層間絶縁膜41および上部電極層37b上にビット線層BL2が形成される。このとき、シリコン酸化膜50をマスクとして分離絶縁膜51の加工を行うため、ビット線BL方向において、分離絶縁膜51の幅は層間絶縁膜41の幅よりも狭くなる。
次に、図10に示すように、ビット線層BL2上に図示せぬマスクが形成され、例えばRIEによりビット線BL方向に沿って、ビット線BL層2、上部電極層37b、可変抵抗素子層33b、下部電極層36bおよびダイオード層34bが加工される(第1加工工程)。その後、スペーサプロセス、および第2加工工程が行われ、ビット線BL2およびメモリセルMC2が形成される。
[3−3.効果]
上記第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
上記第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、本実施形態では、第1加工工程を行った後に、スペーサプロセスにより側壁マスクを形成し、第2加工工程が行われる。この第2加工工程により、ダイオード34aのメモリセルMC間に分離絶縁膜51が形成される。この分離絶縁膜51の下面はn−層の上面より低くなるように形成される。すなわち、第1加工工程だけではなく、第2加工工程も行うことで、第1不純物領域34a−1分断する確実性が高くなる。このため、隣接したワード線WL間(またはビット線BL間)で電流が流れないようにすることができる。これにより、ダイオードとしての機能を損なうことなく、信頼性の向上を図ることができる。
また、ワード線WL方向およびビット線BL方向において、分離絶縁膜51の幅は層間絶縁膜41の幅よりも狭い。すなわち、ダイオード34a、34bの上部分(第1不純物領域34a−1、34b−1)の幅を太くすることができる。その結果、メモリセルMCに流れる電流をさらに大きくすることができる。特に、分離絶縁膜51の上面が下部電極36a中に有る場合、ワード線WL方向およびビット線BL方向においてダイオード34a、34bの上部分(第1不純物領域34a−1、34b−1)は狭い幅の分離絶縁膜51のみで分離されるため、ダイオード34a、34bの上部分(第1不純物領域34a−1、34b−1)の幅を太くすることができる。
また、分離絶縁膜51の下面を第2不純物領域34−2の上面より低くすることにより、隣接するメモリセルMC間の電気的な分離を確実にすることができる。
また、本実施形態では、第1加工工程を下部電極36aの途中まで行い、その後第2加工工程をダイオード34aの途中まで行うことも可能である。これにより、下部電極36aの下部側からダイオード34aにかけて微細な分離絶縁膜51が形成されることになる。したがって、下部電極36aとダイオード34aとの界面における接触面積が大きくなるため、信頼性を向上することができる。
また、第2加工工程において、可変抵抗素子層33aの側面はシリコン酸化膜50に覆われている。したがって、分離絶縁膜51の加工時における加工ダメージが可変抵抗素子層33aに加わらない。結果、可変抵抗素子層33aの膜質を向上させることができる。
<4.第3の実施形態>
第2の実施形態は、第1の実施形態によるドライエッチング加工(第1加工)後に、スペーサプロセスを用いて追加加工(第2加工)を行った。これに対し、第3の実施形態では、第1加工後にスペーサプロセスを用いてイオン注入工程を行う例である。なお、本実施形態において、上記実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について詳説する。
第2の実施形態は、第1の実施形態によるドライエッチング加工(第1加工)後に、スペーサプロセスを用いて追加加工(第2加工)を行った。これに対し、第3の実施形態では、第1加工後にスペーサプロセスを用いてイオン注入工程を行う例である。なお、本実施形態において、上記実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について詳説する。
[4−1.構造]
まず、本発明の第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構造について説明する。
まず、本発明の第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構造について説明する。
図13は、本実施形態に係る3次元ReRAMのビット線BL方向における断面図を示している。
図13に示すように、本実施形態において上記実施形態と異なる点は、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1のダイオード34aの上部間に、N+型の第3不純物領域60が形成されている点である。この第3不純物領域60は、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間のビット線BL方向におけるほぼ中央部に形成されている。
図13の破線で示すように、隣接したワード線WL間で電流が流れないように、少なくとも第1不純物領域34a−1は、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間で分離される必要がある。すなわち、N+型の第3不純物領域60によりP+型の第1不純物領域34a−1が電気的に分離される。このため、第3不純物領域60の下面Dは、少なくとも第1不純物領域34a−1の下面より低く設定される。また、第3不純物領域60の下面Dは、バリアメタル35aと接していても良い。
なお、n−層は不純物濃度が低いため、ビット線BL方向に隣接するメモリセルMC間を分離するために第3不純物領域60の下面Dは、第2不純物領域34a−2の上面より低くすることが望ましい。
