JPWO2005098952A1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
次にこのメモリの動作原理を簡単に説明する。相変化メモリは、結晶状態により抵抗値が異なるカルコゲナイドという材料を記憶ノードとして用いる。カルコゲナイドはDVDやCDの媒体に用いられている材料であり、少なくともアンチモン(Sb)とテルル(Te)を含むGe−Sb−Te系やAg−In−Sb−Te系などがその代表である。基本的なメモリセルは、選択トランジスタとカルコゲナイドから構成されており、所謂DRAMセルと類似しており、キャパシタをカルコゲナイドに置き換えたものとみなすことができる。カルコゲナイドは、その結晶状態が単結晶かアモルファスかで、その抵抗値が10〜10000倍程度異なる。この違いを利用して、固体メモリにするものである。不揮発メモリとして注目をあびているMRAM(Magnetic RAM)の場合、抵抗の変化率は40%程度であるので、相変化メモリの方がはるかに大きく、データのセンシングが容易である。
本実施例では、図1に示したメモリアレイの製造方法を、その製造工程をたどりながら詳細に説明する。尚、図面はすべて、メモリアレイ部のみを示している。まず始めに、図5の上面図に示すような、素子分離領域(6)を形成する。このために通常のホトリソグラフィ及びドライエッチにより、シリコン基板にトレンチ溝を形成する。続いて、通常の製造方法により、CMOSウエルを形成する。メモリアレイ部においては、n型ウエルを形成する。さらに、図1のメモリアレイ実現のため、ビット線と並行方向にセルアレイの基板電位を分離する。このために、通常のホトリソグラフィプロセスにより、メモリアレイ部のみ開口、さらには不純物注入法により、素子形成領域(7)の直下に、p型不純物拡散層領域(8)を形成する。図6には、図5におけるAA部の断面構造を示す。不純物注入領域(8)を素子分離(6)の深さよりも浅くすることにより、素子分離領域(6)を利用して自己整合的に、アレイの基板電位を分離することが可能となっている。従って、本実施例によれば、合わせを確保するためにビット線の間隔を広げる必要がなく、結果としてメモリセル面積が増大することが無いという特長を有する。
次に、前述の書き込み方式の変形例について図19を用いて説明する。前述の書き込み方式では、書き込みデータに従って、基板ノードの書き込み設定電圧を変えていたが、図19では、書き込みデータに従って、ソース線の書き込み設定電圧を変えているのが特徴である。
次に、本書き込み方式の変形例として、ビット線上のメモリセルのデータを順々に、バースト書き込みを行う動作について図20を用いて説明する。ビット線、ワード線、ソース線、基板ノードの待機状態、書き込み選択状態、書き込み非選択状態の電圧は、図19と同様である。図では、ビット線BL1上のメモリセルMC11とMC21・・・に書き込み、次にビット線BL2上のメモリセルに書き込む動作を示している。前述の図19の1つのメモリセルに書き込む例と同様に、はじめに、書き込みコマンドが入力されるとすべてのメモリセルの基板電位SUB1,SUB2,・・・が待機状態の電圧から書き込み非選択時の電圧に設定され、メモリセルのソースノードに接続されているソース線SL1,SL2,・・・が待機状態の電圧から書き込み非選択時の電圧に設定される。次に、書き込みビット線BL1が待機状態の電圧から書き込み選択状態の電圧に設定される。次に、書き込み選択基板ノードSUB1が書き込み非選択状態の電圧から書き込み選択状態の電圧に設定される。次に書き込むメモリセルの接続されているワード線が駆動される。例えば、図20では、メモリセルMC11のカルコゲナイド膜を低抵抗化あるいは高抵抗化する動作を行っている。まず、ワード線WL1が待機状態の電圧から、書き込み選択状態の電圧に設定される。次に、これに従って、ソース線SL1が書き込みデータに従って駆動される。ここでは、書き込みデータがカルコゲナイド膜を高抵抗にする場合であるため、非選択状態の電圧からリセット書き込み電圧に設定される。基板ノードSUB1には、所望の電圧が所望の期間印加され、カルコゲナイド膜には書き込みに必要な電流が流される。その後、書き込み非選択状態の電圧に設定される。次に、同一ビット線BL1上のメモリセルMC21に書き込む動作を行う。先ほどのメモリセルMC11への書き込み動作でのワード線WL1とソース線SL1と同様に、ワード線WL2が待機状態の電圧から書き込み選択状態の電圧に設定され、ソース線SL2が書き込みデータに従ってセット書き込み電圧あるいはリセット書き込み電圧に設定され、カルコゲナイド膜に電流を流す。所望の期間、電流を流した後、ソース線SL2は書き込み選択状態から非選択状態へ設定される。これと同様にして、同一ビット線BL1上のメモリセルの書き込み動作を順次行う。ビット線BL1への書き込み動作が終了した時点で、書き込み選択基板ノードSUB1が書き込み選択状態の電圧から、書き込み非選択状態の電圧に設定される。その後、ビット線BL1が書き込み選択状態の電圧から待機状態の電圧に設定される。続いて、別のビット線、例えばビット線BL2上のメモリセルに書き込む動作が行われた場合について説明する。ビット線BL1が待機状態になった後、次に書き込み選択ビット線となったビット線BL2が待機状態の電圧から書き込み選択状態の電圧に設定される。