JP2014199965A - 発振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 二導体108,109で負性抵抗素子101と誘電体107を挟むように構成されたマイクロストリップ共振器102によって規定された周波数foscのテラヘルツ波が発振される発振器100であって、前記発振器100は、前記負性抵抗素子101と並列に設けられた抵抗素子110を備え、前記抵抗素子110は、発振されるテラヘルツ波の周波数foscにおいて前記共振器102内を定在する電界の実質的に節となる位置に配置されることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
振幅条件 Re[YRTD]+Re[YANT]<=0 式1
位相条件 Im[YRTD]+Im[YANT]=0 式2
の二つの条件を満たす周波数が発振周波数foscとして決定される。ここで、Re[YRTD]は負性抵抗素子のアドミタンスであり負の値を有す。
Claims (13)
- 二導体で負性抵抗素子と誘電体を挟むように構成されたマイクロストリップ共振器によって規定された周波数foscのテラヘルツ波が発振される発振器であって、
前記負性抵抗素子と並列に設けられた抵抗素子を備え、
前記抵抗素子は、発振されるテラヘルツ波の周波数foscにおいて前記共振器内を定在する電界の節となる位置に配置される
ことを特徴とする発振器。 - 前記抵抗素子は、前記共振器を定在する電界の強度が最大電界強度の1/e2(eは自然対数の底)以下となる位置に配置される
ことを特徴とする請求項1記載の発振器。 - 前記抵抗素子は、前記共振器内に配置される
ことを特徴とする請求項1〜2のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記共振器はパッチアンテナを含み構成される
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記負性抵抗素子のバイアス電圧を調整するための電源と配線とを含むバイアス回路と、
前記共振器と前記バイアス回路を接続する為のストリップ導体をさらに備え、前記抵抗素子は前記ストリップ導体と接地との間に配置される
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記抵抗素子は半導体と金属の接触抵抗を含み構成される
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記抵抗素子は非線形抵抗である
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記抵抗素子はショットキーバリアダイオードを含み構成される
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記抵抗素子は抵抗は有限な値であり、前記共振器の特性インピーダンスの1/10〜10倍の範囲である
ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記抵抗素子は抵抗は有限な値であり、0.1〜1000Ωの範囲である
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の発振器。 - 前記抵抗素子は前記共振器の中心より負性抵抗素子101に近い位置に配置される
ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の発振器。 - 二導体で負性抵抗素子と誘電体を挟むように構成されたマイクロストリップ共振器によって規定された周波数foscのテラヘルツ波が発振される発振器であって、
前記発振器は、前記負性抵抗素子と並列に設けられた抵抗素子を備え、
前記抵抗素子は、発振されるテラヘルツ波の周波数fosc付近の周波数帯を高インピーダンスにし、且つ、寄生発振の周波数fsp(fsp<fosc)を含む周波数帯を低インピーダンスとするように設定される
ことを特徴とする発振器。 - 二導体で負性抵抗素子と誘電体を挟むように構成されたマイクロストリップ共振器によって規定された周波数foscのテラヘルツ波が発振される発振器であって、
前記発振器は、前記負性抵抗素子と並列に設けられた抵抗素子を備え、
前記抵抗素子は、発振されるテラヘルツ波の周波数fosc付近の周波数帯でRe[YRTD]+Re[YANT]<=0を満たし、且つ、寄生発振の周波数fsp(fsp<fosc)を含む周波数帯でRe[YRTD]+Re[YANT]>0を満たすように設定されることを特徴とする発振器。ここで、Re[YRTD]は前記負性抵抗素子のアドミタンスの実部、Re[YANT]は前記共振器のアドミタンスの実部である
ことを特徴とする発振器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013073648A JP6282041B2 (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 発振器 |
US14/226,704 US9231521B2 (en) | 2013-03-29 | 2014-03-26 | Oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013073648A JP6282041B2 (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 発振器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014199965A true JP2014199965A (ja) | 2014-10-23 |
JP2014199965A5 JP2014199965A5 (ja) | 2016-05-19 |
JP6282041B2 JP6282041B2 (ja) | 2018-02-21 |
Family
ID=51620197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013073648A Active JP6282041B2 (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 発振器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9231521B2 (ja) |
JP (1) | JP6282041B2 (ja) |
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US11496095B2 (en) | 2020-10-29 | 2022-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillator |
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2013
- 2013-03-29 JP JP2013073648A patent/JP6282041B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-26 US US14/226,704 patent/US9231521B2/en active Active
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US11496095B2 (en) | 2020-10-29 | 2022-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6282041B2 (ja) | 2018-02-21 |
US20140292428A1 (en) | 2014-10-02 |
US9231521B2 (en) | 2016-01-05 |
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