JP2011061275A5 - - Google Patents
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上記課題に鑑み、本発明の発振器は、微分負性抵抗素子と、共振器と、前記微分負性抵抗素子に接続された線路と、前記線路の終端部において前記線路の信号線側に接続される第1端子と前記線路の接地線側に接続される第2端子と制御信号が印加される第3端子を有する三端子素子とを備える。そして、前記線路の特性インピーダンスと前記三端子素子の第1端子と第2端子間のインピーダンスがインピーダンス整合する様に、前記三端子素子の第3端子に印加される制御信号を調整する第1調整手段と、第2端子に印加される電圧を調整する第2調整手段を備える。
Claims (6)
- 微分負性抵抗素子と共振器とを備える発振器であって、
前記微分負性抵抗素子に接続された線路を備え、
前記線路の終端部において前記線路の信号線側に接続される第1端子と、前記線路の接地線側に接続される第2端子と、制御信号が印加される第3端子を有する三端子素子を更に備え、
前記線路の特性インピーダンスと前記三端子素子の第1端子と第2端子間のインピーダンスがインピーダンス整合する様に、前記三端子素子の第3端子に印加される制御信号を調整する第1調整手段と、第2端子に印加される電圧を調整する第2調整手段を備えることを特徴とする発振器。 - 前記三端子素子はトランジスタであり、
前記トランジスタのエミッタは、前記線路の終端部において前記線路の信号線側に接続され、前記トランジスタのコレクタは、前記線路の接地線側に接続され、
前記線路の特性インピーダンスと前記トランジスタのエミッタ・コレクタ間のインピーダンスがインピーダンス整合する様に、前記第1調整手段は前記トランジスタのベース電流を調整し、前記第2調整手段は前記トランジスタのコレクタ電圧を調整することを特徴とする請求項1に記載の発振器。 - 前記三端子素子は電界効果トランジスタであり、
前記電界効果トランジスタのソースは、前記線路の終端部において前記線路の信号線側に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインは、前記線路の接地線側に接続され、
前記線路の特性インピーダンスと前記電界効果トランジスタのソース・ドレイン間のインピーダンスがインピーダンス整合する様に、前記第1調整手段は前記電界効果トランジスタのゲート電圧を調整し、前記第2調整手段は前記電界効果トランジスタのドレイン電圧を調整することを特徴とする請求項1に記載の発振器。 - 前記線路と前記三端子素子との組を複数組備え、前記組のそれぞれが前記微分負性抵抗素子に対して並列に配されていることを特徴とする請求項1に記載の発振回路。
- 前記共振器は分布定数回路として配置され、
前記微分負性抵抗素子は集中定数素子として配置されていることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の発振器。 - 前記共振器は分布定数回路として配置され、
前記微分負性抵抗素子は分布定数素子として配置されていることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の発振器。
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US5578970A (en) * | 1993-03-19 | 1996-11-26 | Nguyen; Thai M. | BICMOS monolithic microwave oscillator using negative resistance cell |
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US5708398A (en) * | 1996-07-01 | 1998-01-13 | Motorola | Dual voltage controlled oscillator using integrated transistor and negative differential resistance diode |
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