その後、書き込み選択ビット線に対応した基板ノードSUB2が書き込み非選択状態の電圧から書き込み選択状態の電圧に設定される。これに続いて、先ほどのビット線BL1上のメモリセルへの書き込み動作と同様に、書き込みメモリセルの接続されるワード線とそれに対応するソース線が書き込みデータに従って、順々に駆動される。これによって、書き込み選択ビット線BL2上のメモリセルへの書き込み動作が行われる。ビット線BL2への書き込み動作が終了すると、前述のビット線BL1の場合と同様に、書き込み選択基板ノードSUB2が書き込み選択状態の電圧から、書き込み非選択状態の電圧に設定され、ビット線BL2が書き込み選択状態から待機状態に設定される。図では、ここで、書き込み動作が終了する場合について示している。ビット線BL2が待機状態に設定された後、すべての基板ノードSUB1,SUB2,・・・は書き込み非選択状態の電圧から待機状態の電圧に設定される。これと同時に、すべてのソース線SL1,SL2,・・・は書き込み非選択状態の電圧から、待機状態の電圧に設定される。図20では、図19に比べてビット線上のメモリセルを順々に書き換える際に、書き込みサイクルを短くでき、さらに、複数のビット線について順々に書き換える動作でも書き込みサイクルを短くでき、高速な書き込み動作を実現できる。また、同時に、書き込み1セル毎にビット線、基板ノードを駆動しないため、消費電力を低減できる効果もある。
本実施例は、ノイズ耐性に優れる、相変化メモリアレイを実現する方法に関するものである。この目的のために、DRAMで通常用いられている、折り返しビット線構成(2交点メモリアレイ)を採用する。製造工程は実施例1とほぼ同様である。また、実施例1で述べた、ゲート電極による素子分離も本実施例において用いている。以下に、本実施例の製造方法を図面を用いて説明する。素子分離形成からワード線電極形成、更には不純物拡散層形成までは、即ち、図5〜7までは実施例1と同様である。層間膜を形成し平坦化した後、SL線接続のための、コンタクト孔を開口する。さらに、導電プラグ(12)形成を目的とし、タングステンを200nm堆積し、通常のCMPプロセスにより平坦化し、図22のようになる。図8との比較から明らかなように、プラグ位置が、実施例1とは異なる。
次に、カルコゲナイド(101)を50nm堆積し、さらにはSL線となるタングステン(14)を100nm堆積する。続いて、通常のリソグラフィ及びドライエッチによりカルコゲナイド(101)とタングステン(14)の積層膜を加工し、上面図は図23のようになった。
実施例1および2では通常の浅溝素子分離とフィールドプレートによる素子分離との組み合わせにより、素子分離を行った。本実施例は通常の浅溝素子分離のみを用いたものである。本実施例によれば、素子分離用にゲート電界を用いない結果として、ワード系の制御が容易になるという特長がある。以下、図面を用いて説明する。P型基板を用い、メモリセルアレイ部にはN型ウエルを形成する。続いて、通常のCMOSプロセスにより図26に示すような素子分離領域を形成する。次に、基板電位をビット線と並行方向に分離するために、図27に示すようなレジストパタンをマスクにP型不純物注入を行う。この時の図27における、AA部の断面図を図28に示す。素子分離領域(6)よりも拡散層を深く形成しなければならない点が、実施例1の図6とは異なる。以降は、実施例1と同様な製造工程を経る。本実施例の場合、自己整合的に基板電位を分離することができないため、セル面積が増大するという欠点があるが、ワードの制御が単純化されるので設計が容易になり、歩留まりを向上させるという特長がある。
実施例1-3においては、ビット線をカルコゲナイド加工の後に形成した。本実施例においては、ビット線をカルコゲナイド加工の前に形成するものである。本実施例には、ビット線がカルコゲナイドにつながるプラグによりシールドされるので、ビット線間容量が低減されるという効果がある。以下、図面を用いて説明する。尚、本実施例においては、実施例1と同様にゲート電界を用いた素子分離形成を採用している。ワード線(11,1101)形成までは、実施例1と同様である。次にビット線の形成を行う。このために、図29に示すような、楕円形状のプラグを形成する。次に、BL線となるタングステン(1401)を100nm堆積する。さらに、通常のリソグラフィ及びドライエッチによりとタングステン(1401)を加工し、上面図は図30のようになる。さらに層間絶縁膜を形成した後、ソース線接続のために、タングステンからなるコンタクトプラグ(12)を形成し、図31のようになる。ビット線プラグ(1201)を楕円形状とし、ビット線(1401)の配置をずらすことにより、ソース線用のコンタクトプラグ(12)画形成可能となった。続いて、カルコゲナイド(101)を50nm堆積し、さらにはSL線となるタングステン(14)を100nm堆積する。続いて、通常のリソグラフィ及びドライエッチによりカルコゲナイド(101)とタングステン(14)の積層膜を加工し、上面図は図32のようになった。図33には図32中BB部分の断面図を示す。ここから明らかなように、ビット線(1401)はプラグ電極(12)によりシールドされる構造となる。これは、ビット線間容量の低減に効果的である。この後、多層配線プロセスを施し所望の半導体装置を得た。
