JP2011061274A - 発振回路及び発振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発振回路100は、負性抵抗素子101と、負性抵抗素子101に接続した共振回路102と、負性抵抗素子101と並列に接続した寄生発振を抑制する為の安定化回路103と、を備える。安定化回路103は、可変なシャント抵抗104と、シャント抵抗104を調整する為の調整手段105とを備える。
【選択図】図1
Description
振幅条件
Re[YRTD]+Re[YOSC]≦0 式1
位相条件
Im[YRTD]+Im[YOSC]=0 式2
また、低周波の領域における寄生発振は、次の式3を満たす時に抑制される。これは、RTD101は、端子aa’から電源106側の外部回路と共振する場合に、低周波帯(DC〜数GHz)で寄生発振するためである。
寄生発振抑制条件
Re[YRTD]+Re[Ya]>0 式3
ここで、YRTDはRTD101のアドミタンス、Yoscは共振回路102のアドミタンス、Yaは端子aa'から電源106側の回路(安定化回路103、電源106、その他外部回路などを含んだ回路)のアドミタンスである。また、Re[YRTD]、Re[Ya]、Re[YOSC]、は、アドミタンスYRTD、Ya、YOSCの実部で、Im[YRTD]、Im[YOSC]は、アドミタンスYRTD、YOSCの虚部である。
(実施例)
本実施例に係る発振回路について、図3から図5を用いて説明する。図3(a)は本実施例の外観図であり、図3(b)は本実施例の断面図である。図4(a)、図4(b)、及び図5は本実施例の変形例を説明する図である。
第一障壁層 AlAs 1.3nm
第一量子井戸層 InGaAs 7.6nm
第二障壁層 InAlAs 2.6nm
第二量子井戸層 InGaAs 5.6nm
第三障壁層 AlAs 1.3nm
ここで、第一量子井戸層、第二障壁層、第二量子井戸層は面方位(100)のInPに格子整合したInGaAs/InAlAsである。第一障壁層、第三障壁層は、InPに格子整合していないAlAsで、臨界薄膜より薄く、エネルギーの高い障壁となっている。3重障壁量子井戸構造を、ノンドープInGaAsからなるスペーサ層、n+InGaAsから構成される電気接点層で上下から挟み共鳴トンネルダイオードが構成される。また、RTD201の上下には、高濃度にドーピングしたn++InGaAsのコンタクト層220a、220bを配置する。
Claims (7)
- 負性抵抗素子と、前記負性抵抗素子に接続した共振回路と、前記負性抵抗素子と並列に接続した寄生発振を抑制する為の安定化回路と、を備え、
前記安定化回路は、可変なシャント抵抗と、前記シャント抵抗を調整する為の調整手段とを備えることを特徴とする発振回路。 - 前記調整手段により前記シャント抵抗を調整することで発振出力の調整またはスイッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載の発振回路。
- 前記シャント抵抗はトランジスタを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の発振回路。
- 前記安定化回路は、前記共振回路を共振する定在波の節となる位置に接続されることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の発振回路。
- 前記負性抵抗素子は共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の発振回路。
- 請求項1から5記載の何れか1項に記載の発振回路を基板上に集積したことを特徴とする発振器。
- 負性抵抗素子を備えた発振回路の調整方法であって、寄生発振を抑制する安定化回路のシャント抵抗を変化させて、前記発振回路の低周波帯におけるインピーダンスを調整して、前記発振回路の前低周波帯よりも高い周波帯における発振出力の調整やスイッチングを行うことを特徴とする調整方法。
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