一方、隣接したメモリセルMC1間で第3不純物領域60を形成することにより電気的に分離できるのはダイオード34aのみである。すなわち、下部電極36aまでは加工により分離される必要がある。このため、第3不純物領域60の上面Cは、層間絶縁膜41の底面に接続されるように形成される。
[4−2.製造方法]
次に、第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。図14は、第3の実施形態に係る3次元ReRAMの製造工程のビット線方向における断面図を示している。
次に、第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。図14は、第3の実施形態に係る3次元ReRAMの製造工程のビット線方向における断面図を示している。
まず、本実施形態では、第1の実施形態における図6乃至図8の工程が行われる。ここで、本実施形態では、図8に示す加工工程(第1加工工程)により、少なくともダイオード34層における第1不純物領域34a−1の上面まで加工されればよい。すなわち、メモリセルMC1間において、第1不純物領域34−2の下部側は連続して形成されていてもよいが、下部電極層36aまでは分離される必要がある。
次に、第2の実施形態における図11に示すように、スペーサプロセスを用いてメモリセルMC1、ワード線WLおよびメモリセルMC2の側面のみに、例えばシリコン酸化膜50が形成される。
次に、図14に示すように、シリコン酸化膜50をマスクとして、イオン注入法によりN+型の第3不純物領域60が形成される。この第3不純物領域60は、メモリセルMC1間のダイオード34aのほぼ中央部に形成される。また、第3不純物領域60の下面は、第2不純物領域34a−2の上面よりも低くなるように形成される。
次に、メモリセルMC1およびメモリセルMC2の間に層間絶縁膜41として例えばシリコン酸化膜が形成され、この層間絶縁膜41および上部電極層37b上にビット線層BL2が形成される。
次に、同様に、ビット線層BL2上に図示せぬマスクが形成され、例えばRIEによりビット線BL方向に沿って、ビット線層BL2、上部電極層37b、可変抵抗素子層33b、下部電極層36bおよびダイオード層34bが加工される(第1加工工程)。その後、スペーサプロセス、およびイオン注入工程が行われ、ビット線BL2およびメモリセルMC2が形成される。なお、図示は省略するが、ダイオード層34bはダイオード層34aとは反対の構造(上側からN+型、N−型、P+型)を有するため、ダイオード層34bにはP+型の第3不純物領域が形成される。すなわち、第3不純物領域は、第1不純物領域とは反対の導電型を有する。
なお、スペーサプロセスは省略することも可能である。この場合、第1加工工程後にイオン注入工程が行われる。
[4−3.効果]
上記第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
上記第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、本実施形態では、第1加工工程を行った後に、スペーサプロセスを用いて側壁マスクを形成し、イオン注入工程が行われる。このイオン注入工程により、ダイオード34aのメモリセルMC間に第3不純物領域60が形成される。すなわち、第1加工工程だけではなく、イオン注入工程も行うことで、第1不純物領域34a−1の領域を電気的に分断することができ、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMCのワード線WL間(メモリセルMCがワード線WL方向に隣接する場合はビット線BL間)で電流が流れないようにすることができる。これにより、第2の実施形態と同様に、ダイオードとしての機能を損なうことなく、信頼性の向上を図ることができる。
また、本実施形態では、イオン注入により第3不純物領域60を形成することで、隣接したメモリセルMC間における第1不純物領域34a−1の領域を分離する。このイオン注入による第3不純物領域60は、第2の実施形態における第2加工工程による微細な分離絶縁膜51よりも容易に形成することができ、プロセスのばらつきが少ない。このため、第2の実施形態よりも、メモリセルMC間における第1不純物領域34a−1の領域の分離の確実性が高くなる。さらに、本実施形態では、第2の実施形態における分離絶縁膜51のような微細な部分がないため、後に形成される層間絶縁膜の埋め込み工程が容易になる。
また、第3不純物領域60の下面をn−層の下面以下にすることにより、ダイオード34aのN−領域まで電気的に分離することができる。その結果、ワード線WLまたはビット線BL方向に隣接するメモリセルMC間の素子分離特性を向上させることができる。
<5.第4の実施形態>
第4の実施形態は、第2および第3の実施形態の変形例であり、第1加工工程後に第2加工工程を行い、その後イオン注入工程を行う例である。なお、本実施形態において、上記実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について詳説する。
第4の実施形態は、第2および第3の実施形態の変形例であり、第1加工工程後に第2加工工程を行い、その後イオン注入工程を行う例である。なお、本実施形態において、上記実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について詳説する。
[5−1.構造]
まず、本発明の第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構造について説明する。
まず、本発明の第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構造について説明する。
