JP2011061274A5 - - Google Patents
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上記課題に鑑み、本発明の発振回路及び、それを用いた発振器は、微分負性抵抗素子と、微分負性抵抗素子に接続した共振回路と、微分負性抵抗素子にバイアスを印加する為のバイアス手段と、微分負性抵抗素子と並列に接続した寄生発振を抑制する為の安定化回路と、を備える。そして、安定化回路は、可変なシャント抵抗と、前記バイアス手段と異なるシャント抵抗を調整する為の調整手段とを備える。
Claims (9)
- 微分負性抵抗素子と、前記微分負性抵抗素子に接続した共振回路と、前記微分負性抵抗素子にバイアスを印加する為のバイアス手段と、前記微分負性抵抗素子と並列に接続した寄生発振を抑制する為の安定化回路と、を備え、
前記安定化回路は、可変なシャント抵抗と、前記バイアス手段と異なる前記シャント抵抗を調整する為の調整手段とを備えることを特徴とする発振回路。 - 前記調整手段により前記シャント抵抗を調整することで発振出力の調整またはスイッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載の発振回路。
- 前記シャント抵抗はトランジスタを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の発振回路。
- 前記安定化回路は、前記共振回路で共振する定在波の節となる位置に接続されることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の発振回路。
- 前記微分負性抵抗素子は共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の発振回路。
- 前記可変なシャント抵抗は、複数のシャント抵抗を有し、
前記調整手段は、前記複数のシャント抵抗をスイッチすることで前記可変なシャント抵抗を調整することを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の発振回路。 - 基板と、前記基板上に集積された請求項１から６の何れか１項に記載の発振回路と、を備えることを特徴とする発振器。
- 微分負性抵抗素子と、前記微分負性抵抗素子に接続した共振回路と、前記微分負性抵抗素子と並列に接続した寄生発振を抑制する為の安定化回路と、を備え、前記安定化回路が、可変なシャント抵抗と、前記シャント抵抗を調整する為の調整手段と、を有する、発振回路の調整方法であって、
前記調整手段で前記シャント抵抗を変化させて、前記発振回路の低周波帯におけるインピーダンスを調整することで、前記発振回路の前記低周波帯よりも高い周波帯における発振出力の調整またはスイッチングを前記発振回路の動作中に行うことを特徴とする調整方法。 - 前記発振出力の調整またはスイッチングを前記微分負性抵抗素子にバイアスを印加したまま行うことを特徴とする請求項８に記載の調整方法。
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