実施例1-4においては、カルコゲナイドはソース線と積層になり、ワード線方向につながっていた。本実施例においては、カルコゲナイドをセル毎に分離することにより、隣接セル間の熱によるディスターブを防止するものである。以下、図面を用いて説明する。
ソース線接続のための、プラグ形成まで(図9)は、実施例1と同様な製造工程を経る。続いて、カルコゲナイド(101)を50nm堆積し、さらにはSL線となるタングステン(14)を100nm堆積する。続いて、通常のリソグラフィ及びドライエッチによりカルコゲナイド(101)とタングステン(14)の積層膜を、セル毎に分離するように加工し、上面図は図34のようになった。次に層間絶縁膜(1302)としてシリコン酸化膜を200nm堆積し、CMP法により平坦化を行い、タングステン電極(14)を露出させる。続いて、膜厚200nmのタングステン(15)を堆積し、通常のリソグラフィ及びドライエッチにより加工し、上面図は図35のようになる。 次に、ビット線の形成を行う。ソース線形成時と同様に、層間絶縁膜形成のために、シリコン酸化膜を500nm堆積し、通常のCMPプロセスにより平坦化を行う。さらに、導電プラグ(1201)形成を目的とし、コンタクト開口し、タングステンを200nm堆積し、通常のCMPプロセスにより平坦化する。次に、ビット線となるタングステン(1401)を100nm堆積する。続いて、通常のリソグラフィ及び
ドライエッチによりとタングステン(1401)を加工し、断面図は図37のようになる。この後、多層配線工程を施し、所望の半導体装置を得た。
2…シリコン基板、
3…不純物拡散層、
4, 5…導電プラグ、
6…素子分離領域、
7…トランジスタ形成領域、
8…p型拡散層領域、
9…n型拡散層領域、
10…ホトレジスト、
11,1101…ワード線、
12,1201…導電プラグ、
13,1301,1302…層間絶縁膜、
14,15,1401…タングステン、
20…トランジスタ。
Claims (19)
- 複数のワード線と、絶縁層を介して前記ワード線と少なくとも一方が交差する複数の第1及び第2の配線と、
前記ワード線と前記配線の交点に設けられたメモリセルを複数有する半導体記憶装置において、
前記メモリセルは、トランジスタと、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に接続された記憶部とを備え、
前記ワード線と交差する方向に隣接して設けられた前記トランジスタのソースまたはドレインが形成されている基板が電気的に接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記記憶部は、少なくともTe(テルル)を含有する材料からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板上に形成された複数のワード線と、絶縁層を介して前記ワード線と少なくとも一方が交差する複数の第1及び第2の配線と、前記ワード線と前記配線の交点に設けられたメモリセルを複数有する半導体記憶装置において、
前記メモリセルは、前記半導体基板に形成されたトランジスタと、前記トランジスタの上方に配置され前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に接続された抵抗値が電気的に可変な材料からなる記憶部とを備え、
前記ワード線と交差する方向に隣接して設けられた前記トランジスタは、前記半導体基板に形成された拡散層からなるソースおよびドレインを有し、前記ソースおよびドレインは電気的に接続されている導電層に形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記複数の第1の配線は、前記ワード線と交差する方向に配置されて前記トランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続され、前記複数の第2の配線は、前記ワード線と平行方向に配置されて前記記憶部を介して、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または3に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルへのデータの書き込み時には、セルを選択して前記第2の配線と前記選択されたトランジスタのソースまたはドレインが形成されている基板間においてデータ書き込みを行い、読み出し時には、セルを選択して前記ワード線と前記第1の配線間においてデータ読み出しを行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルへのデータの書き込み時には、前記トランジスタのソースまたはドレインが形成されている拡散層と前記基板との間に形成される接合に対し、順方向電圧が印加されるように前記基板と前記第2の配線間に電圧を印加することを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルへのデータの書き込み時には、前記トランジスタのソースおよびドレイン間に電流を流すことなく、前記トランジスタのソースまたはドレインのいずれか一方の拡散層から前記記憶部分へ電流を流すことによりデータの書き込みを行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルへのデータの書き込み時には、前記トランジスタのソースおよびドレイン間に電流を流すことなく、前記トランジスタのソースまたはドレインのいずれか一方の拡散層から前記記憶部へ電流を流すことによりデータの書き込みを行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板上に前記トランジスタを形成する素子形成領域と前記トランジスタ間を電気的に分離する素子分離領域とが前記ワード線と交差する方向に延在し、それぞれの領域が交互に配置されていることを特徴とする請求項1または3に記載の半導体記憶装置。