図15は、本実施形態に係る3次元ReRAMのビット線方向における断面図を示している。
図15に示すように、本実施形態において上記実施形態と異なる点は、ダイオード34aのビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間に、分離絶縁膜51が形成され、この分離絶縁膜51の下部にN+型の第3不純物領域60が形成されている点である。これら分離絶縁膜51および第3不純物領域60は、ビット線BL方向に隣接したメモリセルMC1間のビット線BL方向におけるほぼ中央部に形成されている。また、ビット線BL方向において、分離絶縁膜51の幅は層間絶縁膜41の幅よりも狭い。
図15の破線で示すように、ビット線BL方向に隣接したワード線WL間で電流が流れないように、少なくとも第1不純物領域34a−1の領域は、隣接したメモリセルMC1間で電気的に分離される必要がある。すなわち、N+型の第3不純物領域60によりP+型の第1不純物領域34a−1の領域が分離されるため、第3不純物領域60の下面Gは、少なくとも第1不純物領域34a−1の下面より低く設定される。なお、n−層は不純物濃度が低いため、ビット線BL方向に隣接するメモリセルMC間を分離するために第3不純物領域60の下面Gは、第2不純物領域34a−2の上面より低くすることが望ましい。
また、隣接したメモリセルMC1間で第3不純物領域60を形成することにより電気的に分離できるのはダイオード34aのみである。このため、第3不純物領域60の上面F(分離絶縁膜51の下面)は、ダイオード34aの上面(下部電極36aの下面)よりも低く設定される。
一方、ビット線方向に隣接したメモリセルMC1間における可変抵抗素子33部分の間は、配線間耐圧を確保するため、十分大きくしなければいけない。このため、分離絶縁膜51の上面Eは、少なくとも下部電極36aの上面より低く設定される。[5−2.製造方法]
次に、第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。図16および図17は、第4の実施形態に係る3次元ReRAMの製造工程のビット線方向における断面図を示している。
次に、第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。図16および図17は、第4の実施形態に係る3次元ReRAMの製造工程のビット線方向における断面図を示している。
まず、本実施形態では、第1の実施形態における図6乃至図8の工程が行われる。このとき、図8に示す加工工程(第1加工工程)では、少なくとも下部電極層36aの上面まで加工されればよい。
次に、図11に示すように、スペーサプロセスを用いてメモリセルMC1、ワード線WLおよびメモリセルMC2の側面のみに、例えばシリコン酸化膜50が形成される。
次に、図16に示すように、シリコン酸化膜50をマスクとして、例えばRIEにより第2加工工程が行われる。この第2加工工程により、ダイオード34aのメモリセルMC1間における中央部に、溝が形成される。この第2加工工程では、少なくとも溝の底部がダイオード34層aにおける第1不純物領域34a−1の上面以下になるように加工されればよい。すなわち、分離絶縁膜51の下面は、第1不純物領域34a−1の上面よりも低くなるように形成される。
次に、図17に示すように、シリコン酸化膜50をマスクとして、イオン注入法により分離絶縁膜51の下部にN+型の第3不純物領域60が形成される。この第3不純物領域60の下面は、少なくとも第1不純物領域34a−1の上面よりも低くなるように形成される。なお、メモリセルMC1の分離の点から第3不純物領域60の下面は第2不純物領域34a−2の上面よりも低くなるように形成されるのが望ましい。
次に、メモリセルMC1およびメモリセルMC2の間に層間絶縁膜41として例えばシリコン酸化膜が形成され、この層間絶縁膜41および上部電極層37b上にビット線層BL2が形成される。また、ビット線BL方向において、分離絶縁膜51の幅は層間絶縁膜41の幅よりも狭くなる。
次に、同様に、図15に示すように、ビット線層BL2上に図示せぬマスクが形成され、例えばRIEによりビット線BL方向に沿って、ビット線層BL2、上部電極層37b、可変抵抗素子層33b、下部電極層36bおよびダイオード層34bが加工される(第1加工工程)。その後、スペーサプロセス、第2加工工程、およびイオン注入工程が行われ、ビット線BL2およびメモリセルMC2が形成される。
[5−3.効果]
上記第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
上記第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、本実施形態では、第1加工工程を行った後に、スペーサプロセスを用いて側壁マスクを形成し、第2加工工程およびイオン注入工程が行われる。これにより、ダイオード34aのメモリセルMC間に分離絶縁膜51が形成され、この分離絶縁膜51の下部に第3不純物領域60が形成される。すなわち、第1加工工程だけではなく、第2加工工程、さらにイオン注入工程も行うことで、ダイオード34aの第1不純物領域34a−1およびN−型の領域を分断する確実性が高くなる。これにより、ダイオードとしての機能を損なうことなく、第2および第3の実施形態よりもさらに信頼性の向上を図ることができる。
また、ワード線WL方向およびビット線BL方向において、分離絶縁膜51の幅は層間絶縁膜41の幅よりも狭い。ここで、分離絶縁膜51の上面が下部電極36a中にある場合、ワード線WL方向およびビット線BL方向においてダイオード34a、34bの上部分(第1不純物領域34a−1、34b−1)は狭い幅の分離絶縁膜51のみで分離されるため、ダイオード34a、34bの上部分(第1不純物領域34a−1、34b−1)の幅を太くすることができる。
さらに、分離絶縁膜51のみを用いてビット線方向に隣接したメモリセルMC1間を電気的に分離する場合、分離絶縁膜51の上面が下部電極36a中にあると分離絶縁膜51の底面を深く加工する必要がある。しかし、本実施形態では、分離絶縁膜51に加えて第3不純物領域60を用いてビット線方向に隣接したメモリセルMC1間を電気的に分離することができる。よって、分離絶縁膜51の底面は下部電極36aの下面より低くすればよく、分離絶縁膜51の加工が容易になる。
その他、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。また、各実施形態中のP型とN型は入れ替えることが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
33a,33b…可変抵抗素子、34a,34b…ダイオード、34a−1,34b−1…第1不純物領域、34a−2,34b−2…第2不純物領域、36a,36b…下部電極、37a,37b…上部電極、40,41,42…層間絶縁膜(素子分離層)、51…分離絶縁膜、60…第3不純物領域、WL…ワード線、BL…ビット線、MC…メモリセル。
Claims (8)
- 互いに交差する複数の第1配線および複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との各交差部に配置された複数のメモリセルと、を具備する不揮発性半導体記憶装置であって、
複数の前記メモリセルのそれぞれは、
前記第1配線に接続された整流素子と、
前記整流素子上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された可変抵抗素子と、
前記可変抵抗素子上に形成され、前記第2配線に接続された上部電極と、
を有し、
前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセルの前記整流素子の一部は、接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記整流素子は、前記下部電極に接続された第1導電型の第1不純物領域と前記第1配線に接続された第2導電型の第2不純物領域とで構成され、
前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセルの前記第1不純物領域は、電気的に分離されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセル間に形成された素子分離層をさらに具備し、
前記素子分離層の底面は、前記第1不純物領域の下面よりも低いことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセル間に形成された素子分離層と、
前記素子分離層の下に形成され、幅が前記素子分離層の幅よりも狭い分離絶縁膜と、
をさらに具備し、
前記分離絶縁膜の下面は、前記第1不純物領域の下面よりも低いことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記分離絶縁膜の上面は、前記第1不純物領域の上面よりも高いことを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセル間に形成された素子分離層と、
前記素子分離層の下に形成された前記第2導電型の第3不純物領域と、
をさらに具備し、
前記第3不純物領域の上面は前記第1不純物領域の上面より低く、前記第3不純物領域の下面は前記第1不純物領域の下面より低いことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1配線方向に隣接した複数の前記メモリセル間に形成された素子分離層と、
前記素子分離層の下に形成され、幅が前記素子分離層の幅よりも狭い分離絶縁膜と、
前記分離絶縁膜の下に形成された前記第2導電型の第3不純物領域と、
をさらに具備し、
前記分離絶縁膜の下面は前記第1不純物領域の上面よりも低く、前記第3不純物領域の下面は前記第1不純物領域の下面より低いことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記分離絶縁膜の上面は、前記第1不純物領域の上面よりも高いことを特徴とする請求項7に記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009214806A JP2011066149A (ja) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | 不揮発性半導体記憶装置 |
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JP2011066149A true JP2011066149A (ja) | 2011-03-31 |
Family
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JP (1) | JP2011066149A (ja) |
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KR20200032922A (ko) * | 2018-09-19 | 2020-03-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 페리-언더-셀 구조의 메모리 장치 |
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2009
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