- 前記トランジスタのソースおよびドレインの拡散層が形成されている導電層の深さは、前記素子分離領域の深さよりも浅く形成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体記憶装置。
- 前記ワード線と平行して隣接する前記メモリセル間に設けたワード線を用いて、前記素子形成領域に隣接して形成された前記トランジスタを電気的に分離することを特徴とする請求項9に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルは、1つのセンスアンプに並列に接続されたビット線ペアが複数組配設されてなる折り返しビット線型に配置されていることを特徴とする請求項1、3、5、7、8、および11のいずれか一に記載の半導体記憶装置。
- ワード線と、ビット線と、
前記ワード線と前記ビット線の交点に配置されたトランジスタと、
前記トランジスタに接続された記憶部からなるメモリセルとを有する半導体装置において、
待機時に前記ワード線は第1電圧に設定され、
前記メモリセルに書き込みを行う際に、前記ワード線は第2電圧に設定され、
前記メモリセルを読出す際に、前記ワード線は第3電圧設定され、
前記第1電圧は、前記第2電圧より高く、前記第3電圧より低いことを特徴とする半導体記憶装置。 - ワード線と、ビット線と、
前記ワード線と前記ビット線の交点に配置されたトランジスタと、
前記トランジスタに接続された記憶部からなるメモリセルとを有する半導体装置において、
待機時に前記ワード線は第1電圧に設定され、
前記メモリセルに書き込みを行う際に、前記ワード線は第2電圧に設定され、
前記メモリセルを読出す際に、前記ワード線は第3電圧設定され、
前記第2電圧は、前記第1電圧より高く、前記第3電圧より低いことを特徴とする半導体記憶装置。 - 複数のワード線と、前記複数のワード線に交差する複数のビット線と、
前記複数のワード線にゲートがそれぞれ接続される複数のトランジスタと、
前記ビット線に接続され、前記複数のトランジスタのソースまたはドレインの拡散層の一方に接続される基板ノード線と、
前記ワード線と前記ビット線の所定の交点に配置され、前記トランジスタに接続された記憶部を含む複数のメモリセルとからなり、
待機時に、前記基板ノード線は第1電圧に設定され、
書き込み動作において前記メモリセルが選択時に前記基板ノード線は、第2電圧に設定され、
書き込み動作において前記メモリセルが非選択時に前記基板ノードは、第3電圧に設定され、
前記第1電圧は、前記第2電圧より高く前記第3電圧より低いことを特徴とする半導体記憶装置。 - 複数のワード線と、前記複数のワード線に交差する複数のビット線と、
前記複数のワード線と前記複数のビット線の所定の交点に配置され、トランジスタと前記トランジスタに接続された記憶部を含むメモリセルと、
前記トランジスタのゲートが前記ワード線の一つに接続され、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方が前記複数のビット線の一つに接続され、
前記ワード線に平行して配置され、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方に接続される共通ソース線とからなり、
待機時に、前記共通ソース線は第1電圧に設定され、
書き込み動作において前記メモリセルが選択時に、前記共通ソース線は第2電圧に設定され、
書き込み動作において前記メモリセルが非選択時に前記共通ソース線は第3電圧に設定され、
前記第1電圧は、前記第2電圧より高く前記第3電圧より低いことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記記憶部は、抵抗値が電気的に可変な材料を備えることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか一に記載の半導体記憶装置。
- 複数のワード線と、前記複数のワード線に交差する複数のビット線と、前記ワード線と前記ビット線の交点に設けられたメモリセルを複数有する半導体記憶装置において、
読出し動作では、選択された一つのワード線に接続された複数のメモリセルからデータを読み出し、
書き込み動作では、選択された一つのビット線に接続された複数のメモリセルにデータを書き込むことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルを構成するトランジスタが形成されている基板は、前記ワード線と交差する方向に電気的に接続されていることを特徴とする請求項18に記載の半導体記憶装置。
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